專利名稱：包括靜電偏轉(zhuǎn)器的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)，其中包括一靜電偏轉(zhuǎn)器以偏轉(zhuǎn)至少一帶電粒子小射束，該靜電偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極并且所述小射束通過其間，而當(dāng)于所述電極之間設(shè)定一電位差時該小射束會被偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明進一步有關(guān)于此種帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)的使用方式。2、現(xiàn)有技術(shù)說明自美國第6，897，458號專利可獲知此種帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)的其中一款。該系統(tǒng)是一種無罩式光刻系統(tǒng)。根據(jù)此光刻系統(tǒng)，諸如電子的帶電粒子的射束在孔徑平板中被分割成多個小射束。所述小射束隨后聚焦于一期望直徑并且通過包括消除靜電偏轉(zhuǎn)器的小射束消除器陣列。當(dāng)將一電壓施加于該消除偏轉(zhuǎn)器時，可將小射束偏轉(zhuǎn)以便終結(jié)于位于該小射束消除器陣列后方的小射束停阻器陣列處。若未經(jīng)偏轉(zhuǎn)，則該小射束可抵達一組透鏡以將該小射束聚焦于該目標(biāo)表面上。掃描偏轉(zhuǎn)裝置在該目標(biāo)表面上于單一方向上一起地移動所述小射束。在這種無罩式光刻系統(tǒng)里，以及其他的高速偏轉(zhuǎn)應(yīng)用項目中，靜電偏轉(zhuǎn)器可運用于消除偏轉(zhuǎn)器和掃描偏轉(zhuǎn)器。典型范例為示波管、電子射束光刻系統(tǒng)和檢視系統(tǒng)以及超高速攝影機(streak camera)。常見的靜電偏轉(zhuǎn)器類型為平面偏轉(zhuǎn)器，其中包括兩片平行平板具有相反電壓+V及-V。藉此可在法向于所述平板的方向(χ)上產(chǎn)生一電場。該平面偏轉(zhuǎn)器僅能在單一方向上偏轉(zhuǎn)一射束。平面偏轉(zhuǎn)器的缺點為必須在不同的距離處(亦即不同的 ζ位置)以順序方式將χ及y偏轉(zhuǎn)施加于一諸如半導(dǎo)體材質(zhì)晶片的目標(biāo)上。另一種類型的偏轉(zhuǎn)器為多極偏轉(zhuǎn)器，其最常見實例為八極偏轉(zhuǎn)器，其中包括具有圓柱或角錐節(jié)段(segment)的曲型板。藉由將適當(dāng)?shù)碾姌O電位組合施加于所述板，即可同時地施加在兩個正交方向上(χ及y)的偏轉(zhuǎn)。此類型之偏轉(zhuǎn)器的缺點為其復(fù)雜的建構(gòu)方式。該現(xiàn)有技術(shù)參考文獻美國第6，897，458號專利描述了一種平面類型的特定靜電偏轉(zhuǎn)器以用來作為掃描偏轉(zhuǎn)裝置。此偏轉(zhuǎn)器包括經(jīng)布置以在單一方向上偏轉(zhuǎn)電子小射束組件的電極。所述電極可依條帶形式被沉積于一適當(dāng)平板上?；蛘撸鰲l帶形狀的電極可被沉積于一組投射透鏡中朝向該目標(biāo)表面的一側(cè)處，或者另依選擇沉積在該組透鏡與該目標(biāo)表面之間的一單獨平板上。圖10顯示該現(xiàn)有技術(shù)中之靜電偏轉(zhuǎn)器11其一局部的截面略視圖。該偏轉(zhuǎn)器11包括第一條帶131、第二條帶132及第三條帶133，其布置在基板150上。通過窗口 140，如通孔，會在所述條帶131、132、133之間延伸穿過該基板150。該光刻系統(tǒng)的設(shè)計方式是讓帶電粒子(即電子)的小射束通過所述通過窗口 140。所述第一和第三條帶131、133為該第一電極的一部分，而該第二條帶132則是構(gòu)成該第二電極的一部分。因此，該第二條帶132具有與所述第一和第三條帶131、133相反的極性。在本范例里，該第二條帶132為負(fù)極。當(dāng)在所述第一與第二電極之間施加一電位差時，即可朝向該第二條帶132產(chǎn)生電場。由于具有所述相反極性電極條帶131、132、133接續(xù)性排列，因此在所述第一與第二電極131、132間所產(chǎn)生之電場具有與在所述第二與第三電極132、133間所產(chǎn)生之電場相反的方向。故而， 所述小射束7可在相對的方向上被該電場所偏轉(zhuǎn)。然此偏轉(zhuǎn)方式被證明有所缺陷；相比于未經(jīng)偏轉(zhuǎn)時，當(dāng)所述小射束7受到偏轉(zhuǎn)時， 由所述小射束柵格所覆蓋的表面區(qū)域會比較大。對于在遠(yuǎn)大于該表面區(qū)域的目標(biāo)表面上寫入圖案而言，此表面區(qū)域差異會造成問題。然后需將鄰近表面區(qū)域的圖案予以匹配，并在其間沒有任何不期望的重疊或間隙。另一種類型的靜電偏轉(zhuǎn)器可自歐洲第1993118號專利中獲知。此類型是一種利用自基板上凸出之電極陣列的消除偏轉(zhuǎn)器。該陣列經(jīng)設(shè)計以同時地在兩個方向上偏轉(zhuǎn)，并可供進行該陣列里個別電極的個別定址；后者特性是消除偏轉(zhuǎn)器里的各個小射束必須被分別偏轉(zhuǎn)之要求的結(jié)果。孔洞出現(xiàn)在基板里位于所述電極之間(其中之一為作用中，而另一則為接地或相反極性)以供任何小射束通過。所述電極具有壁狀形式，并且可形成于兩片按照所述電極至少部分地面朝彼此之方式堆迭的基板上。這些電極的高度為35-50 μ m的等級，并且相互距離可小于10 μ m。在電極出現(xiàn)在相同基板上的情況下，此高度可小于10 μ m， 并且其相互距離可為其高度之0. 5-2倍的等級。該基板可在具有所述凸出電極的膜層下方變薄。然而，若欲將此類型的偏轉(zhuǎn)器運用作為掃描偏轉(zhuǎn)器，則會出現(xiàn)無法提供足夠均勻度的限制。所述電極之一出現(xiàn)在第二基板上會導(dǎo)致產(chǎn)生雜散場以及幾乎無法控制的效應(yīng)。 這些對于其作為消除偏轉(zhuǎn)器運用時并無問題；若是在該消除偏轉(zhuǎn)器里的電極之間施加一電位差，則小射束將被偏轉(zhuǎn)而在射束停阻器處終結(jié)。略微較大或較小的偏轉(zhuǎn)并無影響，只要是在該射束停阻器的任一處終結(jié)即可。然而當(dāng)作為掃描偏轉(zhuǎn)器運用時，此變異性將隨即導(dǎo)致所提供圖案之分辨率的降低。此外，雜散場可能會造成小射束均質(zhì)性的減少。如此可能導(dǎo)致不足的光阻顯影及/或錯誤的射束定位，且隨而產(chǎn)生不適當(dāng)(亦即失敗)的圖案。簡言之，現(xiàn)有技術(shù)具有多項缺點而待由本發(fā)明加以克服。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一實施方式里，提供一種包括靜電偏轉(zhuǎn)器而用以偏轉(zhuǎn)至少一帶電粒子小射束的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)。該偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極且所述小射束通過于其間， 其中每一個該電極包括至少部分獨立的至少一條帶。由于其電極包括至少部分地獨立的條帶，因而本發(fā)明的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)中的偏轉(zhuǎn)器具備能夠提供具有均勻電場強度的電場的優(yōu)點。此較好均勻度基于來自多項效應(yīng)的貢獻首先，利用獨立性條帶意味著消除容易負(fù)面地影響到均勻度的連續(xù)特征。例如，絕緣載體可因成為寄生電容器而對該系統(tǒng)造成影響。同時可在單一蝕刻步驟中制作獨立性電極。如此有助于縮小電極之間的距離，并因而減少所述電極上的電位電壓差。此降低又會獲得該偏轉(zhuǎn)器的較好均勻度，特別是在當(dāng)結(jié)合高掃描頻率應(yīng)用，如超過100kHz，優(yōu)選是在 300-3000kHz范圍，且以500到1500kHz之間為佳。此外，該條帶可在該條帶里法向于該電場方向的側(cè)面處提供以一相對大型的表面區(qū)域。而提供此大型表面區(qū)域?qū)⒛苓M一步改善該獨立性條帶的機械穩(wěn)定度。其結(jié)果則為， 相較于該電場的雜散成分，在兩個相對條帶間擴展的電場的貢獻度極大。這是有好處的，理由是雜散成分難以預(yù)期及控制，并因而容易造成偏離期望小射束投射路徑。整體來說，可更
