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Al膜電極缺陷檢測裝置的制作方法

文檔序號:2929900閱讀:214來源:國知局
專利名稱:Al膜電極缺陷檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種等離子電視,尤其是一種等離子電視中鋁膜電極 缺陷檢測裝置,具體地說是一種鋁膜電極檢測裝置。
背景技術(shù)
交流等離子體顯示板通常由前后基板封接后充入預(yù)定的工作氣體,譬 如各種惰性氣體形成可顯示的顯示板,或由前后基板、蔭罩充當(dāng)障壁組裝 封接后充入惰性氣體形成可顯示的顯示板。對于障壁型交流等離子體顯示 板,前基板結(jié)構(gòu),從玻璃基板起,有透明導(dǎo)電電極(IT0)做為顯示電極, IT0電極之上是Bus電極,Bus電極通常由銀(Ag)電極構(gòu)成,Bus電極之 上是介質(zhì)層,介質(zhì)層由絕緣透明介質(zhì)材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成;后基板結(jié)構(gòu), 從玻璃基板起,分別是尋址電極,通常由Ag電極構(gòu)成,尋址電極之上是絕 緣介質(zhì)層,該介質(zhì)層由高溫?zé)Y(jié)而成,介質(zhì)層之上是障壁陣列。對于蔭罩 式交流等離子體顯示板,前基板結(jié)構(gòu),從玻璃基板起,有透明導(dǎo)電電極(ITO) 做為顯示電極,ITO電極之上是Bus電極,Bus電極通常由銀(Ag)電極構(gòu) 成,Biis電極之上是介質(zhì)層,介質(zhì)層由絕緣透明介質(zhì)材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成; 后基板結(jié)構(gòu),從玻璃基板起,分別是尋址電極,通常由Ag電極構(gòu)成,尋址 電極之上是絕緣介質(zhì)層,該介質(zhì)層由高溫?zé)Y(jié)而成,障壁由蔭罩替代,三 部分組裝封接而成。對于目前常用的上述兩類交流等離子體顯示板,采用 沒有IT0膜結(jié)構(gòu),前基板的Bus電極和后基板尋址電極可采用鋁膜(Al) 電極制成。
對于Al電極的顯示板,A1電極在采用光刻技術(shù)制程中,由于工藝條件、 工藝環(huán)境及工藝材料等原因,會產(chǎn)生A1電極的缺陷,具體表現(xiàn)為Al電極 完全斷線、不完全斷線,Al電極間連線。所有這些缺陷都將影響顯示板的 正常工作。對于A1電極間連線的缺陷,只需采用激光切斷即可,沒有特殊
性,其方法不在本實(shí)用新型之列。對于A1電極的斷線缺陷修補(bǔ)具有一定特 殊性,原因之一,Al膜在后續(xù)的高溫工序中極易氧化,使在A1膜表面與修 補(bǔ)料界面形成AL03絕緣層,造成修補(bǔ)失敗,原因之二,鋁膜微粒修補(bǔ)材料 在空氣中極易氧化,不能單獨(dú)使用,必須和銀、金等穩(wěn)定的微粒材料混合 使用,由于A1膜電極與修補(bǔ)材料的熱膨脹系數(shù)差異較大,導(dǎo)致修補(bǔ)失敗。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對Al膜電極缺陷的檢測及現(xiàn)有Al膜電極修補(bǔ) 的問題,提出一種基于光學(xué)透過率對Al膜電極缺陷檢測裝置。 本實(shí)用新型的技術(shù)方案是
一種Al膜電極缺陷檢測裝置,其特征是它由安裝玻璃基板2的檢測臺 10、支架7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在 檢測臺10的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺10的上方,檢 測頭6 (可采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實(shí)現(xiàn))活動安裝在滑桿 19上并能沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連, 滑桿19活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。
本實(shí)用新型的Al膜電極斷線的修補(bǔ)方法為選擇含有Ag粒子或Ag、 Al粒子共存的低溫玻璃粉修補(bǔ)漿料17,在控制系統(tǒng)的指令下,通過修補(bǔ)機(jī) 將修補(bǔ)漿料17送至完全斷線14或不完全斷線15處修補(bǔ)連通,然后進(jìn)行預(yù) 烘(烘制溫度由修補(bǔ)漿料特性決定,通常在110 160。C,預(yù)烘時間為20秒 10分鐘),預(yù)烘結(jié)束后再用修補(bǔ)機(jī)的激光切割頭將修補(bǔ)處節(jié)割成與原電極形 狀相近的形狀,再轉(zhuǎn)入下一道介質(zhì)層制備工序中,在帶有經(jīng)過預(yù)烘的修補(bǔ) 漿料17表面及其它正常的Al膜電極表面制備一層介質(zhì)層4,再經(jīng)過高溫烘 烤工序(烘烤溫度由介質(zhì)層燒結(jié)溫度決定,通常為560 580C,高溫保持時 間為10 30分鐘),將修補(bǔ)衆(zhòng)料17與介質(zhì)層4共同燒結(jié)最終形成完好的修 補(bǔ)點(diǎn)及絕緣介質(zhì)層5。
