帶電粒子束照射位置的校正程序、帶電粒子束照射位置的校正量運算裝置、帶電粒子束照 ...的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種帶電粒子束照射位置的校正程序、帶電粒子束照射位置的校正量 運算裝置、帶電粒子束照射系統(tǒng)以及帶電粒子束照射位置的校正方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在使用帶電粒子束的平版印刷（Lithography)等描繪工藝中，涂覆在被加 工體表面的抗蝕劑因帶電粒子束的照射而帶電，該帶電有時會導(dǎo)致帶電粒子束的軌道歪 曲，使照射位置產(chǎn)生誤差。因此，這成為使形成在被加工體上的描繪圖案的位置精度降低的 主要原因。
[0003] 為了抑制這種誤差，例如提出了一種技術(shù)，根據(jù)描繪圖案預(yù)測被加工體的 帶電分布，將該帶電分布與相對于單一單位帶電量的圖案偏移量即響應(yīng)函數(shù)的卷積 (convolution)作為照射位置的誤差量，并根據(jù)該誤差量算出照射位置的校正量（例如專 利文獻(xiàn)1)。
[0004] 然而，雖然在電磁學(xué)上電場或電位的疊加原理成立，但是對于空間上的帶電粒子 的位置函數(shù)，疊加原理是不成立的，因此上述根據(jù)上述帶電分布與響應(yīng)函數(shù)的卷積求出誤 差量的運算有時無法準(zhǔn)確得到其運算結(jié)果。
[0005] 另外，也可以考慮基于預(yù)測出的帶電分布根據(jù)電磁學(xué)算出帶電粒子束的軌道，并 算出照射位置的校正量和誤差量。但是，這種情況下，隨著帶電粒子束靠近被加工體的帶電 部位，電場強(qiáng)度接近無窮大，超過計算機(jī)的性能而陷入無法計算的狀態(tài)，因此存在無法運算 帶電部位的誤差量和校正量的問題。
[0006] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2007-324175號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明擬要解決的技術(shù)問題
[0010] 本發(fā)明要解決的問題在于提供一種能夠準(zhǔn)確校正帶電粒子束的照射位置并提高 描繪圖案的位置精度的帶電粒子束照射位置的校正程序、帶電粒子束照射位置的校正量運 算裝置、帶電粒子束照射系統(tǒng)以及帶電粒子束照射位置的校正方法。
[0011] 用于解決問題的技術(shù)手段
[0012] 本發(fā)明通過以下解決手段來解決上述問題。另外，為了便于理解，對本發(fā)明的實施 方式標(biāo)注相應(yīng)的附圖標(biāo)記并進(jìn)行說明，但并不限于此。而且，標(biāo)上附圖標(biāo)記并加以說明的結(jié) 構(gòu)可以適當(dāng)變形，而且至少一部分可以用其他結(jié)構(gòu)來代替。
[0013] 第一發(fā)明為一種帶電粒子束照射位置的校正程序，用于對照射到涂覆有抗蝕劑 (R)的被加工體（M)上的帶電粒子束的照射位置進(jìn)行校正，其特征在于，使計算機(jī)（22)作為 以下單元而發(fā)揮作用：電荷密度分布運算單元，將由照射上述帶電粒子束而引起的上述抗 蝕劑的帶電替換為上述抗蝕劑與上述被加工體的界面的表面電荷，并對替換成的表面電荷 的每個網(wǎng)格（A)的電荷密度分布進(jìn)行運算；軌道運算單元，基于上述電荷密度分布對從上 述帶電粒子束的出射位置到上述抗蝕劑的表面為止的帶電粒子的軌道進(jìn)行運算；誤差量運 算單元，基于算出的上述軌道對上述帶電粒子束的照射位置的誤差量進(jìn)行運算；以及照射 位置校正量運算單元，基于算出的上述誤差量對上述帶電粒子束的照射位置的校正量進(jìn)行 運算。
[0014] 第二發(fā)明為在第一發(fā)明上述的帶電粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于， 上述軌道運算單元僅基于上述電荷密度分布中由已被上述帶電粒子束照射的區(qū)域產(chǎn)生的 電荷密度來運算上述軌道。
[0015] 第三發(fā)明為在第一發(fā)明或第二發(fā)明上述的帶電粒子束照射位置的校正程序中，其 特征在于，當(dāng)對上述抗蝕劑多次照射帶電粒子束時，上述電荷密度分布運算單元創(chuàng)建與各 次照射狀況對應(yīng)的電荷密度分布。
[0016] 第四發(fā)明為在第三發(fā)明上述的帶電粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于， 上述軌道運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述電荷密度分布來運算與各次照射狀況對應(yīng) 的上述軌道，上述誤差量運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述軌道來運算與各次照射狀況 對應(yīng)的上述誤差量，上述照射位置校正量運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述誤差量來運 算與各次照射狀況對應(yīng)的上述校正量，并分別作為上述帶電粒子束的各次照射位置的校正 量。