適當(dāng)?shù)?，該場域在小射束柵格上是均勻的，而非對單一小射束個別地定址。因所述特性的原因，該偏轉(zhuǎn)器特別有利于掃描偏轉(zhuǎn)作業(yè)，然而并未排除任何其他運用方式。尤其是其細(xì)致的精準(zhǔn)度與均質(zhì)的輸出結(jié)果可供其運用在其他的偏轉(zhuǎn)及/或過濾作業(yè)。在一適當(dāng)實施例里，所述條帶設(shè)置成彼此相距較短距離，該距離是和面朝相對條帶的表面區(qū)域相比較短，例如各個電極包括至少一條帶，所述條帶大體上平行地延伸，并且定義多個小射束經(jīng)此通過的通過窗口，該通過窗口在所述條帶的法向方向上具有一寬度， 當(dāng)在所述電極間設(shè)定電位差時可在此方向上產(chǎn)生一電場，所述條帶在三個互相垂直的方向上具有一高度、一寬度和一橫向方向，該條帶的高度大于該通過窗口的寬度。如此獲得相比雜散場域較大的導(dǎo)向場域以及良好的場域均勻度。此外，相對較短的距離可供相對較小的驅(qū)動電壓，而同時又仍能滿足偏轉(zhuǎn)角度的要求。利用小驅(qū)動電壓的設(shè)計，例如低于10V，可由于多項原因而有效首先，以切換頻率 IMHz或以上來提供該電壓的驅(qū)動電子器件可相當(dāng)簡易；無須采用專屬的高電壓功率晶體管，這些晶體管會耗費大量的電力且/或構(gòu)成的元件整體而言具有苛刻及限制性的使用壽命。并且，利用較小電壓，可大幅降低電極間未受控制而會造成有效損害的放電的風(fēng)險。這有利于可靠性和強固性。在進一步實施例里具有多個通過窗口，電場在各個通過窗口內(nèi)的指向相同。在單一方向上進行掃描可簡化對所述小射束的圖案數(shù)據(jù)供應(yīng)。整體而言，如此可獲得較高的掃描程序精確度，并且改善由不同小射束所掃描的掃描線及/或像素的拼接結(jié)果。該術(shù)語“指向”在此是用以對比于該術(shù)語“方向”存在有三個卡式(Carthesian)方向x、y、z，以及兩個耦接于一方向的指向。該術(shù)語”相同指向”并非意指在一通過窗口內(nèi)的電場于時間上具有一固定指向。實際上，電場的指向優(yōu)選是在單一掃描周期內(nèi)逆反。然而該術(shù)語指的是在不同通過窗口內(nèi)的電場于時間上的任一刻皆具有相同的指向。而且，在不同通過窗口內(nèi)的電場于時間上的任一刻亦優(yōu)選是具有相同的大小。在第一與第二通過窗口間可適當(dāng)?shù)鼐哂幸桓綦x區(qū)域，優(yōu)選是隔離窗口。這是一種加強的實現(xiàn)方式，可供建立具有等同指向的電場的通過窗口。令人驚訝的是，已發(fā)現(xiàn)確能滿足小射束間的規(guī)定間距，即使是增設(shè)此隔離窗口亦然。這是利用獨立式電極條帶的有利效果，并且條帶優(yōu)選是彼此相距較短距離。該術(shù)語“較短距離”在此是用以表示相對于現(xiàn)有技術(shù)宏觀偏轉(zhuǎn)器里的電極的距離，以及相對于偏轉(zhuǎn)器內(nèi)的其他尺寸，諸如所述條帶的高度及/ 或鄰近通過窗口間的距離的較短距離?？蛇m當(dāng)?shù)鼐哂兄辽僖唤K端電阻。此終端電阻可在第一與第二掃描周期間加速定位小射束。該術(shù)語“定位”在此特別是指將該小射束定位于在第二掃描周期過程中掃描后續(xù)掃描線的起始位置。藉此，小射束在第一及該掃描周期里，并且優(yōu)選是在所有掃描周期中， 皆能按相同的指向偏轉(zhuǎn)?？山逵稍谒鲭姌O上將電壓提供至高于對應(yīng)于該起始位置的起始值，并另外由操作位于該縱行里上方的小射束消除器以關(guān)閉該小射束，來定位小射束而并且不同時進行寫入。小射束在后續(xù)掃描周期里按相同指向的偏轉(zhuǎn)可簡化對所述小射束的圖案數(shù)據(jù)供應(yīng)。最為適當(dāng)?shù)兀械男∩涫砸老嗤赶蚱D(zhuǎn)。在第一實現(xiàn)方式里，該終端電阻是以并聯(lián)方式電性耦接于該電極系統(tǒng)。而在第二實現(xiàn)方式里則是第一終端電阻電性耦接于第一電極與接地之間，并且第二終端電阻電性耦接于第二電極與接地之間。在所述實現(xiàn)方式之一中提供終端電阻可弱化該偏轉(zhuǎn)器里的寄生電容，此電容傾向于造成電位差的任何切換回復(fù)緩慢。然而并不排除以組合方式運用第一及第二實現(xiàn)方式。終端電阻可經(jīng)適當(dāng)?shù)丶捎谄D(zhuǎn)器里；范例包括多晶硅、TaN、TiWN、CrSi 的電阻器，其常用于被動和主動集成電路內(nèi)。在另一具體實施例里具有一邊緣區(qū)，其至少部分地覆蓋該基板內(nèi)的孔徑。所述邊緣區(qū)包括電極條帶以按與前述電場相同的指向定義一電場，不過缺少用于小射束的通過窗口。該邊緣區(qū)適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)為經(jīng)交錯電極對的延伸。然而其被設(shè)計為沒有小射束。增設(shè)此邊緣區(qū)可有利于電場的均勻度。最為有利的設(shè)計則是在其中第一及第二電極被設(shè)置具有相反極性的電壓，并且一額外接地電極被限定成鄰近該電極系統(tǒng)。在進一步實施例里，獨立式電極覆蓋有一鍍層，因而提供在電性上為大體上均質(zhì)的表面。此鍍層為防止該表面結(jié)構(gòu)里的區(qū)域變異性或多或少地產(chǎn)生作用以在所述電極間建立電場。從而可藉此對電場的均勻度有所貢獻。同時，該均質(zhì)性傾向于降低靜電放電的風(fēng)險。在另一具體實施例里具有第二靜電偏轉(zhuǎn)器，其按不同于第一偏轉(zhuǎn)器的方向偏轉(zhuǎn)。 該不同方向可為相反于或垂直于該掃描方向的方向，或是任何其他異于該掃描方向的方向。尤其是，此為位于該光學(xué)平面(如光軸作為法線所離開的平面)內(nèi)的方向。因光刻系統(tǒng)會相對于目標(biāo)表面同時地移動，故與掃描方向相垂直的校正是有用的。此移動又稱為機械掃描，并可適當(dāng)?shù)卦谂c另外的偏轉(zhuǎn)器相同的方向上。此校正優(yōu)選是在比掃描頻率低的頻率下進行。以相反于掃描方向的方向的偏轉(zhuǎn)可適當(dāng)?shù)乩门c用于進行掃描的偏轉(zhuǎn)器相同類型的偏轉(zhuǎn)器進行。事實上，此偏轉(zhuǎn)即為該掃描的一部分。因此，可以實現(xiàn)即使是被偏轉(zhuǎn)，小射束也能在投射透鏡布置的有效透鏡平面里通過光軸的中央部分。按此方式，即可減少因通過投射透鏡布置的偏轉(zhuǎn)所導(dǎo)致的球型像差。在本發(fā)明的第二實施方式里，提供一種包括掃描靜電偏轉(zhuǎn)器用以偏轉(zhuǎn)至少一帶電粒子小射束的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)。該靜電偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極，并且于其間該小射束通過一通過窗口，同時在電場的操作下偏轉(zhuǎn)(若有電場在所述電極間的話)，其中具有多個通過窗口，電場在各個通過窗口內(nèi)的指向相同。在單一方向上進行掃描可簡化對所述小射束的圖案數(shù)據(jù)供應(yīng)。整體而言，如此可獲較高的掃描程序精確度，并且改善由不同小射束所掃描的掃描線及/或像素的拼接結(jié)^ ο更詳細(xì)地說，偏轉(zhuǎn)器系經(jīng)設(shè)計以在偏轉(zhuǎn)器的作用區(qū)域內(nèi)具有一大致均勻的電場。 而令人驚訝的是，既已獲證即使是電極定義于此作用區(qū)域內(nèi)，仍能獲得具有均勻場域的偏轉(zhuǎn)器。任何電位場域擾動因素，諸如互連器、電容器，皆限定于該作用區(qū)域之外。此外，可規(guī)定邊緣區(qū)，為作用區(qū)域設(shè)定邊界，藉此將因邊緣效應(yīng)所造成的非均勻性予以平坦化。在一具體實施例里，該場域在該作用區(qū)域之外被壓制。此壓制是藉由例如提供隔離材料所實現(xiàn)。在一優(yōu)選具體實施例里，該場域僅產(chǎn)生于該作用區(qū)域之內(nèi)。一種實現(xiàn)僅在作用區(qū)域之內(nèi)運作的優(yōu)選實施例是利用經(jīng)交錯的條帶形狀電極對。 另一種實現(xiàn)此運作的方式是這樣的結(jié)構(gòu)，即其中作用區(qū)域是由去除底層載體所限定的。去除此底層載體即意味著，在該區(qū)域里，場域并不會被任何不可避免的與底層載體進行的交互所擾動。更為適當(dāng)?shù)兀山M合運用此二者方式。其一適宜方式為提供獨立式電極條帶。
