專利名稱：等離子顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此所公開的技術(shù)涉及一種在顯示設(shè)備等中使用的等離子顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(以下稱為rop)由前面板和背面板構(gòu)成。前面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一個(gè)主面上的顯示電極、覆蓋顯示電極來(lái)發(fā)揮電容器的作用的電介質(zhì)層、以及形成在電介質(zhì)層上的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層構(gòu)成。另一方面，背面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一個(gè)主面上的數(shù)據(jù)電極、覆蓋數(shù)據(jù)電極的襯底電介質(zhì)層、形成在襯底電介質(zhì)層上的隔壁、以及形成在各隔壁之間的分別發(fā)出紅色光、綠色光及藍(lán)色光的熒光體層構(gòu)成。前面板和背面板將電極形成面?zhèn)葘?duì)置而被氣密地密封。向被隔壁劃分的放電空間 封入氖(Ne)及氙(Xe)的放電氣體。放電氣體通過(guò)選擇性地施加在顯示電極上的影像信號(hào)電壓來(lái)放電。通過(guò)放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)各色熒光體層。所激發(fā)的熒光體層發(fā)出紅色光、綠色光、藍(lán)色光。PDP這樣實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示(參照專利文獻(xiàn)I)。保護(hù)層主要具有4個(gè)功能。第1，從放電產(chǎn)生的離子沖擊中保護(hù)電介質(zhì)層。第2，放射用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)放電的初始電子。第3，保持用于產(chǎn)生放電的電荷。第4，在維持放電時(shí)放射二次電子。由于在離子沖擊中電介質(zhì)層受到保護(hù)，因此放電電壓的上升被抑制。由于初始電子放射數(shù)量增加，因此成為圖像閃爍的原因的數(shù)據(jù)放電錯(cuò)誤減少。由于能提高電荷保持性，因此可降低施加電壓。由于二次電子放射數(shù)量增加，因此可降低維持放電電壓。為了增加初始電子放射數(shù)量，進(jìn)行了例如在保護(hù)層的MgO中添加硅(Si)、鋁(Al)等嘗試(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2、3、4、5等)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2002-260535號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開平11-339665號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-59779號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本特開平8-236028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :日本特開平10-334809號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
一種PDP的制造方法，PDP包括背面板、以及在與背面板之間設(shè)置放電空間而被密封的前面板。前面板具有電介質(zhì)層、和覆蓋電介質(zhì)層的保護(hù)層。保護(hù)層包括形成在電介質(zhì)層上的襯底層。在襯底層的整個(gè)面上分散配置由多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子凝集而成的凝集粒子。襯底層至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。襯底層的峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與襯底層的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構(gòu)成的組中選擇的2種化合物。該rop的制造方法包括以下エ藝。在電介質(zhì)層上形成襯底層。接著，在襯底層上涂布第I有機(jī)溶劑，從而形成第I涂布層。接著，在第I涂布層上涂布分散有凝集粒子的第2有機(jī)溶剤，從而形成第2涂布層。接著，加熱第I涂布層及第2涂布層，從而使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)，并且在襯底層上分散配置凝集粒子。


圖I是表示實(shí)施方式所涉及的rop的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示實(shí)施方式所涉及的前面板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示實(shí)施方式所涉及的rop的制造エ序的流程圖。
圖4是表示實(shí)施方式所涉及的襯底膜的X射線衍射分析的結(jié)果的圖。圖5是表示實(shí)施方式所涉及的其他結(jié)構(gòu)的襯底膜的X射線衍射分析的結(jié)果的圖。圖6是實(shí)施方式所涉及的凝集粒子的放大圖。圖7是表示實(shí)施方式所涉及的PDP的放電延遲與保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度之間的關(guān)系的圖。圖8是表示該P(yáng)DP所涉及的電子放射性能與Vscn點(diǎn)亮電壓之間的關(guān)系的圖。圖9是表示實(shí)施方式所涉及的凝集粒子的平均粒徑與電子放射性能之間的關(guān)系的圖。圖10是表示實(shí)施方式所涉及的凝集粒子的平均粒徑與隔壁破壞概率之間的關(guān)系的圖。圖11是表示實(shí)施方式所涉及的保護(hù)層形成エ序的流程圖。圖12是表示實(shí)施方式所涉及的保護(hù)層形成エ序的圖。
具體實(shí)施例方式[I. PDP的基本結(jié)構(gòu)]PDP的基本結(jié)構(gòu)為普通的交流面放電型TOP。如圖I所示，PDPl對(duì)置配置了由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10。前面板2和背面板10的外周部通過(guò)由玻璃粉等構(gòu)成的密封件氣密地密封。在被密封的ropi內(nèi)部的放電空間16中，以53kPa 80kPa的壓カ封入了 Ne及Xe等放電氣體。在前面玻璃基板3上，彼此平行地分別配置有多列由掃描電極4及維持電極5構(gòu)成的ー對(duì)帶狀的顯示電極6及黑條(black stripe) 7。在前面玻璃基板3上以覆蓋顯示電極6和黑條7的方式形成起到電容器作用的電介質(zhì)層8。此外，在電介質(zhì)層8的表面上形成有由MgO等構(gòu)成的保護(hù)層9。此外，如圖2所示，本實(shí)施方式中的保護(hù)層9包括層疊在電介質(zhì)層8上的襯底層、即襯底膜91和附著在襯底膜91上的凝集粒子92。掃描電極4及維持電極5分別在由銦錫氧化物(ITO)、ニ氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等導(dǎo)電性金屬氧化物構(gòu)成的透明電極上層疊了含有Ag的總線電扱。在背面玻璃基板11上，在與顯示電極6正交的方向上彼此平行地配置了由以銀(Ag)為主要成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的多個(gè)數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12被襯底電介質(zhì)層13覆蓋。此外，在數(shù)據(jù)電極12之間的襯底電介質(zhì)層13上形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁14。在襯底電介質(zhì)層13上及隔壁14的側(cè)面，按每個(gè)數(shù)據(jù)電極12依次涂布形成有通過(guò)紫外線發(fā)出紅色光的熒光體層15、發(fā)出綠色光的熒光體層15及發(fā)出藍(lán)色光的熒光體層15。在顯示電極6與數(shù)據(jù)電極12交叉的位置上形成有放電單元。在顯示電極6的方向上排列的具有紅色、綠色及藍(lán)色的熒光體層15的放電單元是用于進(jìn)行彩色顯示的像素。另外，在本實(shí)施方式中，封入到放電空間16中的放電氣體包含10體積％以上且30%體積以下的Xe。