本實(shí)用新型的有益效果
1、本實(shí)用新型的Al膜電極缺陷的檢測方法具有耗時短,檢測結(jié)果準(zhǔn) 確的優(yōu)點(diǎn),適合量產(chǎn)中使用。2、 本實(shí)用新型的A1膜電極缺陷的修補(bǔ)方法,有效地克服了A1膜與修 補(bǔ)料在界面產(chǎn)生的絕緣層的影響,使Al膜電極修補(bǔ)后在高溫工藝后具有可 靠性,使用與以A1膜為電極結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板。
3、 本實(shí)用新型的檢測裝置結(jié)構(gòu)簡單,制造方便,簡單實(shí)用。

圖1是為本實(shí)用新型具有Al膜電極圖案的基板示意圖。
圖2是為本實(shí)用新型的Al膜電極圖案缺陷檢測裝置的示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的用掩模正片檢測Al膜電極圖案連線缺陷的示意圖。
圖4為本實(shí)用新型的用掩模負(fù)片檢測Al膜電極圖案斷線缺陷的示意圖。
圖5是Al膜電極圖案斷線缺陷種類示意圖。 圖6為本實(shí)用新型的Al膜電極圖案斷線缺陷修補(bǔ)步驟示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。 實(shí)施例一。 如圖2所示。
一種Al膜電極缺陷檢測裝置,它由安裝玻璃基板2的檢測臺10、支架 7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在檢測臺10 的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺IO的上方,檢測頭6 (可 采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實(shí)現(xiàn))活動安裝在滑桿19上并能 沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連,滑桿19 活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。
對于沒有IT0膜結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板的基板1,按照制造過程,與 Al膜電極相關(guān)的工序有包括玻璃基板2、通過光刻技術(shù)將蒸鍍在玻璃基 板的Al膜制成Al膜電極圖案3、在Al膜電極上面制成一層絕緣的介質(zhì)層 4,再經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)而成絕緣介質(zhì)層5,如圖1所示。用于檢測Al膜電極在 制程中產(chǎn)生的連線缺陷的檢測裝置主要由安裝玻璃基板2的檢測臺10、支
架7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在檢測臺 10的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺10的上方,檢測頭6 (可 采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實(shí)現(xiàn))活動安裝在滑桿19上并能 沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連,滑桿19 活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。其中的檢測頭包 括CCD攝像頭及光強(qiáng)探頭,支架7可供檢測頭6作X、 Y方向步進(jìn)行走,控 制系統(tǒng)8為包含光強(qiáng)比對判定程序、缺陷位置記錄程序、控制修補(bǔ)機(jī)使用 激光切斷程序、控制修補(bǔ)機(jī)修補(bǔ)程序等軟件的計(jì)算機(jī)系統(tǒng),見圖2。檢測連 線缺陷方法的是將Al膜電極掩模版的正片9與基板1的Al膜電極圖案3 以對位標(biāo)志重合的方式放置于帶有背光的檢測臺10上,使Al膜電極圖案 與間隙的透光性質(zhì)與掩模正片正好相同,如圖3所示,在控制系統(tǒng)8作用 下,檢測頭6在X、 Y方向以適當(dāng)?shù)墓獍邔λ鶛z測的基板進(jìn)行掃描檢測,當(dāng) 測得的位置上的光強(qiáng)低于事先測定的沒有連線的光強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)值,表明該區(qū)域 有連線缺陷ll使透光率下降,系統(tǒng)給出提示,通過CCD進(jìn)一步確定是否為 連線缺陷11,從而在控制系統(tǒng)中記錄連線的位置,為后道的切斷修補(bǔ)程序 提供指令。