在本發(fā)明的第三實施方式里，提供帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)的使用方式。偏轉(zhuǎn)器系適當(dāng)?shù)赜靡云D(zhuǎn)至少一帶電粒子小射束。優(yōu)選地，該偏轉(zhuǎn)器用以偏轉(zhuǎn)多個小射束。而最適當(dāng)情況則為將具有相反極性的電壓施加于偏轉(zhuǎn)器的第一及第二電極。既已獲證在接地值(0伏特或是其他數(shù)值)附近以相反極性的電壓來驅(qū)動該偏轉(zhuǎn)器可提供最佳結(jié)果。在此應(yīng)理解， 為適當(dāng)掃描，電極上的電壓可根據(jù)一預(yù)定電壓量變曲線而改變。鋸齒狀量變曲線被證實為非常有益，特別是結(jié)合這樣的結(jié)構(gòu)，即在該結(jié)構(gòu)中偏轉(zhuǎn)器里任一處電場皆具有相同指向。根據(jù)本發(fā)明，電極上的相反電壓優(yōu)選具有相等大小并且低于IOV0 IOV在此為對于正極性相對該接地所施加的電壓差的最大值；對于負(fù)極性而言，此值則為-10V。更適當(dāng)?shù)?，該電壓可甚至更低，例如最大電壓?、5或4伏特。此小電壓可為由本發(fā)明偏轉(zhuǎn)器所實現(xiàn)，其中彼此相距較短距離的獨立式電極可提供類似于現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)強度。而更優(yōu)選地，該掃描頻率相對較大，優(yōu)選是在RF范圍之內(nèi)，并尤以300到3000kHz之間的中度RF為宜，例如 0. 5-1. 2MHz。經(jīng)調(diào)制小射束適當(dāng)?shù)卦诙ㄎ恢芷诶锒ㄎ挥谄鹗嘉恢锰幎雌毓饽繕?biāo)表面，并在寫入周期里自該起始位置偏轉(zhuǎn)?？删唧w按鋸齒狀量變曲線完成此定位與掃描交替方式。既已獲證如此確能改善掃描處理的均勻度。更適當(dāng)?shù)?，該掃描頻率是在射頻(RF)范圍里，并且各個小射束在一掃描周期以及后續(xù)掃描周期兩者內(nèi)是按與其他小射束相同的指向偏轉(zhuǎn)；同時，定位周期比寫入周期短。在此，可實現(xiàn)能夠依足夠速度正確地掃描一圖案，包括在一方向上進行高頻掃描，同時結(jié)合利用壓制寄生電容來縮短定位時間。在藉由無罩式光刻系統(tǒng)將預(yù)定圖案投射于目標(biāo)表面上的方法中能特別發(fā)揮其用途。其中這種運用是將圖案掃描在目標(biāo)表面上。此方法包括如下步驟，即產(chǎn)生多個小射束； 利用調(diào)制裝置調(diào)制小射束的大小，調(diào)制裝置被提供有從數(shù)據(jù)存儲裝置檢索的預(yù)定圖案數(shù)據(jù)；利用聚焦裝置將經(jīng)調(diào)制小射束聚焦于目標(biāo)表面上；以及藉由靜電偏轉(zhuǎn)經(jīng)調(diào)制小射束將圖案掃描于目標(biāo)表面上。在本發(fā)明的進一步實施方式里，靜電偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極，其至少部分地獨立，該偏轉(zhuǎn)器藉由操作位于多個小射束于其間通過的電極間的電場以偏轉(zhuǎn)所述多個小射束，所述多個小射束定義一通過窗口，并且該通過窗口在橫向于該第一方向的方向上的尺寸匹配于所述小射束的直徑，該通過窗口在第一方向上延伸，所述多個小射束是在該第一方向上延伸的單一橫排布置，同時其中該靜電偏轉(zhuǎn)器的一顯著部分在該第一方向上延伸超出該通過窗口。優(yōu)選地，該顯著部分是在該第一方向上延伸數(shù)倍于通過窗口里所述射束的間距。該偏轉(zhuǎn)器在目標(biāo)表面內(nèi)的一子分區(qū)上橫向于該第一方向偏轉(zhuǎn)所述小射束，該子分區(qū)例如是晶片上的一場域，其中該偏轉(zhuǎn)器是用以執(zhí)行該系統(tǒng)的最終寫入投射的掃描偏轉(zhuǎn)器。為簡明起見，應(yīng)理解到前文中所概略揭示的以及任一從屬權(quán)利要求所要求的所有實施例都可與獨立權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明任何方面相結(jié)合。


現(xiàn)將參照所附圖式以進一步詳細(xì)說明所述和其他的本發(fā)明實施方式，其中圖1顯示一帶電粒子多小射束光刻系統(tǒng)之實施例的簡化略圖；圖2顯示一本發(fā)明之優(yōu)選實施例的上視圖3以放大視圖顯示圖2之細(xì)部；圖4顯示一描繪圖2實施例的截面略圖；圖5顯示在與圖4相垂直之方向上圖2實施例的截面略圖；圖6顯示根據(jù)本發(fā)明之第二實施例的上視圖；圖7顯示根據(jù)本發(fā)明之第三實施例的圖式；圖8是具有根據(jù)本發(fā)明之偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)器系統(tǒng)之截面簡化表示圖；圖9顯示本發(fā)明之靜電偏轉(zhuǎn)器一局部的簡化、截面略視圖；以及圖10顯示現(xiàn)有技術(shù)之靜電偏轉(zhuǎn)器一局部的截面略視圖。
具體實施例方式在圖式中，相同參考編號是指等同或者至少類似的技術(shù)特性。所述圖式并未依比例繪制且僅欲具備示范目的。所述圖式顯示多項范例，然而并非為將申請專利范圍局限于此。圖1顯示一帶電粒子多小射束光刻系統(tǒng)之實施例的簡化略圖，此系統(tǒng)基于一電子射束光學(xué)系統(tǒng)而無所有電子小射束的共同交跨。此光刻系統(tǒng)可為例如美國第6，897，458、 6，958，804,7, 084，414和7，129，502號專利中所描述，茲將授予本申請案的所有權(quán)人的所述專利依其整體而按參考方式并入本案。該光刻系統(tǒng)適當(dāng)?shù)匕ㄒ恍∩涫a(chǎn)生器，其產(chǎn)生多個小射束；一小射束調(diào)制器，其將所述小射束圖案化為經(jīng)調(diào)制小射束；以及一小射束投射器，其可將所述小射束投射于一目標(biāo)的表面上。該小射束產(chǎn)生器通常包括光源和至少一孔徑陣列。該小射束調(diào)制器通常為具有一消除偏轉(zhuǎn)器陣列和一射束停阻器陣列的小射束消除器。該小射束投射器則通常包括一掃描偏轉(zhuǎn)器與一投射透鏡系統(tǒng)。該光刻系統(tǒng)適當(dāng)?shù)鼐哂兄貜?fù)掃描的功能性。此功能性可自W0-A2007/013802號專利獲知，而該案系經(jīng)授予本申請案的所有權(quán)人并依參考方式并入本案。根據(jù)此項功能性，可對于失敗(亦即無效)的小射束提供補償。該光刻系統(tǒng)的可靠度可藉此而顯著提升。除所述構(gòu)件外，用于重復(fù)掃描的光刻系統(tǒng)可包括與其相耦接的感測器及控制單元，以供識別具有位于預(yù)定規(guī)格以外之性質(zhì)的無效小射束。此控制單元耦接于一系統(tǒng)控制，藉以切換開啟或關(guān)閉特定的小射束并且針對該目標(biāo)致動該系統(tǒng)(反之亦然)，以有效的小射束取代無效的小射束。優(yōu)選能夠防止投射出任何無效的小射束。藉此，可留下未經(jīng)寫入的圖案元素。之后，再藉由在該表面上掃描有效的替換小射束以將所述未經(jīng)寫入圖案元素轉(zhuǎn)移至該目標(biāo)表面。如自后文說明中所能進一步理解，本發(fā)明的光刻系統(tǒng)1非常適用于執(zhí)行該重復(fù)掃描功能性。其對于投射在目標(biāo)表面上的掃描線獲得的正確度改善結(jié)果，可使得以精準(zhǔn)填入第一掃描序列中留出的開放間隙的方式來進行第二掃描。在圖1所示之實施例里，該光刻系統(tǒng)包括一電子源3以供產(chǎn)生均質(zhì)性、擴展性的電子射束4。射束能量優(yōu)選是維持為相對較低而在約1至IOkeV的范圍之內(nèi)。為達此目的，力口速電壓優(yōu)選是低位，該電子源優(yōu)選是相對于在接地電位處的目標(biāo)保持在約-1至-IOkeV之間，然而亦可采用其他設(shè)定。來自該電子源3的電子射束4通過一個雙八極器，并且后續(xù)通過一校準(zhǔn)透鏡5以供校準(zhǔn)該電子射束4。如所能理解，該校準(zhǔn)透鏡5可為任何類型的校準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)。然后，該電子射束4撞擊到一射束分離器上，其在一適當(dāng)實施例里為一孔徑陣列6。該孔徑陣列6可阻擋一部分的射束，并讓多個小射束7通過該孔徑陣列6。