專利名稱：一種低熱阻led燈及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低熱阻LED燈，本發(fā)明還涉及一種該低熱阻LED燈制備方法。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的體積尺寸越來越小，功率密度越來越大，解決散熱問題是對電子工業(yè)設(shè)計的一個巨大的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有的LED燈其一般是直接設(shè)置在金屬基覆銅板上，這種LED燈的散熱效果不太理想，因?yàn)榻饘倩层~板由三層結(jié)構(gòu)所組成，分別是電路層、導(dǎo)熱絕緣層和金屬基層。LED芯片與金屬基層之間并不能直接連接在一起，絕緣層的存在會相對增大其熱阻。為了克服這個問題，現(xiàn)有技術(shù)中有采用在金屬基覆銅板上打孔穿透導(dǎo)熱絕緣層，然后再將LED芯片設(shè)置在金屬基層上，但是這種方法對打孔的精度要求很高，加工非常困難，往往很容易造成金屬基層的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種成本相對較低，熱阻相對比較低的LED燈。本發(fā)明的另一個目的是提供一種制備所述LED燈的方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案一種低熱阻LED燈，其特征在于包括導(dǎo)電銅箔，在所述的導(dǎo)電銅箔上壓合有絕緣層，在所述的導(dǎo)電銅箔和絕緣層之間設(shè)有導(dǎo)熱膠，在所述的絕緣層和導(dǎo)熱膠上設(shè)有通孔， 在所述的通孔內(nèi)設(shè)有LED芯片，所述的LED芯片裝配在所述的導(dǎo)電銅箔上，在所述的導(dǎo)電銅箔蝕刻有電路。如上所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的絕緣層為聚酰亞胺層。如上所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的絕緣層為聚對苯二甲酸乙二酯層。如上所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的導(dǎo)電金屬層銅箔為電解銅箔或壓延銅箔，其厚度為0. 5-50z。本發(fā)明制備如上所述任意一種低熱阻LED燈的方法，其特征在于包括以下步驟a)在絕緣層上涂覆導(dǎo)熱膠，經(jīng)過60-180°C的烘箱干燥出去有機(jī)溶劑，使導(dǎo)熱膠變成半固化狀態(tài)；b)在所述絕緣層和導(dǎo)熱膠層上開設(shè)通孔；c)將步驟B中帶導(dǎo)熱膠的絕緣層與導(dǎo)電銅箔進(jìn)行壓合；d)在壓合后的導(dǎo)電銅箔上裝配LED芯片，所述的LED芯片設(shè)置在所述的通孔內(nèi)；e)通過蝕刻的方法在導(dǎo)電銅箔上蝕刻出電路。綜上所述，本發(fā)明的有益效果本發(fā)明中采用先在絕緣層和導(dǎo)熱膠層上打孔然后與導(dǎo)電銅箔壓合，然后再通孔在裝配LED芯片，有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中打孔容易造成金屬基層損壞的問題，也簡化了加工工藝，降低了制作難度。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明制備方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式
