Euv光源和曝光裝置、校準(zhǔn)裝置和校準(zhǔn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種EUV光源和曝光裝置、校準(zhǔn)裝置和校準(zhǔn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光刻(photolithography)是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟是利用曝光工藝和顯影工藝在光刻膠層中形成光刻圖形。然而，隨著芯片的集成度的不斷提高，這就要求光刻的特征尺寸不斷減小
[0003]曝光裝置的分辨率(R)決定了光刻的最小特征尺寸，曝光系統(tǒng)的分辨率(R)滿足關(guān)系式:R = ?α/(NA)，其中k是與曝光工藝相關(guān)的系數(shù)，λ為曝光光源的波長(zhǎng)，NA為曝光裝置的光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。由前述關(guān)系式可知，可以通過(guò)兩種途徑提高曝光裝置的分辨率:一種是增加光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑；另外一種是減小曝光光源的波長(zhǎng)。
[0004]研究人員曾經(jīng)嘗試通過(guò)增加光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的方法來(lái)提高分辨率，但是由于下一代光刻技術(shù)對(duì)最小特征尺寸存在非?？量痰囊?，需要光學(xué)提供具有非常大的數(shù)值孔徑，這不僅使得光刻系統(tǒng)的制備和調(diào)制變得異常復(fù)雜，而且數(shù)值孔徑的增大對(duì)光學(xué)系統(tǒng)的焦深有較大的限制。
[0005]因而，研究人員開始考慮另外一種方式也即減小曝光光源波長(zhǎng)的方式來(lái)提高分辨率，極紫外(extreme ultrav1let, EUV)光源是最新發(fā)展起來(lái)的光源,極紫外光源產(chǎn)生的曝光光線的波長(zhǎng)為13.5納米或更小，將極紫外光源應(yīng)用于曝光系統(tǒng)時(shí)，能獲得很小的光刻特征尺寸。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生極紫外光的主流方式是激光產(chǎn)生等離子體輻射方式(LaserProduced Plasma, LPP),該方式的原理是:激光源產(chǎn)生激光束轟擊錫(Sn)祀材，由此激發(fā)等離子體，等離子向外輻射極紫外光。
[0007]現(xiàn)有的極紫外光源的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖1，包括，錫滴噴嘴101，所述錫滴噴嘴101間隔的向下方噴吐錫滴102 ;激光源103，所述激光源103適于產(chǎn)生激光束104，所述激光束104經(jīng)過(guò)透鏡單元105匯聚后，轟擊錫滴102，被轟擊的錫滴102產(chǎn)生等離子體，等離子體輻射產(chǎn)生極紫外光108 ;聚光鏡107，所述聚光鏡107用于收集輻射的極紫外光108，并將輻射的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)109。
[0008]但是現(xiàn)有的極紫外光源產(chǎn)生的極紫外光的功率仍較小，不能滿足生產(chǎn)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明解決的問題是怎樣提高極紫外光源產(chǎn)生的極紫外光的功率。
[0010]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種EUV光源，包括:液滴陣列，所述液滴陣列包括沿直線掃描方向排布的若干噴嘴，若干噴嘴適于依次向下方的福射位置噴吐液滴；激光源，適于產(chǎn)生激光束，并使激光束沿直線掃描方向掃描，交替的轟擊到達(dá)輻射位置的液滴，液滴受到第一激光束或第二激光束轟擊時(shí)形成等離子體，等離子體輻射極紫外光；聚光器，所述聚光器包括聚光鏡和與聚光鏡連接的第一驅(qū)動(dòng)裝置，第一驅(qū)動(dòng)裝置適于驅(qū)動(dòng)所述聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，使得聚光鏡收集輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