專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地，涉及一種能夠改進(jìn)發(fā)光效率和減少永久余像的等離子體顯示面板(PDP)。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2004年6月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2004-0050800、于2004年6月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2004-0050802以及于2004年11月29日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2004-0098738的利益，上述專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容在此全部引入作為參考。
具有等離子體顯示面板(PDP)的等離子體顯示裝置具有帶有寬視角的大屏幕，又薄又輕，并顯示高質(zhì)量圖片。同時(shí)，和其它平板顯示器(FPD)相比，PDP容易制造和按比例增大。針對(duì)這些原因，PDP被看作下一代FPD之一。
根據(jù)放電電壓將PDP分成DC型、AC型和混合型，同時(shí)根據(jù)放電結(jié)構(gòu)可以將PDP分成對(duì)向放電型和表面放電型。
通常，雙電極對(duì)向放電PDP已經(jīng)被積極研究。但是，在雙電極對(duì)向放電PDP中，由于在其上形成熒光體層的第一基板和第二基板之間產(chǎn)生放電，所以由于離子濺射引起的熒光體層的磨損非常明顯。為了解決這一問(wèn)題，已經(jīng)開(kāi)發(fā)并廣泛應(yīng)用了三電極表面放電AC PDP。
圖1是傳統(tǒng)的三電極表面放電PDP1的透視圖。圖2是包含圖1中所示的PDP1的等離子體顯示裝置100的框圖。參考圖1和圖2，在傳統(tǒng)的的三電極表面放電PDP1的第一和第二基板10和13之間提供公共尋址電極線AR1、…、ABM、介電層11和15、Y電極線Y1、…、Yn、X電極線X1、…、Xn、熒光體層16、障肋17、和作為保護(hù)層的MgO層12。
以預(yù)定圖案在第二基板13的上表面上形成公共尋址電極線AR1、…、ABM。形成下介電層15來(lái)覆蓋尋址電極線AR1、…、ABM和第二基板13的整個(gè)上表面。平行于尋址電極線AR1、…、ABM在第一介電層15的表面上形成障肋17。障肋17分割各自的放電單元的放電空間并防止顯示單元之間的串?dāng)_。分別在障肋17之間形成熒光體層16。
以預(yù)定圖案在例如由玻璃制成的第一基板10的后表面上以與尋址電極線AR1、…、ABM交叉的方式形成X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn。在X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn與尋址電極線AR1、…、ABM的交叉點(diǎn)處形成放電單元。形成第二介電層11來(lái)覆蓋X電極線X1、…、Xn和Y電極線Y1、…、Yn以及第一基板10的整個(gè)下表面。形成用于保護(hù)PDP1免受強(qiáng)電場(chǎng)影響的保護(hù)層(例如MgO層12)來(lái)覆蓋第二介電層11的整個(gè)后表面。利用等離子體形成氣體填充放電空間14。
參考圖2，等離子體顯示裝置100包括圖像處理器56、邏輯控制器62、尋址驅(qū)動(dòng)器3、X驅(qū)動(dòng)器4和Y驅(qū)動(dòng)器5。邏輯控制器62根據(jù)從圖像處理器56接收到的內(nèi)部圖像信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SY和SX。尋址驅(qū)動(dòng)器3、X驅(qū)動(dòng)器4和Y驅(qū)動(dòng)器5分別處理從邏輯控制器62接收到的尋址信號(hào)SA、X驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX和Y驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY并向Y電極線施加處理過(guò)的信號(hào)。
圖3示出在子場(chǎng)中施加到PDP的電極的PDP驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形。在于2000年公布的日本專利公布No.214,823和242,224中公開(kāi)了包含在圖3中所示的驅(qū)動(dòng)方法中的傳統(tǒng)復(fù)位方法。
參考圖3，在子場(chǎng)SFn的復(fù)位周期PR中，首先向Y電極Y1、…、Yn施加第二電壓VT1，然后將逐漸上升到比第二電壓VT1大了第五電壓VSET的第一電壓VT1+VSET施加到Y(jié)電極線Y1、…、Yn。這時(shí)，將X電極X1、…、Xn和尋址電極A1、…、Am保持在地電壓VG處。因此，在Y電極Y1、…、Yn和X電極X1、…、Xn之間產(chǎn)生弱放電而在Y電極Y1、…、Yn和尋址電極A1、…、Am之間產(chǎn)生更弱的放電。因此，在Y電極Y1、…、Yn附近形成大量的負(fù)壁電荷，在X電極X1、…、Xn附近形成正壁電荷，而在尋址電極A1、…、Am附近形成少量的正壁電荷。
然后，將偏置電壓Ve施加到X電極X1、…、Xn。在施加偏置電壓Ve的同時(shí)，施加到Y(jié)電極Y1、…、Yn的電壓VT1+VSET下降到第三電壓VT2，并將逐漸下降到第四電壓Vnf的電壓施加到Y(jié)電極線Y1、…、Yn。這時(shí)，將尋址電極A1、…、Am保持在地電壓VG處。因此，在X電極X1、…、Xn和Y電極Y1、…、Yn之間產(chǎn)生弱放電并且由于該弱放電使在Y電極Y1、…、Yn附近形成的部分負(fù)壁電荷移到X電極X1、…、Xn附近。因此，X電極X1、…、Xn的壁電壓變得小于尋址電極A1、…、Am的壁電壓而大于Y電極Y1、…、Yn的壁電壓。
因此，可能降低在下面的尋址周期PA中選擇的尋址電極和Y電極之間對(duì)向放電需要的尋址電壓VA-VSC-L。同時(shí)，由于所有的尋址電極A1、…、Am保持在地電壓VG處，所以尋址電極A1、…、Am相對(duì)于X電極X1、…、Xn和Y電極Y1、…、Yn放電并且使形成在尋址電極A1、…、Am附近的正壁電荷擦除放電。