該孔徑陣列優(yōu)選包括具有多個通孔的平板。如此即能產(chǎn)生多個平行的電子小射束7。該系統(tǒng)可產(chǎn)生大量的小射束7，優(yōu)選是約10，000至1，000，000個小射束，然而當(dāng)然能利用較多或較少的小射束。應(yīng)注意亦可運用其他的已知方法以產(chǎn)生所述經(jīng)校準(zhǔn)小射束。所述多個電子小射束7通過一聚光透鏡陣列(圖式中未予顯示)，其將各所述電子小射束7聚焦于該小射束消除器陣列9的平面內(nèi)。此小射束消除器陣列9優(yōu)選包括多個消除器，所述各消除器能夠?qū)⑺鲭娮有∩涫?之一個或多個者加以偏轉(zhuǎn)。該小射束消除器陣列9可連同一射束停阻器陣列10組成一調(diào)制裝置8。依據(jù)來自一控制單元60的輸入，該調(diào)制裝置8加入一圖案于所述電子小射束7。該圖案將藉由出現(xiàn)在一末端模組之內(nèi)的元件而定位于該目標(biāo)表面13上。在此實施例里，該射束停阻器陣列10包括一孔徑陣列以供小射束通過。該射束停阻器陣列按其基本形式包括一具有多個通孔的基板，所述通孔通常為圓形，然而也可采用其他形狀。在一實施例里，該射束停阻器陣列10的基板是由具有規(guī)則相隔之通孔的陣列的硅質(zhì)晶片所構(gòu)成，并且可涂布一金屬表面層來避免表面帶電。在一實施例里，該金屬為不會形成原生-氧化物表皮的類型，諸如CrMo。在一實施例里，該射束停阻器陣列10的通道對準(zhǔn)于該小射束消除器陣列9的構(gòu)件。該小射束消除器陣列9及該射束停阻器陣列10可一起運作以阻擋或讓通所述小射束 7。若該小射束消除器陣列9偏轉(zhuǎn)一小射束，則此小射束將不會通過該射束停阻器陣列10 內(nèi)的相對應(yīng)孔徑，而是被該射束停阻器陣列10的基板所阻擋。而若該小射束消除器陣列9 并未偏轉(zhuǎn)一小射束，則此小射束將會通過該射束停阻器陣列10內(nèi)的相對應(yīng)孔徑，并且接著在該目標(biāo)M的目標(biāo)表面13上投射例如一光點。該光刻系統(tǒng)進一步包括一控制單元60，其包括數(shù)據(jù)存儲裝置61、讀出單元62及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器63。該控制單元60可位于距該系統(tǒng)其余部分的遠(yuǎn)端處，例如位于一潔凈室內(nèi)部的外部處。利用光纖64，可將保有圖案數(shù)據(jù)的經(jīng)調(diào)制光束傳送至一投射器65，其將所述光纖的末端(經(jīng)略圖描繪于平板15內(nèi))投射至該電子光學(xué)單元18內(nèi)，并在此投射于該調(diào)制陣列9上。來自各條光纖末端的經(jīng)調(diào)制光束8被投射在該小射束消除器陣列9上一調(diào)制器的光敏構(gòu)件上。各個光束14保有該圖案數(shù)據(jù)的一部分以供控制一個或多個調(diào)制器。可適當(dāng)?shù)乩脗魉脱b置17以令該投射器65能夠在所述光纖的末端處適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)于該平板15。接著，所述電子小射束7進入該末端模組。后文中該術(shù)語“小射束”是指經(jīng)調(diào)制之小射束。此經(jīng)調(diào)制小射束可有效地包括時間性順序部分。一些這些順序部分可具有較低強度，并且優(yōu)選是具有零強度(亦即在該射束停阻器處所停阻的局部)。有些部分將具有零強度，藉以將該小射束定位于對于后續(xù)掃描周期的起始位置處。該末端模組優(yōu)選建構(gòu)成可插入、可替換且包括各種元件的單元。在本實施例里，該末端模組包括一射束停阻器陣列10、一掃描偏轉(zhuǎn)器陣列11及一投射透鏡布置12，然而并非所述所有皆須納入在該末端模組內(nèi)，同時它們可按不同方式所布置。除其他功能外，該末端模組可提供約100至500倍的縮放(demagnification)功能，并且優(yōu)選是盡可能地高，如在約300至500倍的范圍內(nèi)。該末端模組優(yōu)選是如后文所述方式偏轉(zhuǎn)所述小射束。在離開該末端模組之后，所述小射束7撞擊到設(shè)置在一目標(biāo)平面處的目標(biāo)表面13上。對于光刻應(yīng)用來說，該目標(biāo)通常包括具有一帶電粒子敏感層或光阻層的晶片。在通過該射束停阻器陣列10之后，因而所述經(jīng)調(diào)制小射束通過一掃描偏轉(zhuǎn)器陣列11，其可供在與所述未經(jīng)偏轉(zhuǎn)小射束7之方向大致垂直的X及/或Y方向上偏轉(zhuǎn)各個小射束7。在本發(fā)明里，該偏轉(zhuǎn)器陣列11為一掃描靜電偏轉(zhuǎn)器，其可供施加相對較小的驅(qū)動電壓，如后文所詳述。接著，所述小射束21通過該投射透鏡布置12并且被投射至目標(biāo)平面上通常為晶片之目標(biāo)的目標(biāo)表面13。該投射透鏡布置12將小射束聚焦，且優(yōu)選是獲得一直徑約10至30納米的幾何光點大小。在此設(shè)計里的投射透鏡布置12優(yōu)選是提供約100至 500倍的縮放功能。在本優(yōu)選實施例里，該投射透鏡布置12可有利地位于接近該目標(biāo)表面 13處。而在其他實施例里，可在該目標(biāo)表面13與產(chǎn)生聚焦的投射透鏡布置12之間設(shè)有保護裝置。該保護裝置可為一箔片或一平板并顯然要提供所需之孔徑，同時在所釋放的光阻粒子到達該光刻系統(tǒng)里的任何敏感構(gòu)件之前先行吸收之。或者，或此外，該掃描偏轉(zhuǎn)陣列9 可設(shè)置于該投射透鏡布置12和該目標(biāo)表面13之間。概略地說，該投射透鏡布置12將所述小射束7聚焦于該目標(biāo)表面13。藉此可進一步確保單一像素具有正確的光點大小。該掃描偏轉(zhuǎn)器11在該目標(biāo)表面13上偏轉(zhuǎn)所述小射束7。于此，需確保像素在該目標(biāo)表面13上的位置能夠在微觀尺度上正確。尤其，該掃描偏轉(zhuǎn)器11的操作需確保像素能夠良好地配入于最終會在目標(biāo)表面13上組成圖案的像素柵格。將能充分理解可由位于目標(biāo)13下方處的晶片定位裝置適當(dāng)?shù)靥峁┰撓袼卦谠撃繕?biāo)表面上的宏觀尺度定位。此高品質(zhì)投射與獲得提供可再現(xiàn)結(jié)果的光刻系統(tǒng)息息相關(guān)。一般說來，該目標(biāo)表面13在一基板的頂上包括一光阻膜層。該光阻膜層的部分將會藉由施予帶電粒子(亦即電子)的小射束以進行化學(xué)修改。而其結(jié)果為，該薄膜的受輻射部分將或多或少可溶于顯影劑中，而在一晶片上獲得光阻圖案。接著，該晶片上的光阻圖案可如藉由半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)所公知的執(zhí)行(implementation)、蝕刻及/或沉積步驟轉(zhuǎn)移至一底置層。很明顯地，若該輻射不均勻，則該光阻可能無法按均勻方式顯影，因此導(dǎo)致圖案出現(xiàn)錯誤。此外，許多這類型的光刻系統(tǒng)是利用多個小射束。不應(yīng)因偏轉(zhuǎn)步驟而在輻射上有所差異。本發(fā)明系針對在該目標(biāo)表面13上精準(zhǔn)且均勻地投射多個掃描小射束之目的。在此，可以理解，至少該掃描偏轉(zhuǎn)器11里的獨立式電極可供建立非常均勻的電場，且藉此獲得符合其目的的均勻偏轉(zhuǎn)。此外，又能制造具有適當(dāng)機械強度的獨立式電極而不致引起甚至更難以解決的新工程問題。在一適當(dāng)實施例里，所述獨立式電極具有一個或多個遠(yuǎn)低于及/或高于該掃描偏轉(zhuǎn)器之選定操作頻率的機械共振頻率。換言之，在此一實施例里，在所述電極上提供電壓差并不會導(dǎo)致所述獨立式電極的震動。此震動會破壞所述電極之間的均勻場域。尤其，在一具體實施例里，所述獨立式電極系具有能夠在該電場里獲得僅略微起伏及/或擾動的表面結(jié)構(gòu)。圖2顯示本發(fā)明靜電掃描偏轉(zhuǎn)器11之優(yōu)選實施例的上視圖。圖3顯示圖2 —部分的放大視圖。圖4揭示沿第一方向上的截面略視圖。圖5顯示沿與圖4相垂直之方向上的截面略視圖。圖9則顯示一簡化視圖。圖2顯示多個接續(xù)條帶31-38，其分別為梳型結(jié)構(gòu)第一電極21或梳型結(jié)構(gòu)第二電極22的一部分。在本實施例里，所述條帶31-38 —起組成經(jīng)交錯電極對；后文中亦稱之為電極系統(tǒng)。