專利名稱：襯底處理方法和襯底處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于清^封卩為半導(dǎo)體晶片的襯底(或基底)和隨后千燥該 襯底的襯底處理方法，和相應(yīng)的襯底，方法。
技術(shù)背景當(dāng)制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，處理設(shè)備被用于采用化學(xué)液Wt潔保持在旋轉(zhuǎn)卡盤 上的半導(dǎo)體晶片(以下稱為"晶片")。在由這種設(shè)備執(zhí)行的清潔處理過程中， 向晶片供給如為去離子水的處理液，其后旋轉(zhuǎn)該晶片借助離心力從中除去液滴 以1^燥該晶片。干燥晶片的傳統(tǒng)方法包括用IPA (異丙醇)蒸汽濺射旋轉(zhuǎn)晶片(轉(zhuǎn)動(dòng)的晶 片)的方法，用霧化的IPA M旋轉(zhuǎn)晶片的方法，和給旋轉(zhuǎn)晶片供給IPA液體 的方法。干燥晶片的另一種方法是當(dāng)從由晶片的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)的噴嘴 向晶片供給去離子水的同時(shí)，在與供給去離子水的位置相比更靠近旋轉(zhuǎn)中心的 位置向晶片供給IPA蒸汽或類似物(參見專利文件JP11-233481A和 JP2003陽(yáng)197590A)。但是，當(dāng)晶片具有較高的疏水特性時(shí)，傳統(tǒng)處理方法的缺點(diǎn)在于經(jīng)過干燥 處理后會(huì)在晶片的表面上產(chǎn) 粒。特別地，當(dāng)晶片具有駄直徑時(shí)，謝艮難 抑制在晶片的周向部分附近出現(xiàn)顆粒(如由化學(xué)液或類似物的沉淀作用產(chǎn)生的 條紋水印)。一種防止產(chǎn)生這種顆粒的可行的方法是增大千燥液如IPA的供應(yīng)量。 但是，該液體要求較高的成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一禾中當(dāng) >用于干燥襯底的液體的量時(shí)，育,防止襯 底被千燥后在襯底上產(chǎn) 粒的襯底 1方法和襯底處理設(shè)備。為了實(shí)！Lb述目的，本發(fā)明提供一種包括以下步驟的襯底處理方法艦處理液處理該襯底；M在其上供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的第一流體而在襯底的上表面上形成液體膜；和當(dāng)旋轉(zhuǎn)該襯底時(shí)，向該襯底的上表面供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的 第二流體；其中，在供給第二流體的步驟，向襯底供給第二流體的位置相對(duì)于該襯底的旋轉(zhuǎn) 中心被朝外徑向移動(dòng)。該襯底處理方法還可以包括在由處理液處理該襯底的步驟之前,通過化學(xué) 液處理該襯底的化學(xué)處理步驟。在形成該液體膜的步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)該襯底時(shí)，向襯底供給第一流體的位置相 對(duì)于該襯底的旋轉(zhuǎn)中心可以朝夕卜徑向移動(dòng)以形成該液體膜。在供給第二流體的步驟，還可以向襯底的上表面供給千燥氣體，并且當(dāng)保 持該^P燥氣體的供給位置與第二流體的供給位置相比更接近該襯底的旋轉(zhuǎn)中心 時(shí)，向該襯底供給干燥氣體和第二流體的位置相對(duì)于晶片的旋轉(zhuǎn)中心可以分別 朝外徑向移動(dòng)。當(dāng)吸取襯底的上表面附近的空氣時(shí)，可以執(zhí)行供給第二流體的步驟?？梢詧?zhí)行形成液體膜的步驟和供給第二流體的步驟的至少一個(gè)，使該襯底周圍的濕度低于由處理液處理該襯底的步驟的^S。此外，本發(fā)明提供一種用于存儲(chǔ)由襯底處理設(shè)備的控制器執(zhí)行的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，以執(zhí)行包括以下步驟的襯底處理方法 艦處理液艦該襯底；ffl51在其上供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的第一流體而在襯底的上表 面上形成液體膜；和當(dāng)旋轉(zhuǎn)該襯底時(shí)，向該襯底的上表面供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的 第二流體；其中，在供給第二流體的步驟，向襯底供給第二流體的位置相對(duì)于該襯底的旋轉(zhuǎn) 中心朝外徑向移動(dòng)。再者，本發(fā)明提供一種襯底處理設(shè)備，它包括(a) 構(gòu)形成保持襯底并旋轉(zhuǎn)該襯底的旋轉(zhuǎn)卡盤；(b) 構(gòu)形成向由該旋轉(zhuǎn)卡盤保持的襯底的上表面供給處理液的處理液供給系統(tǒng)；(c) 具有第一流體噴嘴的第一流體供給系統(tǒng)，第一流體供給系統(tǒng)構(gòu)形成從 第一流體噴嘴向襯底的上表面供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的第一流體；(d) 具有第二流體噴嘴的第二流體供給系統(tǒng)，第二流體供給系統(tǒng)構(gòu)形成從第二流體噴嘴向襯底的上表面供給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的第二流體；(e) 構(gòu)形成相對(duì)襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)該第二流體噴嘴的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)；(f) 控制器，該控制器構(gòu)形成控制旋轉(zhuǎn)卡盤、處理液供給系統(tǒng)、第一流體 供給系統(tǒng)、第二流體供給系統(tǒng)、和噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以執(zhí)行以下步驟從該供給系統(tǒng)向襯底的，面供給處理液；從，一流體噴嘴向襯底的上表面供給第一流體；禾口當(dāng)通31旋轉(zhuǎn)卡盤旋轉(zhuǎn)襯底并fflil噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)第二流體噴嘴時(shí)，從該 第二流體噴嘴向襯底的上表面供給第二流體。