一種陣列基板及制作方法、一種顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括：位于陣列基板邊緣的第一金屬區(qū)域，與公共電極線或者公共電極電性連接；位于陣列基板邊緣、且與所述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)且絕緣的第二金屬區(qū)域，用于接入穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為一固定電壓；所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域形成至少一電容。本發(fā)明通過在液晶面板內(nèi)部形成電容，電容的一個電極和Vcom相連，電容的另外一個電極和另一個電壓(包括接地)相連，從而達(dá)到可以獲得更加穩(wěn)定的像素公共電極電壓的技術(shù)效果。
【專利說明】一種陣列基板及制作方法、一種顯不裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及制作方法和一種顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中層晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。
[0003] TFT-IXD由于其低成本、高良率以及良好的顯示效果，使得其在中小尺寸領(lǐng)域，占 據(jù)著絕大部分的市場份額。盡管TFT-LCD的工藝已經(jīng)日漸成熟，但畫面品質(zhì)仍需要不斷提 高，以滿足消費(fèi)者的挑剔需求。
[0004] 現(xiàn)有的液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在陣列基板與彩膜基板 之間的液晶。液晶顯示裝置中通過在PCBA上Vcom產(chǎn)生單元處添加接地電容對供給陣列基 板的Vcom電壓進(jìn)行穩(wěn)壓，經(jīng)過所述接地電容穩(wěn)壓后的Vcom電壓通過走線（PCBA上布線、 PCBA和C0F之間bonding連接、C0F上走線、C0F和液晶顯示面板之間bonding、液晶顯示面 板上布線）和液晶面板內(nèi)部的公共電極線相連；即：從PCBA上Vcom產(chǎn)生單元處與液晶顯示 面板內(nèi)部公共電極線之間存在電阻R;液晶面板中，由于數(shù)據(jù)線、柵極線同公共電極線存在 耦合，Vcom電壓往往因為耦合而產(chǎn)生擾動，又稱噪音（ n〇ise/ripple);若受擾動的 Vcom電 壓不能迅速恢復(fù)，則會廣生液晶顯不面板顯不幽面顫動（flicker)或者泛綠（greenish)等 不良；此時驅(qū)動擾動后Vcom電壓恢復(fù)穩(wěn)定值是由PCBA上的Vcom產(chǎn)生單元及其周圍的接地 電容共同完成，但因為所述電阻R的存在，大大降低Vcom產(chǎn)生單元及其所連接的接地電容 維持Vcom穩(wěn)定的能力。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] (―)技術(shù)問題
[0006]本發(fā)明要解決的問^題是：Vcom產(chǎn)生單元及與其連接的接地電容維持Vcom穩(wěn)定的 能力較差，導(dǎo)致液晶面板顯示畫面flicker或者greenish等不良。
[0007] (二）技術(shù)方案
[0008] 本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括：
[0009]位于陣列基板邊緣的第一金屬區(qū)域，與公共電極線或者公共電極電性連接；
[0010]位于陣列基板邊緣、且與所述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)且絕緣的第二金屬區(qū)域，用于 接入穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為一固定電壓；
[0011]所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域形成至少一電容。
[0012]可選的，所述第一金屬區(qū)域由柵金屬層制成，所述第二金屬區(qū)域由源漏金屬層制 成。
[0013]可選的，所述第一金屬區(qū)域包括至少兩個第一子金屬區(qū)域，所述第一子金屬區(qū)域 之間通過第一連接線電性連接或者直接電性連接，所述第二金屬區(qū)域包括至少兩個第二子 金屬區(qū)域，所述第二子金屬區(qū)域之間通過第二連接線電性連接或者直接電性連接。一
[0014] 可選的，所述第一連接線由公共電極ιτο層或者源漏金屬層制成。
[0015] 可選的，所述第二連接線由像素電極ΙΤ0層制成。
[0016] 可選的，所述穩(wěn)壓電壓為接地電壓或由一電源提供的固定電壓。