隨后，在尋址周期PA中，當(dāng)正向X電極X1、…、Xn施加偏置電壓Ve時(shí)，將顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址電極A1、…、Am并把掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖依次施加到偏置到比第二電壓VT1小的第六電壓VSC-H的Y電極，以便執(zhí)行穩(wěn)定尋址。這時(shí)，將具有正極性的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)VA施加到尋址電極A1、…、Am來(lái)選擇顯示單元，而保持在地電壓VG處的剩余顯示單元?jiǎng)t沒(méi)有被選擇。因此，如果將正的尋址電壓VA的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到施加有掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖的Y電極，那么由于尋址放電在相應(yīng)的顯示單元中形成壁電荷而在剩余的顯示單元中則沒(méi)有壁電荷形成。
此后，在維持放電周期PS中，將帶有維持電壓VS的維持脈沖交替施加到所有的Y電極Y1、…、Yn和所有的X電極X1、…、Xn，以便其中在尋址周期PA期間已經(jīng)形成壁電荷的顯示單元中產(chǎn)生顯示維持放電。
但是，在具有以下結(jié)構(gòu)的PDP1中，其中依次在第一基板10的后表面上形成電極線、第二介電層11和保護(hù)層12，吸收大約40％的從熒光體層16發(fā)出的可見(jiàn)光，這使得發(fā)光效率惡化。如果相同圖像長(zhǎng)時(shí)間被顯示，則由于電場(chǎng)，放電氣體中的帶電粒子引起熒光體層16的離子濺射，導(dǎo)致留下永久的余像并減少PDP的壽命。同時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)PDP1需要3個(gè)驅(qū)動(dòng)器(即，X驅(qū)動(dòng)器4、Y驅(qū)動(dòng)器5和尋址驅(qū)動(dòng)器3)，所以PDP1的結(jié)構(gòu)被復(fù)雜化并且增加了驅(qū)動(dòng)器及其電源電路的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種能夠改進(jìn)發(fā)光效率和減少永久余像的等離子體顯示面板(PDP)及其驅(qū)動(dòng)方法。
本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種等離子體顯示面板(PDP)，其中通過(guò)使施加到PDP的電壓電平的數(shù)量最小化來(lái)減少制造成本。
本發(fā)明的又一個(gè)方面提供一種等離子體顯示面板(PDP)，其包括第一基板和與第一基板相對(duì)的第二基板；障肋，其同第一基板和第二基板一起分割放電單元，并由介電材料制成；公共尋址電極線，其被嵌入障肋中來(lái)圍繞放電單元，并被延伸以橫穿放電單元；掃描電極線，其被嵌入障肋中來(lái)圍繞放電單元，與公共尋址電極線分離，并被延伸以在各自的放電單元處和公共尋址電極線交叉；在放電單元中形成的熒光體層；以及在放電單元中填充的放電氣體；其中PDP由包含復(fù)位周期或?qū)ぶ分芷诤途S持放電周期的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)，并且在復(fù)位周期中，向掃描電極線施加上升斜坡脈沖來(lái)執(zhí)行第一初始放電而向掃描電極線施加下降斜坡脈沖來(lái)執(zhí)行第二初始放電；在尋址周期中，依次向維持在掃描高電壓VSC-H處的多條掃描電極線提供掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L并選擇性地向與施加有掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L的掃描電極線交叉的公共尋址電極線施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)；以及在維持放電周期中，向掃描電極線施加交替的維持脈沖，其中，在復(fù)位周期中，當(dāng)把下降斜坡脈沖施加到掃描電極線上時(shí)，將偏置電壓VX施加到公共尋址電極線，并且該下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf2的幅值等于在維持放電周期中施加的交替維持脈沖的電壓VS的幅值。
在一個(gè)實(shí)施例中，在復(fù)位周期中，掃描高電壓VSC-H和掃描低電壓VSC-L之間的電壓差等于維持脈沖的電壓VS的幅值。在一個(gè)實(shí)施例中，在復(fù)位周期中，當(dāng)把下降斜坡脈沖施加到掃描電極線時(shí)，將具有與顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓相同的電壓的偏置電壓Va施加到公共尋址電極線。
在一個(gè)實(shí)施例中，上升斜坡脈沖從維持脈沖的電壓VS上升到維持脈沖的電壓VS的兩倍。
在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)由積累在障肋上的壁電荷產(chǎn)生的壁電壓與施加到公共尋址電極的信號(hào)和施加到掃描電極的信號(hào)之間的電壓差的總和超過(guò)了放電單元的特征放電啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，在放電單元中產(chǎn)生強(qiáng)放電，并且復(fù)位周期的特征放電啟動(dòng)電壓、尋址周期的特征放電啟動(dòng)電壓和維持放電周期的特征放電啟動(dòng)電壓都是樣的。
在一個(gè)實(shí)施例中，在維持放電周期中，施加到掃描電極線的交替的維持脈沖的電壓VS的幅值大于特征放電啟動(dòng)電壓Vf的一半。
在一個(gè)實(shí)施例中，在保持壁電壓的同時(shí)，在復(fù)位周期中施加到掃描電極的下降斜坡脈沖具有產(chǎn)生第二初始放電的斜率，該壁電壓比下降斜坡脈沖的電壓大了特征放電啟動(dòng)電壓Vf。
在一個(gè)實(shí)施例中，在終止下降斜坡脈沖之后，將放電單元保持在復(fù)位后的壁電壓VW，該復(fù)位后的壁電壓VW比下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf大了特征放電啟動(dòng)電壓Vf。
在一個(gè)實(shí)施例中，復(fù)位后的壁電壓VW的幅值比特征放電啟動(dòng)電壓Vf的一半小。
在一個(gè)實(shí)施例中，PDP的公共尋址電極線和掃描電極線由導(dǎo)電材料制成并按在一個(gè)方向上延伸的階梯形狀形成。


將參考以下附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行介紹圖1是傳統(tǒng)的三電極表面放電等離子體顯示面板(PDP)的透視圖。
圖2是包含圖1中所示的PDP的等離子體顯示裝置的框圖。
圖3示出用于驅(qū)動(dòng)圖1中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。
圖5是沿圖4中的線IV-IV的PDP的橫截面圖。
