專利名稱：槽型等離子體顯示板用電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種等離體顯示器，尤其是等離子體顯示器中影響其顯 示性能的電極結(jié)構(gòu)，具體地說是一種能在槽型等離子體顯示板電極間的電容 不變的情況下，提高發(fā)光效率的等離子體顯示器用電極。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器(Plasma display panel, PDP)是借由氣體放電所產(chǎn)生 的紫外光激發(fā)熒光粉發(fā)光的顯示器件。
目前絕大多數(shù)等離子體顯示屏所采用的結(jié)構(gòu)是三電極的表面放電型結(jié) 構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，前基板上分布著相互平行的維持電極(X電極)和掃描電 極(Y電極)，兩者一起被稱為顯示電極，尋址電極(A電極)則以與維持電 極相垂直的方向平行設(shè)置于后基板的表面。在ACC-PDP顯示中，在維持期，X 電極和Y電極交替加上高壓，使在尋址期積累了壁電荷的單元產(chǎn)生放電。從 而實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。
而近年來開發(fā)成功的蔭罩式等離子體顯示板(SM-PDP)采用的則是兩個 個電極結(jié)構(gòu)的對向放電結(jié)構(gòu)。它在前基板上的制作單根行電極(掃描電極， 維持期的電壓也加到該電極)，尋址電極(列電極)則以與掃描電極相垂直的 方向平行設(shè)置于后基板的表面，掃描電極和尋址電極相互正交。在SM-PDP顯 示中，維持期只在掃描電極上加正負(fù)交替的高壓使尋址期積累了壁電荷的單 元產(chǎn)生放電，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。
在SM-PDP的放電過程中，放電首先出現(xiàn)在兩電極相交叉的區(qū)域，然后沿 著電極向邊緣擴(kuò)散。而改變電極的寬度可以使放電過程中陰極區(qū)擴(kuò)大，但是 在此區(qū)域內(nèi)電子的能量將被大量消耗在電離、激發(fā)氖原子和加熱離子上，而 對PDP亮度有直接關(guān)系的紫外線卻減少很多，這就使得放電效率降低。從PDP
顯示屏的角度來看，電極寬度的增加也會使屏的電容變大，從而使放電過程 中的位移電流增大，驅(qū)動電路的成本和功耗也隨之增大。
目前常見的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)中的掃描電極主要有以下兩
種結(jié)構(gòu)
1) 透明電極和匯流(BUS)電極結(jié)構(gòu)；
2) 單根匯流(BUS)電極結(jié)構(gòu)；
單根匯流電極結(jié)構(gòu)，沒有透明電極，降低了成本，但匯流電極寬度不能
做得很寬以免遮蔽發(fā)射的光，降低亮度。而對于BUS電極和透明電極的結(jié)構(gòu)，
由于透明電極的制作在増加了成本的同時也增加了電極間的電容，使得功耗
增加，發(fā)光效率降低。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的針對現(xiàn)有的單根電極存在的亮度低，發(fā)光效率不
高的問題，提供一種適合于安裝在槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的前基板表 面能提高發(fā)光亮度和發(fā)光效率的等離子體顯示器用電極。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案之一是
一種槽型等離子體顯示板用電極，包括設(shè)置于前基極表面的第一金屬電 極和與第一金屬電極相平行的、結(jié)構(gòu)、尺寸相同的第二金屬電極，其特征是 所述的第一金屬電極由上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線組成，上弧形 金屬串接線和下弧形金屬串接線的一端并接于掃描觸點(diǎn)處，所述的上弧形金 屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段與蔭罩上的網(wǎng)格孔相對，且在每段 弧形段上均連接有橋接電極，上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的相 對的弧形段上的橋接電極分別位于所對應(yīng)的蔭罩網(wǎng)格孔的對角線上。
所述的上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段或同為外凸形 形結(jié)構(gòu)，或同為內(nèi)凸弧形結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案之二是
一種槽型等離子體顯示板用電極，包括設(shè)置于前基極表面的第一金屬電 極和與第一金屬電極相平行的、結(jié)構(gòu)、尺寸相同的第二金屬電極，其特征是
所述的第一金屬電極由上直線形和下直線形金屬線組成，上直線形金屬'線和 下直線形金屬線的一端并接于掃描觸點(diǎn)處，所述的上直線形金屬線和下直線 形金屬線的與蔭罩上的各網(wǎng)格孔相對位置處至少連接有一個位置、大小和方
向可調(diào)的橋接電極，該橋接電極與相對的上直線形金屬線或下直線形金屬線 組成T形結(jié)構(gòu)。
所述的上直線形金屬線和下直線形金屬線的位于同一蔭罩網(wǎng)格孔中的橋 接電極位于網(wǎng)格孔的對角線上且其與所連接的金屬線的角度可調(diào)。 本實(shí)用新型的技術(shù)方案之三是