，所述聚光鏡具有橢球型的反射面，所述聚光鏡包括沿旋轉(zhuǎn)掃描方向分布的第一側(cè)邊緣區(qū)域、中間區(qū)域和第二側(cè)邊緣區(qū)域，第一側(cè)邊緣區(qū)域和第二側(cè)邊緣區(qū)域分別位于中間區(qū)域的兩側(cè)，所述第一側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型內(nèi)側(cè)偏移的第一偏移量，第二側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型外側(cè)偏移的第二偏移量。
[0011]可選的，所述噴嘴的數(shù)量大于等于2個(gè)。
[0012]可選的，所述若干噴嘴沿直線掃描方向依次包括第一噴嘴、第二噴嘴、第三噴嘴……第N(N ^ 3)噴嘴，在第一噴嘴噴吐第一液滴后，第二噴嘴噴滯后于第一噴嘴第一時(shí)間噴吐第二液滴，第三噴嘴滯后于第二噴嘴第一時(shí)間噴吐第三液滴……第N噴嘴滯后于第N-1噴嘴第一時(shí)間噴吐第N液滴，一個(gè)第一液滴和相鄰的一個(gè)第二液滴、一個(gè)第三液滴……一個(gè)第N液滴構(gòu)成一排液滴。
[0013]可選的，所述第一噴嘴在噴吐第一滴第一液滴后，間隔第二時(shí)間噴吐第二滴第一液滴，第二噴嘴在噴吐第一滴第二液滴后，間隔第二時(shí)間噴吐第二滴第二液滴，第三噴嘴在噴吐第一滴第三液滴后，間隔第二時(shí)間噴吐第二滴第三液滴……第N噴嘴在噴吐第一滴第N液滴后，間隔第二時(shí)間噴吐第二滴第N液滴,第一滴第一液滴、第一滴第二液滴、第一滴第三液滴......第一滴第N液滴構(gòu)成第一排液滴,第二滴第一液滴、第二滴第二液滴、第二滴第三液滴......第二滴第N液滴構(gòu)成第一排液滴構(gòu)成第二排液滴。
[0014]可選的，所述激光源包括激光器、反射鏡和第二驅(qū)動(dòng)裝置，所述反射鏡包括第一反射鏡和第二反射鏡，第二驅(qū)動(dòng)裝置包括第三子驅(qū)動(dòng)裝置和第四子驅(qū)動(dòng)裝置，所述第一反射鏡位于第二反射鏡上方，第一反射鏡反射部分激光束，形成第一激光束，第三子驅(qū)動(dòng)裝置與第一反射鏡連接，第三子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)第一反射鏡旋轉(zhuǎn)，使得第一激光束沿直線掃描方向掃描；第二反射鏡反射部分激光束，形成第二激光束，所述第四子驅(qū)動(dòng)裝置與第二反射鏡連接，所述第四子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)第二反射鏡旋轉(zhuǎn)，使得第二激光束沿直線掃描方向掃描，所述第一激光束和第二激光束沿直線掃描方向掃描時(shí)，所述第一激光束和第二激光束依次交替的轟擊到達(dá)輻射位置的不同排的液滴。
[0015]可選的，所述聚光鏡包括分離的上部分聚光鏡和下部分聚光鏡，上部分聚光鏡位于下部分聚光鏡上方，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置包括第一子驅(qū)動(dòng)裝置和第二子驅(qū)動(dòng)裝置，所述第一子驅(qū)動(dòng)裝置與上部分聚光鏡連接，適于驅(qū)動(dòng)上部分聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，使得上部分聚光鏡收集被第一激光束轟擊時(shí)輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，所述第二子驅(qū)動(dòng)裝置與下部分聚光鏡連接，適于驅(qū)動(dòng)下部分聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，使得下部分聚光鏡收集被第二激光束轟擊時(shí)輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)。