該基板50在此支撐該電極系統(tǒng)；然該電極系統(tǒng)至少部分地且適當(dāng)?shù)卮笾赂采w該基板50內(nèi)的孔徑51?？擅黠@觀察到圖4僅顯示接續(xù)條帶31-35，然而即便如此，此圖可利用較少數(shù)量之條帶來充分說明其原理。所述接續(xù)條帶可適當(dāng)?shù)貥?gòu)成從該孔徑51的第一側(cè) 101延伸至第二側(cè)102的橋架。然此并非被視為必要的，如后文中參照圖7所述。為簡明起見，可觀察到在一作用區(qū)域20中有效地產(chǎn)生該場域，如圖2中的虛線所示。本實施例的獨立式電極主要是通過其側(cè)面以產(chǎn)生該場域。所述側(cè)面不會位于該作用區(qū)域20的外部。不過，該作用區(qū)域20可為按其他方式所定義。該術(shù)語“至少部分地獨立式電極”是用來描述出現(xiàn)在該作用區(qū)域內(nèi)的相關(guān)導(dǎo)體的任何具有獨立性或部分獨立性的部分。 該術(shù)語“獨立式”指的是描述這些導(dǎo)體在該作用區(qū)域里并未藉由任何膜層或其他載體所支撐。該術(shù)語“部分地獨立式”是說明其中這些導(dǎo)體區(qū)域性地及/或在一有限區(qū)域上被膜層、 被機械支柱或是被任何其他的支撐結(jié)構(gòu)所支撐之情況。在該優(yōu)選具體實施例里，該術(shù)語“至少部分地獨立式電極”是由在該作用區(qū)域里所述接續(xù)條帶為獨立式的方式所實現(xiàn)的。窗口 40、41在所述條帶之間延伸。部分這些條帶通過窗口 40 ；而其他的則為隔離區(qū)域41。在此優(yōu)選范例里，所述隔離區(qū)域41為窗口，即并未被填入以任何介電或其他材料的自由空間。所述通過窗口 40具有寬度b。所述通過窗口 40為小射束7經(jīng)設(shè)計為由此而通過的窗口。通過窗口可為對于數(shù)個小射束7所設(shè)計的孔洞，或為在所述電極條帶之間完整地延伸的溝槽。若通過窗口 40受限于數(shù)個小射束7，則此一限制很大程度上是由于提供支撐結(jié)構(gòu)(諸如例如垂直于所述條帶而延伸的支柱或橫梁)所造成。然而，也可能有其他理由會對通過窗口 40造成限制。但是，提供相對較長的通過窗口可有利于獲得最大均勻度； 而通過窗口的任何中斷或限制皆可能引起電場的變異性。連續(xù)條帶的數(shù)量優(yōu)選是相對較大，并且其相互距離較短。所述條帶31-38具有橫向尺寸、一寬度a及一高度ζ。一隔離窗口 41具有一寬度C。該通過窗口 40的寬度b可適當(dāng)?shù)匦∮谒鐾ㄟ^窗口 40之間的總距離加+c。更適當(dāng)?shù)?，一通過窗口 40的寬度b經(jīng)選擇以使得最多三個橫排的電子小射束7能夠通過該通過窗口 40。更優(yōu)選地，橫排的數(shù)量為二， 且最佳地此橫排數(shù)量為一。橫排數(shù)量減少可被證實為有利于產(chǎn)生均勻場域。場線多為沿法向于所述條帶31-38之橫向延伸的方向走向。如此，這明顯地改善了現(xiàn)有技術(shù)的具有例如兩個位于孔徑之相對側(cè)上的U電極的宏觀性偏轉(zhuǎn)器。這樣的偏轉(zhuǎn)器的電場強度并非均勻。 尤其是靠近所述電極的角落處電場強度較高，并且側(cè)邊會導(dǎo)致電場擾動。在根據(jù)本發(fā)明的掃描偏轉(zhuǎn)器11里，電場強度極為均勻并且明顯地較現(xiàn)有技術(shù)均勻許多。該掃描偏轉(zhuǎn)器在偏轉(zhuǎn)強度上展現(xiàn)出低于5%的變異性，而優(yōu)選地低于3%，并且更優(yōu)選地甚至可達到低于2%。 在本發(fā)明之一實施例里，于偏轉(zhuǎn)強度上可達1至1. 5%之間的變異性。通過窗口 40之較短寬度b的結(jié)果是能夠顯著地減少所述電極上的電位差21、22， 而同時仍獲得足夠的偏轉(zhuǎn)角度。減少所述電極上電位差具有多項重要益處。首先，可按優(yōu)選方式電性驅(qū)動該偏轉(zhuǎn)器；亦即在所述電極上提供(改變的)電壓差可提高速度及/或具有較大的帶寬。該術(shù)語 “帶寬”在此是用以作為施加電性信號之均勻度的測量。帶寬過低可能會導(dǎo)致許多問題，諸如在電壓差供應(yīng)計時上的無法控制延遲和變異性以及在電壓差大小上的變異性。其次，可降低因靜電放電而對偏轉(zhuǎn)器造成損害的風(fēng)險。為優(yōu)化堅硬度，所述條帶31的高度ζ設(shè)計為相對較大。該高度ζ可適當(dāng)?shù)卮笥谠撏ㄟ^窗口 40的寬度b。此外，較大的高度可用以增加所謂的偏轉(zhuǎn)強度，或者是針對一給定偏轉(zhuǎn)角度減少所需要的電位差。圖9為根據(jù)本發(fā)明之靜電偏轉(zhuǎn)器一部分的簡化截面視圖。相較于現(xiàn)有技術(shù)，圖10 將詳述本發(fā)明所進行的主要改善結(jié)果。首先，該偏轉(zhuǎn)器里的場域直接地自該第一電極延伸至該第二電極；在現(xiàn)有技術(shù)里，這是在該電極上方延伸。如此可獲得較高的均勻度和較好受控的電場強度。其次，本發(fā)明中所述電極31-36的高度ζ大于現(xiàn)有技術(shù)。由于在本發(fā)明中該小射束7是在該完整高度ζ上所偏轉(zhuǎn)，因此是以較為漸進的方式出現(xiàn)偏轉(zhuǎn)。故而能夠減少對于一預(yù)定偏轉(zhuǎn)角度所需要的電場強度。優(yōu)選，如該圖所示，該高度ζ大于通過窗口 40 的寬度b。第三，除了通過窗口 40，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)器亦包括隔離窗口 41。這造成可按相同方向偏轉(zhuǎn)的所有小射束7。在圖10所示之現(xiàn)有技術(shù)里，所述小射束7按相反方向所偏轉(zhuǎn)。即使相較于圖10的現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明具有額外條帶，然并未增加在第一與第二小射束之間的間距。若有需要，甚可將此間距予以縮短。此小間距為在本發(fā)明之光刻系統(tǒng)中朝向?qū)Ω?yán)格尺寸進行圖案化的一個步驟。在本圖或圖10中雖未予圖示，然而現(xiàn)有技術(shù)偏轉(zhuǎn)器包括特定孔洞而使特定小射束從中通過。在本發(fā)明里，多個小射束是在第一與第二條帶之間通過。本發(fā)明偏轉(zhuǎn)器中如一系列獨立式條帶的建構(gòu)并不需要額外的孔洞。此外，多個小射束在第一與第二條帶之間通過，而不是穿過個別的孔洞，將可有助于均勻度。本發(fā)明偏轉(zhuǎn)器的其中一項優(yōu)點在于接地電極的位置。此接地電極25不是位于鄰近正性或負(fù)性帶電電極處，而是出現(xiàn)在該基板上不會或大致不會覆蓋該孔徑的區(qū)域內(nèi)。藉此，該帶電電極與該接地電極之間的距離會變得更大。如此則有助于滿足不致產(chǎn)生靜電放電而造成足可摧毀該偏轉(zhuǎn)器之損害的邊界條件。從而，由于局部性地缺少接地電極，因此所述第一及第二電極21、22的接續(xù)條帶可位于更短的距離處。為簡明起見，可觀察到該接地電極的電位無須等于一般環(huán)境的接地(OV)。如該接地電極可諸如為-IOkV至+IOkV之間的任何數(shù)值。然后，經(jīng)施加于所述第一及第二電極21、22的電位即為此接地附近的電位，例如-10kV-/+10kV。在所述第一及第二電極21、22之間的電位差可適當(dāng)?shù)刈罡邽?0V，而更適當(dāng)?shù)貫樽罡?0V，且最佳地為最多10V。在本發(fā)明的各種實施例里，可達到低于IOV的電位差，諸如8V、6V、5V。此較低電壓確為適當(dāng)，理由是讓具備強固性的驅(qū)動電路，雖然可為快速，仍能具有高帶寬。該帶寬可適當(dāng)?shù)貫樵搾呙桀l率的至少5倍。對于均勻度而言，10倍于該掃描頻率的帶寬確能提供非常適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。該掃描頻率可適當(dāng)?shù)貫橹辽?00kHz，且優(yōu)選地為至少500kHz或甚至IMHz以上。如圖2所示，該結(jié)構(gòu)具有焊接區(qū)(b0ndpad)28。這些焊接區(qū)觀經(jīng)由互連器四而耦接于各所述電極。所述互連器四出現(xiàn)在所述接地平面區(qū)域25之間。這者非常適用于 500kHz等級或以上之較高切換頻率的情況。然后RF效應(yīng)就產(chǎn)生相關(guān)性。通過將所述互連器以波導(dǎo)來實現(xiàn)，即能大幅壓制此等RF效應(yīng)。