專利名稱：從基體表面去除材料的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種從基體表面去除材料的方法和裝置，其特別涉及一種用來(lái)清潔或蝕刻電子元件表面以及與制造有關(guān)的電子元件表面的方法和裝置。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員都清楚本發(fā)明并不限于這些用途。
背景技術(shù)：
電子電路由于制造問(wèn)題而不能使用的現(xiàn)象非常普遍。盡管問(wèn)題的根源有許多，但最主要的問(wèn)題通常會(huì)歸于表面所殘留的有機(jī)污染物(如灰塵、指紋等)或者是各加工工序所殘留的材料如溶劑殘?jiān)约傲鞒龅沫h(huán)氧物質(zhì)。
集成電路(IC)的加工過(guò)程需要對(duì)元器件進(jìn)行多層的模壓和接合。接合通常包括有引線接合，此時(shí)兩個(gè)相鄰的IC元件要通過(guò)相鄰元件安裝墊之間的引線熔合而連接起來(lái)。如果安裝墊不干凈，接合過(guò)程就可能會(huì)出問(wèn)題，從而使接合不完整或者不良造成IC存在缺陷。
之前所提出的一種用來(lái)改善引線接合的解決方案是在接合之前清潔安裝墊?，F(xiàn)在已知有兩種清潔方法采用射頻(RF)為能源的電容性清潔；以及在Ar/O2環(huán)境下采用1500eV離子束的離子清潔。RF清潔可通過(guò)將RF加到一真空腔體中的電極來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中該腔體中包含有一個(gè)需要清潔的元件。將一個(gè)Ar源引入腔體中，并形成等離子體。該等離子體的離子與元件表面的材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。RF清潔存在幾個(gè)問(wèn)題。第一，其只能對(duì)RF清潔系統(tǒng)的輸入功率進(jìn)行控制。第二，在大功率RF設(shè)備的工作過(guò)程中存在安全和環(huán)保的要求，其要確保RF的泄漏不會(huì)影響到附近的人群和設(shè)備。第三，RF發(fā)生器需要復(fù)雜的匹配網(wǎng)絡(luò)才能更為靈活的應(yīng)用于清潔。不同的應(yīng)用場(chǎng)合或者是不同的工作壓力需要不同的匹配網(wǎng)絡(luò)。此外，RF清潔和離子清潔都會(huì)因放電或所形成的電弧而損壞被清潔的元件。
當(dāng)IC制造中所用的部件不夠潔凈時(shí)還會(huì)引起其它的問(wèn)題。例如，在模壓過(guò)程中所用的模子可能會(huì)帶有殘留的環(huán)氧膜，這些最后都要從模子上清洗干凈?，F(xiàn)有用來(lái)清潔模子的方法包括使用鋼絲刷或者是化學(xué)洗浴。然而鋼絲刷會(huì)損壞模子并縮短其使用壽命，化學(xué)洗浴的速度又相對(duì)較慢?，F(xiàn)在所提出的用來(lái)延長(zhǎng)模子壽命的方法是在模子表面涂上一層3-10μm的CrN或者是“硬鉻合金”以提高模子抗鋼絲刷損壞的能力。盡管通過(guò)提高耐磨性而延長(zhǎng)了模子的使用壽命，但這種涂層也存在缺點(diǎn)，其降低了模子尺寸的精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是改善或克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個(gè)問(wèn)題，或者是提供一種合適的改進(jìn)措施。
本發(fā)明的第一個(gè)方面是提供一種將材料從一基體表面去除的方法，其包括以下步驟用一電源形成一等離子體；以及將基體表面與等離子體的離子、原子或自由基中的一種或多種接觸，其中提供的電源是可變電壓。
本發(fā)明的第二個(gè)方面是提供一種將材料從一基體表面去除的方法，其包括以下步驟將基體布置在一個(gè)可抽真空的、其中具有一電極的腔體中；給電極提供可變電壓從而在腔體中在電極和基體之間形成等離子體；以及將基體表面與等離子體的離子、原子或自由基中的一種或多種接觸從而至少去除表面上的一部分材料。
由于其中的電源提供的是可變電壓，因此能夠防止電弧的產(chǎn)生，從而不會(huì)損壞基體。
作為優(yōu)選，該可變電壓為脈沖電壓，更為優(yōu)選的是，該電壓為連續(xù)的3-30kHz周期脈沖一次。當(dāng)電壓為脈沖電壓時(shí)，等離子體的形成就不會(huì)有電弧，因而不會(huì)對(duì)去除材料的環(huán)境形成不必要的加熱。