圖6是沿圖5中的線V-V的公共尋址電極線A1-An的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7是沿圖5中的線VI-VI的掃描電極線S1-Sm的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8是包含圖4中所示的PDP的等離子體顯示裝置的框圖。
圖9是用于說(shuō)明圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的實(shí)施例的時(shí)序圖。
圖10示出圖9的子場(chǎng)中施加到圖4中所示的PDP的電極線的信號(hào)的波形。
圖11根據(jù)圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的實(shí)施例示出子場(chǎng)中施加到圖4中所示的PDP的電極線的信號(hào)的波形和導(dǎo)通單元以及關(guān)閉單元的壁電壓分布。
圖12根據(jù)圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的另一個(gè)實(shí)施例示出子場(chǎng)中施加到圖4中所示的PDP的電極線的信號(hào)的波形和導(dǎo)通單元以及關(guān)閉單元的壁電壓分布。
圖13根據(jù)圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的又一個(gè)實(shí)施例示出子場(chǎng)中施加到電極線的信號(hào)的波形和導(dǎo)通單元以及關(guān)閉單元的壁電壓分布。
圖14根據(jù)圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的再一個(gè)實(shí)施例示出子場(chǎng)中施加到電極線的信號(hào)的波形和導(dǎo)通單元以及關(guān)閉單元的壁電壓分布。
具體實(shí)施例方式
將參考示其中出本發(fā)明的示例性實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更全面地描述。
下文中，將參考圖4到圖12對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
如圖4到圖7中所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)200包括第一基板201；與第一基板201相對(duì)的第二基板202；第一障肋205，其被放置在第一和第二基板201和202之間，分割結(jié)合第一和第二基板201和202形成的放電單元220并由介電材料制成；公共尋址電極線A1、…、An，其被嵌入第一障肋205中來(lái)圍繞放電單元220，并延伸以橫穿放電單元220；掃描電極線S1、…、Sm，其被嵌入第一障肋205中并與公共尋址電極線A1、…、An分離以圍繞放電單元220，其中在掃描電極線S1、…、Sm和公共尋址電極線A1、…、An的交叉點(diǎn)處形成相應(yīng)的放電單元220；在放電單元220中形成的熒光體層210；以及在放電單元220中填充的放電氣體。
在一個(gè)實(shí)施例中，由具有高透光性的諸如玻璃的材料制成第一基板201。由于不同于在其上存在有電極線X1到Xn和Y1到Y(jié)n的傳統(tǒng)的第一基板，在第一基板201上沒(méi)有電極線存在，所以極大地改進(jìn)了可見(jiàn)光向前方的透光性。因此，當(dāng)圖像具有和傳統(tǒng)技術(shù)中的亮度相同的亮度時(shí)，以相對(duì)低的電壓驅(qū)動(dòng)電極線X1到Xn和Y1到Y(jié)n，導(dǎo)致和傳統(tǒng)技術(shù)相比提高了光發(fā)射效率。
將第二基板202平行于第一基板201放置。在一個(gè)實(shí)施例中，第二基板202通常由具有以玻璃為其主要成分的材料制成。
在第一和第二基板201和201之間形成第一障肋205，以便分割多個(gè)放電單元220。第一障肋205分割放電單元220并防止在放電單元220之間產(chǎn)生錯(cuò)誤放電，其中每個(gè)放電單元220是紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍(lán)色發(fā)光子像素中的一個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，由防止公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm之間的直接導(dǎo)通的介電材料制成第一障肋205，防止帶電粒子直接碰撞和破壞電極，并當(dāng)放電產(chǎn)生時(shí)，積累帶電粒子作為壁電荷。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣的介電材料包括PbO、B2O3和SiO2。
將圍繞放電單元220的公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm嵌入第一障肋205中。公共尋址電極線A1到An以預(yù)定間隔與掃描電極線S1到Sm相互交叉。在一個(gè)實(shí)施例中，由諸如Al或Cu的導(dǎo)電材料制成電極線A1到An和S1到Sm。這里，公共尋址電極線A1、…、An用作公共尋址電極，而掃描電極線S1、…、Sm用作掃描電極。
在一個(gè)實(shí)施例中，將公共尋址電極線A1、…、An和掃描電極線S1、…、Sm布置成階梯形狀。
在一個(gè)實(shí)施例中，作為保護(hù)膜的MgO膜209覆蓋第一障肋205的側(cè)面。MgO膜209防止帶電粒子碰撞和破壞由例如介電材料制成的第一障肋205，并當(dāng)執(zhí)行放電時(shí)加速次級(jí)電子。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP200還可以包括放置在第一障肋205和后(第二)基板202之間以與第一障肋205一起分割放電單元220的第二障肋208。在圖4中，以矩陣圖案形成第二障肋208，但是，并不限于此。可以以諸如條形圖案的開(kāi)放形狀或以諸如威化餅圖案、矩陣圖案或△圖案的封閉形狀形成第二障肋208。同時(shí)，可以形成封閉型的障肋，使得每個(gè)放電空間的交叉部分是不同于本實(shí)施例中所示的正方形的諸如三角形或五邊形的多邊形、或圓形、橢圓形等。如圖4中所示，在一個(gè)實(shí)施例中，可以以相同的圖案形成第一和第二障肋205和208。但是，在另一個(gè)實(shí)施例中，也可能以不同的圖案來(lái)形成第一和第二障肋205和208。
參考圖5，形成熒光體層210來(lái)覆蓋第二障肋208的側(cè)面和第二基板202的上表面。
在一個(gè)實(shí)施例中，熒光體層210具有用于接收紫外線和發(fā)射可見(jiàn)光的成分，其中在紅色發(fā)光子像素上形成的熒光體層包括諸如Y(V，P)O4∶Eu的熒光體，在綠色發(fā)光子像素上形成的熒光體層包括諸如Zn2SiO4∶Mn或YBO3∶Tb的熒光體，而在藍(lán)色發(fā)光子像素上形成的熒光體層包括諸如BAM∶Eu的熒光體。