一種槽型等離子體顯示板用電極，包括設(shè)置于前基極表面的第一金屬電 極和與第一金屬電極相平行的、結(jié)構(gòu)、尺寸相同的第二金屬電極，其特征是 所述的第一金屬電極由上直線形、中間直線形和下直線形金屬線組成，上直 線形金屬線、中間直線形金屬和下直線形金屬線的一端并接于掃描觸點(diǎn)處， 所述的上直線形金屬線和下直線形金屬線的與蔭罩上的各網(wǎng)格孔相對位置處 均連接有位置、大小和方向可調(diào)的橋接電極，該橋接電極與相對的上直線形 金屬線或下直線形金屬線組成T形結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型的槽型等離子體顯示板(SM-PDP) 主要通過采用制作窄電極圖案的方法來增大有效顯示面積，而將由多個弧形 且中空的金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)而成的金屬電極直接制作于前基板上，同時采用多根 并接電極的方法以取代現(xiàn)有的單根直線形電極。確保了不增加屏電容和功耗 的情況下，提高了發(fā)光效率。

圖l為現(xiàn)有的使用單根BUS電極的電極結(jié)構(gòu)。
圖2為現(xiàn)有的使用透明電極和BUS電極的電極結(jié)構(gòu)。
圖3是本實(shí)用新型的電極結(jié)構(gòu)示意圖之一。
圖4是本實(shí)用新型的電極結(jié)構(gòu)示意圖之二。
圖5是本實(shí)用新型的電極結(jié)構(gòu)示意圖之三。
圖6是本實(shí)用新型的電極結(jié)構(gòu)示意圖之四。
圖7是本實(shí)用新型的蔭罩網(wǎng)格孔的部分結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。 實(shí)施例一。
如圖5所示。
圖5為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)例的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)前基板的 上視圖。如圖5所示，本實(shí)用新型的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)包含多 個不透明的金屬電極設(shè)置于槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的一前基板表面。 金屬電極是由二相互平行的金屬電極n-l和n構(gòu)成。每一個電極n的構(gòu)成是 由兩根上弧形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)和下弧形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)而成。
如圖5所示，16, 17為上下弧形(外凸弧)金屬串聯(lián)電極，通過掃描觸 點(diǎn)22相連通，18， 19為一個單元孔21內(nèi)部的橋接電極，18， 19的形狀，位 置、方向和大小可以調(diào)整，圖5所示的方向?yàn)閱卧行妮S線成45度夾角，20 為后基板上的尋址電極。通過對電極圖案的優(yōu)化，可以獲得更高的亮度和更 高的發(fā)光效率。
實(shí)施例二。
如圖3所示。
圖3a為本實(shí)用新型的第二實(shí)例的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)前基板 的上視圖。如圖3所示，本實(shí)用新型的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)包含 多個不透明的金屬電極設(shè)置于槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的一前基板表 面。金屬電極是由二相互平行的金屬電極n-1和n構(gòu)成。每一個電極n的構(gòu) 成是由兩根上T形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)和下T形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)而成。
如圖3a所示，1， 2， 3， 4組成上下T形電極，通過掃描觸點(diǎn)7相連通， 3， 4為1個單元孔6 (即蔭罩上的網(wǎng)格孔)對應(yīng)的橋接電極，3， 4的位置、 方向和大小可以調(diào)整，調(diào)整的效果示意圖如圖3b所示，5為后基板上的尋址 電極。1, 2平行長條電極間的距離d可與圖2所示的透明電極的寬度相當(dāng)或 適當(dāng)調(diào)整。由圖3所示的電極圖案可以看出，雖然電極的面積并未增加很多，
但有效顯示面積可以有透明電極的圖2相當(dāng)，但功耗降低，發(fā)光效率增加。 實(shí)施例三。 如圖4所示。
圖4為本實(shí)用新型第三實(shí)例的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)前基板的 上視圖。如圖4所示，本實(shí)用新型的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)包含多 個不透明的金屬電極設(shè)置于槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的一前基板表面。 金屬電極是由二相互平行的金屬電極n-l和n構(gòu)成。每一個電極n的構(gòu)成是 由兩根上下T形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)和一根直線形金屬結(jié)構(gòu)并聯(lián)而成。