作為優(yōu)選，可變電壓的脈沖為0V到-300V與-1000V之間的一個(gè)電壓，更為優(yōu)選的是，從0V到-380V與-600V之間的一個(gè)電壓。此外，該電壓優(yōu)選持續(xù)3到20μs。作為優(yōu)選，該脈沖為每3-30kHz周期一次。作為選擇，該脈沖可以是每周期有一個(gè)以上，例如每3-30kHz，有一對(duì)相隔5μs而長(zhǎng)3μs的脈沖。
作為優(yōu)選可包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)為浮置的，并且基體布置在浮置的電極上。作為選擇，另一個(gè)電極接地，或者是要么接地、要么浮置、要么與接電的電極具有相同的電勢(shì)，并且基體在接電的電極上。
作為優(yōu)選，該等離子體在O2的環(huán)境下形成，更為優(yōu)選的是該等離子體在O2/CF4的環(huán)境下形成。
作為優(yōu)選，該等離子體在抽真空到大約80-1500mTorr(毫托)的腔體中形成。
作為選擇，可將兩個(gè)基體分別布置在兩電極上。在另一結(jié)構(gòu)形式中，有多個(gè)分開(kāi)布置的電極，其中至少有一些電極分別支撐起所述多個(gè)基體中每一個(gè)基體。在另一實(shí)施例中，至少有一個(gè)電極，其相反的兩面或其中的一面支撐起至少所述的兩個(gè)電極。
作為優(yōu)選，該基體是IC、IC元件、IC模、管芯、晶片、球格陣列、IC封裝、引線框、微管、盤(pán)架、讀取臂或者是硬盤(pán)中的一個(gè)。此外，作為優(yōu)選，該材料是有機(jī)材質(zhì)、有機(jī)污物、溶劑殘留或環(huán)氧樹(shù)脂中的一個(gè)。
本發(fā)明的第三方面是提供一種將材料從一基體表面去除的裝置，其包括一真空腔體；布置在真空腔體中的電極；以及電源，其用來(lái)給電極提供可變電壓從而在腔體內(nèi)形成等離子體，并且等離子體的一種或多種離子、原子或自由基與基體表面接觸，其中的電源提供的是可變電壓。
作為優(yōu)選，該可變電壓是脈沖電壓。
作為優(yōu)選可包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)為浮置，其中基體布置在浮置的電極上。作為選擇，另一個(gè)電極接地，或者是要么接地、要么浮置、要么與接電的電極具有相同的電勢(shì)，并且基體布置在接電的電極上。
作為優(yōu)選，該腔體包括一個(gè)開(kāi)口，該開(kāi)口與傳送裝置的一個(gè)表面密封鄰接，其中基體布置在傳送裝置上。
為了清楚起見(jiàn)，本說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)“清潔”和“蝕刻”與說(shuō)明書(shū)中的“去除材料”和“材料的去除”含義相同。


現(xiàn)在參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，這些優(yōu)選實(shí)施例僅是示例性的。其中圖1為本發(fā)明裝置簡(jiǎn)化的示意圖；圖2為本發(fā)明所用脈沖電壓的一例曲線圖；圖3和4為本發(fā)明裝置變化實(shí)施例的簡(jiǎn)化示意圖；圖5a和5b為本發(fā)明裝置另一變化實(shí)施例的簡(jiǎn)化示意圖，其中的腔體分別處于收起位置和使用位置。
具體實(shí)施例方式
參見(jiàn)圖1，本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例是一種從基體表面去除材料的方法和裝置。作為一種不完全的舉例，其中的基體包括電氣元件如IC、IC封裝、球格陣列、或者是IC或IC封裝的元件。這些元件可包括晶片、芯片、管芯或模壓部件。另一種表面需要本發(fā)明清潔的基體包括上面現(xiàn)有技術(shù)中所述的、用在IC封裝制造中的模具表面，或者是在加工涂覆過(guò)程中用來(lái)固定硬盤(pán)的介質(zhì)固定架等。
在一優(yōu)選實(shí)施例中，該裝置包括真空腔體10以及布置在其中與一DC電源14相連的電極12a。第二電極12b為浮置。真空腔體10上的入口16用來(lái)將氣體引入腔體中。真空腔體10上的出口18與外部的一個(gè)真空泵相連。與電源相連的還有一個(gè)控制器(圖中未示出)，其用來(lái)控制電源的輸出以提供一個(gè)可變電壓，該可變電壓采用圖2所示脈沖負(fù)壓的形式，這一點(diǎn)將在下面詳細(xì)說(shuō)明。作為替換，任何形式的電源均可用來(lái)提供可變電壓。例如，經(jīng)整流的AC電源或者是單穩(wěn)態(tài)多頻振蕩電路均可用作控制器或控制器的一部分。