[2. PDP的制造方法]接著，說(shuō)明I3DPl的制造方法。 首先，說(shuō)明前面板2的制造方法。如圖3所示，在電極形成工序Sll中，通過(guò)光刻法，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5和黑條7。掃描電極4及維持電極5具有用于確保導(dǎo)電性的含有Ag的總線電極4b、5b。此外，掃描電極4及維持電極5包括透明電極4a、5a?？偩€電極4b層疊在透明電極4a上。總線電極5b層疊在透明電極5a上。透明電極4a、5a的材料為了確保透明度和電傳導(dǎo)性而使用ITO等。首先，通過(guò)濺射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接著通過(guò)平面印刷法形成規(guī)定圖案的透明電極 4a、5a?？偩€電極4b、5b的材料使用含有Ag、用于使Ag粘結(jié)的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的白色糊劑。首先，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等，在前面玻璃基板3上涂布白色糊劑。接著，通過(guò)干燥爐去除白色糊劑中的溶劑。接著，通過(guò)規(guī)定圖案的光掩模，使白色糊劑曝光。接著，白色糊劑被顯影，形成總線電極圖案。最后，通過(guò)燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成總線電極圖案。即，總線電極圖案中的感光性樹脂被去除。此外，總線電極圖案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在燒成后再次被玻璃化。通過(guò)以上工序,形成總線電極4b、5b。黑條7使用含有黑色顏料的材料。采用絲網(wǎng)印刷法等，在顯示電極6之間形成黑條7。接著，在電介質(zhì)層形成工序S12中，形成電介質(zhì)層8。電介質(zhì)層8的材料使用含有電介質(zhì)玻璃粉、樹脂及溶劑等的電介質(zhì)糊劑。首先，通過(guò)模涂(die coat method)法等，以規(guī)定的厚度覆蓋掃描電極4、維持電極5及黑條7的方式在前面玻璃基板3上涂布電介質(zhì)糊齊U。接著，通過(guò)干燥爐，去除電介質(zhì)糊劑中的溶劑。最后，通過(guò)燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成電介質(zhì)糊劑。即，電介質(zhì)糊劑中的樹脂被去除。此外，電介質(zhì)玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在燒成后再次被玻璃化。通過(guò)以上工序S12，形成電介質(zhì)層8。在此，除了對(duì)電介質(zhì)糊劑進(jìn)行模涂的方法以外，還可以使用絲網(wǎng)印刷法、旋涂法等。此外，也可以不使用電介質(zhì)糊劑，而是通過(guò)CVD (Chemical Vapor Deposition)法等形成成為電介質(zhì)層8的膜。電介質(zhì)層8的詳細(xì)情況將在后面進(jìn)行說(shuō)明。接著，在保護(hù)層形成工序S13中，在電介質(zhì)層8上形成具有襯底膜91及凝集粒子92的保護(hù)層9。保護(hù)層9的詳細(xì)情況及保護(hù)層形成工序S13的詳細(xì)情況將在后文進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)以上工序Sll S13，在前面玻璃基板3上形成掃描電極4、維持電極5、黑條7、電介質(zhì)層8及保護(hù)層9，制作完成前面板2。接著，說(shuō)明背面板制作工序S21。通過(guò)光刻法，在背面玻璃基板11上形成數(shù)據(jù)電極12。數(shù)據(jù)電極12的材料使用含有用于確保導(dǎo)電性的Ag、用于使Ag粘結(jié)的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的數(shù)據(jù)電極糊劑。首先，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等，數(shù)據(jù)電極糊劑以規(guī)定的厚度被涂布在背面玻璃基板11上。接著，通過(guò)干燥爐，去除數(shù)據(jù)電極糊劑中的溶剤。接著，通過(guò)規(guī)定圖案的光掩模，曝光數(shù)據(jù)電極糊劑。接著，數(shù)據(jù)電極糊劑被顯影，形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，通過(guò)燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成數(shù)據(jù)電極圖案。即，數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂被去除。此外，數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在燒成后再次被玻璃化。通過(guò)以上エ序，形成數(shù)據(jù)電極12。在此，除了對(duì)數(shù)據(jù)電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以采用濺射法、蒸鍍法等。
接著，形成襯底電介質(zhì)層13。襯底電介質(zhì)層13的材料使用含有電介質(zhì)玻璃粉、樹脂及溶劑等的襯底電介質(zhì)糊劑。首先，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等，襯底電介質(zhì)糊劑以規(guī)定的厚度在形成有數(shù)據(jù)電極12的背面玻璃基板11上被涂布成覆蓋數(shù)據(jù)電極12。接著，通過(guò)干燥爐，去除襯底電介質(zhì)糊劑中的溶劑。最后，通過(guò)燒成爐,在規(guī)定的溫度下燒成襯底電介質(zhì)糊劑。即，襯底電介質(zhì)糊劑中的樹脂被去除。此外，電介質(zhì)玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在燒成后再次被玻璃化。通過(guò)以上エ序，形成襯底電介質(zhì)層13。在此,除了對(duì)襯底電介質(zhì)糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外，還可以采用模涂法、旋涂法等。此外，也可以不使用襯底電介質(zhì)糊劑，而是通過(guò)CVD法等形成成為襯底電介質(zhì)層13的膜。接著，通過(guò)光刻法形成隔壁14。隔壁14的材料使用含有填料、用于使填料粘結(jié)的玻璃粉、感光性樹脂及溶劑等的隔壁糊劑。首先，通過(guò)模涂法等，隔壁糊劑以規(guī)定的厚度被涂布在襯底電介質(zhì)層13上。接著，通過(guò)干燥爐去除隔壁糊劑中的溶剤。接著，通過(guò)規(guī)定圖案的光掩模，曝光隔壁糊劑。接著，隔壁糊劑被顯影，形成隔壁圖案。最后，通過(guò)燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成隔壁圖案。即，隔壁圖案中的感光性樹脂被去除。此外，隔壁圖案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在燒成后再次被玻璃化。通過(guò)以上エ序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，還可以采用噴沙法等。接著，形成熒光體層15。熒光體層15的材料使用含有熒光體、粘合劑及溶劑等的突光體糊劑。首先，通過(guò)分配法(dispensing method)等,突光體糊劑以規(guī)定的厚度被涂布在相鄰的隔壁14之間的襯底電介質(zhì)層13上及隔壁14的側(cè)面上。接著，通過(guò)干燥爐，去除熒光體糊劑中的溶剤。最后，通過(guò)燒成爐，在規(guī)定的溫度下燒成熒光體糊劑。即，熒光體糊劑中的樹脂被去除。通過(guò)以上エ序，形成熒光體層15。在此，除了分配法以外，還可以采用絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等。通過(guò)以上背面板制作エ序S21，制作完成在背面玻璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu)成部件的背面板10。接著，在玻璃料(frit)涂布エ序S22中，通過(guò)分配法，在背面板10的周圍形成密封件(未圖示)。密封件(未圖示)的材料使用含有玻璃粉、粘合劑及溶劑等的密封糊劑。接著，通過(guò)干燥爐，去除密封糊劑中的溶劑。并且，組裝前面板2和背面板10。在校準(zhǔn)エ序S31中，以顯示電極6與數(shù)據(jù)電極12正交的方式，對(duì)置配置前面板2和背面板10。接著，在密封排氣エ序S32中，前面板2和背面板10的周圍被玻璃粉密封，放電空間16內(nèi)被排氣。最后，在放電氣體供給エ序S33中，向放電空間16封入含有Ne、Xe等的放電氣體。通過(guò)以上エ序，制作完成PDPl。
