專利名稱：Tft陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種TFT (Thin FilmTransistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示器已廣泛的應(yīng)用于各個顯示領(lǐng)域。為了實現(xiàn)液晶顯示器的高分辨率，高開口率以及GOA(GateDriver on Array,陣列基板行驅(qū)動)技術(shù)的應(yīng)用，AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關(guān))型陣列基板的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)化為7次掩膜工藝，即:柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜以及第二金屬層掩膜來制作完成陣列基板。發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:由于陣列基板的制作應(yīng)用了 7次掩膜工藝，應(yīng)用掩膜工藝次數(shù)較多，導(dǎo)致產(chǎn)品的產(chǎn)能下降，且制作成本較高。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種TFT陣列基板及顯示裝置，能夠減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，降低陣列基板的制作成本。本申請的一方面，提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括:在基板上制作包括柵極的圖案，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線；依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方；形成源漏金屬層，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案。進一步的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，包括:在所述半導(dǎo)體薄膜上涂敷第一光刻膠層；對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域的第一光刻膠去除部分、位于其他區(qū)域的第一光刻膠保留部分；采用刻蝕工藝，依次去除所述第一光刻膠去除部分下方的所述半導(dǎo)體薄膜和所述柵絕緣層，形成所述第一過孔和所述第二過孔；采用剝離工藝，去除所述第一光刻膠保留部分的光刻膠。進一步的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案，包括:在所述源漏金屬層上涂敷第二光刻膠層；對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置包含源漏電極圖案區(qū)域的第二光刻膠保留部分、位于薄膜晶體管溝道區(qū)域的第二光刻膠半保留部分和位于其他區(qū)域的第二光刻膠去除部分；采用刻蝕工藝，依次去除所述第二光刻膠去除部分下方的所述源漏金屬層和所述半導(dǎo)體薄膜；采用灰化工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠；采用刻蝕工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分下方的所述源漏金屬層和部分所述半導(dǎo)體薄膜，形成所述包括源漏電極的圖案和所述包括有源層的圖案；采用剝離工藝，去除所述第二光刻膠保留部分的光刻膠。進一步的，在制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案之后，還包括:制作包括第一電極的圖案。進一步的，在所述制作包括第一電極的圖案之后，還包括:制作鈍化層的圖案以及包括第二電極的圖案。本申請的另一方面還提供一種TFT陣列基板，包括設(shè)置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括:通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。進一步的，所述包括有源層的圖案位于所述柵極、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區(qū)域的上方以及所述源漏電極的下方。進一步的，所述的TFT陣列基板還包括:鈍化層圖案和包括第二電極的圖案。進一步的，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述第一過孔和所述第二過孔的連接金屬層。進一步的，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔。進一步的，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極。進一步的，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設(shè)置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設(shè)置。進一步的，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設(shè)置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。