[0017] 可選的，所述第一金屬區(qū)域通過過孔與所述公共電極線或公共電極電性連接，或 者，所述第一金屬區(qū)域與所述公共電極線直接電性連接或通過連接線電性連接。
[0018] 本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其除了包括前面所述的陣列基板，還包括一公共電 極電壓產(chǎn)生單元，用于向公共電極提供電壓。
[0019] 本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：
[0020] 在透明基板上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括位于陣列基板邊緣的第一金 屬區(qū)域；
[0021] 在所述第一金屬層上形成絕緣層；
[0022] 在所述絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括與所述第一金屬區(qū)域?qū)?yīng) 且絕緣的第二金屬區(qū)域。
[0023] 可選的，在透明基板上形成第一金屬層包括：
[0024] 在透明基板上形成第一金屬薄膜；
[0025]利用構(gòu)圖工藝由所述第一金屬薄膜制作柵極、柵線、公共電極線和第一金屬區(qū)域。
[0026] 可選的，在絕緣層上形成第二金屬層具體包括：
[0027] 在絕緣層上形成第二金屬薄膜；
[0028] 利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極和第二金屬區(qū)域。
[0029] 可選的，在絕緣層上形成第二金屬層具體包括：
[0030] 在絕緣層上形成第二金屬薄膜；
[0031]利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極、第一連接線和第二金屬區(qū)域， 其中所述第一連接線用于連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第 一子金屬區(qū)域。
[0032] 可選的，該方法在形成絕緣層和形成第二金屬層之間還包括在絕緣層上形成第一 透明導(dǎo)電層的步驟，該步驟包括：
[0033] 在所述絕緣層上制作過孔；
[0034] 在制作過孔后的絕緣層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜；
[0035] 通過構(gòu)圖工藝由所述第一透明導(dǎo)電薄膜制作公共電極、第一連接線，所述第一連 接線通過所述過孔連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第一子金 屬區(qū)域。
[0036]可選的，該方法在形成第二金屬層后還包括：
[0037] 形成鈍化層；
[0038] 在所述鈍化層上制作過孔；
[0039]在制作過孔后的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電層，具體包括：在制作過孔后的鈍化 層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜；通過構(gòu)圖工藝由所述第二透明導(dǎo)電薄膜制作像素電極ΙΤ0、 第二連接線，所述第二連接線用于連接所述第二金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少 兩個第二子金屬區(qū)域。
[0040](三）技術(shù)效果
[0041] 本發(fā)明通過在液晶面板內(nèi)部形成電容，電容的一個電極和Vcom相連，電容的另外 一個電極和另一個電壓（包括接地）相連，從而達(dá)到可以獲得更加穩(wěn)定的像素公共電極電 壓的技術(shù)效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0042] 圖1為本發(fā)明實施例提出的穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)；
[0043] 圖2-a至圖2-e為本發(fā)明實施例提出的用于ADS顯示類型的顯示裝置的陣列基板 的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0044] 本發(fā)明實施例提供的陣列基板適用于各種顯示類型的液晶顯示裝置。液晶顯示 裝置利用電場控制光透性以顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向，將液晶顯示裝置大致分 為垂直電場驅(qū)動型和水平電場驅(qū)動型。垂直電場驅(qū)動型液晶顯示裝置在上下基板上彼此 相對設(shè)置公共電極和像素電極，在所述公共電極和像素電極之間形成垂直的電場以驅(qū)動液 晶，如TN(Twist Nematic，扭曲向列）型、VA(Verical Alignment，多疇垂直取向）型液晶 顯示裝置。