該襯底處理設(shè)備還可以包括構(gòu)形成向襯底的上表面供給干燥氣體的干燥氣 體噴嘴；其中，當(dāng)保持該千燥氣體噴嘴與第二流體噴嘴相比更接近襯底的旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，噴 嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)形成相對(duì)襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)干燥氣體噴嘴和第二流體 噴嘴。該襯底處理設(shè)備還可以包括構(gòu)形成吸取襯底的上表面Pf逝的空氣的吸取噴 嘴，其中，當(dāng)保持該吸取噴嘴與第二流體噴嘴相比更遠(yuǎn)離該襯底的旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，噴嘴 移動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)形成相對(duì)襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)吸取噴嘴和第二流體噴嘴。該襯底處理設(shè)備還可以包括構(gòu)形成調(diào)節(jié)由旋轉(zhuǎn)卡盤保持的襯底周圍的濕度 的濕度調(diào)節(jié)系統(tǒng)。例如，干燥氣體是隋性氣體或干燥空氣。例如，處理液是漂洗液(rinsing liquid),如去離子水。例如，第一流體和第二流體的至少一個(gè)選自包括IPA液體， IPA溶液，霧化IPA液體，IPA蒸汽，和IPA溶液的蒸汽的組。即本發(fā)明中的"與 處理液相比具有更高揮發(fā)性的、液體"是包括與處理液相比具有更高揮發(fā)性的液 體，和這種液體的蒸汽的推臉。根據(jù)本發(fā)明，首先，向襯底的上表面供給與M液相比具有更高揮發(fā)性的 第一流體以在其上形成液體膜。接著，當(dāng)旋轉(zhuǎn)該襯底時(shí)，向該襯底的上表面供 給與處理液相比具有更高揮發(fā)性的第二流體。在此供給操作期間，相對(duì)襯底的 旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)該第二流體的供給位置。由于這一原因，ffiil^ffl該第一和第二流體可以防止在襯底被千燥后在襯底上產(chǎn)，粒。當(dāng)供給第二流體時(shí)，向襯底的上表面供給干燥氣體，并且當(dāng)保持向襯底供 給干燥氣體的位置與向襯底供給第二流體的位置相比更接近襯底的旋轉(zhuǎn)中心 時(shí)，相對(duì)襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)該干燥氣體的供給位置和第二流體的供 給位置。由于干燥氣體的使用促進(jìn)了襯底的干燥，因此可以相對(duì)地減少用于干 燥該襯底的第二流體的量。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的示意亂 圖2是圖1所示的襯底處理設(shè)備的主要部分的7K平剖視圖； 圖3是幫助解釋在圖1所示的襯底處理設(shè)備的液體膜形成步驟中流體噴嘴 的ffig的透，見圖；圖4是幫助角率釋在圖1所示的襯底處理設(shè)備的^P燥步驟中流體噴嘴和干燥 氣體噴嘴的操作的it，見圖；圖5是幫助解釋根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的流體噴嘴和 ^P燥氣體噴嘴的配置的平面圖；圖6是幫助解釋根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的流體噴嘴禾口 惰性氣體噴嘴的開口尺寸(形狀)的透視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其設(shè)有流體 加熱^I和^P燥氣體加熱器；圖8是幫助解釋根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的吸取噴嘴、 流體噴嘴、和干燥氣體噴嘴的操作的透視圖；圖9是幫助解釋根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的吸取噴嘴、 流體噴嘴、和干燥氣體噴嘴的配置的平面圖；圖10是幫助解釋在根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的千燥步 驟中流體噴嘴和千燥氣體噴嘴的操作的透視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其設(shè)有鵬 調(diào)節(jié)系統(tǒng)；和圖12是根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其設(shè)有SS 調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
具體實(shí)施方式