本申請的再一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本實用新型實施例的TFT陣列基板及顯示裝置，通過一次構(gòu)圖工藝，形成位于柵極走線上方的柵絕緣層上的第一過孔以及半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，并在形成源漏金屬層之后，通過一次構(gòu)圖工藝制作包括有源層的圖案、源漏電極的圖案，將現(xiàn)有技術(shù)中三次構(gòu)圖工藝才能完成的結(jié)構(gòu)，兩次構(gòu)圖工藝就可完成，有效降低了陣列基板的制作成本，提高了顯示裝置的產(chǎn)能。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型一實施例中TFT陣列基板的制作方法的流程示意圖；圖2-圖14為本實用新型另一實施例中TFT陣列基板在制作過程中的示意圖；圖15-圖17為本實用新型另一實施例中TFT陣列基板的制作方法的流程示意圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供一種TFT陣列基板及顯示裝置，能夠減少掩膜工藝(構(gòu)圖工藝)次數(shù)，降低陣列基板的制作成本。以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之類的具體細節(jié)，以便透切理解本實用新型。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當清楚，在沒有這些具體細節(jié)的其它實施例中也可以實現(xiàn)本實用新型。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節(jié)妨礙本實用新型的描述。本實施例提供一種TFT陣列基板的制作方法，如圖1-圖14所示，該方法包括:步驟101、在基板上制作包括柵極的圖案，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線。如圖2所示，本實施例的基板I可以是玻璃基板，也可以根據(jù)需要選擇其他材質(zhì)的基板，在此不作限定。具體的，本步驟在基板I上制作包括柵極的圖案包括:首先在基板I上形成柵金屬層；再在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，如正性光刻膠，并對該光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置柵極21和柵極走線22區(qū)域的光刻膠保留部分、位于其他區(qū)域的光刻膠去除部分；然后采用刻蝕工藝，優(yōu)選濕刻工藝，去除光刻膠去除部分下方的柵金屬層；最后采用剝離工藝，去除光刻膠保留部分的光刻膠，最終形成包括柵極的圖案。具體的，上述包括柵極的圖案進一步包括柵極21和柵極走線22。步驟102、依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成位于所述柵絕緣層上的第一過孔以及位于所述半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。如圖3所示，在形成包括柵極21的圖案后，在基板I上依次形成柵絕緣層3和半導(dǎo)體薄膜4，并通過一次構(gòu)圖工藝，如圖5b所示，制作形成位于柵絕緣層3上的第一過孔30以及位于半導(dǎo)體薄膜4上的第二過孔40，且第一過孔30與第二過孔40對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線22的上方。也就是說，本實施例的方法在一次構(gòu)圖工藝中同時刻蝕兩個層結(jié)構(gòu)，并形成了兩個疊加的過孔。需要說明的是，這里的構(gòu)圖工藝是指包括曝光、顯影以及刻蝕在內(nèi)的一系列工藝過程的簡稱。一次構(gòu)圖工藝是對應(yīng)于一次掩膜工藝來說的，應(yīng)用一個掩膜板制作完成某些圖案稱為進行了一次構(gòu)圖工藝。具體的，如圖16所示，本步驟中通過一次構(gòu)圖工藝，制作位于柵絕緣層3上的第一過孔30以及位于半導(dǎo)體薄膜4上的第二過孔40，包括:步驟1021、在所述半導(dǎo)體薄膜4上涂敷第一光刻膠層；[0049]可選的，該半導(dǎo)體薄膜4包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層。本實施例中的第一光刻膠層可選用負性膠或者正性膠，能溶于某些溶劑，光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。不同種類的光刻膠對應(yīng)有不同的掩膜板，例如，當光刻膠為正性膠時，所采用的掩膜板中，光刻膠去除部分對應(yīng)的區(qū)域為曝光區(qū)域，所用材料為透光材料；光刻膠保留部分對應(yīng)的區(qū)域為不曝光區(qū)域，所用材料為不透光材料；光刻膠半保留部分對應(yīng)的區(qū)域為半曝光區(qū)域，所用材料為半透光材料。當光刻膠為負性膠時，則所采用的掩膜板中，光刻膠去除部分對應(yīng)的區(qū)域為不曝光區(qū)域，所用材料為不透光材料；光刻膠保留部分對應(yīng)的區(qū)域為曝光區(qū)域，所用材料為透光材料；光刻膠半保留部分對應(yīng)的區(qū)域為半曝光區(qū)域，所用材料為半透光材料。