在使用中，基體22布置在真空腔體10中的第二電極12b上，要被清潔的表面24朝向電極12a。如相關(guān)附圖所示，需要從表面24上清除的材料26可包括一般的有機(jī)物質(zhì)、表面有機(jī)污染物、具有C-H和C-C鍵的物質(zhì)、殘留的溶劑或環(huán)氧樹(shù)脂。
在本實(shí)施例中，電極12a和12b的距離大約為5mm，但在其它實(shí)施例中，其可在3-100mm之間，這取決于被清潔的基體以及清潔的方式。
通過(guò)出口18將腔體10抽真空到大約10-50mTorr的壓力，然后使氣體經(jīng)入口16引入到真空腔體10中從而使壓力大約升到150mTorr，作為選擇，該壓力也可升到80到1500mTorr。引入的氣體通常是O2∶CF4為4∶1的混合氣體，其中CF4用作催化劑以加速等離子體的形成。作為選擇，該比例可有所不同，其中的CF4也可沒(méi)有。在另一實(shí)施例中，該氣體為Ar。
在本實(shí)施例中，該氣體在清潔的過(guò)程中以200sccm流率連續(xù)地流過(guò)真空腔體10，作為選擇，該流率可從50到1000sccm之間變化。除了要使真空腔體10內(nèi)保持穩(wěn)定的氣體和等離子體之外，氣體的流動(dòng)還用來(lái)吹掃或沖刷清潔過(guò)程中從基體表面24上去除的任何材料26。
然后，控制器啟動(dòng)電源14給電極12a提供脈沖電壓。圖2所示是本實(shí)施例所用的一例脈沖電壓波形，其中-800V脈沖在10kHz的周期內(nèi)持續(xù)5μs。該脈沖電壓在電極12a和12b之間形成電容放電，同時(shí)形成等離子體。等離子體的原子和自由素與基體表面接觸并與其上的材料26化學(xué)反應(yīng)。該化學(xué)反應(yīng)會(huì)破壞材料26。例如，在等離子體形成過(guò)程中由腔體內(nèi)的O2所形成的等離子原子和自由素會(huì)接觸并破壞有害材料26中的例如C-C和C-H鍵。此外，等離子體中轟向基體表面24的離子會(huì)進(jìn)一步將有害材料26從基體表面24除去。
有一點(diǎn)非常重要，這就是由于電弧放電有可能會(huì)損壞第二電極12b上基體22的表面24從而使基體22無(wú)法使用，因此要減少電極12a和電極12b與基體22之間的電弧放電。另一方面，如果電壓太低則要么不會(huì)產(chǎn)生等離子體，要么是沒(méi)有足夠的能量將材料26從基體表面去除。因此利用脈沖電壓的優(yōu)點(diǎn)就在于能形成具有足夠能量帶電離子的等離子體來(lái)完成清洗，同時(shí)又大大降低了放電的可能。此外，由于大大降低了放電的危險(xiǎn)，因此可將電極布置地更近，從而使清潔更充分，腔體10的空間利用也更有效。還有，與現(xiàn)有技術(shù)中RF清潔只能調(diào)節(jié)功率進(jìn)行控制不同，本發(fā)明中，電壓、頻率和脈寬均能獨(dú)立地進(jìn)行控制從而能使清潔過(guò)程達(dá)到最優(yōu)。
在上述實(shí)施例中，第二電極12b為浮置。電極浮置能夠減少電極12a和12b之間放電從而損壞基體表面24的危險(xiǎn)。然而，等離子體的清潔效果也有所降低。為此，本實(shí)施例適于清潔如上所述更為敏感的元件表面。在另一實(shí)施例中，基體仍布置在第二電極上，只是這里的第二電極接地。第二電極接地，放電的危險(xiǎn)會(huì)增加，但此時(shí)可對(duì)電壓的幅值和脈沖參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)以便更為有效地更為徹底地進(jìn)行清潔。因此，本實(shí)施例更適于比前詳述的實(shí)施例中所清潔的元件敏感性低的元件。在其它的、能夠比上述實(shí)施例更為徹底地進(jìn)行清潔的實(shí)施例中，基體布置在電極12a上，第二電極12b要么浮置，要么接地。然而，在另一實(shí)施例中，基體布置在電極12a上，并且第二電極12b的電勢(shì)基本等于第一電極的電勢(shì)。該實(shí)施例可針對(duì)例如IC模具、介質(zhì)固定架或相關(guān)的工具進(jìn)行優(yōu)化。在本實(shí)施例中，元件與相對(duì)電極之間的間隙可小到3-8mm，該距離能使等離子體的分布更為均勻。例如，在本實(shí)施例中能在10分鐘內(nèi)將20μm-100μm的環(huán)氧?；衔飶哪＞弑砻娉ィ蛘呤窃?0秒鐘內(nèi)將3nm的金剛石型碳(DLC)從介質(zhì)固定架上除去，其中前者在現(xiàn)有技術(shù)中采用化學(xué)方法則需要1個(gè)小時(shí)才能去除。