[0016]可選的，所述聚光鏡包括分離的上部分聚光鏡和下部分聚光鏡，上部分聚光鏡位于下部分聚光鏡上方，所述上部分聚光鏡包括分離的至少兩個(gè)第一子聚光鏡，所述下部分聚光鏡包括分立的至少兩個(gè)第二子聚光鏡，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置包括至少兩個(gè)第一子驅(qū)動(dòng)裝置和至少兩個(gè)第二子驅(qū)動(dòng)裝置，每個(gè)第一子驅(qū)動(dòng)裝置與一個(gè)第一子聚光鏡連接，每個(gè)第二子驅(qū)動(dòng)裝置與一個(gè)第二子聚光鏡連接，所述至少兩個(gè)第一子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的至少兩個(gè)第一子聚光鏡同步旋轉(zhuǎn)掃描，使得上部分聚光鏡收集被第一激光束轟擊時(shí)輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，所述至少兩個(gè)第二子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的至少兩個(gè)第二子聚光鏡同步旋轉(zhuǎn)掃描，使得下部分聚光鏡收集被第二激光束轟擊時(shí)輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)。
[0017]本發(fā)明還提供了一種曝光裝置，其特征在于，包括上述所述的EUV光源。
[0018]本發(fā)明還提供了一種EUV光源的聚光鏡的偏移量校準(zhǔn)裝置，包括:位于輻射位置的發(fā)光體，所述發(fā)光體具有沿直線掃描方向排布的若干發(fā)光源，若干發(fā)光源適于向外依次發(fā)射光線；聚光鏡載臺(tái)，適于裝載待校準(zhǔn)的聚光鏡，并驅(qū)動(dòng)所述待校準(zhǔn)的聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，使得待校準(zhǔn)的聚光鏡的橢球型反射面收集發(fā)光源發(fā)射的光線，并將收集的光線反射匯聚于中心焦點(diǎn)；位于中心焦點(diǎn)處的陣列探測(cè)器，陣列探測(cè)器具有標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)，陣列探測(cè)器的標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)與中心焦點(diǎn)重合，所述陣列探測(cè)器適于檢測(cè)聚光鏡反射的光線，獲得檢測(cè)光斑，并判斷檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中間點(diǎn)的位置差異。
[0019]可選的，所述發(fā)光源為光纖，所述光纖頂部具有45°傾斜角的斜面，光纖內(nèi)傳輸?shù)墓饨?jīng)過(guò)45°傾斜角的反射面反射后向橢球型反射面的方向發(fā)射。
[0020]可選的,所述光纖包括纖芯和包圍纖芯的包層,所述纖芯的直徑為2?10微米,光纖的數(shù)量等于噴嘴的數(shù)量，相鄰光纖之間的距離等于相鄰噴嘴之間的距離。
[0021]可選的，所述陣列探測(cè)器為CXD或CMOS圖像傳感器，所述CXD或CMOS圖像傳感器包括若干行列排布的像素單元，每個(gè)陣列像素單元的直徑小于檢測(cè)光斑的直徑。
[0022]本發(fā)明還提供給了一種EUV光源的聚光鏡的偏移量的校準(zhǔn)方法，包括:提供待校準(zhǔn)的聚光鏡，所述待校準(zhǔn)的聚光鏡具有橢球型反射面，所述待校準(zhǔn)的聚光鏡包括沿旋轉(zhuǎn)掃描方向分布的第一側(cè)邊緣區(qū)域、中間區(qū)域和第二側(cè)邊緣區(qū)域，第一側(cè)邊緣區(qū)域和第二側(cè)邊緣區(qū)域分別位于中間區(qū)域的兩側(cè)；在輻射位置設(shè)置發(fā)光體，所述發(fā)光體具有沿直線掃描方向排布的若干發(fā)光源，發(fā)光源適于向待校準(zhǔn)的聚光鏡的橢球型反射面發(fā)射光線；在中心焦點(diǎn)位置設(shè)置陣列探測(cè)器，陣列探測(cè)器具有標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)，陣列探測(cè)器的標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)與中心焦點(diǎn)重合，所述陣列探測(cè)器適于檢測(cè)待校準(zhǔn)的聚光鏡的橢球型反射面反射的光線；
[0023]將所述待校準(zhǔn)的聚光鏡的第一側(cè)邊緣區(qū)域設(shè)置向橢球型內(nèi)側(cè)偏移的第一測(cè)試偏移量，將所述聚光鏡的第二側(cè)邊緣區(qū)域設(shè)置向橢球型外側(cè)偏移的第二測(cè)試偏移量；
