兩層光阻剝離工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光阻剝離工藝，尤其涉及一種兩層光阻剝離工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有已知的光阻剝離工藝(lift off Litho process)為兩種:
[0003]1.采用通用lift off光阻，由光阻自身特性，形成倒梯形profile。
[0004]2.采用反轉(zhuǎn)型光阻，通過加入一次泛曝光流程，最終形成倒梯形profile。
[0005]現(xiàn)有的兩種方案都無法達到在較厚光阻厚度的情況下，光阻定義圖形的倒梯形角度〈70度，因此后制程金屬蒸鍍時，光阻側(cè)壁會被金屬包裹，無法達到lift off工藝要求。
[0006]有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種兩層光阻剝離工藝，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種兩層光阻剝離工藝，該工藝能夠調(diào)節(jié)兩層光阻之間的側(cè)向距離，避免后制程金屬蒸鍍過程中光阻側(cè)壁被金屬包裹。
[0008]本發(fā)明提出一種兩層光阻剝離工藝，其特征在于:包括以下步驟:
[0009](I)涂布第一層光阻:將wafer(晶圓)旋轉(zhuǎn)，在wafer(晶圓)的中心滴入非感光光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在wafeH晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第一層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表示第一層光阻涂布完成；
[0010](2)涂布第二層光阻:將第一次光阻涂布完成的WafeH晶圓)經(jīng)過充分冷卻后將waf er (晶圓)旋轉(zhuǎn)，在waf er (晶圓)的中心滴入普通光阻，通過旋轉(zhuǎn)的SSiwaf er (晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第二層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表示第二層光阻涂布完成；
[0011](3)將涂布好兩層光阻的wafer(晶圓)依照光罩的尺寸進行曝光；
[0012](4)將曝光完成的wafer(晶圓)放入顯影液中進行顯影；
[0013](5)通過調(diào)整顯影時間和次數(shù)，從而將兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)調(diào)整到一定范圍，保證后制程金屬蒸鍍時光阻側(cè)壁不會被金屬包裹。
[0014]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(I)中所述的第一層光阻為非感光物質(zhì)。
[0015]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(2)中所述的第二層光阻為普通光阻。
[0016]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(I)中所述固化的溫度在168±5度之間，固化時間為5分鐘。
[0017]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(2)中所述冷卻的方式為在21度的冷板上冷卻I分鐘或在室溫下冷卻半小時。
[0018]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(I)中所述第一層光阻涂布的厚度與蒸鍍金屬的厚度的比為3:2。
[0019]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(2)中所述第二層光阻涂布的厚度為滿足分辨率要求下的最小厚度。
[0020]作為本發(fā)明的進一步改進，步驟(4)中所述兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)至少為0.5um。
[0021]借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點:本發(fā)明采用涂布兩層不同光阻的方式替代現(xiàn)有l(wèi)ift off光阻，兩層光阻涂布:非感光物質(zhì)+普通光阻。第一層光阻采用非感光型物質(zhì)(不曝光即可溶于顯影液)，通過調(diào)整顯影菜單中的顯影時間和次數(shù)可以調(diào)整兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)，以滿足不同lift off工藝要求，特別是較厚金屬蒸鍍的黃光工藝，可保證后制程金屬蒸鍍時光阻側(cè)壁不會被金屬包裹，滿足I ift off工藝要求，以保證順利完成后制程金屬蒸鍍。
[0022]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
【附圖說明】
[0023]圖1為通過本發(fā)明工藝制備的晶圓表面兩層光阻的電鏡圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0025]實施例:一種兩層光阻剝離工藝，其特征在于:包括以下步驟:
[0026](I)涂布第一層光阻:將waf er (晶圓)旋轉(zhuǎn)，在waf er (晶圓)的中心滴入非感光光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在wafeH晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第一層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表示第一層光阻涂布完成；