圖3和圖4所示為本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件，該實(shí)施例中用到了多個(gè)基體和/或電極。在圖3中，兩個(gè)基體22a和22b分別布置在腔體10中不同的接地電極12b上。它們?cè)谖恢镁驼龑?duì)著兩者之間的電極12a，其中電極12a相對(duì)于前述的實(shí)施例加載上負(fù)的脈沖電壓。圖4所示的實(shí)施例包括兩個(gè)這樣的負(fù)壓電極12a以及三個(gè)其上布置有基體22a-d的浮置電極12b。這些實(shí)施例的清潔方式與前面圖1所示實(shí)施例的相同。
IC封裝生產(chǎn)分為多步，且可用批量或生產(chǎn)線形式制造。其中一個(gè)或多個(gè)管芯被連接到封裝基片如晶片、印刷電路板(PCB)、引線框或柔性電路板上。然后將管芯和封裝基片上的對(duì)應(yīng)安裝墊之間的線股連接起來(lái)從而將管芯線接到封裝基片上。接著再在管芯、引線接點(diǎn)和封裝基片上封上一層環(huán)氧材料從而形成IC封裝。還可在封裝上連接上第二層，并用第二引線接合安裝墊來(lái)接合引線。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例可用來(lái)清潔●在連接上管芯之前清潔封裝基片；●在接合引線前清潔安裝墊(例如在腔體內(nèi)壓為100-200mTorr，引入氣體僅為O2，并且基體布置在浮置電極上時(shí))；●在引線接合后，在塑封之前清潔封裝基片從而提高塑模的粘接性(例如在腔體內(nèi)壓為100mTorr，引入氣體僅為O2，并且基體布置在浮置電極上時(shí))；●在連接上第二層之前清潔塑封的封裝基片從而去除塑封以覆蓋第二引線接合墊時(shí)吹出的環(huán)氧材料(例如在腔體內(nèi)壓為700-800mTorr，引入的O2∶CF4為9∶1，并且基體布置在浮置電極上時(shí))；●在塑封之后特別是在用了600-1000次之后，清潔封模自身(例如在腔體內(nèi)壓約為200mTorr，引入的O2∶CF4為9∶1，基體布置在對(duì)置的兩個(gè)電極中的一個(gè)電極上，并且這兩個(gè)電極均加載負(fù)壓脈沖時(shí))。
圖5a和5b所示為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。本實(shí)施例在結(jié)構(gòu)上適用于IC封裝制造過(guò)程中在線基體表面的清潔，其中的制造過(guò)程與前述相同。在本實(shí)施例中，腔體10a具有一個(gè)開(kāi)口側(cè)28，當(dāng)腔體10a與傳送裝置30接觸時(shí)，該開(kāi)口側(cè)密封。腔體10a的前沿可由一密封件如硅密封或橡膠密封線密封從而有助于與傳送裝置形成完全密封。在本實(shí)施例中，真空泵、氣源和電源(圖中未示出)通常布置在腔體10a頂壁34的外表面。
傳送裝置30承載著需要清潔的基體22。如圖5b所示，一旦基體達(dá)到清潔的位置上，就通過(guò)手動(dòng)、液壓或氣動(dòng)使真空腔體10下降，罩住基體22從而與傳送裝置30一起形成一個(gè)可被抽真空的真空腔體。之后如上所述進(jìn)行清潔，由于沒(méi)有使用第二電極，因此這里的基體22電氣浮置在傳送裝置30上。
本裝置可用來(lái)在上述IC封裝制造的任一步驟或每一步驟之后進(jìn)行清潔。也可將該裝置置入新的制造設(shè)備中或者，由于其非常小巧，因此可在改造后用于現(xiàn)有的設(shè)備。腔體10a的尺寸例如可以是80mm(深)×250mm(寬)×20mm(高)。同樣設(shè)計(jì)的腔體10a可用來(lái)在線清潔IC封裝的模具。此時(shí)，模腔應(yīng)相對(duì)朝下，腔體10a的開(kāi)口面應(yīng)相對(duì)朝上，從而在結(jié)構(gòu)上能夠上與模具形成真空腔體并包住要被清潔的表面。
圖5a和5b所示實(shí)施例展示了兩個(gè)需要清潔的基體。從中可以看出，作為選擇，腔體10a可用來(lái)容納并同時(shí)清潔兩個(gè)以上或以下的基體。
在另一實(shí)施例中，可將電源與基體相連，并將一電極布置在腔體中與基體表面相對(duì)的位置上，該電極要么接地，要么浮置。
本領(lǐng)域技術(shù)人員均清楚，本發(fā)明比現(xiàn)有技術(shù)有許多優(yōu)點(diǎn)，例如●減少了電弧形成的危險(xiǎn)；●工作溫度保持到最低，由此可減少對(duì)元件的熱損害；