[3.電介質(zhì)層的詳細(xì)情況]詳細(xì)說(shuō)明電介質(zhì)層8。電介質(zhì)層8由第I電介質(zhì)層81和第2電介質(zhì)層82構(gòu)成。第I電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料包含以下成分。三氧化二鉍(Bi2O3)為20重量％ 40重量％。從由氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)及氧化鋇(BaO)構(gòu)成的組中選擇的至少I種為O. 5重 量％ 12重量％。從由三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)及二氧化錳(MnO2)構(gòu)成的組中選擇的至少I種為O. I重量％ 7重量％。另外，也可以代替由此03、冊(cè)3、0602及胞02構(gòu)成的組，也可以含有0. I重量％ 7重量％的從由氧化銅(CuO)、三氧化二鉻(Cr2O3)、三氧化二鈷(Co2O3)、七氧化二釩(V2O7)及三氧化二銻(Sb2O3)構(gòu)成的組中選擇的至少I種。此外，作為上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的氧化硼(B2O3)、0重量％ 15重量％的二氧化硅(SiO2)、0重量％ 10重量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的成分。電介質(zhì)材料是通過(guò)濕式噴磨機(jī)、球磨機(jī)粉碎成平均粒徑達(dá)到O. 5μηι 2. 5μηι來(lái)制作出電介質(zhì)材料粉末。接著，用三輥機(jī)(three-roll mill)充分混煉55重量％ 70重量％的該電介質(zhì)材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合劑成分來(lái)制作完成模涂用或印刷用的第I電介質(zhì)層用糊劑。粘合劑成分為乙基纖維素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根據(jù)需要在糊劑中添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑。此外，也可以添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (Kao Corporation公司產(chǎn)品名)、燒基烯丙基的磷酸酯等作為分散齊U。若添加分散劑，則可提高印刷性。第I電介質(zhì)層用糊劑覆蓋顯示電極6，且通過(guò)模涂法或絲網(wǎng)印刷法將其印刷在前面玻璃基板3上。所印刷的第I電介質(zhì)層用糊劑在干燥后在比電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度、即575°C 590°C下被燒成,形成第I電介質(zhì)層81。接著，說(shuō)明第2電介質(zhì)層82。第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料含有以下成分。Bi2O3為11重量％ 20重量％。從Ca0、Sr0、Ba0中選擇的至少I種為I. 6重量％ 21重量％。從MoO3、WO3、CeO2選擇的至少I種為0. I重量％ 7重量％。另夕卜，也可以代替MoO3、WO3、CeO2，從 CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3、MnO2 中選擇的至少I種含有O. I重量％ 7重量％。此外，作為除了上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的民03、0重量％ 15重量％的Si02、0重量％ 10重量％的Al2O3等不含鉛成分的成分。電介質(zhì)材料是通過(guò)濕式噴磨機(jī)、球磨機(jī)被粉碎成平均粒徑達(dá)到O. 5μπι 2. 5μπι而制作出電介質(zhì)材料粉末。接著，利用三輥機(jī)充分混煉55重量％ 70重量％的該電介質(zhì)材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合劑成分來(lái)制作完成模涂用或印刷用的第2電介質(zhì)層用糊劑。粘合劑成分為乙基纖維素、或含有丙烯酸樹脂I重量％ 20重量％的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根據(jù)需要在糊劑中添加鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作為增塑劑。此外，也可以添加甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酷、homogenoll (Kao Corporation公司產(chǎn)品名)、燒基烯丙基的磷酸酯等作為分散齊U。若添加分散劑，則印刷性提高。第2電介質(zhì)層用糊劑是通過(guò)絲網(wǎng)印刷法或模涂法被印刷在第I電介質(zhì)層81上的。所印刷的第2電介質(zhì)層用糊劑在干燥后，在比電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度即550°C 590°C下被燒成,形成第2電介質(zhì)層82。另外，關(guān)于電介質(zhì)層8的膜厚，為了確保可見光透過(guò)率，優(yōu)選第I電介質(zhì)層81和第2電介質(zhì)層82加起來(lái)在41 μ m以下。第I電介質(zhì)層81為了抑制與總線電極4b、5b的Ag反應(yīng),將Bi2O3的含量設(shè)為大于第2電介質(zhì)層82的Bi2O3的含量，即設(shè)為20重量％ 40重量％。于是，第I電介質(zhì)層81的可見光透過(guò)率低于第2電介質(zhì)層82的可見光透過(guò)率，因此第I電介質(zhì)層81的膜厚比第2電介質(zhì)層82的膜厚薄。 第2電介質(zhì)層82在Bi2O3的含量小于11重量％時(shí)，雖然難以著色，但在第2電介質(zhì)層82中容易產(chǎn)生氣泡。因此，不優(yōu)選Bi2O3的含量小于11重量％。另ー方面，在Bi2O3的含量超過(guò)40重量％吋，容易產(chǎn)生著色，因此可見光透過(guò)率減小。因此，不優(yōu)選Bi2O3的含量超過(guò)40重量％。此外，電介質(zhì)層8的膜厚越小，亮度提高和放電電壓降低的效果就越顯著。因此，優(yōu)選的是，只要在絕緣耐壓不降低的范圍內(nèi)，則盡可能將膜厚設(shè)定得較小。根據(jù)以上觀點(diǎn)，在本實(shí)施方式中，將電介質(zhì)層8的膜厚設(shè)定為41 μ m以下，將第I電介質(zhì)層81設(shè)定為5 μ m 15 μ m,將第2電介質(zhì)層82設(shè)定為20 μ m 36 μ m。如上所述制造的I3DPl即使在顯示電極6上使用Ag材料，也能夠抑制前面玻璃基板3的著色現(xiàn)象(泛黃)及在電介質(zhì)層8中產(chǎn)生氣泡等，能夠?qū)崿F(xiàn)絕緣耐壓性能優(yōu)異的電介質(zhì)層8,這一點(diǎn)已得到確認(rèn)。接著，分析在本實(shí)施方式的ropi中通過(guò)這些電介質(zhì)材料能夠抑制在第I電介質(zhì)層81中產(chǎn)生泛黃及氣泡的原因。即，公知的是，在含有Bi2O3的電介質(zhì)玻璃中添加MoO3或WO3,在 5800C 以下的低溫下容易生成 Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4,Ag2W2O7,Ag2W4O13 這樣的化合物。在本實(shí)施方式中，電介質(zhì)層8的燒成溫度為550°C 590°C,因此在燒成中向電介質(zhì)層8中擴(kuò)散的銀離子(Ag+)與電介質(zhì)層8中的MoO3、WO3、CeO2、MnO2反應(yīng)，生成穩(wěn)定的化合物而穩(wěn)定化。即，Ag+不會(huì)被還原而是被穩(wěn)定化，因此不會(huì)凝集并生成肢體。從而，由于Ag+穩(wěn)定化，因此伴隨Ag的膠體化而產(chǎn)生的氧也減少，因此在電介質(zhì)層8中產(chǎn)生的氣泡也減少。另ー方面，為了有效地獲得上述效果，優(yōu)選的是，在含有Bi2O3的電介質(zhì)玻璃中將MoO3> WO3> CeO2, MnO2的含量設(shè)為O. I重量％以上，更優(yōu)選在O. I重量％以上且7重量％以下。尤其是若小于O. I重量％，則抑制泛黃的效果減小，若超過(guò)7重量％，則容易在玻璃上引起著色，因此不優(yōu)選。