以下將基于用于清潔作為襯底的基本上是盤狀的硅晶片w的上表面的襯底處理設(shè)備，描述本發(fā)明的1 實(shí)施例。如圖1所示，此實(shí)施例中的襯底處理設(shè)備1包括處理^tl2，旋轉(zhuǎn)卡盤3 ，在處理容器2中以基本上水平地保持并旋轉(zhuǎn)該晶片W。液體噴嘴5設(shè)置成 用于向晶片W供給清潔化學(xué)液如DHF (稀釋氟化氫酸)，和漂洗液如去離子水 (DIW)。液體噴嘴5由第一支撐臂6支撐。流體噴嘴12 ，成供給與去離子 水如漂洗液相比具有更高揮發(fā)性的流體作為第一流體和第二流體的，如IPA (異 丙基酒精)液體。"P燥氣體噴嘴13設(shè)置成供給隋性氣附n氮?dú)?N2氣)作為 千燥氣體。該流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13由第二支撐臂15支撐。包括CPU 的控制器16 ^g成控制襯底處理設(shè)備1的各部件。如圖2所示，加敏卸載口17體在處理容器2中，通過該口晶片W被加 載到內(nèi)部處理空間S中并從中被卸載。ffl31關(guān)閉該加薪卸載口 17，可以密閉地 密封該處理空間S。如圖1和2所示，在旋轉(zhuǎn)卡盤3上方設(shè)置三個(gè)保持件18。保掛牛18適于 在三個(gè)點(diǎn)上和晶片W的外周邊相接觸以基本上水平地保持該晶片W。在旋轉(zhuǎn)卡 盤3下方設(shè)置馬達(dá)20以iKl垂mj虔轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)晶片W。當(dāng)ffi51馬達(dá)20旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn) 卡盤3時(shí)，晶片W和旋轉(zhuǎn)卡盤3 —起圍繞晶片W的中心Po在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。 由控制器16控制馬達(dá)20的驅(qū)動(dòng)。第一支撐臂6設(shè)置在由旋轉(zhuǎn)卡盤3支撐的晶片W的上方。支撐臂6的近端 被支撐以便育,沿基本上7K平方爐的導(dǎo)軌31移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32設(shè)置鵬導(dǎo)軌 31移動(dòng)該支撐臂6。如圖2所示，和由驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32驅(qū)動(dòng)的支撐臂6的移動(dòng)一起， 液體噴嘴5可以相對(duì)晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po朝晶片W夕Hi徑向移動(dòng)。由控制器 16控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32的驅(qū)動(dòng)(圖1 )。如圖1所示，液體噴嘴5被連接在升辭由36的底端，該升辭由36從固定 在支撐臂6的遠(yuǎn)端的升降機(jī)構(gòu)35向下延伸。該升階由36可以通過升附幾構(gòu)35 垂直移動(dòng)，使得液體噴嘴5的位置被設(shè)定在給定高度處。由控制器16控制升降 機(jī)構(gòu)35的驅(qū)動(dòng)。液體噴嘴5 fflil化學(xué)液供纟^Iit 42連接到化爭(zhēng)液(DHF)衛(wèi)共源41 ，并 i!31漂洗液供給M 44連接到漂洗液(DIW)提供源43。開關(guān)闊45和46分別 設(shè)置在化^^液供^ffl道42和漂洗液供^ffl道44上。由控制器16控制開關(guān)閥45和46的開關(guān)操作。液體噴嘴5，化學(xué)液提供源41，化學(xué)液供纟^M42，和開關(guān) 閥45構(gòu)成化學(xué)液供給系統(tǒng)。液體噴嘴5，漂洗 {共源43，漂洗液供鄉(xiāng)織道44， 和開關(guān)閥46構(gòu)fi^票洗液(處理液)供給系統(tǒng)。第二支撐臂15設(shè)置在由旋轉(zhuǎn)卡盤3支撐的晶片W上方。支撐臂15的近端 被支撐以便育,沿基本J^K平方爐的導(dǎo)軌51移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)52體成沿導(dǎo)軌 51移動(dòng)該支撐臂15。這些部件構(gòu)成水平移動(dòng)該流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13 的噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)。如圖2所示，禾岫驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)52驅(qū)動(dòng)的支撐臂15的移動(dòng)一起， 流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13可以相對(duì)晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po朝晶片W夕卜側(cè) 徑向移動(dòng)。由控制器16控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)52的驅(qū)動(dòng)(圖1 )。如圖1所示，設(shè)有升階由54的升附幾構(gòu)55固定在第二支撐臂15的遠(yuǎn)端。 該升階由54從升附幾構(gòu)55向下延伸。流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13與升降 軸54的底端相連接。升階由54由升降機(jī)構(gòu)55驅(qū)動(dòng)以伸展和縮回，以便流體噴 嘴12和千燥氣體噴嘴13 —起垂直移動(dòng)。由控制器16控制升降機(jī)構(gòu)55的驅(qū)動(dòng)。 