檢測斷線缺陷的方法是將Al膜電極掩模版的負(fù)片12與基板1的Al膜 電極圖案3以對位標(biāo)志重合的方式放置于帶有背光的檢測臺10上,使Al 膜電極圖案與間隙的透光性質(zhì)與掩模負(fù)片正好相反,見圖4,在控制系統(tǒng)8 作用下,檢測頭6在X、 Y方向以適當(dāng)?shù)墓獍邔λ鶛z測的基板進(jìn)行掃描檢測, 當(dāng)測得的位置上的光強(qiáng)高于事先測定的沒有斷線線的光強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)值,表明該 區(qū)域有斷線缺陷使透光率增大,系統(tǒng)給出提示,通過CCD進(jìn)一步確定是否 為完全斷線14、不完全斷線15和不影響顯示效果而不需要修補(bǔ)的不完全連 線16等信息,斷線缺陷類型如圖5所示,從而在控制系統(tǒng)中記錄斷線的位 置,為后道的切斷修補(bǔ)程序提供指令。
修補(bǔ)Al膜電極圖案3的完全斷線14或不完全斷線15的方法是,選擇 含有Ag粒子或Ag、 Al粒子共存的低溫玻璃粉漿料17,在控制系統(tǒng)的指令 下,通過修補(bǔ)機(jī)將修補(bǔ)漿料17將完全斷線14或不完全斷線15修補(bǔ)連通,
設(shè)定140 160°C,時間20 50S,及340 480。C,時間20 50S的兩道預(yù) 烘工藝,再用修補(bǔ)機(jī)的激光切割成與原電極形狀相近的形狀,轉(zhuǎn)入下一道 工序,介質(zhì)層的制備,即在帶有經(jīng)過預(yù)烘的修補(bǔ)漿料17表面及其它正常的 Al膜電極表面制備了一層介質(zhì)層4,經(jīng)過介質(zhì)層所需高溫工序,580°C燒結(jié), 高溫保持時間為10 30分鐘,將修補(bǔ)漿料17與介質(zhì)層4共同燒結(jié),形成 完好的修補(bǔ)點(diǎn)及絕緣介質(zhì)層5,修補(bǔ)方法的步驟如圖6所示。 實(shí)施例二。
在上述實(shí)施例一中,檢測出A1膜斷線缺陷后,采用修補(bǔ)料17將完全 斷線14或不完全斷線15修補(bǔ)連通,設(shè)定140 160°C,時間20 50S,進(jìn) 行第一道預(yù)烘,對修補(bǔ)點(diǎn)采用施加壓力,壓強(qiáng)范圍在2 50Par,再經(jīng)過第二 道預(yù)烘,其它步驟如實(shí)施例一所示,構(gòu)成了實(shí)施例二。
實(shí)施例三。
在上述實(shí)施例一中,在完成A1膜斷線缺陷修補(bǔ)、預(yù)烘和整形后,進(jìn)行 介質(zhì)層的制備,即在帶有經(jīng)過預(yù)烘的修補(bǔ)漿料17表面及其它正常的Al膜 電極表面制備了一層介質(zhì)層4,在對介質(zhì)層進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)時,對燒結(jié)箱體通 入惰性氣體保護(hù),如高純氮?dú)?,將修補(bǔ)漿料17與介質(zhì)層4在氮?dú)鈿夥罩泄?同燒結(jié),形成完好的修補(bǔ)點(diǎn)及絕緣介質(zhì)層5。
本實(shí)施例僅給出了部分具體的應(yīng)用例子,但對于從事平板顯示器的專 利人員而言,還可根據(jù)以上啟示設(shè)計(jì)出多種變形產(chǎn)品,這仍被認(rèn)為涵蓋于 本實(shí)用新型之中。
權(quán)利要求1、一種Al膜電極缺陷檢測裝置,其特征是它由安裝玻璃基板(2)的檢測臺(10)、支架(7)、控制系統(tǒng)(8)、檢測頭(6)及背光光源(18)組成,背光光源安裝在檢測臺(10)的下部、玻璃基板(2)的下部,支架(7)位于檢測臺(10)的上方,檢測頭(6)活動安裝在滑桿(19)上并能沿滑桿(19)作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)(8)相連,滑桿(19)活動支承在支架(7)上并能沿支架(7)作Y方向的前后移動。
專利摘要一種Al膜電極缺陷檢測裝置,屬于平板電視技術(shù)領(lǐng)域,其特征是它由安裝玻璃基板(2)的檢測臺(10)、支架(7)、控制系統(tǒng)(8)、檢測頭(6)及背光光源(18)組成,背光光源安裝在檢測臺(10)的下部、玻璃基板(2)的下部,支架(7)位于檢測臺(10)的上方,檢測頭(6)活動安裝在滑桿(19)上并能沿滑桿(19)作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)(8)相連,滑桿(19)活動支承在支架(7)上并能沿支架(7)作Y方向的前后移動。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單,制造方便,簡單實(shí)用,耗時短,檢測結(jié)果準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01J9/42GK201060837SQ200720036018
公開日2008年5月14日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月26日
發(fā)明者雄 張, 朱立鋒, 青 李, 林青園, 王保平 申請人:南京華顯高科有限公司
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