[0024]若干發(fā)光源沿直線掃描方向依次發(fā)光；
[0025]待校準(zhǔn)的聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，收集發(fā)光源發(fā)射的光，并將收集的發(fā)射光反射匯聚于中心焦點(diǎn)出的陣列探測(cè)器；
[0026]陣列探測(cè)器檢測(cè)聚光鏡反射的反射光，獲得檢測(cè)光斑，判斷檢測(cè)檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間是否存在位置差異，若檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間不存在位置差異，則結(jié)束；若檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間存在位置差異，則調(diào)整第一測(cè)試偏移量和第二測(cè)試偏移量的大小，繼續(xù)進(jìn)行發(fā)光源依次發(fā)光、待校準(zhǔn)的聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描、陣列探測(cè)器檢測(cè)光的強(qiáng)度的步驟，直至獲得的檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間不存在位置差異。
[0027]可選的，所述發(fā)光源為光纖，所述光纖頂部具有45°傾斜角的斜面，光纖內(nèi)傳輸?shù)墓饨?jīng)過(guò)45°傾斜角的反射面反射后向橢球型反射面的方向發(fā)射。
[0028]可選的,所述光纖包括纖芯和包圍纖芯的包層,所述纖芯的直徑為2?10微米,光纖的數(shù)量等于噴嘴的數(shù)量，相鄰光纖之間的距離等于相鄰噴嘴之間的距離。
[0029]可選的，所述陣列探測(cè)器為CXD或CMOS圖像傳感器，所述CXD或CMOS圖像傳感器包括若干行列排布的像素單元，每個(gè)陣列像素單元的直徑小于檢測(cè)光斑的直徑。
[0030]可選的，所述像素單元的直徑為I?10微米，檢測(cè)光斑的直徑為70?100微米。[0031 ] 可選的，檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間不存在位置差異的判斷標(biāo)準(zhǔn)為:檢測(cè)光斑的中心與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)的中心重合，或者檢測(cè)光斑的中心與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)的中心之間的距離值小于8微米。
[0032]可選的，檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間存在位置差異的判斷標(biāo)準(zhǔn)為:檢測(cè)光斑的中心與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)的中心之間的距離值大于8微米。
[0033]可選的，調(diào)整第一測(cè)試偏移量和第二測(cè)試偏移量的大小方式包括:增大或者減小第一測(cè)試偏移量和第二測(cè)試偏移量的大小。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0035]本發(fā)明的EUV光源包括液滴陣列，所述液滴陣列包括沿直線掃描方向排布的若干噴嘴，若干噴嘴適于依次向下方的輻射位置噴吐液滴；激光源，適于產(chǎn)生激光束，并使激光束沿直線掃描方向掃描，交替的轟擊到達(dá)輻射位置的液滴，液滴受到第一激光束或第二激光束轟擊時(shí)形成等離子體，等離子體輻射極紫外光；聚光器，所述聚光器包括聚光鏡和與聚光鏡連接的第一驅(qū)動(dòng)裝置，第一驅(qū)動(dòng)裝置適于驅(qū)動(dòng)所述聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，使得聚光鏡收集輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，所述聚光鏡具有橢球型的反射面，所述聚光鏡包括沿旋轉(zhuǎn)掃描方向分布的第一側(cè)邊緣區(qū)域和與第一側(cè)邊緣區(qū)域相對(duì)的第二側(cè)邊緣區(qū)域，所述第一側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型內(nèi)側(cè)偏移的第一偏移量，所述聚光鏡的第二側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型外側(cè)偏移的第二偏移量。