即，本實(shí)施方式的I3DPl的電介質(zhì)層8通過(guò)與由Ag材料構(gòu)成的總線電極4b、5b接觸的第I電介質(zhì)層81抑制泛黃現(xiàn)象和產(chǎn)生氣泡，通過(guò)在第I電介質(zhì)層81上設(shè)置的第2電介質(zhì)層82來(lái)實(shí)現(xiàn)高光透過(guò)率。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)電介質(zhì)層8整體的氣泡及泛黃的產(chǎn)生極少的高透過(guò)率的rop。[4.保護(hù)層的詳細(xì)情況]保護(hù)層9包括襯底層、即襯底膜91和凝集粒子92。襯底膜91至少包括第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由MgO、CaO、SrO及BaO構(gòu)成的組中選擇的2種化合物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。該峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值和第2峰值表示與襯底膜91的峰值所示的面取向相同的面取向。[4-1.襯底膜的詳細(xì)情況]圖4表示構(gòu)成本實(shí)施方式中的I3DPl的保護(hù)層9的襯底膜91面的X射線衍射結(jié)果。此外，圖4中還表示MgO單體、CaO單體、SrO單體及BaO單體的X射線衍射分析的結(jié)果。在圖4中，橫軸為布拉格衍射角(2 Θ )，縱軸為X射線衍射波的強(qiáng)度。衍射 角的單位是以I周為360度的度數(shù)來(lái)表示的,強(qiáng)度用任意單位(arbitrary unit)來(lái)表示。作為特定取向面的結(jié)晶取向面是帶上括弧來(lái)表示的。如圖4所示，在(111)的面取向上，CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。SrO單體在衍射角30. O度處具有峰值。BaO單體的峰值在衍射角27. 9度處具有峰值。在本實(shí)施方式的I3DPl中，保護(hù)層9的襯底膜91含有從由MgO、CaO、SrO及BaO構(gòu)成的組中選擇的至少2種以上的金屬氧化物。在圖4中表示構(gòu)成襯底膜91的單體成分為雙成分時(shí)的X射線衍射結(jié)果。A點(diǎn)是作為單體成分使用MgO和CaO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。B點(diǎn)是作為單體成分使用MgO和SrO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。C點(diǎn)是作為單體成分使用MgO和BaO的單體而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。如圖4所示，A點(diǎn)在(111)的面取向上在衍射角36. I度處具有峰值。作為第I金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。作為第2金屬氧化物的CaO單體在衍射角32. 2度處具有峰值。即，A點(diǎn)的峰值位于MgO單體的峰值與CaO單體的峰值之間。同樣地，B點(diǎn)的峰值是衍射角35. 7度,位于作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的SrO單體的峰值之間。C點(diǎn)的峰值也是衍射角35. 4度,位于作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。此外，圖5表示構(gòu)成襯底膜91的單體成分為3成分以上時(shí)的X射線衍射結(jié)果。D點(diǎn)是作為單體成分使用MgO、CaO及SrO而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。E點(diǎn)是作為單體成分使用MgO、CaO及BaO而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。F點(diǎn)是作為單體成分使用CaO、SrO及BaO而形成的襯底膜91的X射線衍射結(jié)果。如圖5所示，D點(diǎn)在(111)的面取向上在衍射角33. 4度處具有峰值。作為第I金屬氧化物的MgO單體在衍射角36. 9度處具有峰值。作為第2金屬氧化物的SrO單體在衍射角30. O度處具有峰值。即，D點(diǎn)的峰值位于MgO單體的峰值與SrO單體的峰值之間。同樣，E點(diǎn)的峰值是衍射角32. 8度，位于作為第I金屬氧化物的MgO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。F點(diǎn)的峰值也是衍射角30. 2度,位于作為第I金屬氧化物的CaO單體的峰值與作為第2金屬氧化物的BaO單體的峰值之間。因此，本實(shí)施方式的I3DPl的襯底膜91至少含有第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。該峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值和第2峰值表示與襯底膜91的峰值所表示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由MgO、CaO、SrO及BaO構(gòu)成的組中選擇的2種化合物。另外，在以上說(shuō)明中，作為結(jié)晶的面取向面以(111)為對(duì)象進(jìn)行了說(shuō)明，但是在以其他面取向?yàn)閷?duì)象的情況下，金屬氧化物的峰值的位置也與上述情況相同。CaO、SrO及BaO距離真空能級(jí)(vacuum level)的深度與MgO相比位于較淺的區(qū)域。因此認(rèn)為，在驅(qū)動(dòng)I3DPl的情況下，Ca0、Sr0、Ba0的位于能級(jí)上的電子向Xe離子的基態(tài)遷移時(shí)，由于俄歇效應(yīng)(Auger effect)而放射的電子數(shù)與從 MgO的能級(jí)遷移時(shí)相比更多。此外，如上所述，本實(shí)施方式中的襯底膜91的峰值位于第I金屬氧化物的峰值與第2金屬氧化物的峰值之間。即，襯底膜91的能級(jí)位于単體的金屬氧化物之間，認(rèn)為由于俄歇效應(yīng)而放射的電子數(shù)與從MgO的能級(jí)遷移時(shí)相比更多。其結(jié)果，與MgO単體相比，通過(guò)襯底膜91能夠發(fā)揮良好的二次電子放射特性，其結(jié)果能夠減小維持電壓。因此，尤其在為了提高亮度而提高了作為放電氣體的Xe分壓的情況下，能夠減小放電電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓且高亮度的rop I。表I表示在本實(shí)施方式的I3DPl中封入60kPa的Xe及Ne的混合氣體(Xe，15% ),并改變襯底膜91的構(gòu)成時(shí)的維持電壓的結(jié)果。[表 I]
__樣品A —樣品B —樣品C —樣品D —樣品E 比較例_
維持電壓 9087858182100
(a.u.)另外，表I的維持電壓是通過(guò)將比較例的值設(shè)為“100”時(shí)的相對(duì)值來(lái)表示的。樣品A的襯底膜91由MgO和CaO構(gòu)成。樣品B的襯底膜91由MgO和SrO構(gòu)成。樣品C的襯底膜91由MgO和BaO構(gòu)成。樣品D的襯底膜91由Mg0、Ca0及SrO構(gòu)成。樣品E的襯底膜91由MgO、CaO及BaO構(gòu)成。此外，比較例中，襯底膜91由MgO單體構(gòu)成。在將放電氣體的Xe的分壓從10%提高到15%的情況下，亮度約上升30%，但是在襯底膜91為MgO單體時(shí)的比較例中，維持電壓約上升10%。另一方面,在本實(shí)施方式的F1DP中，樣品A、樣品B、樣品C、樣品D、樣品E與比較例相比均能夠使維持電壓約降低10% 20%。因此，能夠設(shè)置為通常動(dòng)作范圍內(nèi)的放電開始電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度且低電壓驅(qū)動(dòng)的rop。另外，CaO、SrO、BaO在單體的情況下反應(yīng)性高，因此容易與雜質(zhì)反應(yīng)，所以存在電子放射性能下降的課題。然而，在本實(shí)施方式中，通過(guò)采用它們的金屬氧化物的構(gòu)成，從而降低反應(yīng)性，由雜質(zhì)混入及氧缺損少的結(jié)晶結(jié)構(gòu)形成。因此，在驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)過(guò)度放射電子的情況被抑制，除了低電壓驅(qū)動(dòng)和二次電子放射性能這兩方面的效果以外，還能夠發(fā)揮適度的電子保持特性的效果。