水平電場驅(qū)動型液晶顯示裝置在下基板上設(shè)置公共電極和像素電極，在所述公 共電極和像素電極之間形成水平的電場以驅(qū)動液晶，如ADS (Advanced-Super Dimensional Switching,高級超維場開關(guān)）型、IPS(In Plane Switch,橫向電場效應(yīng)）型液晶顯示裝置。 [0045] 不管哪種類型的液晶顯示裝置，液晶面板像素顯示的灰階取決于像素電極和公共 電極所加電壓的壓差；通常情況下，維持液晶層一個電極的電壓穩(wěn)定，該電極也稱為公共電 極；液晶層另外一個電極稱為像素電極，通過改變像素電極的電壓來決定像素顯示的灰階。 本發(fā)明通過對陣列基板進(jìn)行改進(jìn)，在陣列基板內(nèi)部形成電容，給電容的一個電極提供公共 電壓（該電極連接公共電極線或者公共電極），另一電極提供另一電壓，從而實現(xiàn)更加穩(wěn)定 的公共電極電壓的效果。
[0046] 具體地，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：
[0047] 位于陣列基板邊緣的第一金屬區(qū)域，與公共電極線或者公共電極電性連接；
[0048] 位于陣列基板邊緣、且與所述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)的第二金屬區(qū)域，用于接入穩(wěn) 壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為一固定電壓；
[0049] 所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域形成至少一電容。
[0050] 本發(fā)明通過在液晶面板內(nèi)部形成電容，此電容能夠起到現(xiàn)有技術(shù)中Vcom產(chǎn)生單 元所接的位于液晶面板外部的接地電容的作用，從而能夠減少或者替代所述接地電容。而 且不僅如此，由于PCBA上的公共電壓產(chǎn)生單元處與液晶顯示面板內(nèi)部的公共電極線之間 存在電阻，所述接地電容維持公共電壓穩(wěn)定的能力不足，而本發(fā)明通過在液晶面板內(nèi)部形 成電容，能夠獲得更加穩(wěn)定的像素公共電極電壓的技術(shù)效果。從而解決較大噪音的像素公 共電極電壓帶來液晶面板顯不幽面有顫動（flicker)、泛綠（greenish)等不良的技術(shù)問 題。
[0051] 本發(fā)明實施例中，柵金屬層、源漏金屬層均為單獨的層。"層"的含義可以是利用某 一種材料在基板上利用沉積等工藝制作出的一層薄膜；例如，在后文提到的絕緣層可以是 在透明基板上沉積SiNx (氮化硅）所制得的。"層"的含義還可以是指利用某一種材料在基 板上利用沉積等工藝制作出一層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝所形成的包含多個圖案的層結(jié)構(gòu)， 例如，上述的柵金屬層可以是指在透明基板上沉積鉬，制得金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝 形成包含柵線、柵極、第一金屬區(qū)域的層結(jié)構(gòu)；再如，上述的源漏層還可以是指在透明基板 上沉積鉬，制得金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝形成包含數(shù)據(jù)線、源極和漏極的層結(jié)構(gòu)；又 如，后文提到的絕緣層，可以根據(jù)實際需要，先在透明基板上沉積SiNx (氮化硅）制作絕緣 薄膜，再通過構(gòu)圖工藝在絕緣膜上去除部分，在特定位置形成過孔，制得絕緣層。也就是說， 在本發(fā)明實施例中，不同的層是由不同的薄膜（材料相同或者不同）形成的。
[0052] 所述的陣列基板通過設(shè)置第一金屬區(qū)域、第二金屬區(qū)域能夠形成穩(wěn)壓電路。如圖 1所示，本發(fā)明實施例1提供了一種具體形式的穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)。位于陣列基板240周邊的 第一金屬區(qū)域和相對應(yīng)的第二金屬區(qū)域形成至少一個電容2411，多個電容2411之間并聯(lián)。 優(yōu)選在陣列基板的周邊四個邊上形成電容2411。電容2411的一個電極2402(即第一金屬 區(qū)域包括的至少一個第一子金屬區(qū)域）由柵金屬層制成，電容的另一個電極2406由源漏金 屬層制成。電極2402之間通過連接線24〇 3連接，如果連接線2403和所述第一金屬區(qū)域一 起由柵金屬層構(gòu)圖形成，為了跨越柵線，連接線2403可能是間斷的，間斷的連接線還需通 過第一連接線2404(可由源漏金屬層制成）搭接。如果連接線2403由公共電極ΙΤ0層構(gòu) 圖形成，連接線2403是連續(xù)的，將多個電極 2402相互電性連接。