專利名稱：用于修正陰極射線管圖像幾何缺陷的磁裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于修正陰極射線管屏幕上顯示的圖像中的幾何缺陷的一種磁裝置，更具體的，本發(fā)明適合于具有大曲率半徑面板的顯像管。
電子束在偏轉(zhuǎn)裝置產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)場作用下掃描顯像管屏幕，該偏轉(zhuǎn)裝置也稱為偏轉(zhuǎn)線圈，固定在顯像管的頸部，包括用于偏轉(zhuǎn)所述電子束的水平和垂直線圈。由鐵氧體材料制成的大體為截頭圓錐體形的環(huán)，通常環(huán)繞著偏轉(zhuǎn)線圈用于在合適的區(qū)域集中偏轉(zhuǎn)場。
電子槍產(chǎn)生的三束電子束必須總是會聚在顯像管屏幕上，否則經(jīng)受帶來的被稱為聚焦誤差的誤差，特別地，該誤差使色彩的重現(xiàn)失真。為了獲得三束共面電子束的聚焦，眾所周知，使用被稱為自聚集象散偏轉(zhuǎn)場的電場；在自聚集偏轉(zhuǎn)線圈中，由水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁力線通常以枕形位于顯像管屏幕邊上的前部的線圈部分中。這等于在構(gòu)成線圈的匝的分布中，在線圈的前部引入很高的安匝密度的正三次諧波。
此外，由于均勻的水平和垂直磁偏轉(zhuǎn)場的作用，電子束掃描的體積呈金字塔形，其頂點(diǎn)與偏轉(zhuǎn)線圈的偏轉(zhuǎn)中心相一致且在非球屏幕表面的交叉部分表現(xiàn)出被稱為枕形畸變的幾何缺陷。顯像管屏幕的曲率半徑越大這種圖像的幾何畸變越大。自聚集偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生象散偏轉(zhuǎn)場使得調(diào)節(jié)圖像的南/北和東/西幾何形狀成為可能，特別地，部分補(bǔ)償了南/北的枕形畸變。東/西幾何缺陷通常由與偏轉(zhuǎn)線圈相關(guān)的電路來修正。
但是，當(dāng)前向著越來越平面化，甚或是完全平面化的屏幕表面的顯像管的發(fā)展趨勢增加了圖像的幾何問題；結(jié)果，自聚集偏轉(zhuǎn)線圈不再能完全對南/北畸變進(jìn)行幾何修正，此外，東/西幾何缺陷需要更強(qiáng)的修正。
為了修正與屏幕的平直度以及顯像管裝備的自聚集偏轉(zhuǎn)裝置有關(guān)的圖像的這些枕形畸變，可以知道，要通過永磁體或者由恒定或變化電流供電的電磁線圈形式的磁修正裝置來進(jìn)行。
這些磁修正裝置通常為隔離器的前環(huán)所容納，因此，位于偏轉(zhuǎn)線圈的前束之上。但是，這些解決方法不得不產(chǎn)生更強(qiáng)的修正場并引起剩余畸變?nèi)鐖D像對稱缺陷或者影響屏幕上色彩純度的配準(zhǔn)(register)缺陷。
圖3示出放置在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)線圈前部的永磁體在垂直于所述磁體的平面里產(chǎn)生的磁力線。
圖4示出放置在根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)線圈前部的永磁體在垂直于所述磁體的平面里產(chǎn)生的磁力線。
圖5是裝有根據(jù)本發(fā)明設(shè)置的帶有修正磁體的偏轉(zhuǎn)線圈的剖面圖。
圖6描述了根據(jù)本發(fā)明放置的、與偏轉(zhuǎn)線圈的鐵氧體環(huán)相關(guān)的一對磁體透視圖。
圖7描述了本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中，修正裝置為安裝在磁心上的線圈。
偏轉(zhuǎn)線圈10包括通常由電絕緣塑料制成的隔離器3隔離的一對水平偏轉(zhuǎn)線圈1和一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈2。
大體是截頭圓錐體形狀的環(huán)4放置在偏轉(zhuǎn)線圈上，用于會聚來自陰極射線管頸部6中的電子槍5的電子束的偏轉(zhuǎn)場，所述陰極射線管的頸部大體是圓柱體形。