步驟1022、對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域的第一光刻膠去除部分、位于其他區(qū)域的第一光刻膠保留部分；如圖4所示，采用掩膜版6對所述第一光刻膠層5進行曝光、顯影處理，其中，當?shù)谝还饪棠z層5為正性膠時，曝光區(qū)域B為第一光刻膠去除部分52對應(yīng)的區(qū)域，不曝光區(qū)域A為第一光刻膠保留部分51對應(yīng)的區(qū)域；當?shù)谝还饪棠z層5為負性膠時，曝光區(qū)域A為第一光刻膠保留部分51對應(yīng)的區(qū)域，不曝光區(qū)域B為第一光刻膠去除部分52對應(yīng)的區(qū)域。第一光刻膠去除部分52對應(yīng)的區(qū)域為預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域。步驟1023、采用刻蝕工藝，依次去除所述第一光刻膠去除部分下方的所述半導(dǎo)體薄膜4和所述柵絕緣層3，形成所述第一過孔30和所述第二過孔40 ；具體的，如圖5a所示，由于第一光刻膠去除部分對應(yīng)預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域，因此，在刻蝕工藝完成后，預(yù)設(shè)置過孔區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜4和柵絕緣層3被刻蝕掉，并在半導(dǎo)體薄膜4上形成第二過孔40以及柵絕緣層3上形成第一過孔30。步驟1024、采用剝離工藝，去除所述第一光刻膠保留部分的光刻膠。具體的，如圖5b所示，去除所述第一光刻膠保留部分51的光刻膠。步驟103、形成源漏金屬層，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案。如圖6所示，在柵絕緣層3上形成源漏金屬層7。再在柵絕緣層3和半導(dǎo)體薄膜4上分別形成第一過孔30和第二過孔40之后，再形成源漏金屬層7。之后，如圖7-11所示，制作包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案。具體的，如圖17所示，該步驟包括:步驟1031、在所述源漏金屬層上涂敷第二光刻膠層；如圖7所示，首先在源漏金屬層7上涂覆一層第二光刻膠層8。步驟1032、對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，形成位于預(yù)設(shè)置包含源漏電極圖案區(qū)域的第二光刻膠保留部分、位于薄膜晶體管溝道區(qū)域的第二光刻膠半保留部分和位于其他區(qū)域的第二光刻膠去除部分；具體的，如圖8所示，對所述第二光刻膠層8進行曝光、顯影處理后，形成三個區(qū)域:第二光刻膠去除部分對應(yīng)的區(qū)域81、第二光刻膠保留部分對應(yīng)的區(qū)域82和第二光刻膠半保留部分83對應(yīng)的區(qū)域。第二光刻膠保留部分82位于柵極走線上方的第一過孔和第二過孔對應(yīng)的區(qū)域以及源漏電極所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，第二光刻膠半保留部分83位于薄膜晶體管溝道所對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，第二光刻膠去除部分81位于除以上兩種情況的區(qū)域內(nèi)。[0063]當?shù)诙饪棠z層8為正性膠時，曝光區(qū)域B’為第二光刻膠去除部分81對應(yīng)的區(qū)域，不曝光區(qū)域A’為第二光刻膠保留部分82對應(yīng)的區(qū)域，部分曝光區(qū)域C’為第二光刻膠半保留部分83對應(yīng)的區(qū)域；當?shù)诙饪棠z層8為負性膠時，曝光區(qū)域A’為第二光刻膠保留部分82對應(yīng)的區(qū)域，不曝光區(qū)域B’為第二光刻膠去除部分81對應(yīng)的區(qū)域，部分曝光區(qū)域C’同樣為第二光刻膠半保留部分83對應(yīng)的區(qū)域。步驟1033、采用刻蝕工藝，依次去除所述第二光刻膠去除部分下方的所述源漏金屬層和所述半導(dǎo)體薄膜；如圖9所示，第二光刻膠去除部分下方的所述源漏金屬層和所述半導(dǎo)體薄膜被去除。可見本實施例中，包括有源層的圖案位于柵極21、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區(qū)域的上方、以及源漏電極的下方。其中，所述柵絕緣層的第一過孔周邊區(qū)域的上方的半導(dǎo)體薄膜4保留是由于其上方保留的連接金屬層73遮擋而致，源漏電極下方的半導(dǎo)體薄膜4保留是由于上方的源漏電極遮擋而致。步驟1034、采用灰化工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠；具體的，如圖9，對第二光刻膠半保留部分83的光刻膠和第二光刻膠保留部分82的光刻膠進行灰化操作，第二光刻膠半保留部分83的光刻膠被去除，同時第二光刻膠保留部分82的一部分光刻膠也會被去除，但由于厚度較厚，光刻膠仍有一部分存留，因此在后續(xù)的刻蝕過程中不會影響到第二光刻膠保留部分82所對應(yīng)區(qū)域下方的層結(jié)構(gòu)。步驟1035、采用刻蝕工藝，去除所述第二光刻膠半保留部分下方的源漏金屬層和部分半導(dǎo)體薄膜，形成所述包括源漏電極的圖案和所述包括有源層的圖案。具體的，如圖10所示，采用刻蝕工藝，優(yōu)選采用濕刻工藝，刻蝕掉第二光刻膠半保留部分，即薄膜晶體管溝道區(qū)域的源漏金屬層，形成所述包括源漏電極(源極71和漏極72)的圖案。