即，當(dāng)控制升降機(jī)構(gòu)55的驅(qū)動(dòng)以便在垂直方向調(diào)整流體噴嘴12和干燥氣體噴 嘴13的錢時(shí)，基于來自控制器16的指令控制驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)52的驅(qū)動(dòng)以便^E7K平 方向(噴嘴移動(dòng)方向D)移動(dòng)支撐臂15、流體噴嘴12、和干燥氣體噴嘴13。如圖3和4所示，流體噴嘴12和干纟喿氣體噴嘴13相對(duì)于晶片W的旋轉(zhuǎn)中 心Po在與液體噴嘴5相反的徑向方向(噴嘴移動(dòng)方向D)內(nèi)相鄰排列。即，干 燥氣體噴嘴13定位于比在噴嘴移動(dòng)方向D上的流體噴嘴12更接近晶片W的旋 轉(zhuǎn)中心Po的位置(嚴(yán)格來說，在流體噴嘴12的徑向位置和旋轉(zhuǎn)中心Po之間的 距離比噴嘴12和13之間的距離短的情況下(參見圖3)，噴嘴12和13之間的位置關(guān)系是反轉(zhuǎn)的)。流體噴嘴12 ffiil流體供給fflit 67連接到流體提供源66，如接納IPA液體 的容器。開關(guān)閥68 ^S在流體供纟^M 67上。由控制器16控制開關(guān)閥68的 開 作。流體噴嘴12、流體提供源66、流體供給通道67、和開關(guān)閥68構(gòu)成 液體供給系統(tǒng)。干燥氣體噴嘴13通過情性氣體供會(huì)織道72連接到惰性氣體(N2 )提供源 71 。開關(guān)閥73設(shè)置在惰性氣體供^M 72上。由控制器16控制開關(guān)閥73的 開 作。氣體噴嘴13、氣體提供源71、氣體供給通道72、和開關(guān)閥73構(gòu)成 ^P燥氣體供給系統(tǒng)。襯底處理設(shè)備i中的各功能部件aa信號(hào)線連接到自動(dòng)控制襯底處理設(shè)備1的全部操作的控制器16。艦功能部件是指所有，鵬作來執(zhí)行預(yù)定的處理過程的部件，如馬達(dá)20、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32、升降機(jī)構(gòu)35、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)52、升降機(jī)構(gòu)55、 和開關(guān)閥45， 46， 68和73?？刂破?6典型地是能夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)要執(zhí)行的禾Mj^的 給定功能的多用途計(jì)算機(jī)。如圖1所示，控制器16包括設(shè)有CPU (中央處理單元)的操作部分16a， 連接到該操作部分16a的輸A/輸出部件16b，和存儲(chǔ)M;輸A/^出部件16b讀 取的控制禾聘的存儲(chǔ)介質(zhì)16c。敘匕存儲(chǔ)介質(zhì)16c存儲(chǔ)由控制器16執(zhí)行的控制 禾聘，該控制禾歸用于ffl31襯底處理設(shè)備1執(zhí)行下述襯底處理方法的步驟?？?制器16執(zhí)行控制程序以控制襯底處理設(shè)備1中的相應(yīng)的功能部件，以便實(shí)現(xiàn)由 預(yù)定處理方法限定的各種處理斜牛(例如，馬達(dá)20的旋 fil度)。在基于該控 制程序的襯底處理方法中，順序執(zhí)行化學(xué)處理步驟、漂洗步驟、液體膜形成步 驟、和干燥步驟，以下將對(duì)其進(jìn)碎雅細(xì)描述。存儲(chǔ)介質(zhì)16c可以固定地設(shè)置在控制器16上?？商鎿Q地，存儲(chǔ)介質(zhì)16c可 以可移去地，在安裝在控制器16 J^示出的讀取:tl上，并可由該讀取^l讀取。 在最典型的情況下，存儲(chǔ)介質(zhì)16c是硬盤驅(qū)動(dòng)器，襯底處理設(shè)備1的制造公司 的操作者已經(jīng)在該硬盤存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了控制程序。在另一種情況下，存儲(chǔ)介質(zhì) 16c是可移動(dòng)盤如控制程序被寫入其中的CD-ROM或DVD-ROM。這種可移動(dòng) 盤由安裝在控制器16上的未示出的光學(xué)讀取器讀取。存儲(chǔ)介質(zhì)16c可以是RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)類型或ROM (只讀存儲(chǔ)器)類型?？商鎿Q地，存儲(chǔ)介質(zhì) 16c可以是盒式ROM?？偠灾?jì)^m技術(shù)領(lǐng)域中公知的任何媒介均可以被 用作存儲(chǔ)介質(zhì)16c。在放置有多個(gè)襯底處理設(shè)備l的工廠中，控制禾聘可以被存儲(chǔ)在全面控制各襯底處理設(shè)備i中的控制器i6的拋 i十^m中。在這種情況下，Mi^言線路由該執(zhí)行控制器操作相應(yīng)的襯底處理設(shè)備1以執(zhí)4亍預(yù)定的處理過 程?，F(xiàn)在，描述由以上構(gòu)造的襯底處理設(shè)備1執(zhí)行的處理晶片W的方法。 首先，還沒有被清潔的晶片W通M^示出的傳送臂加載到處理容器2中， 并且晶片W由圖1中所示的旋轉(zhuǎn)卡盤3保持。為了將晶片W傳送到旋轉(zhuǎn)卡盤3， 如圖2中所示的雙點(diǎn)劃線指示的，第一和第二支撐臂6和15被預(yù)先縮回至U位于 旋轉(zhuǎn)卡盤3外部的備用位置。在晶片W被旋轉(zhuǎn)卡盤3保持后，由圖l中所示的馬達(dá)20旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該旋轉(zhuǎn) 卡盤3以開始旋轉(zhuǎn)晶片W。接著，開始進(jìn)行化學(xué)處理步驟。首先，如圖2中所 示的點(diǎn)劃線指示的，移動(dòng)第一支撐臂6從而將液體噴嘴5定位在晶片W的旋轉(zhuǎn) 中心Po之上。