如圖4所示，由8， 10, 11， 12組成上下T形金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)電極，9為 平行長條電極，電極8、 9、 IO通過掃描觸點(diǎn)15相連通，11， 12為一個單元 孔14 (即蔭罩上的網(wǎng)格孔)對應(yīng)的橋接電極，11, 12的位置、方向和大小可 以調(diào)整，13為后基板上的尋址電極。圖4和圖3相比，平行長條電極的個數(shù) 增加了。本實(shí)用新型專利不限制長電極和橋接電極的個數(shù)，但為了不遮蔽光， 長電極和橋接電極的個數(shù)不能太多。
實(shí)施例四。
如圖6所示。
圖6為本實(shí)用新型第四實(shí)例的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)前基板的 上視圖。如圖6所示，本實(shí)用新型的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)包含多 個不透明的金屬電極設(shè)置于槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的一前基板表面。 金屬電極是由二相互平行的金屬電極n-1和n構(gòu)成。每一個電極n的構(gòu)成是 由兩根對相弧形(內(nèi)凸弧)金屬串聯(lián)結(jié)構(gòu)并聯(lián)而成。
如圖6所示，23， 24為對相弧形長電極，通過掃描觸點(diǎn)29相連通，25， 26為一個單元孔28 (即蔭罩上的網(wǎng)格孔)對應(yīng)的橋接電極，25， 26的形狀， 位置、方向和大小可以調(diào)整，27為后基板上的尋址電極。通過對電極圖案的 優(yōu)化，可以獲得更高的亮度和更高的發(fā)光效率。
圖7是幾種單元孔形狀的示意圖。圖3，圖4和圖5都是在長方形的單元 孔形狀上進(jìn)行說明的，RGB三原色像素的排列也是長條形排布，但本實(shí)用新型
對單元孔形和像素的排布形式不受限制，對不同的孔形形狀和像素排列方式 本實(shí)用新型仍然適用。
綜上所述，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種設(shè)于槽型等離子體顯示
板(SM-PDP)的前基板表面的弧形的金屬電極，由于本實(shí)用新型的電極具有 弧形且為中空，因此可以降低金屬電極的區(qū)域面積，以提高顯示亮度，并可 以降低放電電流，提高發(fā)光效率。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求書所 作的變化與修飾，皆應(yīng)屬于實(shí)用新型專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1、一種槽型等離子體顯示板用電極，包括設(shè)置于前基極表面的第一金屬電極和與第一金屬電極相平行的、結(jié)構(gòu)、尺寸相同的第二金屬電極，其特征是所述的第一金屬電極由上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線組成，上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線的一端并接于掃描觸點(diǎn)處，所述的上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段與蔭罩上的網(wǎng)格孔相對，且在每段弧形段上均連接有位置、大小和方向可調(diào)的橋接電極，上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的相對的弧形段上的橋接電極分別位于所對應(yīng)的蔭罩網(wǎng)格孔的對角線上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的槽型等離子體顯示板用電極，其特征是所述的上弧 形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段或同為外凸形形結(jié)構(gòu)，或同為 內(nèi)凸弧形結(jié)構(gòu)。
專利摘要一種槽型等離子體顯示板用電極，屬于等離體顯示技術(shù)領(lǐng)域，它包括設(shè)置于前基極表面的第一金屬電極和與第一金屬電極相平行的、結(jié)構(gòu)、尺寸相同的第二金屬電極，其特征是所述的第一金屬電極由上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線組成，上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線的一端并接于掃描觸點(diǎn)處，所述的上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段與蔭罩上的網(wǎng)格孔相對，且在每段弧形段上均連接有位置、大小和方向可調(diào)的橋接電極，上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的相對的弧形段上的橋接電極分別位于所對應(yīng)的蔭罩網(wǎng)格孔的對角線上。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有的單絲電極存在的發(fā)光亮度不高的問題，具有結(jié)構(gòu)簡單，可大幅度提高顯示亮度的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01J17/04GK201060839SQ200720036019
公開日2008年5月14日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月26日
發(fā)明者朱立鋒, 楊蘭蘭, 王保平, 鄭姚生 申請人:南京華顯高科有限公司