熟諳本項技術(shù)之人士將能理解可另選定其他傳輸線路執(zhí)行方式-條帶線、傳輸線等等。在一實施例里，如圖2所示者，各個通過窗口 40里的電場其指向為相同。由于相同的電場指向，因此所有小射束7的偏轉(zhuǎn)都會按相同指向前進。故而所投射的小射束7柵格的表面區(qū)域和形狀皆為相同，與是否出現(xiàn)偏轉(zhuǎn)無關(guān)。此原理在所示實施例里是按如下方式所執(zhí)行該第一電極包括第一及第三條帶，而該第二電極包括第二及第四條帶。第一通過窗口出現(xiàn)在該第一與該第二條帶之間。第二通過窗口則出現(xiàn)在該第三與該第四條帶之間。 不過，在該第二和該第三條帶之間出現(xiàn)有一隔離區(qū)域；亦即該隔離區(qū)域并無通過窗口。而基于制造作業(yè)的理由，此隔離區(qū)域可適當(dāng)?shù)貫橐淮翱?。同時，由于本設(shè)計能夠減少驅(qū)動電壓， 因此可顯著降低放電風(fēng)險。在其進一步的改善結(jié)果里，一終端電阻平行耦接于所述第一及第二電極21、22的電極系統(tǒng)。此終端電阻集成于該偏轉(zhuǎn)器的基板上?；蛘撸摻K端電阻可為單獨元件，諸如一個或多個經(jīng)單獨組裝的表面安裝電阻。這可供消除該系統(tǒng)中于任何寄生電容定位時間上的效應(yīng)。詳細(xì)地說，該電阻可弱化電容且/或該電阻和該寄生電容可一起如濾波器般運作。故而可以實現(xiàn)定位周期比寫入周期短。這些可一起定義掃描單一條掃描線所需要的時間，從而定義該掃描頻率。最適當(dāng)?shù)氖?，該電阻機械耦接于一熱移除路徑。此熱移除路徑可包括散熱片、散熱器等等。最具關(guān)聯(lián)性的是一條從真空容器內(nèi)的偏轉(zhuǎn)器連至真空外部某一位置處的熱導(dǎo)路徑。利用該電阻的原因是，由于相對較低的驅(qū)動電壓的原因，因此所述電極上的電位差會相對較小。這意味著在該電阻上的散熱性有限。該電阻的好處是可更快速地減少所述電極上的電位差。該電極系統(tǒng)的寄生電容可被該電阻器有效地減弱，然而不會因此而抵消該電位差之降低。該電位差的降低直接對應(yīng)于將小射束帶至對于后續(xù)偏轉(zhuǎn)的起始位置的時間的縮短。藉此可提高掃描頻率。圖4及5顯示圖2之實施例的截面圖。圖4更為清晰地顯示條帶31_38和該基板內(nèi)之孔徑51的相互定位。圖5顯示在本實施例里自該孔洞51之第一側(cè)101延伸至相對第二側(cè)102的條帶31。在此建構(gòu)里，電極可有效地組成覆蓋該底置孔徑的橋架。自機械穩(wěn)定性觀點而言，如此確為有利的建構(gòu)方式。其中在該孔徑51上方并沒有用以支撐所述條帶的膜層載體，然而所述條帶系至少部分地為獨立式。為了具有獨立性，所述條帶具備一定尺寸和堅硬度以避免所述條帶31-38未受控地變成彈性且彎折?？梢砸话雽?dǎo)體基板為基礎(chǔ)，并自其頂側(cè)和從其底側(cè)二者予以選擇性地蝕刻與圖案化，來適當(dāng)?shù)刂圃齑私Y(jié)構(gòu)。硅絕緣體(SOI)基板被證實為非常有利于此目的；而其內(nèi)的埋覆氧化物52則可作為蝕刻停阻器?；蛘撸山濡宝?接合或其他的摻質(zhì)轉(zhuǎn)移(doping transition)來建立一蝕刻停阻器，如該技術(shù)領(lǐng)域所公知。即以SOI基板為例所述電極將會被制作于頂部半導(dǎo)體層(裝置層)53。該基板50建立在底部半導(dǎo)體層內(nèi)(處置晶片 (handling wafer)).該孔徑51可為藉由任何類型的蝕刻處理所形成，諸如干性蝕刻和濕性蝕刻。熟諳本項技術(shù)之人士將能理解所述硅質(zhì)晶片優(yōu)選是經(jīng)過摻質(zhì)，P型或η型皆可?？蛇m宜地缺少ρη-接合以避免在所述獨立式電極里產(chǎn)生電流。其摻質(zhì)水平可自由選定，如熟諳蝕刻與微制造技術(shù)領(lǐng)域之人士所公知。所述獨立式電極可適當(dāng)?shù)鼐哂幸诲儗应?。既已發(fā)現(xiàn)增置一鍍層可進一步改善電場的均勻度?？衫冒ń殡娂皩?dǎo)電材料在內(nèi)的各種材料以改善平滑度。然而，金屬鍍層被視為最適當(dāng)；不同于介電材料鍍層，金屬鍍層不會在該系統(tǒng)里造成額外電容。施加金屬鍍層的工藝屬該技術(shù)領(lǐng)域公知，包括CVD、濺鍍、電鍍處理。若有需要則可利用一粘著層。更適宜地，該獨立式電極的半導(dǎo)體材料在提供該金屬鍍層之前為未經(jīng)氧化?？扇缃逵梢贿m當(dāng) CVD工藝以在該獨立式電極的所有表面上同時地提供該金屬鍍層，然而這不應(yīng)被視為必要。 作為一替代方式，可自頂部側(cè)及底部側(cè)施加該鍍層，而同時亦確保任何側(cè)面皆至少部分地被導(dǎo)電材料所覆蓋。在本實施例里，可施加兩種不同材料以供涂布。優(yōu)選，該獨立式電極整個都具有導(dǎo)電性。
硅質(zhì)雖為公知且良好適用于產(chǎn)生獨立式電極，然并未排除替代性材料與工藝。這樣的替代方式包括在一基板的頂部處構(gòu)成獨立式電極，諸如運用于RF MEMS上的應(yīng)用；利用包括SiC及SiGe在內(nèi)的替代性基板材料進行取代，或尤其是作為頂部層時，除Si質(zhì)的處置晶片外另行增加包括SiC及SiGe在內(nèi)的替代性基板材料。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明之第二實施例的上視圖。此實施例顯示一交錯的電極對21、 22。邊緣區(qū)23出現(xiàn)在該偏轉(zhuǎn)器11的相反邊緣處。所述邊緣區(qū)23包括所述第一及第二電極21、22的一組平行指向條帶。然而所述邊緣區(qū)23之內(nèi)并未設(shè)計有通過窗口 40。所述條帶的設(shè)計可適當(dāng)?shù)氐韧谠撈D(zhuǎn)器9之主要部分內(nèi)的設(shè)計，然而此并非必要。雖經(jīng)顯示為相同，然而所述邊緣區(qū)23能依不同設(shè)計所執(zhí)行。除所述邊緣區(qū)23為平行于該電場的方向外，亦可有利地在法向于電場的方向上建立所述邊緣區(qū)沈，亦即靠近所述電極或條帶之獨立式部分的遠(yuǎn)端。這樣的邊緣區(qū)沈可有助于避免因與該基板及/或?qū)w(諸如導(dǎo)線和互連器)交互的結(jié)果而在該電場內(nèi)產(chǎn)生人為干擾。各邊緣區(qū)優(yōu)選具有在條帶31橫向延伸的2至20%之間，且優(yōu)選在4至12%之間的延伸部分。本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)器11可適當(dāng)?shù)嘏c投射透鏡布置12 —起組裝?？蛇_成此一目的，而又不致加劇在圖10所示的現(xiàn)有技術(shù)平面偏轉(zhuǎn)器中觀察到的靜電放電問題。具有至少部分地獨立式電極條帶及更均勻場域的偏轉(zhuǎn)器被證實為很好地承受靜電電壓。該偏轉(zhuǎn)器可組裝在接近該投射透鏡布置12處，或是其正上方或正下方處。在一實施例里，本發(fā)明的掃描偏轉(zhuǎn)器11具有進一步優(yōu)點，即其厚度小于現(xiàn)有技術(shù)偏轉(zhuǎn)器?；旧?，該基板50和所述電極的整體厚度可小于500微米，且優(yōu)選為小于300微米。如此可供該偏轉(zhuǎn)器11的位置靠近于該投射透鏡布置12。然而并未排除其中該掃描偏轉(zhuǎn)器11接近該投射透鏡布置12的替代性組裝方式。由于距該投射透鏡布置12的距離較短，因此受到該掃描偏轉(zhuǎn)器11所偏轉(zhuǎn)的小射束7可具有極為靠近該投射透鏡布置12的有效旋轉(zhuǎn)中心。其結(jié)果為該投射透鏡布置12的像差對該像素之光點大小具有較低的(負(fù)面) 影響。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明之第三實施例。在此實施例中，該電極系統(tǒng)包括多個部分 91-94。在本范例里，該數(shù)量為四個，然此值并非必要亦不具限制性。該數(shù)量可為較多(例如 9或16個)，可為較少O個)。該電極系統(tǒng)可被劃分成一系列彼此相鄰接的部分而不是多個區(qū)塊。各所述部分包括覆蓋基板50內(nèi)的孔徑51a-d的電極21、22的接續(xù)條帶。在本實施例里有對應(yīng)于四個部分91-94的四個孔徑51a-d。然并非嚴(yán)格地必然如此；一附加層可作為對于所有條帶之電極系統(tǒng)的載體。此附加層可具有孔徑51a-d，同時仍覆蓋該基板50內(nèi)的孔徑51。