接著，從該液體噴嘴5向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po供給化學(xué)液。供 給到旋轉(zhuǎn)中心Po的化學(xué)液由于離心力被分散在晶片W的旨上表面上。因此， 在晶片W的上表面上形成化學(xué)液的液體膜。當(dāng)向其上供給化學(xué)液時(shí)晶片W的 旋 m^被設(shè)定在大約500ipm。在形成化^^液的液體膜后，停止從液體噴嘴5 供給化學(xué)液。此后，M31將晶片W按原樣留下預(yù)定長(zhǎng)的時(shí)間周肌由化學(xué)液的 液體膜處理晶片W的上表面。艦此化學(xué)處理增加晶片W的上表面的^7jC特 性。一旦完成該化學(xué)處理，執(zhí)行漂洗步驟。在漂洗步驟中，從液體噴嘴5向旋 轉(zhuǎn)晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po供給去離子水。由jft^供給的去離子水由于離心力被 分散在晶片W的，上表面上。粘附于晶片W的上表面上的化學(xué)液體M去 離子水從晶片W漂洗掉。在漂洗處理期間晶片W的旋^t^,為比向其上 供給化學(xué)液時(shí)晶片W的旋 fil^快，例如被設(shè)定在大約1000ipm。在晶片W被 該去離子水充分漂洗后，停止從^f體噴嘴5供給去離子水。其后，位于晶片W 上的支撐臂6從那里被縮回以回至恪用位置。在該漂洗步mt后，執(zhí)行用于在晶片W上形成IPA 、液體的^^體膜的液體膜 形成步驟。首先，如圖2中所示的點(diǎn)劃線指示的，移動(dòng)第二支撐臂15使得流體 噴嘴12被定位在晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po之上。接著，如圖3所示，從該流體噴 嘴12向以預(yù)定旋^I^旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po供給IPA液體(第一流體)。 由此所供給的IPA液體由于離心力被分散在晶片W的旨上表面上，并且在晶 片W的整個(gè)上表面上形成IPA液體的液體膜。液體膜的形成可以確保粘附在該 晶片W上的去離子水被弓l入晶片W的整個(gè)上表面上的EPA液體中并與之混合。 此外，可以防止晶片W的上表面干燥。在液體膜形成步驟期間晶片W的旋轉(zhuǎn) 速度優(yōu)選為比在漂洗處理期間晶片W的旋轉(zhuǎn)速度慢，例如被設(shè)定在大約 300rpm。在晶片W的上表面形成IPA液體的液體膜后，fflil向晶片W供給IPA液 體(第二流體)和氮?dú)?干燥氣體)來執(zhí)行用于千燥晶片W的千燥步驟。首先， 開始從流體噴嘴12供給IPA液體且接著從干燥氣體噴嘴13供纟^M氣，流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13定位于鄰近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po之上。隨后，如圖4 所示，當(dāng)繼續(xù)從噴嘴12和13向旋轉(zhuǎn)晶片W的，面供給IPA ^^體和氮?dú)鈺r(shí)， 在噴嘴移動(dòng)方向D上移動(dòng)第二支撐臂15。因此，如圖4所示，從流體噴嘴12 向晶片的上表面供給IPA液體的供給位置Sf、和從干燥氣體噴嘴13向晶片的上 表面供給氮?dú)獾墓┙o位置Sn從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po向夕卜徑向移動(dòng)。由于晶片 W被旋轉(zhuǎn)，因此可以在晶片W的整個(gè)上表面上供給IPA液體和氮?dú)?。IPA液體的供給和氮?dú)獾墓┙o可以同時(shí)開始。例如，當(dāng)流體噴嘴12被移動(dòng) 到在晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po正上方的位置時(shí)fflil開始供給IPA液體和氮?dú)?，?以從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po開始供給IPA液體，以及可以從在噴嘴移動(dòng)方向D 上的旋轉(zhuǎn)中心Po后面稍微遠(yuǎn)一些的地方開始供纟^M氣。可替換地，可以在開始 供給IPA液體后，當(dāng)^P燥氣體噴嘴13被移動(dòng)到在晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po正上方 的錢時(shí)，開始供^M氣，借lt^人晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po開始供^E氣。可替 換地，在噴嘴移動(dòng)方向D上的旋轉(zhuǎn)中心Po后面稍微遠(yuǎn)一些的地方開始供給IPA 液體和供織氣。在旋轉(zhuǎn)晶片W的上表面上供給的IPA液體由于離心力在晶片W上朝外徑 向流動(dòng)。當(dāng)IPA液體的供給位置Sf在噴嘴移動(dòng)方向D上被移動(dòng)時(shí)，干燥氣體的 供給位置Sn被保持在與相鄰的供給位置Sf相比更接近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po 的位置。在這種情況下，氮?dú)獾墓┙o位置Sn定位于旋轉(zhuǎn)中心Po和供給位置Sf 之間。因此，供給到晶片W的上表面上的IPA液體立即被氮?dú)庀吹?，因此可?,晶片W的干燥。所以，可以用較少量的IPA液體有效地千燥晶片W，即可 以限制IPA液體的iOT量。再者，由于可以抑制引起水印的氧化密度，因此可 以避免產(chǎn)4^K印。例如，干燥步驟中的晶片W的旋^3I^是在大約500rpm到800rpm之間。 