專利名稱：雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域、電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域、真空科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域、集成電路科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域以及納米科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的相互交叉領(lǐng)域，涉及到平板場致發(fā)射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發(fā)射顯示器的器件制作方面的內(nèi)容，特別涉及到帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的、碳納米管陰極的場致發(fā)射平板顯示器件的器件制作及其制作工藝。
背景技術(shù)：
碳納米管是一種小管狀結(jié)構(gòu)，屬于碳同素異構(gòu)體家族中的一個(gè)新成員，其直徑的范圍大致在4～30nm左右，而其長度卻在幾個(gè)微米的數(shù)量級，所以碳納米管具有非常小的尖端曲率半徑。由于都有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，因此關(guān)于碳納米管的研究已經(jīng)引起了一股熱潮，尤其在電學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域的影響更加明顯。碳納米管具有優(yōu)良的場致發(fā)射特性，可以用來制造新一代場致發(fā)射顯示器件。這種顯示器件具有體積小、亮度高、視角大、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，將來有望在顯示市場占據(jù)比較大的份額。
制作大面積的平板顯示器件，這已經(jīng)是一種不可逆轉(zhuǎn)的發(fā)展趨勢。隨著顯示器件種顯示面積的增大，相對應(yīng)的碳納米管陰極的數(shù)量也就隨之而成倍的增加。當(dāng)在控制柵極上施加適當(dāng)電壓的時(shí)候，在碳納米管頂端形成的強(qiáng)大電場強(qiáng)度就會(huì)迫使碳納米管發(fā)射出大量的電子；在陽極高電壓的作用下加速向陽極運(yùn)動(dòng)，轟擊熒光粉層而發(fā)出可見光。那么在數(shù)量眾多的碳納米管陰極中，很難保證所有的碳納米管陰極都具有相同的場致發(fā)射能力，也就是說，可能有的碳納米管陰極發(fā)射的電子多一些，而有的碳納米管陰極發(fā)射的電子少一些；由此看來，用于轟擊熒光粉層的電子就會(huì)有所區(qū)別，也就造成了各個(gè)像素點(diǎn)的發(fā)光亮度有所區(qū)別，引起顯示圖像質(zhì)量的下降。由此可以看出，還需要對碳納米管陰極建立一個(gè)有效的輔助電學(xué)調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，干預(yù)和調(diào)節(jié)不同碳納米管陰極的場致發(fā)射能力，調(diào)節(jié)各個(gè)碳納米管陰極所對應(yīng)的像素點(diǎn)發(fā)光亮度，以期望達(dá)到整體顯示圖像亮度的均勻性和穩(wěn)定性。
此外，在盡可能不影響碳納米管陰極的場致發(fā)射能力的前提下，還需要進(jìn)一步減低整體平板顯示器件的制作成本；在能夠進(jìn)行大面積顯示器件制作的同時(shí)，還需要使得器件制作過程免于復(fù)雜化，有利于進(jìn)行商業(yè)化的大規(guī)模生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點(diǎn)和不足而提供一種成本低廉、制作過程穩(wěn)定可靠、制作成功率高、結(jié)構(gòu)簡單的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極的平板顯示器件及其制作工藝。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的包括由陰極玻璃面板、陽極玻璃面板和四周玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導(dǎo)電層以及制備在陽極導(dǎo)電層上的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結(jié)構(gòu)以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有柵極、碳納米管陰極以及雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上刻蝕后的二氧化硅層形成阻塞層；阻塞層的上面存在一個(gè)n型摻雜硅一層，刻蝕后的n型摻雜硅一層的下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；n型摻雜硅一層的上面存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的n型摻雜硅一層上面的二氧化硅層構(gòu)成絕緣一層，用于門極和n型摻雜硅一層之間的相互絕緣；絕緣一層的上面存在一個(gè)摻雜多晶硅層，刻蝕后的摻雜多晶硅層形成門極層，位于n型摻雜硅一層的中間凹陷位置；摻雜多晶硅層上面的刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層；絕緣一層和絕緣二層是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層；在絕緣二層的上面存在一個(gè)n型摻雜硅二層，刻蝕后的n型摻雜硅二層的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層相互接觸陰極玻璃面板上存在一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極和漏極部分，分別位于門極的兩側(cè)；源極和漏極是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層相互接觸；陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層；源極引線層位于源極部分的上面，漏極引線層位于漏極部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；陰極玻璃面板上存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；絕緣三層旁側(cè)的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；陰極引線層上刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層；絕緣隔離層的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層；絕緣隔離層的上面存在一個(gè)柵極層；碳納米管陰極制備在電子通道孔中的陰極引線層上。
所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上。門極層的摻雜類型可以為n型，也可以為p型。陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，可以為金屬金、銀、鋁、錫、鉻、鎳、鈷，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層。柵極層可以為金屬金、銀、鉬、鋁、鉻。