●該系統(tǒng)比現(xiàn)有技術(shù)的RF清潔系統(tǒng)更為簡(jiǎn)單，由于不需要匹配網(wǎng)絡(luò)，因此不存在對(duì)健康、安全以及對(duì)環(huán)境影響的擔(dān)心；●與RF系統(tǒng)相比，參數(shù)控制更多并且更為容易；●在用來(lái)清潔模具時(shí)，由于對(duì)模具的損壞少，因此可增加模具的使用壽命，由于模具表面可采用更簿的硬質(zhì)鎳保護(hù)層，因此模制的元件質(zhì)量更高；●與現(xiàn)有技術(shù)相比，清潔的時(shí)間更短；●與現(xiàn)有的清潔系統(tǒng)相比，運(yùn)行成本更低；以及●由于運(yùn)行成本低并且運(yùn)行簡(jiǎn)單，本發(fā)明可用于IC封裝制造過(guò)程中的多個(gè)操作工序，由此可提高整個(gè)封裝生產(chǎn)的產(chǎn)量。
盡管前面主要是參照IC元件及其制造描述了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，顯然，本發(fā)明并不限于這種產(chǎn)品的清潔。例如，本發(fā)明可用來(lái)清潔硬盤(pán)的表面、在涂上保護(hù)層或其它層之前清潔磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的磁性讀取臂、微孔、PCB鉆孔的側(cè)壁等。此外，本發(fā)明可用來(lái)使元件表面如聚酰亞胺表面改性從而提高其粘接性。
盡管本發(fā)明是參考優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述，顯然這里所用的術(shù)語(yǔ)均用來(lái)說(shuō)明而非限定，在不脫離本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)所限定的保護(hù)范圍的基礎(chǔ)上還在其它的變化。
因此，本發(fā)明公開(kāi)了一種從基體如IC元件去除材料的方法和裝置。該方法包括給抽真空的腔體中的電極提供電源，并在腔體中生成等離子體，然后使基體表面與等離子體的離子、原子和自由基中的至少一種進(jìn)行接觸。供給電極的電源優(yōu)選為DC電源，其是變量，且該電源優(yōu)選為脈沖電壓從而防止電弧放電。
權(quán)利要求
1.一種將材料從一基體表面去除的方法，其包括以下步驟用一電源形成一等離子體；以及將基體表面與等離子體的離子、原子或自由基中的一種或多種接觸，其中的電源提供的是可變電壓。
2.一種將材料從一基體表面去除的方法，其包括以下步驟將基體布置在一個(gè)可抽真空的、其中具有一電極的腔體中；給電極提供可變電壓從而在腔體中在電極和基體之間形成等離子體；以及將基體表面與等離子體的離子、原子或自由基中的一種或多種接觸從而至少去除表面上的一部分材料。
3.如權(quán)利要求1或2的方法，其中可變電壓為脈沖電壓。
4.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中電壓在每一連續(xù)的3-30kHz周期中脈沖一次。
5.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的可變電壓為從0V脈沖到-300V與-1000V之間的一個(gè)電壓。
6.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的可變電壓為從0V脈沖到-380V與-600V之間的一個(gè)電壓。
7.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的電壓脈沖持續(xù)3到20μs。
8.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為浮置，并且基體就布置在浮置的電極上。
9.如權(quán)利要求1-7之一的方法，其中包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極接地，并且基體就布置在接地的電極上。
10.如權(quán)利要求1-7之一的方法，其中包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為浮置，并且基體就布置在所述的其中一個(gè)電極上。
11.如權(quán)利要求1-7之一的方法，其中包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為接地，并且基體就布置在所述的其中一個(gè)電極上。
12.如權(quán)利要求1-7之一的方法，其中包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給兩個(gè)電極供電，其中有一個(gè)電極為浮置，基體布置在兩個(gè)電極中的一個(gè)電極上。