[0027](2)涂布第二層光阻:將第一次光阻涂布完成的waf er(晶圓)經(jīng)過充分冷卻后將waf er (晶圓)旋轉(zhuǎn)，在waf er (晶圓)的中心滴入普通光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在waf er (晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第二層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表示第二層光阻涂布完成；
[0028](3)將涂布好兩層光阻的wafer(晶圓)依照光罩的尺寸進行曝光；
[0029](4)將曝光完成的wafer(晶圓)放入顯影液中進行顯影；
[0030](5)通過調(diào)整顯影時間和次數(shù)，從而將兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)調(diào)整到一定范圍，保證后制程金屬蒸鍍時光阻側(cè)壁不會被金屬包裹。
[0031 ]步驟(I)中所述的第一層光阻為非感光物質(zhì)。
[0032]步驟(2)中所述的第二層光阻為普通光阻。
[0033]步驟(I)中所述固化的溫度在168± 5度之間，固化時間為5分鐘。
[0034]步驟(2)中所述冷卻的方式為在21度的冷板上冷卻I分鐘或在室溫下冷卻半小時。
[0035]步驟(I)中所述第一層光阻涂布的厚度與蒸鍍金屬的厚度的比為3:2。
[0036]步驟(2)中所述第二層光阻涂布的厚度為滿足分辨率要求下的最小厚度。
[0037]步驟(4)中所述兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)至少為0.5um。
[0038]Overhang(第一層與第二層光阻的側(cè)向距離差)越大，光阻側(cè)壁越難被包裹，正常情況下兩層光阻厚度為1.5um左右，overhang大于0.5um時第二層光阻的側(cè)壁就不會被蒸鍍的金屬包裹。
[0039]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種兩層光阻剝離工藝，其特征在于:包括以下步驟: (1)涂布第一層光阻:將wafer(晶圓)旋轉(zhuǎn)，在WafeH晶圓)的中心滴入非感光光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在wafer(晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第一層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表示第一層光阻涂布完成； (2)涂布第二層光阻:將第一次光阻涂布完成的wafeH晶圓)經(jīng)過充分冷卻后將wafer(晶圓)旋轉(zhuǎn)，在wafer(晶圓)的中心滴入普通光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在wafeH晶圓)表面均勻覆蓋一層一定厚度的第二層光阻，涂布完成后，將wafer(晶圓)送入熱板進行固化，固化完成后表不弟一■層光阻涂布完成； (3)將涂布好兩層光阻的wafer(晶圓)依照光罩的尺寸進行曝光； (4)將曝光完成的wafer(晶圓)放入顯影液中進行顯影； (5)通過調(diào)整顯影時間和次數(shù)，從而將兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)調(diào)整到一定范圍，保證后制程金屬蒸鍍時光阻側(cè)壁不會被金屬包裹。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(I)中所述的第一層光阻為非感光物質(zhì)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(2)中所述的第二層光阻為普通光阻。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(I)中所述固化的溫度在168 土 5度之間，固化時間為5分鐘。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(2)中所述冷卻的方式為在21度的冷板上冷卻I分鐘或在室溫下冷卻半小時。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(I)中所述第一層光阻涂布的厚度與蒸鍍金屬的厚度的比為3:2。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(2)中所述第二層光阻涂布的厚度為滿足分辨率要求下的最小厚度。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的兩層光阻剝離工藝，其特征在于:步驟(4)中所述兩層光阻之間的側(cè)向距離(overhang)至少為0.5um。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種兩層光阻剝離工藝，包括以下步驟：將晶圓旋轉(zhuǎn)，在晶圓的中心滴入非感光光阻，通過旋轉(zhuǎn)的方式在晶圓表面均勻覆蓋一層一定厚度的非感光光阻，涂布完成后，將晶圓送入熱板進行固化，固化完成后表示第一層光阻涂布完成；將第一次光阻涂布完成的晶圓經(jīng)過充分冷卻后用第一層光阻的旋涂方式涂布第二層光阻，涂布完成后；將涂布好兩層光阻的晶圓依照光罩的尺寸進行曝光；放入顯影液中進行顯影，通過調(diào)整顯影時間和次數(shù)，從而將兩層光阻之間的側(cè)向距離調(diào)整到一定范圍，保證后制程金屬蒸鍍時光阻側(cè)壁不會被金屬包裹。該工藝能夠通過調(diào)整顯影時間和次數(shù)來調(diào)節(jié)兩層光阻之間的側(cè)向距離，避免后制程金屬蒸鍍過程中光阻側(cè)壁被金屬包裹。
【IPC分類】G03F1/50, G03F7/42
【公開號】CN105573050
【申請?zhí)枴緾N201510976267
【發(fā)明人】居碧玉
【申請人】蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月23日