一種帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下
1)陰極玻璃面板的制作對整體平板鈉鈣玻璃進(jìn)行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)阻塞層的制作在陰極玻璃面板上制備出一層二氧化硅層，刻蝕后形成阻塞層；3)n型摻雜硅一層的制作在阻塞層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅一層，刻蝕后形成n型摻雜硅一層，其下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；4)絕緣一層的制作在n型摻雜硅一層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成的絕緣一層；5)門極的制作在絕緣一層的上面制備出一個(gè)n型摻雜多晶硅，刻蝕后形成門極層，位于n型摻雜硅一層的中間凹陷位置；6)絕緣二層的制作在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后構(gòu)成絕緣二層；7)n型摻雜硅二層[7]的制作在絕緣二層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅二層，刻蝕后形成n型摻雜硅二層；n型摻雜硅二層的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層相互接觸；8)源極和漏極的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極和漏極部分，分別位于門極的兩側(cè)；源極和漏極是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層相互接觸；9)源極引線層和漏極引線層的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)金屬鋁層，刻蝕后的鋁層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層；源極引線層位于源極部分的上面，漏極引線層位于漏極部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；10)絕緣三層的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；11)陰極引線層的制作在絕緣三層的旁側(cè)制備出一個(gè)金屬鉻層，刻蝕后形成陰極引線層；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；12)絕緣隔離層的制作在陰極引線層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層；13)柵極的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個(gè)金屬鉬層，刻蝕后形成柵極；14)雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面清潔處理對整體雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行清潔處理，除掉雜質(zhì)和灰塵；15)碳納米管的制備將碳納米管制備在陰極引線層上；16)陽極玻璃面板的制作對整體平板鈉鈣玻璃進(jìn)行劃割，制作出陽極玻璃面板；17)陽極導(dǎo)電層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導(dǎo)電層；18)絕緣漿料層的制作在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；19)熒光粉層的制作在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；20)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結(jié)構(gòu)和四周玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當(dāng)中，用低熔點(diǎn)玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點(diǎn)玻璃粉，用夾子固定；
21)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行封裝工藝形成成品件。
所述步驟6具體為在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層；絕緣一層和絕緣二層是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層；所述步驟18具體為在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；所述步驟19具體為在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時(shí)間10分鐘)；所述步驟21具體為對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐當(dāng)中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺上進(jìn)行器件排氣、封離，在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部的消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發(fā)明具有如下的積極效果首先，在所述的雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)中，將碳納米管陰極制備在旁側(cè)的陰極引線層上，而陰極引線層和漏極引線層是相互連通的。這樣，既利用了雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)對流經(jīng)碳納米管的陰極電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，同時(shí)又減少了對漏極的接觸，避免了漏極的損傷，提高了器件的制作成功率；其次，在所述的雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)中，制作了二氧化硅絕緣三層，將源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層全部覆蓋住，避免了其它雜質(zhì)的不良影響；第三，所述的雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)是能夠?qū)α鹘?jīng)碳納米管陰極的電子發(fā)射電流進(jìn)行控制和調(diào)節(jié)的。通過門極上電壓的變化，能夠同時(shí)改變n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層中導(dǎo)電溝道的形狀；當(dāng)在源極上施加適當(dāng)電壓的時(shí)候，通過在摻雜硅層中的導(dǎo)電溝道就會(huì)施加到漏極上，而漏極引線層和陰極引線層是相互連通的，當(dāng)然其電壓也就會(huì)施加到碳納米管陰極上；這樣，通過控制導(dǎo)電溝道的形狀，也就控制了流經(jīng)碳納米管的電流。而在雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)中，利用一個(gè)門極就可以同時(shí)控制兩個(gè)導(dǎo)電溝道，就允許流經(jīng)碳納米管的電流比較大，同時(shí)還進(jìn)一步增強(qiáng)了對其的強(qiáng)有力控制作用。