偏轉(zhuǎn)器10放置在顯像管向外展開的部分7上面。隔離器3通常包括前環(huán)9，特別地支撐主要為修正不可能被偏轉(zhuǎn)場的象散修正的幾何缺陷而設(shè)計(jì)的修正磁體8。磁體8通常包括，作為對稱面的包含了垂直偏轉(zhuǎn)軸Y和縱軸Z的平面P，其中縱軸Z是顯像管的主軸。
磁體與平面P的相交部分決定了包含在所述平面中的交叉部分S和點(diǎn)M，點(diǎn)M被定義為，在平面P中的坐標(biāo)My和Mz值是S的所有點(diǎn)的最小值My和最小值Mz的點(diǎn)。
如圖6所示，修正磁體8是，例如，平行六面體套管，它主要位于水平方向上并相關(guān)于平面YZ對稱。圖2所示為，沿著YZ平面剖視，沒有磁環(huán)10時，所述磁體8在該平面的不同點(diǎn)產(chǎn)生的磁場矢量20。圖3描述了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相對于磁體放置鐵磁體環(huán)10，場矢量20在方向上的改變。在平面YZ中，其中Y是環(huán)10的前端靠著的垂直線，磁體8和所述平面的交叉部分決定了表面18。此表面的每個點(diǎn)與Y軸和Z軸的坐標(biāo)相對應(yīng)。M點(diǎn)被定義為YZ平面的點(diǎn)，其中該點(diǎn)沿Y軸和Z軸的坐標(biāo)My和Mz值是表面18的所有點(diǎn)中沿相同坐標(biāo)軸的最小值。圖3給出了從M點(diǎn)出發(fā)垂直于Z的射線D1和使得角(D2，D1)等于三角法中的45°角的射線D2。這樣，鐵氧體環(huán)的前部22就完全包含在由兩條射線D1和D2所確定的平面區(qū)域內(nèi)?？瓷先ピ谶@樣的結(jié)構(gòu)中，環(huán)10嚴(yán)重地干擾了磁力線，尤其是位于環(huán)下面對應(yīng)于偏轉(zhuǎn)來自電子槍的電子束的裝置所在的區(qū)域。為了在所述的電子束上獲得同樣的效用，例如修正圖像幾何形狀，引入的鐵氧體環(huán)10包括使用具有引入對偏轉(zhuǎn)線圈前部磁場進(jìn)行擾亂的高功率磁體，此外還包括額外的生產(chǎn)費(fèi)用。
在圖4和圖5所示的本發(fā)明的實(shí)施例中，磁體8具有平行六邊形橫截面18；在磁體的對稱YZ平面中的點(diǎn)M表示了所述磁體橫截面中的該點(diǎn)的坐標(biāo)值是橫截面18沿著Y軸和Z軸的點(diǎn)的坐標(biāo)的最小值?？紤]從M出發(fā)且垂直于主軸Z的射線D1和也是從M出發(fā)并與D1成45°角的射線D2，鐵氧體環(huán)10的位置是使得位于向外展開最大位置的環(huán)的前部部分25至少部分地位于由射線D1和D2所定界的區(qū)域26之外。
如圖4所示，描述了環(huán)10的出現(xiàn)對磁體8產(chǎn)生的磁力線的影響，可以看到，在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，在偏轉(zhuǎn)電子槍的電子束的區(qū)域中，位于所述鐵氧體環(huán)下方的區(qū)域的磁力線相對磁體8單獨(dú)產(chǎn)生的磁力線本質(zhì)上沒有改變。這樣，就可以使用便宜些的和對水平和垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)場影響小一些的低功率的磁體。
此外，注意到此結(jié)構(gòu)，直線D2與環(huán)10的端部22相交，也就是說此結(jié)構(gòu)中磁體8和環(huán)10的向外展開的前端和垂直于縱軸Z的方向成45°角，該結(jié)構(gòu)對應(yīng)于尋求修正圖像幾何特性的正面影響與對水平和垂直偏轉(zhuǎn)場的干擾影響之間的折中的最優(yōu)結(jié)構(gòu)。
磁體8也可以等效的具有圓的、方的或者長方形的橫截面。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)，磁體8可以被放置在6H和12H，如圖6所示，特別地，這是為了修正南/北幾何缺陷，或者放置在3H和9H以用于修正東/西幾何缺陷。