對本發(fā)明做進(jìn)一步描述 如圖1所示，本發(fā)明一種低熱阻LED燈，包括導(dǎo)電銅箔1，在所述的導(dǎo)電銅箔1上壓合有絕緣層2，在所述的導(dǎo)電銅箔1和絕緣層2之間設(shè)有導(dǎo)熱膠3，在所述的絕緣層2和導(dǎo)熱膠3上設(shè)有通孔4，在所述的通孔4內(nèi)設(shè)有LED芯片5，所述的LED芯片5裝配在所述的導(dǎo)電銅箔1上，在所述的導(dǎo)電銅箔1蝕刻有電路。本發(fā)明中所述的絕緣層2可為聚酰亞胺層或?yàn)榫蹖Ρ蕉姿嵋叶印Ｋ龅膶?dǎo)電金屬層銅箔1為電解銅箔或壓延銅箔，其厚度為0. 5-50Z。如圖2所述，制備本發(fā)明低熱阻LED燈的方法，包括以下步驟a)在絕緣層2上涂覆導(dǎo)熱膠3，經(jīng)過60-180°C的烘箱干燥出去有機(jī)溶劑，使導(dǎo)熱膠 3變成半固化狀態(tài)；b)在所述絕緣層2和導(dǎo)熱膠3層上開設(shè)通孔4 ；通過先打孔的方式大大降低了對打孔精度的要求，有效降低了對導(dǎo)電基層的損壞，從而有效保證產(chǎn)品的成本率。c)將步驟B中帶導(dǎo)熱膠3的絕緣層2與導(dǎo)電銅箔1進(jìn)行壓合；d)在壓合后的導(dǎo)電銅箔1上裝配LED芯片5，所述的LED芯片5設(shè)置在所述的通孔4內(nèi)；這樣有效降低LED芯片5與導(dǎo)電銅箔1之間的熱阻，大大提高了散熱效果e)通過蝕刻的方法在導(dǎo)電銅箔1上蝕刻出電路。本發(fā)明工藝方法簡單，對打孔的精度要求小，加工方便。產(chǎn)品的成品率高散熱效果好。
權(quán)利要求
1.一種低熱阻LED燈，其特征在于包括導(dǎo)電銅箔(1)，在所述的導(dǎo)電銅箔(1)上壓合有絕緣層O)，在所述的導(dǎo)電銅箔(1)和絕緣層( 之間設(shè)有導(dǎo)熱膠(3)，在所述的絕緣層(2)和導(dǎo)熱膠3上設(shè)有通孔，在所述的通孔內(nèi)設(shè)有LED芯片(5)，所述的LED芯片 (5)裝配在所述的導(dǎo)電銅箔(1)上，在所述的導(dǎo)電銅箔(1)蝕刻有電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的絕緣層O)為聚酰亞胺層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的絕緣層O)為聚對苯二甲酸乙二酯層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熱阻LED燈，其特征在于所述的導(dǎo)電金屬層銅箔(1) 為電解銅箔或壓延銅箔，其厚度為0. 5-50z。
5.制備權(quán)利要求1至4中任意一種低熱阻LED燈的方法，其特征在于包括以下步驟A、在絕緣層(2)上涂覆導(dǎo)熱膠(3)，經(jīng)過60-180°C的烘箱干燥出去有機(jī)溶劑，使導(dǎo)熱膠(3)變成半固化狀態(tài)；B、在所述絕緣層( 和導(dǎo)熱膠( 層上開設(shè)通孔；C、將步驟B中帶導(dǎo)熱膠(3)的絕緣層(2)與導(dǎo)電銅箔(1)進(jìn)行壓合；D、在壓合后的導(dǎo)電銅箔⑴上裝配LED芯片(5)，所述的LED芯片(5)設(shè)置在所述的通孔⑷內(nèi)；E、通過蝕刻的方法在導(dǎo)電銅箔(1)上蝕刻出電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低熱阻LED燈及其制備方法，該低熱阻LED燈包括導(dǎo)電銅箔，在所述的導(dǎo)電銅箔上壓合有絕緣層，在所述的導(dǎo)電銅箔和絕緣層之間設(shè)有導(dǎo)熱膠，在所述的絕緣層和導(dǎo)熱膠上設(shè)有通孔，在所述的通孔內(nèi)設(shè)有LED芯片，所述的LED芯片裝配在所述的導(dǎo)電銅箔上，在所述的導(dǎo)電銅箔蝕刻有電路。該制備方法包括以下步驟在絕緣層上涂覆導(dǎo)熱膠，經(jīng)過60-180℃的烘箱干燥出去有機(jī)溶劑，使導(dǎo)熱膠變成半固化狀態(tài)；在所述絕緣層和導(dǎo)熱膠層上開設(shè)通孔；將步驟B中帶導(dǎo)熱膠的絕緣層與導(dǎo)電銅箔進(jìn)行壓合；在壓合后的導(dǎo)電銅箔上裝配LED芯片，所述的LED芯片設(shè)置在所述的通孔內(nèi)；通過蝕刻的方法在導(dǎo)電銅箔上蝕刻出電路。
文檔編號F21V19/00GK102252181SQ20111009472
公開日2011年11月23日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者劉沛然, 張家驥 申請人:新高電子材料(中山)有限公司