IPA 、液體的供給位置Sf和氮?dú)獾墓┙o位置Sn在移動(dòng)方向D上的移動(dòng)速度是， 例如，大約150mm/sec。 iW:也，可以根據(jù)供給位置Sf和Sn在晶片W上的徑 向位置改變晶片W的旋,度。例如，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于晶片W的徑 向內(nèi)部時(shí)，可以增大晶片W的旋,度。同時(shí)，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于晶片 W的徑向外部時(shí)，可以減小晶片W的旋轉(zhuǎn)速度。為給出一實(shí)際的實(shí)例，在千燥 具有大約300mm的直徑的晶片W中，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于距晶片W的旋 轉(zhuǎn)中心Po大約90mm的半徑內(nèi)時(shí)，以800ipm的旋^I度驅(qū)動(dòng)晶片W。同時(shí)，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于以上范圍之外時(shí)，以500ipm的旋 ^^驅(qū)動(dòng)晶片W?？商鎿Q地，可以根據(jù)供給位置Sf和Sn在晶片W上的徑向位置改變供給位 置Sf和Sn在噴嘴移動(dòng)方向D上的移動(dòng)速度。例如，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于 晶片W的徑向內(nèi)部時(shí)，可以增大它的移動(dòng)鵬。同時(shí)，當(dāng)供給位置Sf和Sn位 于晶片W的徑向外部時(shí)，可以減小它的移動(dòng)速度。為給出一實(shí)際的實(shí)例，在干 燥具有大約300mm的直徑的晶片W中，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于距晶片W的 旋轉(zhuǎn)中心Po大約90mm的^g內(nèi)時(shí)，可以以大約7mm/sec的移動(dòng)聽移動(dòng)供給 位置Sf和Sn。同時(shí)，當(dāng)供給位置Sf和Sn位于以上范圍之外時(shí)，可以以大約 3mm/sec的移動(dòng)皿移動(dòng)供給位置Sf和Sn。當(dāng)IPA液體的供給位置Sf到達(dá)晶片W的周;&h的位置時(shí)，停止從流體噴 嘴12供給IPA液體。同樣地，當(dāng)?shù)獨(dú)獾墓┙o位置Sn到達(dá)晶片W的周邊上的位 置時(shí)，停止從干燥氣體噴嘴13供給氮?dú)?。于是該干燥步驟完成。氮?dú)夤┙o錢 Sn可以暫時(shí)停留在位于晶片W的周iii:的位置處，以繼續(xù)在該外周iii:暫時(shí)供 ^M氣，并隨后停止供纟^M氣。在這種情況下，可以更加可靠地干燥該晶片。完成T^燥步驟后，停止旋轉(zhuǎn)卡盤3的旋轉(zhuǎn)，并允許該未示出的傳送臂iSA 處理容器2。晶片W被從旋轉(zhuǎn)卡盤3傳送到傳送臂，并l妾著被從處理容器2卸 載。照這樣，完成了由襯底處理設(shè)備1執(zhí)行的針對(duì)晶片W的一系列過程。如上所述，根據(jù)此實(shí)施例，在供給去離子水后，在晶片W的上表面上形成 IPA液體(第一流體)的液體膜。因此，可以確保粘附在晶片W的上表面上的 去離子水被引入IPA液體并與之混合。此外，由于覆蓋晶片W的液體膜防止晶 片W的上表面的自然干燥，特別是，其周邊的自然干燥，因此可以防止在晶片 W的上表面上產(chǎn)^粒。即使晶片W的上表面具有較高的船K性，仍然可以有 效防止顆粒的產(chǎn)生。在形成IPA液體的液體膜后，當(dāng)從旋轉(zhuǎn)中心Po向外，即在移動(dòng)方向D上， 徑向移動(dòng)供給位置Sf時(shí)，向晶片W供給EPA液體(第二流體)。因此，在其中 供給并和去離子7K混合的EPA液體(第一流體)的液體膜可以被從晶片W洗掉 和去除。結(jié)果，晶片W的上表面可以被均勻有效地"^燥。itW卜，在位于沿移動(dòng) 方向D的IPA 、液體的供給位置Sf后面的供給位置Sn處供給用于干燥晶片W的 氮?dú)?，以便存留在晶片W上的液體(主要是IPA液體)朝著晶片W的周邊被 洗掉。因此，促進(jìn)了晶片W的千燥。所以，可以相對(duì)減少用于干燥晶片W的IPA液體(第二流體)的用量。再者，可以防止由EPA和去離子水的揮發(fā)性之間 的差異所弓跑的顆粒的產(chǎn)生，從而提高晶片W的質(zhì)量。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的 實(shí)施例，但是本發(fā)明并不局限于，實(shí)施例。 例如，不局限于半導(dǎo)體晶片，襯底可以是用于LCD的玻璃襯底、CD襯底、印 刷襯底、陶瓷襯底等等。已經(jīng)描述了對(duì)晶片W進(jìn)行化學(xué)處理步驟、漂洗步驟、液體膜形成步驟、和 干燥步驟的方法。但是，本發(fā)明并不局限于此，并可以被應(yīng)用于各種其他處理 過程中。再者，化學(xué)處理步驟中使用的化學(xué)液不局限于用于清潔晶片W的液體。例如，該化學(xué)鵬步驟可以Mai向其供給刻蝕化學(xué)艦晶片W進(jìn)行亥鵬的刻蝕步驟，如HF (氫氟酸)?？商鎿Q地，該化學(xué)處理步驟可以是去除保護(hù)層的步驟，和去除刻蝕殘?jiān)牟襟E。再者，可以對(duì)晶片w進(jìn)行例如M:刮掃器如刷子禾口海綿鄉(xiāng)晶片W的刮掃處理、和隨后進(jìn)行的漂洗步驟、液體膜形成步驟、及 干燥步驟。雖然作為漂洗液的去離子7K被給定為處理液的實(shí)施例，但是處理液并不局限于此。在以上實(shí)施例中，從同一個(gè)液體噴嘴5供給化爭(zhēng)液和漂洗液(處理液)。但 是，這些液體自然可以從分離的噴嘴供給。在這種情況下，用于供給化學(xué)液的 噴嘴和用于供給漂洗液的噴嘴可以通過分離(或單獨(dú))的臂分別支撐?？