該電荷保持特性尤其是在保持初始化期間內(nèi)所蓄積的壁電荷，在寫入期間內(nèi)防止寫入不良來(lái)進(jìn)行可靠的寫入放電方面有效。[4-2.凝集粒子的詳細(xì)情況]接著，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施方式中的在襯底膜91上設(shè)置的凝集粒子92。如圖6所示,凝集粒子92由多個(gè)MgO的結(jié)晶粒子92a凝集而成。形狀能夠通過(guò)掃描型電子顯微鏡(SEM)來(lái)確認(rèn)。在本實(shí)施方式中，多個(gè)凝集粒子92分散配置在襯底膜91的整個(gè)面上。凝集粒子92是平均粒徑為O. 9μπι 2. 5μπι范圍的粒子。另外，在本實(shí)施方式中，平均粒徑是指體積累積平均直徑(D50)。此外，在測(cè)量平均粒徑時(shí)使用激光衍射式粒度分布測(cè)量裝置ΜΤ-3300(日機(jī)裝株式會(huì)社制造)。凝集粒子92不是作為固體通過(guò)強(qiáng)結(jié)合力而結(jié)合的。凝集粒子92是由多個(gè)一次粒子通過(guò)靜電、范德華力等聚合而成的。此外，凝集粒子92是通過(guò)其一部分或全部能夠因超聲波等外力而分解為一次粒子的狀態(tài)的程度的力結(jié)合的。作為凝集粒子92的粒徑，約為Iym左右，作為結(jié)晶粒子92a，具有14面體、12面體等具備7面以上的面的多面體形狀。此夕卜，結(jié)晶粒子92a能夠通過(guò)以下所示的氣相合成法或前體燒成法的任意方法來(lái)制造。在氣相合成法中，在充滿了惰性氣體的環(huán)境下，加熱純度為99. 9%以上的鎂(Mg)金屬材料。進(jìn)一步，向環(huán)境中導(dǎo)入少量的氧并加熱，從而直接使Mg氧化。由此制作出MgO 的結(jié)晶粒子92a。另一方面，在前體燒成法中，通過(guò)以下方法制作結(jié)晶粒子92a。在前體燒成法中，在7000C以上的高溫下均勻地?zé)蒑gO的前體。并且，燒成后的MgO逐漸被冷卻而得到MgO的結(jié)晶粒子92a。作為前體，可以選擇例如鎂醇鹽(Mg(OR)2)、乙?；V(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂(MgCO2)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝酸鎂(Mg(NO3)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的任意I種以上的化合物。另外，根據(jù)所選擇的化合物，通常還會(huì)取水合物的形態(tài)，但也可以使用這種水合物。這些化合物被調(diào)整為燒成后獲得的MgO的純度達(dá)到99. 95%以上，優(yōu)選達(dá)到99. 98%以上。這是因?yàn)?，若在這些化合物中混有一定量以上的各種堿金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素，則在熱處理時(shí)產(chǎn)生無(wú)用的粒子間粘連及燒結(jié)，難以得到高結(jié)晶性的MgO的結(jié)晶粒子92a。因此，需要通過(guò)進(jìn)行雜質(zhì)元素的去除等來(lái)預(yù)先調(diào)整前體。通過(guò)調(diào)整前體燒成法的燒成溫度及燒成環(huán)境，能夠控制粒徑。燒成溫度可在700°C左右到1500°C左右的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。當(dāng)燒成溫度在1000°C以上時(shí)，能夠?qū)⒁淮瘟娇刂茷镺. 3 2 μ m左右。在前體燒成法的生成過(guò)程中以多個(gè)一次粒子彼此凝集的凝集粒子92的狀態(tài)得到結(jié)晶粒子92a。MgO的凝集粒子92通過(guò)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了主要抑制寫入放電中的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。因此，在本實(shí)施方式中，利用凝集粒子92與襯底膜91相比初始電子放射特性非常優(yōu)異的性質(zhì)，作為放電脈沖上升時(shí)所需的初始電子供給部來(lái)配置。放電延遲的主要原因認(rèn)為是，在放電開始時(shí)，作為觸發(fā)的初始電子從襯底膜91表面向放電空間16中放射的量不足。因此，為了輔助向放電空間16穩(wěn)定地供給初始電子，將MgO的凝集粒子92分散配置在襯底膜91的表面上。由此，放電脈沖上升時(shí)在放電空間16中存在大量電子，實(shí)現(xiàn)放電延遲的解除。因此，通過(guò)這種初始電子放射特性，即使在TOPl為聞精細(xì)的情況等下，也能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性良好的聞速驅(qū)動(dòng)。另外，在襯底I旲91的表面上配置金屬氧化物的凝集粒子92的結(jié)構(gòu)中，除了主要抑制寫入放電時(shí)的放電延遲的效果以夕卜，還能夠獲得改善放電延遲的溫度依賴性的效果。如上所述，在本實(shí)施方式的ropi中，通過(guò)起到低電壓驅(qū)動(dòng)及電荷保持這兩個(gè)效果的襯底膜91、和起到放電延遲的防止效果的MgO的凝集粒子92構(gòu)成，從而作為I3DPl整體，即使是高精細(xì)的rop，也能夠以低電壓進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了點(diǎn)亮不良的高品質(zhì)的圖像顯示性能。[4-3.實(shí)驗(yàn) I]圖7是表示本實(shí)施方式的rop I中使用由MgO和CaO構(gòu)成的襯底膜91時(shí)的放電延遲與保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度之間的關(guān)系的圖。作為襯底膜91，由MgO和CaO構(gòu)成，襯底膜91被設(shè)成在X射線衍射分析中峰值位于產(chǎn)生MgO的峰值的衍射角與產(chǎn)生CaO的峰值的衍射角之間。另外，圖7表示保護(hù)層9僅是襯底膜91的情況、和在襯底膜91上配置了凝集粒子92的情況，放電延遲以襯底膜91中不含Ca的情況為基準(zhǔn)來(lái)表示。根據(jù)圖7可知，在僅是襯底膜91的情況、與在襯底膜91上配置了凝集粒子92的情況中，在僅是襯底膜91的情況下，隨著Ca濃度的増加，放電延遲増大，而通過(guò)在襯底膜91 上配置凝集粒子92，能夠大幅減小放電延遲，即使Ca濃度增加，放電延遲也幾乎不會(huì)増大。[4-4.實(shí)驗(yàn) 2]接著，說(shuō)明為了確認(rèn)本實(shí)施方式的具有保護(hù)層9的TOPl的效果而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)
果O首先，試制了具有不同結(jié)構(gòu)的保護(hù)層9的ropi。試制品I為僅形成有MgO的保護(hù)層9的ropi。試制品2為形成有摻雜了 Al、Si等雜質(zhì)的MgO的保護(hù)層9的TOP1。試制品3為在MgO的保護(hù)層9上僅散布由MgO構(gòu)成的結(jié)晶粒子92a的一次粒子并使其附著的I3DPl。另ー方面，試制品4為本實(shí)施方式的ropi。試制品4為在MgO的襯底膜91上的整個(gè)面上分布凝集粒子92來(lái)使其附著的rop I，該凝集粒子92使具有相同粒徑的MgO的結(jié)晶粒子92a彼此凝集而成。作為保護(hù)層9，使用上述樣品A。即，保護(hù)層9包括由MgO和CaO構(gòu)成襯底膜91、以及凝集了結(jié)晶粒子92a的凝集粒子92，該凝集粒子92以大致均勻地分布在整個(gè)面上的方式附著在襯底膜91上。另外，襯底膜91在襯底膜91面的X射線衍射分析中，在構(gòu)成襯底膜91的第I金屬氧化物的峰值與第2金屬氧化物的峰值之間具有峰值。即，第I金屬氧化物為MgO，第2金屬氧化物為CaO。并且，MgO的峰值的衍射角為36. 9度，CaO的峰值的衍射角為32. 2度，襯底膜91的峰值的衍射角位于36. I度上。對(duì)具有上述4種保護(hù)層結(jié)構(gòu)的ropi測(cè)量電子放射性能和電荷保持性能。另外，電子放射性能是其值越大則表示電子放射量越多的數(shù)值。電子放射性能表現(xiàn)為放電的表面狀態(tài)、氣體種類及根據(jù)狀態(tài)決定的初始電子放射量。初始電子放射量能夠通過(guò)向表面照射離子或電子束并測(cè)量從表面放射的電子電流量的方法來(lái)測(cè)量。但是，難以通過(guò)非破壞的方式來(lái)實(shí)施。因此，使用了日本特開2007-48733號(hào)公報(bào)中所記載的方法。