所述包括源漏電極的圖案包括源漏電極(源極71和漏極72)以及覆蓋位于柵極走線22上方的第一過孔30和第二過孔40的連接金屬層73，所述連接金屬層73用于連接外部輸入驅(qū)動信號與下方的柵極走線22。需要說明的是，一般情況下，半導(dǎo)體薄膜包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，在刻蝕完溝道區(qū)域的源漏金屬層7之后，需要繼續(xù)刻蝕半導(dǎo)體薄膜中的摻雜半導(dǎo)體層，以完成所述包括有源層的圖案41。但有些情況下，半導(dǎo)體薄膜不包括摻雜半導(dǎo)體層，則只需要刻蝕掉溝道區(qū)域的源漏金屬層即可，不必繼續(xù)刻蝕半導(dǎo)體薄膜。對于上述兩種情況，根據(jù)實際需要進行選擇，本實用新型不做限制。步驟1036、采用剝離工藝，去除所述第二光刻膠保留部分的光刻膠。具體的，如圖11所示，在剝離第二光刻膠保留部分的光刻膠層后，最終得到包括有源層的圖案41和包括源漏電極(源極71和漏極72)的圖案。進一步的，如圖15所示，本實施例的方法在制作包括有源層的圖案41和包括源漏電極(源極71和漏極72)的圖案之后，還包括:步驟104、制作包括第一電極的圖案。如圖12所不,通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一電極9的圖案,其中,第一電極9設(shè)置在柵絕緣層3的上方，且與源極71相連接。進一步的，在所述制作包括第一電極的圖案之后，還包括:步驟105、制作鈍化層圖案以及包括第二電極的圖案。[0077]如圖13 14所示，首先形成鈍化層10，并通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖案；然后再通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第二電極11的圖案。具體的，如圖13a所示，在形成有包括第一電極圖案的基板上形成鈍化層10。之后，如圖13b所示，通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層圖案，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔100，所述鈍化層過孔100位于所述連接金屬層73的上方。之后，如圖14所示，通過一次構(gòu)圖工藝，形成所述包括第二電極11的圖案，所述包括第二電極的圖案包括第二電極11以及覆蓋所述鈍化層過孔100的連接電極110，用于連接外部輸入驅(qū)動信號與下方的柵極走線22。當然，在GOA電路結(jié)構(gòu)中，由于柵極驅(qū)動集成于基板上，也可以不設(shè)置所述鈍化層過孔100以及連接電極110，根據(jù)實際需要進行設(shè)計，此處不做限定。本實用新型實施例的TFT陣列基板的制作方法，通過一次構(gòu)圖工藝，制作位于柵極走線上方的柵絕緣層的第一過孔以及半導(dǎo)體薄膜上的第二過孔，并在形成源漏金屬層之后，通過一次構(gòu)圖工藝，制作形成包括有源層的圖案和包括源漏電極的圖案，將現(xiàn)有技術(shù)中三次構(gòu)圖工藝才能完成的結(jié)構(gòu)，兩次構(gòu)圖工藝就可完成，有效降低了陣列基板的制作成本，提聞了廣能。與上述方法實施例相對應(yīng)的，本實用新型實施例提供了一種采用上述方法制作的TFT陣列基板，包括設(shè)置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括:通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。具體的，如圖14所示，包括設(shè)置在基板I上的包括柵極21的圖案，柵絕緣層的圖案，包括有源層的圖案41，包括源漏電極的圖案(源極71和漏極72)，包括第一電極9的圖案，還包括:通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于柵絕緣層3上的第一過孔30以及位于所述包括有源層的圖案41上的第二過孔40 ;所述包括柵極的圖案至少包括柵極21和柵極走線22，所述第一過孔30與所述第二過孔40對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線22的上方。進一步的，所述包括有源層的圖案位于所述柵極21、所述柵絕緣層的第一過孔30周邊區(qū)域的上方、以及所述源漏電極(源極71和漏極72)的下方。可選的，所述TFT陣列基板還包括鈍化層圖案和包括第二電極11的圖案?？蛇x的，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極(源極71和漏極72)以及覆蓋所述第一過孔30和所述第二過孔40的連接金屬層73?？蛇x的，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔100?？蛇x的，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極11以及覆蓋所述鈍化層過孔100的連接電極110。需要說明的是，所述鈍化層過孔100位于所述連接金屬層73的上方。所述包括第二電極的圖案包括第二電極11以及覆蓋所述鈍化層過孔100的連接電極110，用于連接外部輸入驅(qū)動信號與下方的柵極走線22。當然，在GOA電路結(jié)構(gòu)中，由于柵極驅(qū)動集成于基板上，也可以不設(shè)置所述鈍化層過孔100以及連接電極110，根據(jù)實際需要進行設(shè)計，此處不做限定。