在一個(gè)實(shí)施例中，將諸如Ne、Xe、Ne混合氣或Xe混合氣的放電氣體填充在放電單元220中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，由于增加了整個(gè)放電面積和產(chǎn)生了更多的等離子體，所以實(shí)現(xiàn)了低壓驅(qū)動(dòng)。同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，由于即使高密度Xe氣被用作放電氣體也可以獲得低壓驅(qū)動(dòng)，所以可以顯著提高發(fā)光效率。由此，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例克服了傳統(tǒng)PDP的問(wèn)題，在傳統(tǒng)PDP中當(dāng)高密度Xe氣被用作放電氣體時(shí)很難實(shí)現(xiàn)低壓驅(qū)動(dòng)。
在一個(gè)實(shí)施例中，由導(dǎo)電材料制成并以階梯形狀形成公共尋址電極線A1到An和掃描電極線S1到Sm。圖6是沿圖5中所示的線V-V的公共尋址電極線A1-An的示例性結(jié)構(gòu)的示意圖。參考圖6，以在一個(gè)方向上延伸的階梯形狀形成電極線A1到An。同時(shí)，圖7是沿圖5中所示的線VI-VI的掃描電極線S1-Sm的示例性結(jié)構(gòu)的示意圖。參考圖7，電極S1到Sm具有階梯形狀。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例包含圖4中所示的PDP的等離子體顯示裝置300的框圖。
參考圖8，等離子體顯示裝置300包括PDP200、圖像處理器156、邏輯控制器162、A驅(qū)動(dòng)器154，和S驅(qū)動(dòng)器155。
等離子體顯示裝置300還可以包括圖像處理器156。在一個(gè)實(shí)施例中，圖像處理器156將外部模擬圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并產(chǎn)生例如每個(gè)具有8位的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)圖像數(shù)據(jù)的內(nèi)部圖像信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、和垂直及水平同步信號(hào)。邏輯控制器162根據(jù)從圖像處理器156接收到的內(nèi)部圖像信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA和SS。
A驅(qū)動(dòng)器154處理從邏輯控制器162接收到的A驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA，以便產(chǎn)生顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所產(chǎn)生的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到公共尋址電極線A1到An。S驅(qū)動(dòng)器155處理從邏輯控制器162接收到的S驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SS以向掃描電極線S1到Sm施加S驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
在等離子體顯示裝置300中，由于只有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器(即，S驅(qū)動(dòng)器155和A驅(qū)動(dòng)器154)被用來(lái)驅(qū)動(dòng)PDP200，所以和需要三個(gè)驅(qū)動(dòng)器的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，PDP結(jié)構(gòu)得到了簡(jiǎn)化。
圖9是用于說(shuō)明圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的實(shí)施例的時(shí)序圖。參考圖9，為了實(shí)現(xiàn)時(shí)分灰度顯示，將每個(gè)單位幀分成SF1到SF8的8個(gè)子場(chǎng)。同時(shí)，分別把每個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8分成復(fù)位周期PR1到PR8、尋址周期PA1到PA8、和維持放電周期PS1到PS8。
在復(fù)位周期PR1到PR8中，為了穩(wěn)定執(zhí)行下面的尋址，所有顯示單元的放電狀況變得相同。
在尋址周期PA1到PA8中，將顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到公共尋址電極線A1到An并同時(shí)將相應(yīng)的掃描脈沖依次施加到各自的掃描電極線S1到Sm。因此，在施加有高電平的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的同時(shí)施加掃描脈沖的放電單元中產(chǎn)生尋址放電，使得在相應(yīng)的放電單元中形成壁電荷，而在剩余的放電單元中沒(méi)有壁電荷形成。
在維持放電周期PS1到PS8中，在所有的公共尋址電極線A1到An都保持在地電壓VG的狀態(tài)下，將維持放電脈沖交替施加到所有的掃描電極線S1到Sm，使得其中在相應(yīng)的尋址周期PA1到PA8期間已經(jīng)形成壁電荷的放電單元中產(chǎn)生維持放電。結(jié)果，在單位幀中，PDP的亮度與維持放電周期PS1到PS8的總長(zhǎng)度成比例。單位幀中的維持放電周期PS1到PS8的總長(zhǎng)度是255T(T是單位時(shí)間)。因此，可以提供包含不顯示在屏幕上的零灰度級(jí)的256個(gè)灰度級(jí)用于顯示。
這里，將第一子場(chǎng)SF1的維持放電周期PS1設(shè)置為對(duì)應(yīng)于0的時(shí)間1T，將第二子場(chǎng)SF2的維持放電周期PS2設(shè)置為對(duì)應(yīng)于1的時(shí)間2T，將第三子場(chǎng)SF3的維持放電周期PS3設(shè)置為對(duì)應(yīng)于2的時(shí)間4T，并將第八子場(chǎng)SF8的維持放電周期PS8設(shè)置為對(duì)應(yīng)于7的時(shí)間128T。由此，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇在8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中要顯示的子場(chǎng)，可以顯示包含零灰度級(jí)的256個(gè)灰度級(jí)。