所述孔徑51a-d無須具有正方形截面，如橫向延伸可大于寬度或反之亦然。在各所述部分內(nèi)的連續(xù)條帶可適當(dāng)?shù)貥?gòu)成經(jīng)交錯的電極對，然而并非嚴(yán)格地必然如此。同時， 前述其他特性在此亦能適用于各所述四個部分。圖8是根據(jù)本發(fā)明之掃描靜電偏轉(zhuǎn)器系統(tǒng)實施例的略視圖。此實施例包括一第一靜電掃描偏轉(zhuǎn)器Ila及一第二靜電掃描偏轉(zhuǎn)器lib。根據(jù)本發(fā)明，所述偏轉(zhuǎn)器IlaUlb中至少之一是根據(jù)本發(fā)明之偏轉(zhuǎn)器。此二者掃描偏轉(zhuǎn)器可適當(dāng)?shù)亟詾楦鶕?jù)本發(fā)明之偏轉(zhuǎn)器。 藉此系統(tǒng)設(shè)計，可使得小射束7能夠在該投射透鏡布置的有效透鏡平面19內(nèi)通過該光軸0 的中央部分，即使是在當(dāng)經(jīng)偏轉(zhuǎn)時亦然。按此方式，相較于按照根據(jù)本發(fā)明的單一掃描偏轉(zhuǎn)器11布置方式，能進一步減少因經(jīng)由該投射透鏡布置的偏轉(zhuǎn)所導(dǎo)致的球型像差。此設(shè)計的重大改善是在于能夠提高可供運用的偏轉(zhuǎn)量值，而同時不致犧牲光點大小的分辨率。在圖 8所示之設(shè)計里，兩個偏轉(zhuǎn)器1 Ia和1 Ib之一位于另一之后，而各者在其電極上具有相反電壓。為進行偏轉(zhuǎn)，在各個偏轉(zhuǎn)器IlaUlb上這些電壓的符號會被同時地切換。在有效透鏡平面19里，以及靠近該投射透鏡布置的光軸0處，經(jīng)偏轉(zhuǎn)小射束7的居中處理是藉由依照該偏轉(zhuǎn)器％和該投射透鏡布置的有效透鏡平面19間的距離d5來微調(diào)偏轉(zhuǎn)角度的比例所實現(xiàn)的。亦可將這兩個偏轉(zhuǎn)器IlaUlb之間的相互距離d6，以及經(jīng)施加于所述電極之間的電位差，運用在此微調(diào)操作上。在該第一掃描偏轉(zhuǎn)器Ila內(nèi)以及在該第二掃描偏轉(zhuǎn)器lib 內(nèi)所施加的電位差在此為互相耦接。它們以小射束7樞軸點位于投射透鏡布置的光學(xué)平面內(nèi)并且交跨于投射透鏡布置的光軸0的方式改變。在一適當(dāng)實現(xiàn)方式里，所述第一及第二偏轉(zhuǎn)器IlaUlb的驅(qū)動電路由單一控制器控制。同時，該驅(qū)動電路的多個部分，例如其中產(chǎn)生該掃描頻率的部分，可予適當(dāng)?shù)丶苫蛞云渌绞今罱釉谝黄?。如此，該第一偏轉(zhuǎn)器Ila按一角度α 1將小射束7偏轉(zhuǎn)離開該光軸0，并且該第二偏轉(zhuǎn)器lib以相反方向且按一角度α 2將小射束7偏轉(zhuǎn)返回。依此方式，小射束7在當(dāng)交跨于該投射透鏡布置的有效透鏡平面9時會被偏轉(zhuǎn)一角度α 3。在更進一步的實施例里，圖示中未予顯示，所述孔徑僅出現(xiàn)在通過窗口的下方處。在本發(fā)明的進一步實施方式里，提供一種帶電粒子系統(tǒng)，其中包括掃描靜電偏轉(zhuǎn)器以供偏轉(zhuǎn)至少一帶電粒子小射束。該偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極而該小射束通過其間， 其中各個電極包括至少一條帶，所述條帶大體上平行延伸并定義一通過窗口而多個小射束經(jīng)此通過，該通過窗口在法向于所述條帶的方向上具有一寬度，而當(dāng)在所述電極之間設(shè)定電位差時可于該方向上產(chǎn)生一電場，所述條帶在三個相互垂直的方向上具有一高度、一寬度及一橫向方向，該條帶的高度大于通過窗口的寬度。藉此偏轉(zhuǎn)器，可獲得與以大得多的電位差運作的宏觀性偏轉(zhuǎn)器相同數(shù)階的偏轉(zhuǎn)角度。此令人驚訝的結(jié)果，原因在于現(xiàn)有技術(shù)的宏觀性偏轉(zhuǎn)器與本發(fā)明偏轉(zhuǎn)器的電位差的比例可能超過5，甚至高達10以上。此外，所增加的高度可減少電場的雜散場成分，如此將可改善場域的線性，并故而改善偏轉(zhuǎn)的均勻度。同時，既已證實該偏轉(zhuǎn)器整體可具有相比于宏觀性偏轉(zhuǎn)器較小的厚度。其結(jié)果為能夠更簡易地將本發(fā)明偏轉(zhuǎn)器組裝于投射透鏡布置，以減少像差。該偏轉(zhuǎn)器可適當(dāng)?shù)匕í毩⑹诫姌O條帶。在本發(fā)明的另一實施方式里，提供一種利用靜電偏轉(zhuǎn)器以一掃描頻率對表面進行掃描的方法。該偏轉(zhuǎn)器包括第一及第二電極，在其間具有有一通過窗口。其中各個小射束在一單一掃描周期里于該表面上掃描一掃描線。該掃描包括在一定位周期里將該小射束定位于一起始位置，并且在一寫入周期里藉由改變所述電極上的電場強度以自該起始位置偏轉(zhuǎn)該小射束。根據(jù)本發(fā)明，該掃描頻率是在射頻(RF)范圍的內(nèi)。該小射束在各個掃描周期里按相同方向偏轉(zhuǎn)。各個小射束是在電場的操作下偏轉(zhuǎn)，此電場依各個小射束的指向而指向；此外，該定位周期短于該寫入周期。本發(fā)明可有效地以異于現(xiàn)有技術(shù)的不同規(guī)則所主導(dǎo)的不同機制來進行掃描。該主導(dǎo)機制為高頻掃描。更詳細(xì)地說，高掃描頻率是位于射頻(RF)范圍里的頻率，并且最佳地是在其中間范圍內(nèi)，即300到3000kHz之間。其結(jié)果為，該偏轉(zhuǎn)必須遵守RF電子的規(guī)則，以避免因所牽涉的導(dǎo)體和材料的RF行為而導(dǎo)致的延遲和非均勻度。其一顯著RF性質(zhì)即為寄生電容。尤其，當(dāng)改變且反轉(zhuǎn)電壓時，寄生電容可能會引入主要延遲。此外，寄生電容傾向于導(dǎo)致場域變形，并因而易于導(dǎo)致不符規(guī)格的掃描。從而，本案發(fā)明人所觀察到的挑戰(zhàn)即為如何以足夠速度進行圖案掃描，然而又不致遭遇到有關(guān)轉(zhuǎn)移圖案的精確度的問題。在此，本案發(fā)明人提議僅在相對微小的角度上偏轉(zhuǎn)小射束，然而是在射頻范圍內(nèi)進行掃描。此較小偏轉(zhuǎn)角度可提供更好的精確度，并且可供減少在該偏轉(zhuǎn)器的電極上所施加的電壓差。同時，為獲得此高頻掃描的適當(dāng)且可靠結(jié)果，可理解到應(yīng)將該偏轉(zhuǎn)限制于單一指向。這樣的單一指向偏轉(zhuǎn)需進行較多次小射束的重新定位，如此將會耗費時間。不過，已發(fā)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)至相反指向會在偏轉(zhuǎn)與無偏轉(zhuǎn)情況之間導(dǎo)致小射束柵格的表面區(qū)域上的差異。然而在高頻處此類在表面區(qū)域上的差異的校正被視為無法進行。本案發(fā)明人的見解為可藉由壓制寄生電容以大幅地縮短小射束的重新定位時間。同時，壓制該寄生電容又被證實為減少場域變形，并藉此改善掃描精確度。簡言之，本案發(fā)明人對以足夠速度進行精確掃描圖案的解決方案包括僅在單一指向上以高頻掃描，并結(jié)合藉由壓制寄生電容來縮短重新定位時間。在其一適當(dāng)實施例里，該電壓是以鋸齒狀特征施加于偏轉(zhuǎn)器的電極上。該精確鋸齒形狀又可以將效能最佳化。在此，以逆反方式設(shè)定該電壓可獲得期望的重新定位，并且可同時結(jié)合進行目標(biāo)相對于光刻系統(tǒng)的機械性重新定位。在進一步實施例里，可經(jīng)由濾除及/或弱化寄生電容以縮短該定位時間?？山逵蓪⒃黾佑谠撈D(zhuǎn)器以得到過濾效能來適當(dāng)?shù)剡M行此濾除作業(yè)。濾波器拓樸為熟諳此類電子工程領(lǐng)域的人士所公知。其范例包括RC濾波器、RCL濾波器、Pi濾波器及LC濾波器和網(wǎng)路。最佳地是利用RC濾波器。其可通過終端電阻所實現(xiàn)。在更進一步實施例里，施加于該偏轉(zhuǎn)器的電極的電壓低于10V。此電壓降低尤其會造成因過濾處理而減少功率損失。最佳地，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)器是用以作為運作在小電位差的偏轉(zhuǎn)器。藉由獨立式電極，此偏轉(zhuǎn)器可進一步減少該偏轉(zhuǎn)器的寄生電容，并因而進一步促進該減少。定位周期可適當(dāng)?shù)鼐哂凶疃鄬懭胫芷诘囊话氲臅r段長度。而更適宜地，該定位周期具有小于寫入周期的40%，且最佳地小于25%，的時段長度。除了前述詳細(xì)說明和簡介部分，本發(fā)明，除所附申請權(quán)利要求以外，也涉及在圖式中所有未經(jīng)進一步闡述，然而可由熟諳本項技術(shù)的人士可直接地且無疑義地導(dǎo)出的細(xì)節(jié)與實施方式。附圖標(biāo)記清單0 光軸1光刻系統(tǒng)3電子源4 射束5由透鏡所表示的校準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)6射束分離器7小射束