即，測(cè)量了放電時(shí)的延遲時(shí)間中被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的作為放電容易產(chǎn)生的基準(zhǔn)的數(shù)值。通過(guò)對(duì)統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的倒數(shù)進(jìn)行積分，成為與初始電子的放射量線性對(duì)應(yīng)的數(shù)值。放電時(shí)的延遲時(shí)間是指，從寫入放電脈沖上升開始到寫入放電延遲產(chǎn)生為止的時(shí)間。放電延遲的主要原因認(rèn)為是產(chǎn)生寫入放電時(shí)的觸發(fā)、即初始電子難以從保護(hù)層表面被放射到放電空間中。此外，電荷保持性能作為其指標(biāo)使用在制作ropi時(shí)抑制電荷放射現(xiàn)象所需的向掃描電極施加的電壓(以下稱為Vscn點(diǎn)亮電壓)的電壓值。即，Vscn點(diǎn)亮電壓低表不電荷保持能力高。若Vscn點(diǎn)亮電壓低，則能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)TOP。因此，作為電源及各電氣部件，能夠使用耐壓及容量小的部件。在現(xiàn)有的產(chǎn)品中，用于向面板依次施加掃描電壓的MOSFET等半導(dǎo)體開關(guān)元件一直使用了耐壓為150V左右的元件。作為Vscn點(diǎn)亮電壓，考慮到隨溫度的變動(dòng)，期望抑制在120V以下。從圖8可知，試制品4在電荷保持性能的評(píng)價(jià)中能夠?qū)scn點(diǎn)亮電壓設(shè)置為120V以下，另外與僅是MgO的保護(hù)層時(shí)的試制品I相比，電子放射性能能夠獲得非常良好的特性。一般情況下，PDP的保護(hù)層的電子放射能力與電荷保持能力相反。例如，變更保護(hù)層的成膜條件、或向保護(hù)層中摻雜Al、Si、Ba等雜質(zhì)來(lái)成膜，從而能夠提高電子放射性能。但是，作為副作用，Vscn點(diǎn)亮電壓也會(huì)上升。在本實(shí)施方式的具有保護(hù)層9的PDP中，作為電子放射能力，能夠獲得8以上的特 性，作為電荷保持能力，能夠獲得Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的特性。即，能夠獲得具有能夠應(yīng)對(duì)由于高精細(xì)化而具有掃描線數(shù)增加且單元尺寸減小的趨勢(shì)的rop的電子放射能力和電荷保持能力這兩者的保護(hù)層9。[4-5.實(shí)驗(yàn) 3]接著，詳細(xì)說(shuō)明在本實(shí)施方式的TOPl的保護(hù)層9中所使用的凝集粒子92的粒徑。另外，在以下說(shuō)明中，粒徑表示平均粒徑，平均粒徑是指體積累積平均直徑(D50)。圖9表示在保護(hù)層9中改變MgO的凝集粒子92的平均粒徑來(lái)分析電子放射性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖9中，凝集粒子92的平均粒徑是通過(guò)對(duì)凝集粒子92進(jìn)行SEM觀察來(lái)測(cè)量的長(zhǎng)度。如圖9所示，若平均粒徑減小至O. 3μπι左右，則電子放射性能下降，若為大致O. 9 μ m以上，則能夠獲得高電子放射性能。為了增加放電單元內(nèi)的電子放射數(shù)量，優(yōu)選保護(hù)層9上的每單位面積的結(jié)晶粒子數(shù)量多。根據(jù)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，若在與緊密接觸于保護(hù)層9的隔壁14的頂部相當(dāng)?shù)牟糠种写嬖诮Y(jié)晶粒子92a，則有時(shí)會(huì)破壞隔壁14的頂部。此時(shí)，認(rèn)識(shí)到了由于破損的隔壁14的材料落在熒光體上等，相應(yīng)的單元中產(chǎn)生無(wú)法正常點(diǎn)亮或滅燈的現(xiàn)象。隔壁破損的現(xiàn)象在結(jié)晶粒子92a不存在于與隔壁頂部對(duì)應(yīng)的部分時(shí)難以發(fā)生，因此若附著的結(jié)晶粒子數(shù)量大，則隔壁14的破損發(fā)生概率就會(huì)升高。圖10表示改變凝集粒子92的平均粒徑來(lái)分析隔壁破壞概率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。如圖10所示，若凝集粒子92的平均粒徑增大到2. 5μπι左右，則隔壁破損的概率急劇升高，若小于2. 5 μ m，則隔壁破損的概率能夠被抑制得比較小。如上所述，在本實(shí)施方式的具有保護(hù)層9的TOPl中，作為電子放射能力，能夠獲得8以上的特性，作為電荷保持能力，能夠獲得Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的特性。另外，在本實(shí)施方式中，作為結(jié)晶粒子，利用MgO粒子進(jìn)行了說(shuō)明，但是即使是其他單晶粒子的情況下，使用與MgO同樣具有高電子放射性能的Sr、Ca、Ba、Al等金屬氧化物的結(jié)晶粒子，也能夠獲得同樣的效果，因此粒子種類不限于MgO。[5.保護(hù)層形成工序S13的詳細(xì)情況]接著，利用圖11及圖12說(shuō)明本實(shí)施方式的保護(hù)層形成工序S13。如圖11所示，保護(hù)層形成工序S13在電介質(zhì)層形成工序S12之后包括襯底膜形成工序S131、第I涂布層形成工序S132、第2涂布層形成工序S133及燒成工序S134。[5-1.襯底膜形成工序S131]如圖12所示，在襯底膜形成工序S131中，通過(guò)真空蒸鍍法，在電介質(zhì)層8上形成襯底膜91。真空蒸鍍法中所使用的原材料為混合有MgO、CaO、SrO體及BaO的材料的顆粒(pellet)。此外,也可以使用MgO、CaO、SrO體及BaO的材料單體的顆粒。除了真空蒸鍍法以外，也可以使用濺射法、離子鍍覆法等。另外，在襯底膜形成エ序S131中，也可以在形成襯底膜91之后，燒成襯底膜91。并且，形成有襯底膜91的前面玻璃基板3立即進(jìn)入第I涂布層形成エ序S132。[5-2.第I涂布層形成エ序S132]在第I涂布層形成エ序S132中，在襯底膜91上涂布第I有機(jī)溶剤。由此，在襯底膜91上形成第I涂布層93。第I有機(jī)溶劑適用與襯底膜91的親和カ高的材料。此外，第I有機(jī)溶劑適用蒸發(fā)速度慢的材料。優(yōu)選的是，第I有機(jī)溶劑的蒸發(fā)速度比醋酸丁酷的蒸發(fā)速度慢。一般情況下，有機(jī)溶劑的相對(duì)蒸發(fā)速度是以醋酸丁酷的蒸發(fā)速度為基準(zhǔn)來(lái)測(cè)量的。這是因?yàn)?，若第I有機(jī)溶劑的蒸發(fā)速度比醋酸丁酷的蒸發(fā)速度慢，則第I涂布層93即使被放置于大氣中也不易干燥。此外，優(yōu)選的是，在第I有機(jī)溶劑中含有樹脂。這是因?yàn)?，通過(guò)在第I有機(jī)溶劑中含有樹脂，即使第I有機(jī)溶劑干燥，在襯底膜91上也會(huì)殘留樹脂。 第I有機(jī)溶劑使用例如ニ甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙ニ醇或苯甲醇等。第I涂布層93是在襯底膜91上以霧氣方式噴涂氣化的第I有機(jī)溶劑來(lái)形成的。第I有機(jī)溶劑是在襯底膜形成エ序S131中經(jīng)過(guò)了蒸鍍室的前面玻璃基板3滯留在冷卻室或取出室時(shí)以霧氣方式噴出的。在襯底膜形成エ序S131之后在10分以內(nèi)形成第I涂布層93。另外，作為在襯底膜91上涂布第I涂布層93的方法，也可以使用例如絲網(wǎng)印刷法、噴霧法、旋涂法，模涂法、狹縫涂布法等。此外，第I涂布層93的平均膜厚是考慮第I有機(jī)溶劑以及直到后述的第2涂布層形成エ序S133為止的滯留時(shí)間來(lái)確定的。第I涂布層93的平均膜厚優(yōu)選為I μ m以上且IOym以下。若第I涂布層93的平均膜厚比10 μ m厚，則后述的燒成エ序S134中的燒成時(shí)間延長(zhǎng)。若延長(zhǎng)燒成時(shí)間，則操作時(shí)間變長(zhǎng)，導(dǎo)致制造成本増加。通過(guò)不均勻地混合第I涂布層93和第2涂布層94，凝集粒子92的分散性下降。此外，若第I涂布層93的平均膜厚比I μ m薄，則第I涂布層93立即蒸發(fā)，襯底膜91會(huì)露出。通過(guò)在襯底膜91上形成第I涂布層93，即使襯底膜91暴露于大氣中，也能夠抑制襯底膜91與大氣中的CO系的雜質(zhì)產(chǎn)生反應(yīng)。因此，襯底膜91能夠抑制二次電子放射能力減小。因此，本實(shí)施方式的ropi的制造方法能夠抑制襯底膜91的變質(zhì)，能夠制造出降低了維持電壓的rop I。在此，說(shuō)明現(xiàn)有的rop的制造方法。在現(xiàn)有的rop的制造方法下的保護(hù)層形成エ序中，在襯底I吳形成エ序之后，進(jìn)彳丁凝集粒子糊劑涂布エ序。