圖10示出圖9的單位子場(chǎng)SFn中施加到PDP200的電極線的信號(hào)。在圖10中，參考符號(hào)[A1:An]表示施加到公共尋址電極線的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而參考符號(hào)Sm表示施加到掃描電極線S1到Sm的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
當(dāng)執(zhí)行放電時(shí)，在復(fù)位周期PR中，將復(fù)位信號(hào)施加到掃描電極線S1到Sm，以便強(qiáng)制地執(zhí)行寫(xiě)放電，由此對(duì)所有單元中的壁電荷狀態(tài)進(jìn)行初始化。由于復(fù)位周期PR是在進(jìn)入下面的尋址周期PA之前在整個(gè)屏幕上執(zhí)行的，所以可以在所有單元中均勻分布壁電荷。在復(fù)位周期PR期間初始化的單元將具有類似的壁電荷狀況。在復(fù)位周期PR中，向掃描電極線S1到Sm施加上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)并由此產(chǎn)生一次弱放電，使得在掃描電極線S1到Sm上積累大量的負(fù)電荷和在尋址電極線和X電極線上積累正電荷。
接下來(lái)，將下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)施加到掃描電極線S1到Sm并由此產(chǎn)生兩次弱放電，使得掃描電極線S1到Sm的電壓逐漸下降和積累在掃描電極線S1到Sm上的負(fù)電荷朝著放電空間逐漸消失。由于放電空間中的弱放電，放電單元被初始化。
在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)比參考電壓大了預(yù)定電壓VT1的電壓，將產(chǎn)生一次弱放電的上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)施加到掃描電極S1到Sm。如果上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)根據(jù)比參考電壓大了掃描脈沖的電壓VS的電壓被施加，由于除了用于產(chǎn)生掃描脈沖的電源和切換電路之外不需要斜坡上升脈沖產(chǎn)生電路，所以可以減少PDP制造成本。將下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)根據(jù)比參考電壓大了預(yù)定電壓VT2的電壓施加到Y(jié)電極S1到Sm。同樣地，如果下降斜坡脈沖根據(jù)比參考電壓大了掃描脈沖的電壓VS的電壓被施加，則由于除了用于產(chǎn)生掃描脈沖的電源和切換電路之外不需要斜坡下降脈沖產(chǎn)生電路，所以可以減少制造成本。
在下面的尋址周期PA中，將具有掃描高電壓VSC-H的掃描脈沖施加到多個(gè)掃描電極。如果將具有比掃描高電壓VSC-H小的掃描低電壓VSC-L依次施加到已經(jīng)施加具有掃描高電壓VSC-H的掃描脈沖的各自的掃描電極，則同時(shí)將相應(yīng)的尋址電極導(dǎo)通以選擇顯示單元，在所選擇的顯示單元的Y電極附近使大量負(fù)電荷放電，在所選擇的顯示單元的尋址電極附近使大量正電荷放電，由此產(chǎn)生尋址放電。因此，在Y電極附近積累大量的正電荷，以準(zhǔn)備維持放電。
在執(zhí)行尋址周期PA之后，在下面的維持放電周期PS中，將正維持電壓+VS和負(fù)維持電壓-VS之間切換的交替維持脈沖交替地施加到掃描電極線S1到Sm。
在掃描電極線S1到Sm上積累正電荷和在公共尋址電極線A1到An上積累負(fù)電荷之后，施加維持脈沖。在維持放電周期PS中，將朝著正維持電壓+VS上升的電壓施加到掃描電極線S1到Sm，使得積累在掃描電極線S1到Sm上的正電荷和積累在公共尋址電極線A1到An上的負(fù)電荷作為空間電荷放電并由于該空間電荷產(chǎn)生弱放電。接著，當(dāng)上升電壓達(dá)到正維持電壓+VS時(shí)，作為來(lái)自掃描電極線S1到Sm的空間電荷的更多的正電荷放電，而作為來(lái)自公共尋址電極線A1到An的空間電荷的更多負(fù)電荷放電，使得執(zhí)行快速和強(qiáng)大的維持放電。當(dāng)在電壓+VS與由積累在掃描電極線S1到Sm附近的正電荷產(chǎn)生的電壓的總和與由積累在公共尋址電極線A1到An附近的負(fù)電荷產(chǎn)生的電壓之間的差(即，所有電壓的絕對(duì)值的和)超過(guò)放電啟動(dòng)電壓時(shí)，產(chǎn)生這樣的快速和強(qiáng)大的維持放電(下文中，稱作第一維持放電)。
在產(chǎn)生第一維持放電之后，在掃描電極線S1到Sm附近積累負(fù)電荷，在X電極線附近積累正電荷。
隨后，將朝著負(fù)維持電壓-VS下降的電壓施加到掃描電極線S1到Sm。因此，作為來(lái)自公共尋址電極線A1到An的空間電荷的正電荷放電，而作為來(lái)自掃描電極線S1到Sm的空間電荷的負(fù)電荷放電。當(dāng)下降電壓到達(dá)負(fù)維持電壓-VS時(shí)，執(zhí)行第二維持放電。當(dāng)從由公共尋址電極線A1到An附近積累的正電荷產(chǎn)生的電壓中減去電壓-VS和由掃描電極線S1到Sm附近積累的負(fù)電荷產(chǎn)生的電壓的總和獲得的電壓(即，所有電壓的絕對(duì)值之和)超過(guò)放電啟動(dòng)電壓時(shí)，產(chǎn)生這樣的第二維持放電。在產(chǎn)生第二維持放電之后，類似于產(chǎn)生第一維持放電之前的狀態(tài)，正電荷積累在掃描電極線S1到Sm附近，而負(fù)電荷積累在X電極線附近。此后，通過(guò)和第一維持放電相同的過(guò)程產(chǎn)生第三維持放電，然后通過(guò)和第二維持放電相同的過(guò)程產(chǎn)生第四維持放電。在分配給各自子場(chǎng)的周期期間施加交替的維持脈沖來(lái)保持維持放電。
圖11示出在子場(chǎng)中施加到圖4中所示的PDP的電極線的信號(hào)的波形和導(dǎo)通單元與關(guān)閉單元的壁電壓分布。圖12到圖14根據(jù)圖4中所示的PDP的驅(qū)動(dòng)方法的另一個(gè)實(shí)施例示出施加到電極線的信號(hào)的波形。
在下面的描述中，考慮通過(guò)壁電荷產(chǎn)生的壁電壓來(lái)確定驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形的斜率和振幅。
在圖11的最上部分中示出的波形圖(下文中稱為第一波形圖)示出當(dāng)把具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到公共尋址電極線A1到An時(shí)的電壓波形。在圖11的第一波形圖下面示出的波形圖(下文中稱為第二波形圖)示出施加到第m條掃描電極線Sm的S驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形。由圖11中的參考符號(hào)V(S-A)表示的波形圖示出說(shuō)明在施加到掃描電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和施加到公共尋址電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的電壓差。由圖11中的參考符號(hào)V(OFF)表示的波形圖示出說(shuō)明當(dāng)放電單元關(guān)閉時(shí)的壁電壓的波形圖。