商鎿Q ±也，用于供給漂洗液的噴嘴可以由支撐流體噴嘴12和千燥氣體噴嘴13的支撐 臂15支撐。這里給出的描述液體膜形成步驟的實(shí)施例是IPA液體(第一流體)被供給 在晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po上，和通過利用由晶片W的旋轉(zhuǎn)弓胞的離心力形成液 體膜的情況。但是，形成液體膜的方法并不局限于此。例如，當(dāng)旋轉(zhuǎn)晶片W時(shí)， 可以在旋轉(zhuǎn)中心Po和晶片W的周邊之間的晶片W上移動(dòng)IPA液體的供給位置。 在這種情況下同樣可以適當(dāng)?shù)匦纬梢后w膜。tt匕方法中，IPA液體的供給位置相 對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心Po在向外或向內(nèi)的方向上可以只被徑向移動(dòng)一次，或相對(duì)于旋轉(zhuǎn) 中心Po被徑向往復(fù)一次或多次。在液體膜形成步驟，IPA液體(第一流體)的 供給位置的移動(dòng)皿im為比干燥步驟的IPA液體(第二流體)的供給位置Sf 的移動(dòng)速度快。這使得液體膜可以更決地形成。在液體膜形成步驟，IPA液體的 供給位置的移動(dòng)速度是例如大約150mm/sec，并且晶片W的旋轉(zhuǎn)皿是例如大 約300ipm。在液體膜形成步驟，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度最好比干燥步驟的晶片W的旋轉(zhuǎn)速度慢。這使得可以更可靠地形成液體膜，而沒有妨礙液體膜形成的離 心力。另一方面，由于晶片W以相對(duì)較高的皿旋轉(zhuǎn)，因此可以，晶片W 的千燥。疏冰性比漂洗液(處理液)高的第一和第二流體并不局限于IPA液體。作為IPA液體的替代，包含由去離子水或類似物稀釋的IPA的IPA溶液可以被用 作第一和第二流體中的至少一個(gè)(下文中稱作"干燥流體")。在這種情況下， 可以M^將被i頓的千燥流體的用量，其將使得成本降低。除液Wt態(tài)外，干 燥流體可以是霧化狀態(tài)、噴流狀態(tài)、及氣Wt態(tài)。例如，EPA液皿氣、IPA溶 液霧氣、IPA蒸汽、或IPA溶液蒸汽(IPA蒸汽和水蒸氣相混合的混合蒸氣)可 以被用作干燥流體。此外，霧氣或蒸RSl氣體如^氣的混合物可以被用作干燥 流體。再者，包含有機(jī)化合物如HFE (氫氟醚)和丙酮的有機(jī)歸U，及包含表 面活性劑的液體可以用作干燥流體。在這種情況下，可以是任何狀態(tài)，如霧化 狀態(tài)、噴氣狀態(tài)、和蒸汽狀態(tài)。同樣在這些流體被用j故第二流體的情況下，可 以艦同時(shí)供給千燥氣體如氮?dú)鈦砼灳琖的干燥。因此，可以減少將被使 用的第二流體的用量，使得實(shí) W本的附氐?？商鎿Q地，第一流體和第二流體可以是彼此不同的。例如，用j麟一流體 的IPA溶液中的IPA的密度和用做滯二流體的IPA溶液中的IPA的密度可以彼 此不同。可替換地，第一流體和第二流體的狀態(tài)(相位)可以彼此不同。例如， 可以采用如為IPA液體的液體作為第一流體，并^l用如為IPA蒸汽或IPA 、液體 的霧氣的氣體作為第二、流體。在以上實(shí)施例中，雖然從單個(gè)流體噴嘴12供給第一流體和第二流體，但是 也可以從分離的噴嘴供給第一流體和第二流體。例如，可以由支撐臂15支撐用 于供給第一流體的第一噴嘴和用于供給第二流體的第二流體噴嘴以便一起移動(dòng) 第一流體噴嘴、第二流體噴嘴、和干燥氣體噴嘴13。雙流體噴嘴可以被用作供給干M^體的噴嘴。例如，通過將液體，如IPA 液體或IPA溶液，和氣體，如氮?dú)猓旌?，IPA液體或IPA溶液在雙流體噴嘴內(nèi) 部形成為多個(gè)微小液滴的噴流。該液滴被氣體加速且從雙流體噴嘴噴出。雙流 體噴嘴的結(jié)構(gòu)不局限于內(nèi)部混合類型，而可以是其中液體和氣tt外部被混合 的外部混合類型的結(jié)構(gòu)。以下描述圖5所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向(CCW)上，氮?dú)庀蚓琖的供給位置Sn (干燥氣體噴嘴 13)比IPA液體(第二流體)向晶片W的供給位置Sf (流體噴嘴12)靠前。 在圖5中，從噴嘴12供給IPA液體的區(qū): 1由虛線，的圓形M來說明， 并且從噴嘴13供給氮?dú)獾膮^(qū) 過由虛線^的圓形An來說明。供給區(qū)域Af 的中心點(diǎn)由供給位置Sf tt示，并且供給區(qū)域An的中心點(diǎn)由供給位置Sn ， 示。線Lf將供給位置Sf和晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po相互連接。線Ln將供給位置 Sn和晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po相互連接。在這種情況下，在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向 上線Ln與線Lf偏離一個(gè)小于90°的角e n。因此，在EPA液體(第二流體)之 后，氮?dú)?干燥氣體)可以不但在徑向方向上而且在晶片W的旋轉(zhuǎn)方向上被穩(wěn) 定地供給到晶片W。所以，fflil干燥氣體沖掉晶片W上的IPA液體可以快速地 千燥晶片W。以下描述圖6所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，在與 噴嘴移動(dòng)方向D垂直的方向(這里，該方向與晶片W的表面平行)上，干燥氣 體噴嘴13的開口尺寸Bn比流體噴嘴12的開口尺寸Bf大。特別地，流體噴嘴 12有一圓形開口 12a，而干燥氣體噴嘴13有一長(zhǎng)方形開口 13a，其長(zhǎng)邊比圓形 開口12a的直徑長(zhǎng)。