連接線2403也可由源漏 金屬層形成，此種情況下，如果連接線2403是間斷的，可通過由像素電極ΙΤ0層制成的第二 連接線進(jìn)行搭接。電極24〇 6由源漏金屬層制成，多個電極2406可直接相互導(dǎo)通，如果多 個電極2406之間不相互導(dǎo)通，可通過由像素電極ΙΤ0層制成的第二連接線進(jìn)行搭接。電極 2406(即第二金屬區(qū)域）接入穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為接地電壓或由一電源提供的固定 電壓。電極2402 -方面通過連接線2403與公共電極線2405、像素陣列中的公共電極電性 相連，另一方面，電極24〇2通過連接線24〇 3以及陣列基板的外接線與面板外的公共電壓產(chǎn) 生單元110相連，電極2402接入公共電壓。
[0053] 在液晶面板中，由于數(shù)據(jù)線、柵極線同公共電極線存在耦合時，公共電壓因為耦合 產(chǎn)生擾動，形成在陣列基板內(nèi)部的電容2411能夠迅速恢復(fù)受擾動的公共電壓。雖然在陣列 基板的公共電極線與PCBA上的公共電壓產(chǎn)生單元之間存在線阻R，但是由于電容2411形成 在陣列基板內(nèi)部，線阻R并不會降低電容2411的穩(wěn)壓能力。
[0054]由于公共電極線是為了向公共電極輸入公共電壓，故而公共電極線需要與公共電 極電連接。公共電極線通常與柵線同層設(shè)置，且與柵線無電連接，為了保證公共電極線和 柵線不接觸，橫向的第一公共電極線與柵線平行，而縱向的第二公共電極線由于不能與柵 線接觸，故是間斷的，為了實現(xiàn)縱向的第二公共電極線的導(dǎo)通，需要通過過孔由連接線連 接。由于所述第一金屬區(qū)域與柵線同層設(shè)置，所述第一金屬區(qū)域為陣列基板四周的區(qū)域， 可以是陣列基板至少一個邊上的區(qū)域，優(yōu)選設(shè)置為陣列基板4個邊上的條形區(qū)域，橫向的 所述第一金屬區(qū)域（優(yōu)選條形區(qū)域）是連續(xù)的，而縱向的所述第一金屬區(qū)域（優(yōu)選條形區(qū) 域）是間斷的，為了實現(xiàn)所述第一金屬區(qū)域的導(dǎo)通，所述第一金屬區(qū)域可與間斷的公共電 極線連接，間斷的公共電極線再通過所述連接線搭接，實現(xiàn)整個第一金屬區(qū)域的相互導(dǎo)通。 為了進(jìn)一步減少制作工藝中的步驟，可將連接線和公共電極同層設(shè)置，也可將連接線與源 漏金屬層同層設(shè)置，如果將連接線和公共電極同層設(shè)置，連接線和像素電極的材料一樣，是 IT0(Indium tin oxide,氧化銦錫），公共電極線、連接線整體的電阻值偏大，如果將連接線 與源漏金屬層同層設(shè)置，由于連接線的材料與源漏金屬層的材料一樣，是良好的導(dǎo)電材料， 因而使得公共電極線、連接線整體的電阻值減小，更有利于公共電壓的穩(wěn)定，并進(jìn)一步提高 顯示質(zhì)量。
[0055]所述第一金屬區(qū)域可通過過孔與所述公共電極線或公共電極電性連接，所述第一 金屬區(qū)域也可與所述公共電極線直接電性連接或通過連接線電性連接，這可根據(jù)具體的工 藝過程來決定，總之，要保證為第一金屬區(qū)域接入公共電壓，以實現(xiàn)對公共電壓的穩(wěn)定。 [0056]所述第二金屬區(qū)域為陣列基板周邊的區(qū)域，與上述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)，所述第 二金屬區(qū)域可包括多個子金屬區(qū)域，子金屬區(qū)域的設(shè)置可根據(jù)對公共電壓進(jìn)行穩(wěn)壓的電容 需求、工藝難易度以及與現(xiàn)有工藝的兼容性來確定，所述第二金屬區(qū)域可以是陣列基板至 少一個邊上的區(qū)域，優(yōu)選為陣列基板4個邊上的條形區(qū)域。
[0057]優(yōu)選的，所述第二金屬區(qū)域由源漏金屬層構(gòu)圖形成，通過僅僅需要對源漏金屬層 的構(gòu)圖進(jìn)行些許調(diào)整，能夠最大程度上與現(xiàn)有工藝相兼容。在構(gòu)圖時，需要保證第二金屬區(qū) 域的圖案不與像素單元中的數(shù)據(jù)線圖案電性連接，第二金屬區(qū)域（優(yōu)選條形區(qū)域）可能由 于要跨越數(shù)據(jù)線是間斷的，間斷的第二金屬區(qū)域可通過由像素電極ΙΤ0層制作的連接線相 互導(dǎo)通。所述第二金屬區(qū)域接穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為接地電壓或者由一電源提供的固 定電壓。