此外，在雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)中，并沒有采用特殊的結(jié)構(gòu)制作材料，也沒有采用特殊的器件制作工藝，這在很大程度上就進(jìn)一步降低了整體平板顯示器件的制作成本，簡化了器件的制作過程，能夠進(jìn)行大面積的器件制作，有利于進(jìn)行商業(yè)化的大規(guī)模生產(chǎn)。
圖1給出了雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的縱向結(jié)構(gòu)示意圖；圖2給出了雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的橫向結(jié)構(gòu)示意圖；圖3給出了帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的、碳納米管場致發(fā)射平面顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明，但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
所述的一種帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器，包括由陰極玻璃面板[1]、陽極玻璃面板[17]和四周玻璃圍框[22]所構(gòu)成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導(dǎo)電層[18]以及制備在陽極導(dǎo)電層上的熒光粉層[20]；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結(jié)構(gòu)[21]以及消氣劑[23]附屬元件；在陰極玻璃面板上有柵極[15]、碳納米管[16]陰極以及雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)包括陰極玻璃面板[1]、阻塞層[2]、n型摻雜硅一層[3]、絕緣一層[4]、門極[5]、絕緣二層[6]、n型摻雜硅二層[7]、源極[8]、漏極[9]、源極引線層[10]、漏極引線層[11]、絕緣三層[12]、陰極引線層[13]、絕緣隔離層[14]、柵極[15]和碳納米管[16]部分。
所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上刻蝕后的二氧化硅層形成阻塞層；阻塞層的上面存在一個(gè)n型摻雜硅一層，刻蝕后的n型摻雜硅一層的下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；n型摻雜硅一層的上面存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的n型摻雜硅一層上面的二氧化硅層構(gòu)成絕緣一層，用于門極和n型摻雜硅一層之間的相互絕緣；絕緣一層的上面存在一個(gè)摻雜多晶硅層，刻蝕后的摻雜多晶硅層形成門極層，位于n型摻雜硅一層的中間凹陷位置；摻雜多晶硅層上面的刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層；絕緣一層和絕緣二層是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層；在絕緣二層的上面存在一個(gè)n型摻雜硅二層，刻蝕后的n型摻雜硅二層的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層相互接觸；陰極玻璃面板上存在一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極和漏極部分，分別位于門極的兩側(cè)；源極和漏極是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層相互接觸；陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層；源極引線層位于源極部分的上面，漏極引線層位于漏極部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；陰極玻璃面板上存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；絕緣三層旁側(cè)的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；陰極引線層上刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層；絕緣隔離層的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層；絕緣隔離層的上面存在一個(gè)柵極層；碳納米管陰極制備在電子通道孔中的陰極引線層上。
所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上。門極層的摻雜類型可以為n型，也可以為p型。陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，可以為金屬金、銀、鋁、錫、鉻、鎳、鈷，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層。柵極層可以為金屬金、銀、鉬、鋁、鉻。
一種帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進(jìn)行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)阻塞層[2]的制作在陰極玻璃面板上制備出一層二氧化硅層，刻蝕后形成阻塞層；3)n型摻雜硅一層[3]的制作在阻塞層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅一層，刻蝕后形成n型摻雜硅一層[3]，其下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；4)絕緣一層[4]的制作在n型摻雜硅一層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成的絕緣一層[4]；5)門極[5]的制作在絕緣一層[4]的上面制備出一個(gè)n型摻雜多晶硅，刻蝕后形成門極層，位于n型摻雜硅一層的中間凹陷位置；6)絕緣二層[6]的制作在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后構(gòu)成絕緣二層；
7)n型摻雜硅二層[7]的制作在絕緣二層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅二層，刻蝕后形成n型摻雜硅二層[7]；n型摻雜硅二層的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層相互接觸；8)源極[8]和漏極[9]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極和漏極部分，分別位于門極的兩側(cè)；源極和漏極是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層相互接觸；9)源極引線層[10]和漏極引線層[11]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)金屬鋁層，刻蝕后的鋁層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層；源極引線層位于源極部分的上面，漏極引線層位于漏極部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；10)絕緣三層[12]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；11)陰極引線層[13]的制作在絕緣三層的旁側(cè)制備出一個(gè)金屬鉻層，刻蝕后形成陰極引線層；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；12)絕緣隔離層[14]的制作在陰極引線層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層；13)柵極[15]的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個(gè)金屬鉬層，刻蝕后形成柵極；14)雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面清潔處理對整體雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行清潔處理，除掉雜質(zhì)和灰塵；