在凝集粒子糊劑涂布エ序中，作為凝集粒子糊劑，分散有凝集粒子92的有機(jī)溶劑被涂布在襯底膜91上。但是，由于制造設(shè)備的問(wèn)題及結(jié)構(gòu)上的問(wèn)題，在從襯底膜形成エ序結(jié)束到凝集粒子糊劑涂布エ序開始為止的期間內(nèi)，存在形成有襯底膜91的前面玻璃基板3滯留2小時(shí)以上的情況。在此期間，前面玻璃基板3在大氣環(huán)境下，在儲(chǔ)料器(Stocker)中滯留2小時(shí)以上。由于前面玻璃基板3滯留在儲(chǔ)料器中，從而襯底膜91暴露于大氣中。襯底膜91由于暴露于大氣中，容易與CO系的雜質(zhì)反應(yīng)而容易變質(zhì)。由于襯底膜91的表面與CO系的雜質(zhì)反應(yīng)，在襯底膜91的表面上形成碳酸鹽。并且，由于襯底膜91的表面變質(zhì)，襯底膜91的二次電子放射能力減小。其結(jié)果，在現(xiàn)有的PDP的制造方法中，存在PDP的維持電壓上升的情況。形成在襯底膜91的表面上的碳酸鹽由于是化合物，因此在制造工序中無(wú)法較容易地去除。例如，在形成有碳酸鈣的情況下，通過(guò)加熱分解來(lái)從襯底膜91的表面去除是需要825°C以上的溫度，因此需要加熱以外的工序。因此，本實(shí)施方式的I3DPl的制造方法在襯底膜形成工序S131之后立即進(jìn)行第I涂布層形成工序S132。第I涂布層93優(yōu)選襯底膜形成工序S131之后，在2小時(shí)以內(nèi)在襯底膜91上涂布第I有機(jī)溶劑。更優(yōu)選的是，在襯底膜形成工序S131之后，在I小時(shí)以內(nèi)涂布第I有機(jī)溶劑。發(fā)明人從實(shí)驗(yàn)得出了如下的見解襯底膜91的表面在剛剛暴露于大氣之后就會(huì)開始變質(zhì)，經(jīng)過(guò)約2時(shí)間表面整體的變質(zhì)結(jié)束。通過(guò)在襯底膜形成工序S131之后2小時(shí)以 內(nèi)進(jìn)行第I涂布層形成工序S132，初始維持電壓降低IV 8V左右。此外，通過(guò)在襯底膜形成工序S131之后I小時(shí)以內(nèi)進(jìn)行第I涂布層形成工序S132，從而初始維持電壓降低5V 8V左右。此外，通過(guò)在襯底膜形成工序S131之后在不暴露于大氣的情況下進(jìn)行第I涂布層形成工序S132，初始維持電壓降低約8V左右。并且，在第I涂布層形成工序S132之后，進(jìn)行第2涂布層形成工序S133。[5-3.第2涂布層形成工序S133]在第2涂布層形成工序S133中，首先，制作分散有凝集粒子92的第2有機(jī)溶劑。之后，第2有機(jī)溶劑被涂布在第I涂布層93上，從而形成平均膜厚8 μ m 20 μ m左右的第2涂布層94。作為將第2有機(jī)溶劑涂布在第I涂布層93上的方法，使用例如絲網(wǎng)印刷法、噴霧法、旋涂法、模涂法、狹縫涂布法等。第2有機(jī)溶劑適用與凝集粒子92的親和力高且凝集粒子92的分散性高的材料。第2有機(jī)溶劑形成在由第I有機(jī)溶劑構(gòu)成的第I涂布層93上，因此可以不考慮襯底膜91的親和力。作為第2有機(jī)溶劑，使用例如甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙二醇或苯甲醇等。另外，優(yōu)選第2有機(jī)溶劑的比重在第I有機(jī)溶劑的比重以下。這是因?yàn)?，若?有機(jī)溶劑的比重大于第I有機(jī)溶劑的比重，則在第2涂布層形成工序S134中，會(huì)不均勻地混合第I涂布層93和第2涂布層94。通過(guò)不均勻地混合第I涂布層93和第2涂布層94，凝集粒子92的分散性下降。此外，第2有機(jī)溶劑也可以使用與第I有機(jī)溶劑相同的材料。這是因?yàn)?，若是相同材料，則凝集粒子92的分散性得到維持。此外，在第2有機(jī)溶劑中也可以含有樹脂。如上所述，在現(xiàn)有的rop的制造方法中，不存在第I涂布層形成工序S132，不形成第I涂布層93。并且，第2涂布層94直接被涂布在襯底膜91上。因此，第2有機(jī)溶劑選擇與襯底膜91及凝集粒子92的親和力高且凝集粒子92的分散性也高的材料。無(wú)法選擇凝集粒子92的分散性高但與襯底膜91的親和力低的有機(jī)溶劑。但是，本實(shí)施方式的I3DPl的制造方法包括第I涂布層形成工序S132。在第I涂布層形成工序S132中，第2有機(jī)溶劑形成在由第I有機(jī)溶劑構(gòu)成的第I涂布層93上。因此，第2有機(jī)溶劑能夠選擇凝集粒子92的分散性高但與襯底膜91的親和力低的有機(jī)溶劑。因此，由于凝集粒子92被均勻地分散在第2有機(jī)溶劑中，所以凝集粒子92均勻地分散配置在襯底膜91上。由此，本實(shí)施方式的ropi的制造方法能夠制造亮度均勻的ropi。
并且，在第I涂布層93上形成有第2涂布層94的前面玻璃基板3進(jìn)入燒成エ序S134。[5_4·燒成エ序 Sl34]接著，在燒成エ序S134中，通過(guò)加熱在襯底膜91上形成的第I涂布層93及第2涂布層94，從而使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)。此外，凝集粒子92分散配置在襯底膜91上。首先，向燒成爐傳送在第I涂布層93上形成有第2涂布層94的前面玻璃基板3。并且，燒成爐在內(nèi)部被排氣的狀態(tài)下直接升溫。前面玻璃基板3被升溫至達(dá)到例如370°C左右。并且，前面玻璃基板3在該溫度下保持10分鐘 20分鐘左右。由此，使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)。通過(guò)第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑的蒸發(fā)，在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。在此，在第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑中含有樹脂的情況下，樹脂也會(huì)燃燒。另外，在燒成エ序S134中，在襯底膜形成エ序S131中形成的未燒成的襯底膜91 也與第I涂布層93及第2涂布層94同時(shí)被燒成。此外，也可以在燒成エ序S134之前進(jìn)行干燥エ序。通過(guò)進(jìn)行干燥エ序，燒成爐的維護(hù)負(fù)擔(dān)得以輕減。這是因?yàn)?，燒成エ序S134中的第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑等的蒸發(fā)量會(huì)減少。在干燥エ序中，第I涂布層93及第2涂布層94被干燥。并且，通過(guò)使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑的蒸發(fā)，在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。此時(shí)，第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑不會(huì)全部蒸發(fā)，會(huì)殘留在襯底膜91上。作為干燥方法，優(yōu)選減壓干燥。具體而言，真空室內(nèi)的壓カ經(jīng)過(guò)2分鐘左右減壓到IOPa左右，從而第I涂布層93及第2涂布層94被快速干燥。通過(guò)該方法，不會(huì)產(chǎn)生在加熱干燥中顯著的膜內(nèi)的対流。因此，能夠使凝集粒子92更均勻地附著在襯底膜91上。其中，作為干燥方法，也可以使用加熱干燥。此外，燒成エ序S134也可以與圖3所示的密封排氣エ序S32同時(shí)進(jìn)行。此時(shí)，在密封排氣エ序S32中加熱前面板2及背面板10時(shí)，第I涂布層93及第2涂布層94同時(shí)被加熱，從而使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑等蒸發(fā)。[5-5.實(shí)驗(yàn) 4]接著，說(shuō)明為了確認(rèn)本實(shí)施方式的TOPI的制造方法的效果而進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。發(fā)明人準(zhǔn)備了改變襯底膜91的組分及保護(hù)層形成エ序S13而制造的rop的3種樣品。發(fā)明人對(duì)上述樣品測(cè)量了初始維持電壓。樣品I的PDP是在未進(jìn)行第I涂布層形成エ序S132的情況下制造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成MgO單體的襯底膜91。樣品2的PDP也是在未進(jìn)行第I涂布層形成エ序S132的情況下制造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成上述樣品A的襯底膜91。即，樣品2的襯底膜91由MgO和CaO構(gòu)成。