本實用新型實施例提供的TFT陣列基板可以適用于AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關(guān))型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應(yīng))型、TN(Twist Nematic，扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。AD-SDS技術(shù)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設(shè)置在彩膜基板上，像素電極設(shè)置在陣列基板上，所述陣列基板上只包括第一電極；ADS型顯示裝置和IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上，所述陣列基板上還包括第二電極。在本實施例的ADS型顯示裝置的陣列基板中，所述第一電極9和所述第二電極11可以異層設(shè)置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多個條形電極或為平板形?？蛇x的，位于上層的包含多個條形電極的第二電極11為公共電極，位于下層的平板形第一電極9為像素電極。異層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，第一電極9和第二電極11異層設(shè)置是指:由第一層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成第一電極9，由第二層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成第二電極11，其中，第一電極9為像素電極(或公共電極)，第二電極11為公共電極(或像素電極)。在所述IPS型顯示裝置的陣列基板中，所述第一電極9和所述第二電極11同層設(shè)置，所述第一電極9包含多個第一條形電極，所述第二電極11包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設(shè)置。同層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設(shè)置是指:將同一薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。例如，第一電極9和第二電極11同層設(shè)置是指:由同一透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成第一電極9和第二電極11。其中，通過開關(guān)單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據(jù)線電連接的電極為像素電極，和公共電極線電連接的電極為公共電極。本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的任一種TFT陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種TFT陣列基板，包括設(shè)置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，其特征在于，還包括: 通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括有源層的圖案位于所述柵極、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區(qū)域的上方以及所述源漏電極的下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括:鈍化層圖案和包括第二電極的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述第一過孔和所述第二過孔的連接金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設(shè)置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設(shè)置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1 8任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種TFT陣列基板及顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，能夠減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，降低陣列基板的制作成本。本實用新型的TFT陣列基板，包括設(shè)置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括通過一次構(gòu)圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應(yīng)位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。本實用新型的顯示裝置包括陣列基板。
文檔編號G02F1/1368GK202948925SQ201220717759
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者薛艷娜, 王磊, 薛海林, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司