[0058]由于本發(fā)明通過在陣列基板內(nèi)部形成電容對陣列基板上的公共電極的公共電壓 進(jìn)行穩(wěn)壓，因此本發(fā)明可用于IPS以及ADS兩種顯示類型的陣列基板。下面通過具體實施 例2以一種ADS (Advanced Super Dimensioni Switch高級超維場開關(guān)型）顯示類型的陣 列基板進(jìn)行說明。如圖2所示，該陣列基板包括：透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金 屬層、源漏金屬層；其中如圖 2_a所示，所述柵金屬層包括柵極和柵極線301、公共電極線 302,設(shè)置在陣列基板周邊的第一金屬區(qū)域303 ;如圖2-c所示，所述源漏金屬層包括：數(shù)據(jù) 線503、源極600和漏極（圖中未示出）、連接線501，還包括位于陣列基板邊緣的第二金 屬區(qū)域502。另外，還包括兩層透明導(dǎo)電層，如圖2-b所示，其中第一透明導(dǎo)電層包含公共 電極400,該透明導(dǎo)電層形成在柵金屬層之上（柵金屬層與第一透明導(dǎo)電層之間形成有平 坦化層），如圖2-e所示，第二透明導(dǎo)電層包含像素電極800。在所述第一透明導(dǎo)電層與源 漏金屬層之間設(shè)置有柵絕緣層，在所述源漏金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有鈍化 層。如圖2-d所示，在所述鈍化層上設(shè)置有第二過孔700,所述第一金屬區(qū)域303所包括的 至少兩個第一子金屬區(qū)域之間通過第一連接線501電性連接；在所述鈍化層上設(shè)置有第三 過孔（圖中未標(biāo)識），所述第二金屬區(qū)域502所包括的至少兩個第二子金屬區(qū)域之間通過第 二連接線（圖中未示出）電性連接；在所述鈍化層設(shè)置有第四過孔，第一金屬區(qū)域303與陣 列基板上的外接線通過第二透明導(dǎo)電層制作的第三連接線801電性連接；在所述鈍化層設(shè) 置有第五過孔，第二金屬區(qū)域502與陣列基板上的外接線通過第二透明導(dǎo)電層制作的第四 連接線802電性連接；在所述鈍化層設(shè)置有第五過孔，由所述第二透明導(dǎo)電層制成的像素 電極700與由源漏金屬層制成的漏極電性連接。所述第一金屬區(qū)域接公共電壓，第二金屬 區(qū)域接穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為固定電壓，從而在陣列基板內(nèi)部由所述第一金屬區(qū)域303 和第二金屬區(qū)域形成電容結(jié)構(gòu)241，如圖2-e所示。
[0059] 本發(fā)明實施例3提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：
[0060] 在透明基板上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括位于陣列基板邊緣的第一金 屬區(qū)域；
[0061] 在所述第一金屬層上形成絕緣層；
[0062]在所述絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括與所述第一金屬區(qū)域?qū)?yīng) 且絕緣的第二金屬區(qū)域。
[0063] 可選的，在透明基板上形成第一金屬層包括：
[0064] 在透明基板上形成第一金屬薄膜；
[0065]利用構(gòu)圖工藝由所述第一金屬薄膜制作柵極、柵線、公共電極線和第一金屬區(qū)域。
[0066] 可選的，在絕緣層上形成第二金屬層具體包括：
[0067] 在絕緣層上形成第二金屬薄膜；
[0068]利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極和第二金屬區(qū)域。
[0069] 可選的，在絕緣層上形成第二金屬層具體包括：
[0070] 在絕緣層上形成第二金屬薄膜；
[0071] 利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極、第一連接線和第二金屬區(qū)域， 其中所述第一連接線用于連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第 一子金屬區(qū)域。
[0072]可選的，該方法在形成絕緣層和形成第二金屬層之間還包括在絕緣層上形成第一 透明導(dǎo)電層的步驟，該步驟包括：
[0073] 在所述絕緣層上制作過孔；
[0074] 在制作過孔后的絕緣層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜；
[0075]通過構(gòu)圖工藝由所述第一透明導(dǎo)電薄膜制作公共電極、第一連接線，所述第一連 接線通過所述過孔連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第一子金 屬區(qū)域。
[0076] 可選的，該方法在形成第二金屬層后還包括：
[0077] 形成鈍化層；
[0078] 在所述鈍化層上制作過孔；