所述液滴陣列包括若干噴嘴，若干噴嘴依次向下方的輻射位置噴吐液滴，增加了單位時(shí)間內(nèi)的液滴的供應(yīng)量，不同噴嘴依次噴吐液滴保證了相鄰液滴之間具有一定的距離，并且激光束沿直線掃描方向掃描，依次轟擊到達(dá)輻射位置的液滴，形成極紫外光，因而不會(huì)浪費(fèi)到達(dá)輻射位置的任何液滴，形成的極紫外光的量增多，同時(shí)，聚光器旋轉(zhuǎn)掃描并同時(shí)收集不同液滴形成的等離子體輻射的極紫外光，并將收集的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，使得中心焦點(diǎn)處輸出的極紫外光的功率增加，另外所述聚光鏡的所述第一側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型內(nèi)側(cè)偏移的第一偏移量，所述聚光鏡的第二側(cè)邊緣區(qū)域具有向橢球型外側(cè)偏移的第二偏移量，在聚光鏡的旋轉(zhuǎn)掃描過(guò)程中，所述第一偏移量能補(bǔ)償聚光鏡的第一側(cè)邊緣區(qū)域向橢球性外側(cè)方向的彈性形變，所述第二偏移量能補(bǔ)償所述聚光鏡的第二側(cè)邊緣區(qū)域向橢球性內(nèi)側(cè)方向的彈性形變，使得聚光鏡在掃描的過(guò)程中能夠保持理想的橢球面，從而將收集的極紫外光在橢球性反射面上反射后匯聚于同一中心焦點(diǎn)，增加了中心焦點(diǎn)處輸出的極紫外光的功率。
[0036]進(jìn)一步，本發(fā)明的EUV光源的聚光鏡包括分離的上部分聚光鏡和下部分聚光鏡，上部分聚光鏡位于下部分聚光鏡上方，所述上部分聚光鏡包括分離的至少兩個(gè)第一子聚光鏡，所述下部分聚光鏡包括分立的至少兩個(gè)第二子聚光鏡，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置包括至少兩個(gè)第一子驅(qū)動(dòng)裝置和至少兩個(gè)第二子驅(qū)動(dòng)裝置，每個(gè)第一子驅(qū)動(dòng)裝置與第一子聚光鏡連接，每個(gè)第二子驅(qū)動(dòng)裝置與第二子聚光鏡連接，使得第一子驅(qū)動(dòng)單元和第二子驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)的第一子聚光鏡和第二子聚光鏡的面積和質(zhì)量均可以較小，因而驅(qū)動(dòng)力可以很快的傳輸?shù)降谝蛔泳酃忡R和第二子聚光鏡的各個(gè)位置，第一子聚光鏡和第二子聚光鏡各個(gè)位置在旋轉(zhuǎn)時(shí)啟動(dòng)時(shí)間是一致的，不會(huì)存在某一位置滯后啟動(dòng)的現(xiàn)象，從而使得上部分聚光鏡和下部分聚光鏡在旋轉(zhuǎn)掃描時(shí)收集的極紫外光均能匯聚于中心焦點(diǎn)，提高了中心焦點(diǎn)處的極紫外光的功率。
[0037]進(jìn)一步，反射鏡包括第一反射鏡和第二反射鏡，第二驅(qū)動(dòng)裝置包括第三子驅(qū)動(dòng)裝置和第四子驅(qū)動(dòng)裝置，所述第一反射鏡位于第二反射鏡上方，第一反射鏡反射部分激光束，形成第一激光束，第三子驅(qū)動(dòng)裝置與第一反射鏡連接，第三子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)第一反射鏡旋轉(zhuǎn)，使得第一激光束沿直線掃描方向掃描；第二反射鏡反射部分激光束，形成第二激光束，所述第四子驅(qū)動(dòng)裝置與第二反射鏡連接，所述第四子驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)第二反射鏡旋轉(zhuǎn)，使得第二激光束沿直線掃描方向掃描，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置包括第一子驅(qū)動(dòng)裝置和第二子驅(qū)動(dòng)裝置，第一子驅(qū)動(dòng)裝置與上部分聚光鏡連接，適于驅(qū)動(dòng)上部分聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，第二子驅(qū)動(dòng)裝置與下部分聚光鏡連接，適于驅(qū)動(dòng)下部分聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描。