參考圖11，在復(fù)位周期PR中，將上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)施加到掃描電極線S1到Sm以執(zhí)行第一初始放電，然后將下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)施加到掃描電極線S1到Sm以執(zhí)行第二初始放電。通過(guò)向掃描電極線S1到Sm施加具有漸變的斜率的上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)來(lái)執(zhí)行第一初始放電。因此，產(chǎn)生弱放電并且使負(fù)電荷積累在掃描電極S1到Sm附近(即，掃描電極S1到Sm上的介電層附近)。在一個(gè)實(shí)施例中，為了減少用于第一初始放電的時(shí)間t2-t3，上升斜坡脈沖根據(jù)第二電壓VT1被施加并上升到第一電壓VSET+VT1。
通過(guò)將下降斜坡脈沖施加到掃描電極線S1到Sm來(lái)執(zhí)行第二初始放電，使得積累在掃描電極線S1到Sm附近(即，在掃描電極線S1到Sm上的介電層附近)的負(fù)電荷放電并產(chǎn)生弱放電。這時(shí)，施加到掃描電極線S1到Sm的下降斜坡脈沖應(yīng)當(dāng)具有不允許強(qiáng)放電的漸變的斜率。當(dāng)保持比下降斜坡脈沖的電壓大了特征放電啟動(dòng)電壓Vf(后面將進(jìn)行介紹)的壁電壓時(shí)，下降斜坡脈沖可以具有產(chǎn)生第二初始放電的斜率。為了減少用于第二初始放電的時(shí)間t3和t4，可以在第一電壓VSET+VT1下降到第三電壓VT2之后施加下降斜坡脈沖。
在下面的尋址周期PA中，依次將掃描低電壓VSC-L的掃描脈沖施加到保持在掃描高電壓VSC-H的多條掃描電極線S1到Sm，并將具有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)選擇性地施加到與施加有掃描脈沖的掃描電極線S1到Sm交叉的公共尋址電極線A1到An。因此，在施加有帶有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的放電單元中產(chǎn)生尋址放電，而在剩余的沒(méi)有施加有顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的放電單元中沒(méi)有尋址放電產(chǎn)生。
然后，在下面的維持放電周期PS中，將交替的維持脈沖施加到掃描電極線S1到Sm。因此，在尋址周期PA期間已經(jīng)施加了帶有數(shù)據(jù)電壓Va的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的放電單元被尋址放電，因此被導(dǎo)通，并被維持放電。但是，在尋址周期PA期間沒(méi)有施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的剩余放電單元不被尋址放電，因此被關(guān)閉，并且不被維持放電。
同時(shí)，在PDP200的放電單元中，當(dāng)在放電單元的電極之間產(chǎn)生預(yù)定的閾值電壓時(shí)，發(fā)生強(qiáng)放電，其中將預(yù)定閾值電壓稱為特征放電啟動(dòng)電壓Vf。具體地，當(dāng)由積累在障肋上的壁電荷產(chǎn)生的壁電壓V(ON)與在施加到公共尋址電極的信號(hào)和施加到掃描電極的信號(hào)之間的電壓差的總和超過(guò)該特征放電啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，在該放電單元中產(chǎn)生強(qiáng)放電。
但是，由于根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例將一個(gè)掃描信號(hào)和一個(gè)尋址信號(hào)施加到PDP200的每個(gè)放電單元，所以考慮只在兩個(gè)電極之間的電壓差。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在包含兩個(gè)電極的等離子體顯示面板中，復(fù)位周期的特征放電啟動(dòng)電壓、尋址放電周期的特征放電啟動(dòng)電壓和維持放電周期的特征放電啟動(dòng)電壓都是相同的。
同時(shí)，參考由圖11中的參考符號(hào)V(ON)表示的壁電壓波形，在維持放電周期PS中，為了穩(wěn)定地產(chǎn)生維持放電，施加到所選擇的放電單元的掃描電極線S1到Sm的交替維持脈沖電壓VS大于特征放電啟動(dòng)電壓的一半(即Vf/2)。
VS＞Vf/2 (1)如上所述，由于施加到掃描電極線S1到Sm的下降斜坡脈沖具有漸變的斜率并且不產(chǎn)生強(qiáng)放電，所以在正在施加該下降斜坡脈沖的同時(shí)，在保持比最低電壓Vnf大了特征放電啟動(dòng)電壓Vf的壁電壓的狀態(tài)下，放電單元的電壓隨著該漸變的斜率下降。
在施加下降斜坡脈沖之后，將放電單元保持在比下降斜坡脈沖的最低電壓Vnf大了特征放電啟動(dòng)電壓Vf的復(fù)位后的壁電壓VW。如果沒(méi)有選擇相應(yīng)的放電單元(即，如果沒(méi)有產(chǎn)生尋址放電)，就在維持放電周期PS中連續(xù)保持該復(fù)位后的壁電壓VW。
這里，可以由等式2表示復(fù)位后的壁電壓VW。
VW＝Vf-Vnf(2)在一個(gè)實(shí)施例中，為了防止在維持放電周期PS期間由于該復(fù)位后的壁電壓VW在沒(méi)有選擇的放電單元中產(chǎn)生錯(cuò)誤放電，該復(fù)位后的壁電壓VW有利地小于特征放電啟動(dòng)電壓Vf的一半。
|VW|＜Vf/2(3)在一個(gè)實(shí)施例中，在沒(méi)有選擇的放電單元中，復(fù)位后的壁電壓VW與交替維持脈沖電壓VS的總和有利地小于特征放電啟動(dòng)電壓Vf。
|VS|+VW＜Vf(4)例如，當(dāng)給沒(méi)有選擇的放電單元施加第二維持脈沖時(shí)，如果VS+VW＜Vf，就不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤放電。因?yàn)閂W＝Vf-Vnf(等式2)，所以獲得了下面的不等式5。
VS+(Vf-Vnf)＜Vf因此，Vnf＞VS(5)在一個(gè)實(shí)施例中，在復(fù)位周期PR期間施加的下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf比在維持放電周期PS期間施加的交替維持脈沖的電壓VS大。