13.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的等離子體在O2的環(huán)境下形成。
14.如權(quán)利要求1-12之一的方法，其中的等離子體在O2/CF4的環(huán)境下形成。
15.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的等離子體在抽真空到大約80-1500mTorr(毫托)的腔體中形成。
16.如權(quán)利要求8-15之一的方法，其中包括所述兩個(gè)基體分別布置在電極上。
17.如權(quán)利要求8-15之一的方法，其中包括有多個(gè)分開(kāi)布置的電極，其中至少有一些電極分別支撐起所述多個(gè)基體中每一個(gè)基體。
18.如權(quán)利要求18的方法，其中至少有一個(gè)電極，其相反的兩面或其中的一面支撐起至少兩個(gè)所述的電極。
19.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的基體是IC、IC元件、IC模具、管芯、晶片、球格陳列、IC封裝、引線框、PCB、微管、盤(pán)的固定架、讀取臂或者是硬盤(pán)中的一個(gè)。
20.如前述任一權(quán)利要求的方法，其中的材料是有機(jī)材質(zhì)、有機(jī)污物、溶劑殘留或環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。
21.一種將材料從一基體表面去除的裝置，其包括一真空腔體；布置在真空腔體中的電極；以及電源，其用來(lái)給電極提供可變電壓從而在腔體內(nèi)形成等離子體，并且等離子體的離子、原子或自由基中的一種或多種與基體表面接觸，其中的電源提供的是可變電壓。
22.如權(quán)利要求21的裝置，其中的可變電壓是脈沖電壓。
23.如權(quán)利要求21或22的裝置，其包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為浮置，并且基體就布置在浮置的電極上。
24.如權(quán)利要求21或22的裝置，其包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極接地，并且基體就布置在接地的電極上。
25.如權(quán)利要求21或22的裝置，其包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為浮置，并且基體就布置在所述的其中一個(gè)電極上。
26.如權(quán)利要求21或22的裝置，其包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給其中一個(gè)電極供電，另一個(gè)電極為接地，并且基體就布置在所述的其中一個(gè)電極上。
27.如權(quán)利要求21或22的裝置，其包括有兩個(gè)相對(duì)的電極，其中電源給兩個(gè)電極供電，其中有一個(gè)電極為浮置，基體布置在兩個(gè)電極中的一個(gè)電極上。
28.如權(quán)利要求21到27之一的裝置，其包括有多個(gè)分開(kāi)布置的電極，其中至少有一些電極分別支撐起所述多個(gè)基體中每一個(gè)基體。
29.如權(quán)利要求21到28之一的裝置，其中腔體包括一個(gè)開(kāi)口，該開(kāi)口適于與傳送裝置的一個(gè)表面密封鄰接，其中基體布置在傳送裝置上。
30.如權(quán)利要求21到29之一的裝置，其中的基體是IC、IC元件、IC模具、管芯、晶片、球格陳列、IC封裝、引線框、PCB、微管、盤(pán)的固定架、讀取臂或者是硬盤(pán)中的一個(gè)。
31.如權(quán)利要求21到30之一的裝置，其中的材料是有機(jī)材質(zhì)、有機(jī)污物、溶劑殘留或環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種從基體如IC元件去除材料的方法和裝置。該方法包括給抽真空的腔體中的電極提供電源，并在腔體中生成等離子體，然后使基體表面與等離子體的離子、原子和自由基中的至少一種進(jìn)行接觸。供給電極的電源優(yōu)選為DC電源，其是變量，且該電源優(yōu)選為脈沖電壓從而防止電弧放電。
文檔編號(hào)H01J37/32GK1750231SQ20051009050
公開(kāi)日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2005年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月18日
發(fā)明者史旭, 謝麗康 申請(qǐng)人:納峰科技私人有限公司