因而本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)第一激光束和第二激光束交替的轟擊相鄰排的液滴，相應(yīng)的上部分聚光鏡收集第一激光束轟擊的對(duì)應(yīng)液滴輻射的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，第二子聚光鏡收集第二激光束轟擊時(shí)的對(duì)應(yīng)液滴輻射的極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，進(jìn)一步增加了中心焦點(diǎn)出的極紫外光的功率。
[0038]本發(fā)明的EUV光源的聚光鏡的偏移量校準(zhǔn)裝置，以發(fā)光源模擬液滴被轟擊后輻射極紫外光，陣列探測(cè)器位于中心焦點(diǎn)處，適于檢測(cè)聚光鏡反射的光線，獲得檢測(cè)光斑，并判斷檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中間點(diǎn)的位置差異，通過(guò)該判斷結(jié)果，可以對(duì)聚光鏡的邊緣區(qū)域進(jìn)行偏移量的校準(zhǔn)。
[0039]進(jìn)一步,所述發(fā)光源為光纖,光纖纖芯的直徑為2?10微米，因而單個(gè)光纖可以作為點(diǎn)光源向外發(fā)射光線，以模擬EUV光源液滴在被激光轟擊后向外福射極紫外光,所述光纖的數(shù)量等于噴嘴的數(shù)量，相鄰光纖之間的距離等于相鄰噴嘴之間的距離，因而可以很好的模擬EUV光源中噴嘴噴吐的液滴到達(dá)輻射位置被轟擊的狀態(tài)。
[0040]本發(fā)明的EUV光源的聚光鏡的偏移量的校準(zhǔn)方法，將所述待校準(zhǔn)的聚光鏡的第一側(cè)邊緣區(qū)域設(shè)置向橢球型內(nèi)側(cè)偏移的第一測(cè)試偏移量，將所述聚光鏡的第二側(cè)邊緣區(qū)域設(shè)置向橢球型外側(cè)偏移的第二測(cè)試偏移量后，接著，若干發(fā)光源沿直線掃描方向依次發(fā)光，待校準(zhǔn)的聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描，收集發(fā)光源發(fā)射的光，并將收集的發(fā)射光反射匯聚于中心焦點(diǎn)出的陣列探測(cè)器，陣列探測(cè)器檢測(cè)聚光鏡反射的反射光，獲得檢測(cè)光斑，然后判斷檢測(cè)檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間是否存在位置差異，若檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間不存在位置差異，則結(jié)束；若檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間存在位置差異，則調(diào)整第一測(cè)試偏移量和第二測(cè)試偏移量的大小，繼續(xù)進(jìn)行發(fā)光源依次發(fā)光、待校準(zhǔn)的聚光鏡旋轉(zhuǎn)掃描、陣列探測(cè)器檢測(cè)光的強(qiáng)度的步驟，直至獲得的檢測(cè)光斑與標(biāo)準(zhǔn)中心點(diǎn)之間不存在位置差異，從而可以獲得較為精確的偏移值校準(zhǔn)量，將校準(zhǔn)后的聚光鏡應(yīng)用于EUV光源時(shí)，校準(zhǔn)后的聚光鏡在旋轉(zhuǎn)掃描過(guò)程中，能更好的將收集的輻射極紫外光匯聚于中心焦點(diǎn)，增加了中心焦點(diǎn)處的極紫外光的功率。
【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1為現(xiàn)有技術(shù)EUV光源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例EUV光源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖3?圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例EUV光源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的EUV光源的控制信號(hào)圖；
[0045]圖