但是，由于在復(fù)位周期PR期間施加的下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf高，所以增加了驅(qū)動(dòng)電路的制造成本并可能造成電磁干擾。
在保持施加到掃描電極S1到Sm的信號(hào)和施加到公共尋址電極的信號(hào)之間的電壓差V(S-A)的狀態(tài)下，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例減小了在復(fù)位周期PR中施加的下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf。
如圖12中所示，當(dāng)施加下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)時(shí)通過(guò)給公共尋址電極線A1到An施加偏置電壓VX，減小了下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf。
此外，如果當(dāng)施加下降斜坡脈沖(在t3和t4之間)時(shí)向公共尋址電極線A1到An施加復(fù)位偏置電壓VX，則正電荷會(huì)從公共尋址電極線A1到An放電，并且正電荷會(huì)與從掃描電極線S1到Sm放電的負(fù)電荷相互作用，由此促進(jìn)第二弱放電。
特別地，將施加到公共尋址電極線A1到An的偏置電壓VX的幅值設(shè)置為使得下降斜坡脈沖的最小電壓等于交替維持脈沖的電壓VS。因此，可以簡(jiǎn)化用于制造掃描驅(qū)動(dòng)器的電源電路，并減少該驅(qū)動(dòng)器的制造成本。
參考圖12，下降斜坡脈沖的最小電壓是VS，施加到掃描電極線S1到Sm的下降斜坡脈沖的最小電壓VS和施加到公共尋址電極線A1到An的偏置電壓VX之間的電壓差VS-VX等于或基本等于圖11的Vnf。因此，如在圖11的第三和第四波形中所示，當(dāng)開(kāi)始施加下降斜坡脈沖的最小電壓時(shí)，施加到掃描電極線S1到Sm的信號(hào)和施加到公共尋址電極A1到An的信號(hào)之間的電壓差V(S-A)等于或基本等于Vnf。
因此，當(dāng)把偏置電壓VX施加到公共尋址電極線A1到An時(shí)，如果假設(shè)施加到掃描電極線S1到Sm的下降斜坡脈沖的最小電壓是Vnf2，那么不等式5可以重寫(xiě)為等式5′。
Vnf＝VS(5′)這里，Vnf＝Vnf2-VX＝VS-VX，并可以根據(jù)下面的等式6重寫(xiě)Vnf。
|Vnf|＝|VS|+VX| (6)同時(shí)，在圖12的尋址周期PA中，當(dāng)施加掃描脈沖時(shí)，由獨(dú)立的電源電壓提供掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L并可以通過(guò)提供比掃描低電壓VSC-L大了維持脈沖的VS的電壓來(lái)施加掃描脈沖的掃描高電壓VSC-H。
VSC-H＝VSC-L+VS(7)也就是說(shuō)，掃描高電壓VSC-H和掃描低電壓VSC-L之間的電壓差等于或基本上等于維持脈沖的電壓VS。因此，可以不用用于提供掃描高電壓VSC-H的獨(dú)立的電壓源，而是通過(guò)將維持脈沖的電壓VS增加到掃描脈沖的掃描低電壓VSC-L上來(lái)產(chǎn)生掃描脈沖的掃描高電壓VSC-H，這有助于減少制造成本?？商鎿Q地，還可能由獨(dú)立的電壓源提供掃描高電壓VSC-H并通過(guò)從該掃描高電壓VSC-H中減去維持脈沖的電壓VS來(lái)產(chǎn)生掃描低電壓VSC-L。
此外，如果掃描高電壓VSC-H等于地電壓VG，則不需要電壓電源。
參考圖13，如果施加到公共尋址電極線A1到An的偏置電壓VX等于顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Va，也就是說(shuō)，如果VX＝Va，則還可以減少尋址驅(qū)動(dòng)器的制造成本。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以減少所需的電壓電平的數(shù)量，并因此可以減少PDP驅(qū)動(dòng)器的制造成本。
同時(shí)，如果在復(fù)位周期PR中VT1＝VT2＝VS和Vnf2＝VS(等式5′)而在尋址周期PA中VSC-H＝VSC-L+VS，則用于驅(qū)動(dòng)PDP所需的掃描驅(qū)動(dòng)器的電壓是Vset、VSC-L(或VSC-H)和VS。這是因?yàn)閂nf2等于VS而VSC-H等于VSC-L+VS。
同時(shí)，在復(fù)位周期PR中，上升斜坡脈沖(在t2和t3之間)從維持脈沖的電壓VS上升到第一電壓(VSET+VT1＝VSET+VS)。這里，在一個(gè)實(shí)施例中，為了執(zhí)行初始放電，VSET滿足下面的不等式8。
VSET+VS＞Vf(8)當(dāng)考慮2VS＞Vf(不等式1)VSET＝VS時(shí)，檢查是否滿足不等式8。結(jié)果，當(dāng)VSET＝VS時(shí)不等式8變成了不等式1。因此，可以將VSET設(shè)置為VS并將上升斜坡脈沖的第一電壓VSET+VS設(shè)置為2VS。
(VSET+VS)＝2VS(9)這樣，在圖14中，VT1＝VT2＝VS和VSET＝VS。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的PDP具有下面的優(yōu)點(diǎn)。
第一，由于只在由障肋分割的放電單元中產(chǎn)生維持放電，所以可能防止由于帶電粒子產(chǎn)生的熒光體層的離子濺射，由此即使相同的圖像顯示很長(zhǎng)時(shí)間，也防止形成永久余像。
第二，由于從放電單元的所有側(cè)中產(chǎn)生表面放電，所以放電面積得到了擴(kuò)大。
第三，由于將從每個(gè)放電單元的所有側(cè)中產(chǎn)生的放電擴(kuò)散到放電單元的中心，所以和傳統(tǒng)技術(shù)相比，放電面積明顯加寬并且可以有效利用所有的放電單元。因此，實(shí)現(xiàn)低壓驅(qū)動(dòng)，并且明顯提高了發(fā)光效率。
第四，由于驅(qū)動(dòng)器只包括用于驅(qū)動(dòng)掃描電極線的掃描驅(qū)動(dòng)器和用于驅(qū)動(dòng)公共尋址電極線的尋址驅(qū)動(dòng)器而不用X驅(qū)動(dòng)器，所以驅(qū)動(dòng)器的制造成本明顯減少。
第五，由于維持脈沖的電壓VS等于或基本等于下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf2所以減少了施加到PDP的電壓電平的數(shù)量并因此減少了PDP驅(qū)動(dòng)電路的制造成本。