15)碳納米管[16]的制備將碳納米管制備在陰極引線層上；16)碳納米管的后處理陽極玻璃面板[17]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進(jìn)行劃割，制作出陽極玻璃面板；17)陽極導(dǎo)電層[18]的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導(dǎo)電層；18)絕緣漿料層[19]的制作在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；19)熒光粉層[20]的制作在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；20)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結(jié)構(gòu)[21]和四周玻璃圍框[22]裝配到一起，并將消氣劑[23]放入到空腔當(dāng)中，用低熔點(diǎn)玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點(diǎn)玻璃粉，用夾子固定；21)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行封裝工藝形成成品件。
所述步驟6具體為在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層；絕緣一層和絕緣二層是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層；所述步驟18具體為在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；所述步驟19具體為在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時(shí)間10分鐘)；所述步驟21具體為對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺上進(jìn)行器件排氣、封離，在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐當(dāng)中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺上進(jìn)行器件排氣、封離，在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部的消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
權(quán)利要求
1.一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器，包括由陰極玻璃面板[1]、陽極玻璃面板[17]和四周玻璃圍框[22]所構(gòu)成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導(dǎo)電層[18]以及制備在陽極導(dǎo)電層上的熒光粉層[20]；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結(jié)構(gòu)[21]以及消氣劑[23]附屬元件，其特征在于在陰極玻璃面板上有柵極[15]、碳納米管陰極[16]以及雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器，其特征在于所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板上刻蝕后的二氧化硅層形成阻塞層[2]；阻塞層的上面存在一個(gè)n型摻雜硅一層[3]，刻蝕后的n型摻雜硅一層的下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；n型摻雜硅一層的上面存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的n型摻雜硅一層上面的二氧化硅層構(gòu)成絕緣一層[4]，用于門極層[5]和n型摻雜硅一層[3]之間的相互絕緣；絕緣一層[4]的上面存在一個(gè)摻雜多晶硅層，刻蝕后的摻雜多晶硅層形成門極層[5]，位于n型摻雜硅一層[3]的中間凹陷位置；摻雜多晶硅層上面的刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層[6]；絕緣一層[4]和絕緣二層[6]是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層；在絕緣二層[6]的上面存在一個(gè)n型摻雜硅二層[7]，刻蝕后的n型摻雜硅二層[7]的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層[3]相互接觸；陰極玻璃面板[1]上存在一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極[8]和漏極[9]部分，分別位于門極層[5]的兩側(cè)；源極[8]和漏極[9]是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層[3]和n型摻雜硅二層[7]相互接觸；陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層[10]和漏極引線層[11]；源極引線層[10]位于源極[8]部分的上面，漏極引線層[11]位于漏極[9]部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；陰極玻璃面板上存在一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層[12]，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；絕緣三層旁側(cè)的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層[13]；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；陰極引線層上刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣隔離層[14]；絕緣隔離層[14]的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層[13]；絕緣隔離層的上面存在一個(gè)柵極層[15]；碳納米管陰極16]制備在電子通道孔中的陰極引線層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器，其特征在于所述的帶有雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，門極層的摻雜類型可以為n型或p型，陰極玻璃面板上存在一個(gè)金屬層，為金屬金、銀、鋁、錫、鉻、鎳、鈷，刻蝕后的金屬層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層，柵極層為金屬金、銀、鉬、鋁、鉻。