[0079] 在制作過孔后的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電層，具體包括：在制作過孔后的鈍化 層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜；通過構(gòu)圖工藝由所述第二透明導(dǎo)電薄膜制作像素電極ΙΤ0、 第二連接線，所述第二連接線用于連接所述第二金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少 兩個第二子金屬區(qū)域。
[0080] 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)明確還需要的制造步驟，在本實例中不做詳細(xì) 說明。
[0081] 下面，本發(fā)明實施例4提供一種用于制作ADS型顯示裝置的陣列基板的方法，該方 法包括：
[0082] S1.在透明基板上制作柵金屬層，所述柵金屬層包括有柵極、柵線、公共電極線、位 于基板周邊的第一金屬區(qū)域，在具體實施時，在透明基板上形成柵金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖 工藝在該柵金屬薄膜中形成柵極、柵線、公共電極線、第一金屬區(qū)域的圖形，具體地，柵極、 柵線、公共電極線、第一金屬區(qū)域的材料可以為鉬（M〇)、鋁（A1)或鎘（Cr)等金屬；
[0083] S2.在柵金屬層上制作平坦化層，具體實施時，在平坦化層上制作第一過孔，后續(xù) 制作的公共電極通過所述第一過孔與柵金屬層上的公共電極線電性連接。
[0084] S3.在平坦化層上形成第一透明導(dǎo)電層，以形成公共電極，在具體實施時，第一透 明導(dǎo)電層的材料優(yōu)選ΙΤ0,公共電極可以為狹縫狀。
[0085] S4.制作柵絕緣層；在具體實施時，柵極絕緣層可以采用氧化硅或氮化硅材料。
[0086] S5.在所述柵絕緣層上形成源漏（S/D)金屬層，以制作數(shù)據(jù)線、源極、漏極、第一連 接線以及第二金屬區(qū)域，所述第二金屬區(qū)域與所述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)。
[0087] S6.在所述源漏金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上進(jìn)行過孔制作；具體實 施時，制作多種過孔，以通過所述過孔實現(xiàn)各種電性連接，其中制作第二種過孔，實現(xiàn)第一 連接線電性連接第一金屬區(qū)域所包括的多個第一子金屬區(qū)域；制作第三種過孔，實現(xiàn)后續(xù) 制作的第二連接線電性連接所述第二金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第二 子金屬區(qū)域，制作第四種過孔，實現(xiàn)后續(xù)制作的第三連接線連接第一金屬區(qū)域與陣列基板 上的外接線，制作第五種過孔，實現(xiàn)后續(xù)制作的第四連接線連接第二金屬區(qū)域與陣列基板 上的外接線。
[0088] S7.在制作過孔后的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，通過掩膜、刻蝕等構(gòu)圖工藝 制作像素電極和第二連接線，所述第二透明導(dǎo)電薄膜的材料優(yōu)選ΙΤ0材料。
[0089] 該方法完全基于現(xiàn)有陣列基板的布線方式和工藝，只是對柵金屬層、S/D金屬層的 構(gòu)圖稍有變化，利用液晶面板內(nèi)部膜層的制作工藝流程，在液晶面板內(nèi)部形成穩(wěn)壓電容，最 大程度來穩(wěn)定Vcom電壓，同時又不額外增加液晶面板的制作工序、降低成本。
[0090] 本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，除了包括本發(fā)明實施例提供的陣列基板，還 包括一公共電極電壓產(chǎn)生單元，用于向公共電極提供電壓。所述陣列基板可以由本發(fā)明實 施例提供的制作方法獲得。
[0091] 所述顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具 有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0092] 可選的，所述公共電極電壓產(chǎn)生單元位于面板外部。
[0093] 可選的，所述公共電極電壓產(chǎn)生單元設(shè)置在PCBA上。
[0094] 最后應(yīng)說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括： 位于陣列基板邊緣的第一金屬區(qū)域，與公共電極線或者公共電極電性連接； 位于陣列基板邊緣、且與所述第一金屬區(qū)域相對應(yīng)且絕緣的第二金屬區(qū)域，用于接入 穩(wěn)壓電壓，所述穩(wěn)壓電壓為一固定電壓； 所述第一金屬區(qū)域和所述第二金屬區(qū)域形成至少一電容。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，所述第一金屬區(qū)域由柵金屬層制成，所述第二金屬 區(qū)域由源漏金屬層制成。