第六，由于在復(fù)位周期中以電壓VS施加上升斜坡脈沖和下降斜坡脈沖，所以下降斜坡脈沖的最小電壓Vnf2等于或基本等于維持脈沖的電壓VS。同時(shí)，由于掃描高電壓比掃描低電壓VSC-L大了維持脈沖的電壓VS，所以可以將施加到PDP的掃描驅(qū)動(dòng)器的電壓電平的數(shù)量減少到三個(gè)VSET、VSC-H(或VSC-L)和VS。此外，由于施加到公共尋址電極線的偏置電壓VX等于或基本等于顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓Va，所以可以減少尋址驅(qū)動(dòng)器的制造成本。
第七，由于在復(fù)位周期中以電壓VS施加上升斜坡脈沖和下降斜坡脈沖，所以上升斜坡脈沖的最大電壓是2VS，并且掃描高電壓比掃描低電壓VSC-L大了維持脈沖的電壓VS，可以將施加到PDP的掃描驅(qū)動(dòng)器的電壓電平的數(shù)量減少到兩個(gè)VSC-H(或VSC-L)和VS。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以減少所需電源電壓的數(shù)量并由此減少用于驅(qū)動(dòng)PDP的驅(qū)動(dòng)器的制造成本。
盡管上面的描述已經(jīng)指出如應(yīng)用到各個(gè)實(shí)施例中的本發(fā)明的新穎特征，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不偏離本發(fā)明范圍的情況下，可以在所述裝置和過(guò)程的形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種省略、替換和變更。因此，是由所附的權(quán)利要求而不是前面的描述來(lái)定義本發(fā)明的范圍。所有在權(quán)利要求的等效含義和范圍內(nèi)的變化都包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.等離子體顯示面板(PDP)，其包括第一基板和與第一基板相對(duì)的第二基板；障肋，其與第一基板和第二基板一起分割放電單元；多條公共尋址電極線，其被嵌入障肋中以便圍繞放電單元，并被延伸以橫穿放電單元；多條掃描電極線，其被嵌入障肋中以便圍繞放電單元，與公共尋址電極線分離并被延伸以在各自的放電單元處與公共尋址電極線交叉；在每個(gè)放電單元中形成的熒光體層；和在放電單元中填充的放電氣體；其中PDP被配置來(lái)由包含復(fù)位周期或?qū)ぶ分芷诤途S持放電周期的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)；以及其中，在復(fù)位周期中，將PDP配置來(lái)向掃描電極線施加上升斜坡脈沖以執(zhí)行第一初始放電和向掃描電極線施加下降斜坡脈沖以執(zhí)行第二初始放電；其中，在尋址周期中，將PDP配置來(lái)依次向維持在掃描高電壓(VSC-H)處的多條掃描電極線施加掃描脈沖的掃描低電壓(VSC-L)并選擇性地向與施加有掃描脈沖的掃描低電壓(VSC-L)的掃描電極線交叉的公共尋址電極線施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)；其中，在維持放電周期中，將PDP配置來(lái)向掃描電極線施加交替的維持脈沖；以及其中，在復(fù)位周期中，當(dāng)把下降斜坡脈沖施加到掃描電極線上時(shí)，將偏置電壓(VX)施加到公共尋址電極線，并且該下降斜坡脈沖的最小電壓(Vnf2)的幅值等于或基本等于在維持放電周期中施加的交替維持脈沖的電壓(VS)的幅值。
2.如權(quán)利要求1的PDP，其中，在復(fù)位周期中，掃描高電壓(VSC-H)和掃描低電壓(VSC-L)之間的電壓差等于或基本等于維持脈沖的電壓(VS)的幅值。
3.如權(quán)利要求2的PDP，其中，在復(fù)位周期中，當(dāng)把下降斜坡脈沖施加到掃描電極線時(shí)，將具有和顯示數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓相同的電壓的偏置電壓(Va)施加到公共尋址電極線。
4.如權(quán)利要求1的PDP，其中上升斜坡脈沖從維持脈沖的電壓(VS)上升到維持脈沖的電壓(VS)的兩倍(2VS)。
5.如權(quán)利要求1的PDP，其中當(dāng)由積累在障肋上的壁電荷產(chǎn)生的壁電壓和施加到公共尋址電極的信號(hào)和施加到掃描電極的信號(hào)之間的電壓差的總和超過(guò)了放電單元的特征放電啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，在放電單元中產(chǎn)生第一放電，并且復(fù)位周期的特征放電啟動(dòng)電壓、尋址周期的特征放電啟動(dòng)電壓和維持放電周期的特征放電啟動(dòng)電壓都是一樣的。
6.如權(quán)利要求5的PDP，其中，在維持放電周期中，施加到掃描電極線的交替維持脈沖的電壓(VS)的幅值大于特征放電啟動(dòng)電壓(Vf)的一半。
7.如權(quán)利要求5的PDP，其中在保持壁電壓的同時(shí)，在復(fù)位周期中施加到掃描電極的下降斜坡脈沖具有產(chǎn)生第二初始放電的斜率，該壁電壓比下降斜坡脈沖的電壓大了特征放電啟動(dòng)電壓(Vf)。
8.如權(quán)利要求5的PDP，其中，在終止下降斜坡脈沖之后，將放電單元保持在復(fù)位后的壁電壓(VW)處，該復(fù)位后的壁電壓(VW)比下降斜坡脈沖的最低電壓(Vnf)大了特征放電啟動(dòng)電壓(Vf)。
9.如權(quán)利要求8的PDP，其中復(fù)位后的壁電壓(VW)的幅值比特征放電啟動(dòng)電壓(Vf)的一半小。
10.如權(quán)利要求8的PDP，其中復(fù)位后的壁電壓(VW)和交替維持脈沖的電壓(VS)的總和比特征放電啟動(dòng)電壓(Vf)小。
11.如權(quán)利要求1的PDP，其中障肋由介電材料制成。
全文摘要
公開(kāi)了一種等離子體顯示面板(PDP)。該P(yáng)DP包括第一基板和與第一基板相對(duì)的第二基板；障肋，其與第一基板和第二基板一起分割放電單元，并由介電材料制成；公共尋址電極線，其被嵌入障肋中來(lái)圍繞放電單元，并被延伸以橫穿放電單元；掃描電極線，其被嵌入障肋中來(lái)圍繞放電單元，與公共尋址電極線分離，并被延伸以在各自的放電單元處和公共尋址電極線交叉；在放電單元中形成的熒光體層；以及在放電單元中填充的放電氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，PDP由包含復(fù)位周期或?qū)ぶ分芷诤途S持放電周期的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)。在本實(shí)施例中，在復(fù)位周期中，當(dāng)把下降斜坡脈沖施加到掃描電極線上時(shí)，將偏置電壓(V
文檔編號(hào)H01J11/00GK1716505SQ20051008969
公開(kāi)日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者姜景斗, 李源周 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社