8調(diào)制單元9射束消除器陣列10小射束停阻器陣列11靜電掃描偏轉(zhuǎn)器陣列12投射透鏡13目標(biāo)表面14 光束15 平板16致動器17 單元18電子光學(xué)單元19透鏡平面20作用區(qū)域21第一電極22第二電極23邊緣區(qū)24 目標(biāo)25接地電極沈邊緣區(qū)沘焊接區(qū)29互連器31-38 條帶40通過窗口41隔離窗口50 基板51 孔徑51a_d 孑L徑52埋覆氧化物層53處置晶片討金屬鍍層a條帶31的寬度b通過窗口 40的寬度c隔離窗口 41的寬度ζ條帶31的高度60控制單元61數(shù)據(jù)存儲裝置62讀出單元63數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器M 光纖
65投射器91-94 部分101 第一側(cè)102 第二側(cè)131、132、133 條帶(現(xiàn)有技術(shù))
權(quán)利要求
1.一種包括靜電偏轉(zhuǎn)器以用于偏轉(zhuǎn)多個帶電粒子小射束的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)，該靜電偏轉(zhuǎn)器包括至少部分獨立的第一和第二電極，該偏轉(zhuǎn)器通過操作位于所述多個小射束從中通過的電極之間的電場偏轉(zhuǎn)所述多個小射束，所述多個小射束限定一通過窗口，該通過窗口在第一方向上延伸，其中所述多個小射束布置成在該第一方向上延伸的單一橫排，并且該通過窗口在一橫向于該第一方向的方向上的尺寸與所述小射束的直徑匹配，并且其中該靜電偏轉(zhuǎn)器的實質(zhì)部分在該第一方向上延伸超出該通過窗口。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該實質(zhì)部分在該第一方向上延伸數(shù)倍于該通過窗口內(nèi)所述小射束的間距。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該偏轉(zhuǎn)器在目標(biāo)的所述表面內(nèi)的一子分區(qū)上橫向于該第一方向偏轉(zhuǎn)所述小射束，該子分區(qū)例如是晶片上的一場域。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中該偏轉(zhuǎn)器是用以執(zhí)行該系統(tǒng)的最終寫入投射的掃描偏轉(zhuǎn)器。
5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該通過窗口在法向于條帶的方向上具有一寬度，而當(dāng)在所述電極之間設(shè)定電位差時在該方向上產(chǎn)生一電場，所述條帶在三個相互垂直的方向上具有高度、寬度及橫向方向，該條帶的高度大于該通過窗口的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中第一電極包括第一和第三條帶，第二電極包括第二和第四條帶，其中通過窗口出現(xiàn)在第一和第二條帶之間以及第三和第四條帶之間，而位于第二和第三條帶之間的區(qū)域沒有通過窗口。
7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中該區(qū)域作為自由空間被納入。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中各電極包括平行延伸的多個條帶，第一和第二電極的條帶組成交錯電極對。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中多個通過窗口出現(xiàn)在經(jīng)交錯的電極之間，在各通過窗口中電場的指向相同。
10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電極之間的電場小于100V。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述電極之間的電場小于20V。
12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中靜電偏轉(zhuǎn)器在與該第一方向垂直的第二方向上包括一邊緣區(qū)，該邊緣區(qū)包括所述電極的條帶以限定一電場，此電場與所述電場的指向相同， 但缺少具有小射束的通過窗口。
13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包括納入在所述第一靜電偏轉(zhuǎn)器的上游或下游處的第二靜電偏轉(zhuǎn)器，該第二靜電偏轉(zhuǎn)器在異于第一偏轉(zhuǎn)器的方向或指向上偏轉(zhuǎn)所述小射束ο
14.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該獨立電極系覆蓋有鍍層，藉此提供大體上電性均質(zhì)的表面。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中該鍍層為金屬鍍層。
16.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中具有一終端電阻。
17.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中在孔徑內(nèi)部，或在該孔徑上覆蓋有機械支柱，藉以機械地支撐其至少一個電極或條帶。
18.—種如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)的用途，其用于偏轉(zhuǎn)至少一個帶電粒子小射束。
19.如權(quán)利要求18所述的用途，其包括將相反極性的電壓提供給所述第一和第二電極的步驟。
20.如權(quán)利要求18所述的用途，其中所述相反極性的電壓大小相等且小于IOV0
21.如權(quán)利要求19或20所述的用途，其中所述電壓以0至IOMHz的范圍內(nèi)的頻率被提{共。
22.如權(quán)利要求18所述的用途，其中小射束在定位周期中定位于一起始位置，并在寫入周期中從所述起始位置偏轉(zhuǎn)。
23.如權(quán)利要求22所述的用途，其中 -該掃描頻率位于射頻(RF)范圍內(nèi)；-該小射束是在各掃描周期中以相同指向被偏轉(zhuǎn)；-各小射束在電場的操作下被偏轉(zhuǎn)，所述電場對于各小射束而言為相同指向； -該定位周期短于該寫入周期。
24.一種通過無罩式光刻系統(tǒng)在目標(biāo)表面上投射預(yù)定圖案的方法，其包括a.產(chǎn)生多個小射束；b.利用調(diào)制裝置調(diào)制小射束，所述調(diào)制裝置被提供有從數(shù)據(jù)存儲裝置檢索的預(yù)定圖案數(shù)據(jù)；c.利用聚焦裝置將經(jīng)調(diào)制小射束聚焦于該目標(biāo)表面上；和d.通過靜電偏轉(zhuǎn)所述經(jīng)調(diào)制小射束在該目標(biāo)表面上掃描該圖案，其中該掃描步驟是按照如權(quán)利要求18至23中任一項所述進行。
全文摘要
一種包括靜電偏轉(zhuǎn)器以用于偏轉(zhuǎn)多個帶電粒子小射束的帶電粒子光學(xué)系統(tǒng)，該靜電偏轉(zhuǎn)器包括至少部分獨立的第一和第二電極，該偏轉(zhuǎn)器通過操作位于所述多個小射束從中通過的電極之間的電場偏轉(zhuǎn)所述多個小射束，所述多個小射束限定一通過窗口，該通過窗口在第一方向上延伸，其中所述多個小射束布置成在該第一方向上延伸的單一橫排，并且該通過窗口在一橫向于該第一方向的方向上的尺寸與所述小射束的直徑匹配，并且其中該靜電偏轉(zhuǎn)器的實質(zhì)部分在該第一方向上延伸超出該通過窗口。
文檔編號H01J37/317GK102460630SQ201080029268
公開日2012年5月16日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月29日
發(fā)明者G.F.坦恩伯格, N.H.R.巴爾斯, S.W.H.斯廷布林克 申請人:邁普爾平版印刷Ip有限公司