在圖7所示的另一實(shí)施例中，此磁性修正裝置是線圈30，該線圈包括大體位于與偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的縱軸Z垂直的平面中的磁心31，所述線圈被放置在6H-12H或者3H-9H；如果修正模式是靜態(tài)的，流經(jīng)線圈30的電流就是恒定電流，產(chǎn)生靜態(tài)修正場；在修正模式是動態(tài)的情況下，修正電流是變化的以及例如可以與水平或者垂直偏轉(zhuǎn)電流成比例。
在所描述的實(shí)施例中，環(huán)10是具有大體為圓形的前部區(qū)域22的截頭圓錐體形，使得所述環(huán)軸對稱以及使得制造更為容易且降低生產(chǎn)費(fèi)用。但是，此結(jié)構(gòu)并不局限于此，例如，為了更好地和顯像管尾部封裝的向外展開的形狀相吻合來最小化偏轉(zhuǎn)能量，向外展開的前部的形狀也可能是方形的或者橢圓的。
權(quán)利要求
1.一種用于陰極射線管的偏轉(zhuǎn)線圈，所述陰極射線管包括一對水平偏轉(zhuǎn)線圈(1)和一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈(2)，兩對線圈由隔離器(3)相互隔離，至少部分覆蓋偏轉(zhuǎn)線圈并有向外展開的前部的鐵氧體環(huán)(10)，所述偏轉(zhuǎn)線圈包括，在它的前部區(qū)域的至少一對磁修正裝置(8，30，31)，用來局部改變偏轉(zhuǎn)線圈在所述前部區(qū)域中產(chǎn)生的磁場，其特征在于磁裝置被安排在空間中使得平面(P)包含偏轉(zhuǎn)線圈的縱軸(Z)和磁裝置的對稱軸(Y)，平面(P)上的點(diǎn)M對應(yīng)于沿Y軸和Z軸的坐標(biāo)My和Mz的值是所述裝置與平面(P)相交部分的點(diǎn)沿相同軸的坐標(biāo)的最小值的點(diǎn)。環(huán)與(P)的相交部分至少部分地在它的前部中，，位于由通過M與Z垂直的射線(D1)和通過M與(D1)成45°角的射線(D2)所限定的區(qū)域之外。
2.按照前一權(quán)利要求所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于這對裝置的磁裝置為纏繞在磁心(31)上的線圈(30)。
3.按照權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于這對裝置的磁裝置為永磁體(8)。
4.按照前一權(quán)利要求所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于射線(D2)與鐵氧體環(huán)的前面部分(22)相交。
5.按照權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于磁裝置放置在6H和12H。
6.按照權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于環(huán)的形狀是對稱的。
7.一種包括按照以上任一權(quán)利要求所述的偏轉(zhuǎn)線圈的陰極射線管。
全文摘要
用于陰極射線管南/北幾何修正的一種偏轉(zhuǎn)線圈，所述陰極射線管包括一對水平偏轉(zhuǎn)線圈(3)和一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈(4)，兩對線圈由隔離器(2)相互隔離；至少部分覆蓋偏轉(zhuǎn)線圈并有向外展開的前部的鐵氧體環(huán)(5)，所述偏轉(zhuǎn)線圈包括，在它的前部區(qū)域的至少一對磁裝置，用來局部改變在所述前部區(qū)域中的磁場并修正顯示在顯像管屏幕上的圖像的幾何形狀，磁裝置被安排在空間中使得平面(P)包含偏轉(zhuǎn)線圈的縱軸(Z)和磁裝置的對稱軸(Y)，平面(P)上的點(diǎn)M對應(yīng)所述裝置最小坐標(biāo)的點(diǎn)。環(huán)與(P)的相交部分至少部分地在它的前部中，位于由通過M與Z垂直的射線(D1)和通過M與(D1)成45°角的射線(D2)所限定的區(qū)域之外。
文檔編號H01J29/76GK1447377SQ03108288
公開日2003年10月8日 申請日期2003年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月27日
發(fā)明者納塞爾丁·阿齊, 塞利娜·科蘇, 塞巴斯蒂安·沃拉蒂耶 申請人:湯姆森許可貿(mào)易公司