4.一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其特征在于，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的制作對整體平板玻璃進(jìn)行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)阻塞層[2]的制作在陰極玻璃面板上制備出一層二氧化硅層，刻蝕后形成阻塞層；3)n型摻雜硅一層[3]的制作在阻塞層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅一層，刻蝕后形成n型摻雜硅一層[3]，其下表面為一個(gè)平面，和阻塞層相接觸，而其上表面為一個(gè)凹面；4)絕緣一層[4]的制作在n型摻雜硅一層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成的絕緣一層[4]；5)門極[5]的制作在絕緣一層[4]的上面制備出一個(gè)n型摻雜多晶硅，刻蝕后形成門極層，位于n型摻雜硅一層的中間凹陷位置；6)絕緣二層[6]的制作在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后構(gòu)成絕緣二層；7)n型摻雜硅二層[7]的制作在絕緣二層的上面制備出一個(gè)n型摻雜硅二層，刻蝕后形成n型摻雜硅二層[7]；n型摻雜硅二層的兩側(cè)要和暴露的n型摻雜硅一層相互接觸；8)源極[8]和漏極[9]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)n型重?fù)诫s硅層，刻蝕后的n型重?fù)诫s硅層分為兩部分，即源極和漏極部分，分別位于門極的兩側(cè)；源極和漏極是互不接觸的，但是都與n型摻雜硅一層和n型摻雜硅二層相互接觸；9)源極引線層[10]和漏極引線層[11]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)金屬層，刻蝕后的鋁層分為兩部分，用于形成源極引線層和漏極引線層；源極引線層位于源極部分的上面，漏極引線層位于漏極部分的上面；源極引線層和漏極引線層是互不連通的；10)絕緣三層[12]的制作在陰極玻璃面板上制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層形成絕緣三層，要覆蓋住源極及源極引線層，漏極及漏極引線層，以及暴露的n型摻雜硅二層；11)陰極引線層[13]的制作在絕緣三層的旁側(cè)制備出一個(gè)金屬層，刻蝕后形成陰極引線層；陰極引線層和漏極引線層是相互連通的；12)絕緣隔離層[14]的制作在陰極引線層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層的中間存在一個(gè)電子通道孔，暴露出底部的陰極引線層；13)柵極[15]的制作在絕緣隔離層的上面制備出一個(gè)金屬層，刻蝕后形成柵極；14)雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面清潔處理對整體雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行清潔處理，除掉雜質(zhì)和灰塵；15)碳納米管[16]的制備將碳納米管制備在陰極引線層上；16)陽極玻璃面板[17]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進(jìn)行劃割，制作出陽極玻璃面板；17)陽極導(dǎo)電層[18]的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導(dǎo)電層；18)絕緣漿料層[19]的制作在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；19)熒光粉層[20]的制作在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；20)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結(jié)構(gòu)[21]和四周玻璃圍框[22]裝配到一起，并將消氣劑[23]放入到空腔當(dāng)中，用低熔點(diǎn)玻璃粉固定，在玻璃面板的四周涂抹好低熔點(diǎn)玻璃粉，用夾子固定；21)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行封裝工藝形成成品件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟6具體為在n型摻雜多晶硅層的上面制備出一個(gè)二氧化硅層，刻蝕后的二氧化硅層構(gòu)成絕緣二層；絕緣一層和絕緣二層是相互接觸的，共同形成一個(gè)環(huán)型結(jié)構(gòu)，將門極層包圍在中間；刻蝕后的絕緣二層的兩側(cè)要暴露出下面的n型摻雜硅一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟18具體為在陽極導(dǎo)電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘，之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟19具體為在陽極導(dǎo)電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時(shí)間10分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟21具體為對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐當(dāng)中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺上進(jìn)行器件排氣、封離，在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部的消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制作工藝，包括由陰極玻璃面板、陽極玻璃面板和四周玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導(dǎo)電層以及制備在陽極導(dǎo)電層上的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結(jié)構(gòu)以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有柵極、碳納米管陰極以及雙向環(huán)型調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)；通過兩條導(dǎo)電溝道來調(diào)節(jié)流經(jīng)碳納米管陰極電流，從而控制碳納米管陰極的電子發(fā)射能力，實(shí)現(xiàn)整體顯示圖像的均勻性和穩(wěn)定性，具有制作過程穩(wěn)定可靠、制作工藝簡單、制作成本低廉、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01J29/04GK1909172SQ200610048528
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者李玉魁 申請人:中原工學(xué)院