[0017] 第五發(fā)明為在第三發(fā)明上述的帶電粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于， 上述軌道運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述電荷密度分布來運算與照射狀況對應(yīng)的上 述軌道，上述誤差量運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述軌道來運算與照射狀況對應(yīng)的上 述誤差量，上述照射位置校正量運算單元基于與照射狀況對應(yīng)的上述誤差量來運算與照射 狀況對應(yīng)的上述校正量，并將算出的各校正量的平均值作為上述帶電粒子束的照射位置的 校正量。
[0018] 第六發(fā)明為一種帶電粒子束照射位置的校正量運算裝置（20)，其特征在于，包括： 存儲部（21)，存儲有第一發(fā)明至第五發(fā)明中任一項上述的帶電粒子束照射位置的校正程 序；以及運算部（22)，從上述存儲部讀取并執(zhí)行上述校正程序。
[0019] 第七發(fā)明為一種帶電粒子束照射系統(tǒng)（1)，其特征在于，包括：第六發(fā)明上述的帶 電粒子束照射位置的校正量運算裝置（20);以及照射上述帶電粒子束的帶電粒子束照射 裝置（10)。
[0020] 第八發(fā)明為一種帶電粒子束照射位置的校正方法，用于對照射到涂覆有抗蝕劑 (R)的被加工體（M)上的帶電粒子束的照射位置進(jìn)行校正，其特征在于，包括以下工序：電 荷密度分布運算工序，將由照射上述帶電粒子束而引起的上述抗蝕劑的帶電替換為上述抗 蝕劑與上述被加工體的界面的表面電荷，并對替換成的表面電荷的每個網(wǎng)格的電荷密度分 布進(jìn)行運算；軌道運算工序，基于上述電荷密度分布對從上述帶電粒子束的出射位置到上 述抗蝕劑的表面為止的帶電粒子的軌道進(jìn)行運算；誤差量運算工序，基于算出的上述軌道 對上述帶電粒子束的照射位置的誤差量進(jìn)行運算；以及照射位置校正量運算工序，基于算 出的上述誤差量對上述帶電粒子束的照射位置的校正量進(jìn)行運算。
[0021] 發(fā)明效果
[0022] 根據(jù)本發(fā)明，可以準(zhǔn)確地校正帶電粒子束的照射位置，提高描繪圖案的位置精度。
【附圖說明】
[0023] 圖1是說明實施方式的描繪系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的圖。
[0024] 圖2是說明實施方式的校正量運算裝置20中存儲的校正程序的動作的流程圖。
[0025] 圖3是說明實施方式的掩模基板M上涂覆的抗蝕劑R的帶電狀態(tài)的圖。
[0026] 圖4是示出一次電子的能量與二次電子放射比之間的關(guān)系的圖。
[0027] 圖5是說明電子束的出射位置與掩?；錗上的照射位置之間的關(guān)系的圖。
[0028] 圖6是示出通過校正程序算出的誤差量和校正量的向量的圖。
[0029] 圖7是說明基于校正程序的校正量運算過程的其他方式的圖。
[0030] 圖8是說明在多路徑描繪中按區(qū)域（網(wǎng)格）分割的分割電荷密度圖以及按路徑數(shù) 量分割的分割電荷密度圖的圖。
【具體實施方式】
[0031] (第一實施方式）
[0032] 下面參照附圖等對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。
[0033] 圖1是說明實施方式的描繪系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的圖。
[0034] 圖1中，將電子束的照射方向作為Z方向，將與該照射方向垂直的方向分別作為X 方向和Y方向。
[0035] 描繪系統(tǒng)（帶電粒子束照射系統(tǒng)）1是向掩?；澹ū患庸んw）M照射作為帶電粒 子束的電子束以在掩?；錗上描繪預(yù)定的圖案從而制作光掩模的裝置。如圖1所示，描 繪系統(tǒng)1具有電子束照射裝置10以及校正量運算裝置20等。
[0036] 電子束照射裝置10包括電子槍11、XY工作臺12、控制部13、存儲部14以及偏轉(zhuǎn) 器15等。
[0037] 電子槍11對放置在XY工作臺12上的掩?；錗照射電子束。本實施方式中，電 子槍11設(shè)置在XY工作臺12的垂直上方（+Z方向），從該處對放置在XY工作臺12上的掩 ?；錗照射電子束。
[0038] XY工作臺12為用于放置掩模基板M并使其在水平面（XY平面）內(nèi)移動的工作臺。 XY工作臺12通過移動所放置的掩