3·如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，所述第一金屬區(qū)域包括至少兩個第一子金屬區(qū) 域，所述第一子金屬區(qū)域之間通過第一連接線電性連接或者直接電性連接，所述第二金屬 區(qū)域包括至少兩個第二子金屬區(qū)域，所述第二子金屬區(qū)域之間通過第二連接線電性連接或 者直接電性連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，所述第一連接線由公共電極ITO層或者源漏金屬層 制成。
5. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，所述第二連接線由像素電極ITO層制成。
6. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，所述穩(wěn)壓電壓為接地電壓或由一電源提供的固定電 壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，所述第一金屬區(qū)域通過過孔與所述公共電極線或公 共電極電性連接，或者，所述第一金屬區(qū)域與所述公共電極線直接電性連接或通過連接線 電性連接。
8. -種顯示裝置，其包括權(quán)利要求1-7任一項所述的陣列基板，還包括一公共電極電 壓產(chǎn)生單元，用于向公共電極提供電壓。
9. 一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在透明基板上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括位于陣列基板邊緣的第一金屬區(qū) 域； 在所述第一金屬層上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括與所述第一金屬區(qū)域?qū)?yīng)且絕 緣的第二金屬區(qū)域。
10. 如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征還在于，在透明基板上形成第一金屬層包 括： 在透明基板上形成第一金屬薄膜； 利用構(gòu)圖工藝由所述第一金屬薄膜制作柵極、柵線、公共電極線和第一金屬區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求9或10所述的制造方法，其特征還在于，在絕緣層上形成第二金屬層具 體包括： 在絕緣層上形成第二金屬薄膜； 利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極和第二金屬區(qū)域。
12. 如權(quán)利要求9或10所述的制造方法，其特征還在于，在絕緣層上形成第二金屬層具 體包括： 在絕緣層上形成第二金屬薄膜； 利用構(gòu)圖工藝由所述第二金屬薄膜制作源極、漏極、第一連接線和第二金屬區(qū)域，其中 所述第一連接線用于連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少^ 金屬區(qū)域。
13·如權(quán)利要求9或10所述的制造方法，其特征還在于，該方法在形成絕緣層和形成第 二金屬層之間還包括在絕緣層上形成第一透明導(dǎo)電層的步驟，該步驟包括： ^ 在所述絕緣層上制作過孔； 在制作過孔后的絕緣層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜； 通過構(gòu)圖工藝由所述第一透明導(dǎo)電薄膜制作公共電極、第一連接線，所述第-連 通過所述過孔連接所述第一金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個第一子金屬區(qū) 域。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征還在于，該方法在形成第二金屬層后還包 括： 形成鈍化層； 在所述鈍化層上制作過孔； 在制作過孔后的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電層，具體包括：在制作過孔后的鈍化層上 形成第二透明導(dǎo)電薄膜；通過構(gòu)圖工藝由所述第二透明導(dǎo)電薄膜制作像素電極ITO、第二 連接線，所述第二連接線用于連接所述第二金屬區(qū)域所包括的相互不電性連接的至少兩個 第二子金屬區(qū)域。
【文檔編號】G02F1/1333GK104142591SQ201410331427
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】劉榮鋮 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司