樣品3的PDP是進(jìn)行第I涂布層形成エ序S132后制造的。在襯底膜形成エ序S131中，形成了上述樣品A的襯底膜91。在襯底膜形成エ序S131結(jié)束起10分種以內(nèi)進(jìn)行第I涂布層形成エ序S132。此夕卜，第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑使用松油醇。并且，樣品I及2的PDP在從襯底膜形成エ序S131結(jié)束起到第2涂布層形成エ序S133開始為止在大氣環(huán)境下滯留3小時(shí)左右。樣品3的PDP在從第I涂布層形成エ序S132結(jié)束起到第2涂布層形成エ序S133開始為止在大氣環(huán)境下滯留3小時(shí)左右。對(duì)上述樣品I 3測(cè)量初始維持電壓，測(cè)量以樣品I為基準(zhǔn)的相對(duì)維持電壓。在將樣品I的PDP的維持電壓設(shè)為O (V)時(shí)，樣品2的PDP的相對(duì)維持電壓為-21. 6 (V)。由此可知，與樣品I的PDP相比，樣品2的PDP的維持電壓大幅下降。這是因?yàn)?，樣?的rop的襯底膜91由MgO和CaO構(gòu)成。即，樣品2的PDP的襯底膜91由2種金屬氧化物構(gòu)成，因此能夠降低維持電壓。此外，樣品3的rop的相對(duì)維持電壓在將樣品I的rop的維持電壓設(shè)為O(V)時(shí)是-29. 7(V)。由此可知，與樣品I的PDP相比，樣品3的TOP的維持電壓大幅下降，而且與樣品2的PDP相比，樣品3的PDP的維持電壓也大幅下降。這是通過(guò)第I涂布層形成工序S132在襯底膜91上形成了有機(jī)溶劑的第I涂布層93的效果。通過(guò)在襯底膜91上形成第I涂布層93，即使暴露于大氣中，也能夠抑制CO系的雜質(zhì)附著在襯底膜91的表面上。因此，樣品3的TOPl能夠抑制襯底膜91的變質(zhì)，并能夠降低維持電壓。此外，在本實(shí)施方式的I3DPl的制造方法中，在第I涂布層形成工序S132中形成第I涂布層93，從而不需要將襯底膜91形成后的前面玻璃基板3的傳送環(huán)境設(shè)置為真空或氮、氮和氧的混合氣體、或稀有氣體等氣體環(huán)境，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)設(shè)備的簡(jiǎn)化。此外，即使形成襯底膜91后的前面玻璃基板3在襯底膜形成工序S131之后滯留在儲(chǔ)料器中，也能夠抑制襯底膜91的變質(zhì)，并能夠降低維持電壓。
[6.總結(jié)]本發(fā)明所公開的技術(shù)是ropi的制造方法。ropi包括背面板 ο、以及與背面板 ο對(duì)置地配置的前面板2。前面板2具有電介質(zhì)層8、和覆蓋電介質(zhì)層8的保護(hù)層9。保護(hù)層9包括形成在電介質(zhì)層8上的襯底層、即襯底膜91。在襯底膜91的整個(gè)面上分散配置有由多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子凝集而成的凝集粒子92。襯底膜91至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物。此外，襯底膜91在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值。襯底膜91的峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間。第I峰值及第2峰值表示與襯底層的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金屬氧化物及第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構(gòu)成的組中選擇的2種化合物。并且，本實(shí)施方式的I3DPl的制造方法包括以下工藝。在電介質(zhì)層8上形成襯底膜91。接著，在襯底膜91上涂布第I有機(jī)溶劑，從而形成第I涂布層93。接著，在第I涂布層93上涂布分散有凝集粒子92的第2有機(jī)溶劑，從而形成第2涂布層94。接著，通過(guò)加熱第I涂布層93及第2涂布層94，從而使第I有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)，并且在襯底膜91上分散配置凝集粒子92。通過(guò)以上工藝，本實(shí)施方式的rop I的制造方法能夠抑制襯底膜91的變質(zhì)，能夠制造降低了維持電壓的ropi。此外，本實(shí)施方式的ropi的制造方法能夠制造提高了亮度的均勻性的PDPl。(工業(yè)上的可利用性)如以上所述，本實(shí)施方式所公開的技術(shù)在實(shí)現(xiàn)具有高精細(xì)且高亮度的顯示性能且消耗電力低的PDP方面是有用的。符號(hào)說(shuō)明I PDP2前面板3前面玻璃基板4掃描電極
4a、5a透明電極4b、5b總線電極5維持電極6顯示電極7黑條8電介質(zhì)層9保護(hù)層10背面板 11背面玻璃基板12數(shù)據(jù)電極13襯底電介質(zhì)層14隔壁15熒光體層16放電空間81第I電介質(zhì)層82第2電介質(zhì)層91襯底膜92凝集粒子92a結(jié)晶粒子93第I涂布層94第2涂布層
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板的制造方法，其中， 上述等離子顯示面板包括背面板、以及與上述背面板對(duì)置地配置的前面板， 上述前面板具有電介質(zhì)層、和覆蓋上述電介質(zhì)層的保護(hù)層， 上述保護(hù)層包括形成在上述電介質(zhì)層上的襯底層， 在上述襯底層的整個(gè)面上分散配置由多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子凝集而成的凝集粒子， 上述襯底層至少包含第I金屬氧化物和第2金屬氧化物，并且， 上述襯底層在X射線衍射分析中具有至少一個(gè)峰值， 上述峰值位于第I金屬氧化物在X射線衍射分析中的第I峰值、與第2金屬氧化物在X射線衍射分析中的第2峰值之間， 上述第I峰值及上述第2峰值表示與上述峰值所示的面取向相同的面取向， 上述第I金屬氧化物及上述第2金屬氧化物是從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶及氧化鋇構(gòu)成的組中選擇的2種化合物， 在上述等離子顯示面板的制造方法中， 在上述電介質(zhì)層上形成上述襯底層， 接著，通過(guò)在上述襯底層上涂布第I有機(jī)溶劑，從而形成第I涂布層， 接著，在上述第I涂布層上涂布分散有上述凝集粒子的第2有機(jī)溶劑，從而形成第2涂布層， 接著，加熱上述第I涂布層及上述第2涂布層，從而使上述第I有機(jī)溶劑及上述第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)，并且在上述襯底層上分散配置上述凝集粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 在形成襯底層之后，在2小時(shí)以內(nèi)形成上述第I涂布層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 在形成襯底層之后，在I小時(shí)以內(nèi)形成上述第I涂布層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 上述第I有機(jī)溶劑含有樹脂， 加熱第I涂布層及第2涂布層，從而使上述樹脂、上述第I有機(jī)溶劑及上述第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)，并且在上述襯底層上分散配置上述凝集粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板的制造方法，其中， 上述第2有機(jī)溶劑的比重為上述第I有機(jī)溶劑的比重以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示面板的制造方法。包括含有金屬氧化物的襯底層和、分散配置在襯底層上的凝集粒子的等離子顯示面板的制造方法包括以下工藝。在電介質(zhì)層上形成襯底層。接著，在襯底層上涂布第1有機(jī)溶劑，從而形成第1涂布層。接著，在第1涂布層上涂布分散有凝集粒子的第2有機(jī)溶劑，從而形成第2涂布層。接著，加熱第1涂布層及第2涂布層，從而使第1有機(jī)溶劑及第2有機(jī)溶劑蒸發(fā)，且在襯底層上分散配置凝集粒子。
文檔編號(hào)H01J9/02GK102834893SQ20118001569
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者武田英治, 辻田卓司, 橋本潤(rùn), 后藤真志 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社