因此，在與噴嘴移動(dòng)方向D垂直的方向上，千燥氣體的供 給區(qū)域An的尺寸比第二流體(例如，IPA液體)的供給區(qū)域Af的尺寸大。這 種設(shè)計(jì)使得會(huì)灘在移動(dòng)方向D上在位于供給位置Sf后面的位置處充分地供^E 氣，使得可以ffiil氮?dú)庥行У叵慈PA液體。所以，晶片W可以被有效可fti也干燥o不局限于氮?dú)?，在千燥步驟i頓的干燥氣體可以是另一種惰性氣體。干燥 氣體不局限于惰性氣體，而可以是空氣或類似物。也是在這種情況下，可以沖掉已經(jīng)被供給在晶片W的戰(zhàn)面上的第二流體(例如，IPA液體)，^it晶片 W的千燥。此外，干燥氣體可以是具有濕度與氣體的常規(guī)狀態(tài)相比強(qiáng)制陶氐的 氣體，如干燥空氣^i以物。在這種情況下，可以減小晶片W的上表面附近的 濕度以鵬附著在晶片W上的液體，如IPA液體，的蒸發(fā)，由此可以更ffi5Ii也 千燥晶片W。例如，干燥氣體的^^ag不大于lg/m、接著，以下描述圖7所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中， 還設(shè)有加熱從流體噴嘴12供給的第二流體(IPA液體或類似物)的流體加MI 67a、和加熱要從干燥氣體噴嘴13供給的干燥氣體的干燥氣體加熱器72a。流體加鵬67a體在流體供纟織道67上，并且由控制器16控制。千燥氣體加熱 器72a被i體在惰性氣體供^Mit 72上，并且由控制器16控制。流體加鄉(xiāng) 67a可以被設(shè)置在流體提供源66的容器上。從流體噴嘴12供給由流體加熱器67a強(qiáng)制加熱至化隨?！幅i高的^鵬的第二流體來isa己經(jīng)被供給到晶片W的第一流體和第二流體的蒸發(fā)，由此可以更有效地干燥晶片W。同樣地，從千燥氣體噴嘴13供給強(qiáng)制加熱至i化爐?！幅i高 的^鵬的千燥氣體鵬己經(jīng)被供給到晶片W的第一流體和第二流體的蒸發(fā)，由 此可以更有效地千燥晶片W。以下描述圖8所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。 實(shí)施例中，還設(shè) 有吸取晶片W的上表面附近的空氣的吸取噴嘴80。特別地，設(shè)有吸取開口80a 的吸取噴嘴80設(shè)置在支撐臂15上，使得吸取噴嘴80與流體噴嘴12和干燥氣 體噴嘴13 —起移動(dòng)。在這種情況下，當(dāng)在噴嘴移動(dòng)方向D上移動(dòng)第二流體的供 給位置Sf (流體噴嘴12)時(shí)，吸取噴嘴80的吸取開口 80a與相鄰的IPA液體 的供給位置Sf相比保持離晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po更遠(yuǎn)。如為泵的未示出的吸取 設(shè)備被連接到該吸取噴嘴80上。由控制器16控制吸取設(shè)備的致動(dòng)，并由吸取 噴嘴80控制吸取操作。由于這種結(jié)構(gòu)，在千燥步驟，當(dāng)從在移動(dòng)方向D上移動(dòng)的流體噴嘴12供 給第二流體(IPA液體或類似物)時(shí)，供給位置Sf Pf斑的空氣中所包含的濕氣 可以被吸取噴嘴80吸走。因此，可以防止處理空間S中的濕氣被溶解在供給在 晶片W上的供給位置Sf上的第二流體中。所以，晶片W可以柳頃利地千燥。 特別地，ffiii吸取在移動(dòng)方向D上的第二流體的供給位置Sf前面的位置處的空 氣，可以獲得更加改進(jìn)的效果。以下描述圖9所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，在晶 片W的旋轉(zhuǎn)方向(CCW)上，相對(duì)于圖8所示的實(shí)施例中的晶片W，吸取噴 嘴80的吸取開口 80a的中心點(diǎn)定位于向晶片W供給第二流體(IPA液體或類似 物)的供給位置Sf (流體噴嘴12)的前面。在圖9中，與圖5相似，從噴嘴12 供給第二流體的供給區(qū)^il由虛線標(biāo)的圓形M來說明，并5i人噴嘴13供 給干燥氣體的供給區(qū)域iM:由虛線表示的圓形An來說明。供給區(qū)域Af的中心 點(diǎn)由供給位置Sftt示，并且供給區(qū)域An的中心點(diǎn)由供給位置Sn^^。線 Lf將第二流體的供給位置Sf和晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po相互連接。線La將供給位置Sn和晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po相互連接。在這種情況下，在晶片W的旋轉(zhuǎn) 方向上線La與線Lf偏離一個(gè)小于90。的角6a。因此，僅僅在從流體噴嘴12向 晶片W的上表面供給第二流體之前，前述吸取開口 80a可以吸取晶片W上方的空氣。所以，它可以有效地防止處理空間s中的濕氣被溶角tt供給到晶片w的IPA液體中。在此實(shí)施例中，流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13由唯一的支撐臂15支撐， 使得用支撐臂15—起移動(dòng)流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13。但是，流體噴嘴12 和干燥氣體噴嘴13也可以由分離的支撐臂支撐。在此實(shí)施例中，當(dāng)向晶片W供給第二流體時(shí)，流體噴嘴12和千燥氣體噴 嘴13相對(duì)于晶片W在相同的方向上，艮卩，在移動(dòng)方向D上移動(dòng)。但是，流體 噴嘴12和干燥氣體噴嘴13可以在不同的方向上移動(dòng)。以下描述圖10所示的襯底M設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，流體 噴嘴12和干燥氣體噴嘴13由分離的支撐臂分別支撐，其結(jié)構(gòu)不同于圖1到4 所示的實(shí)施例。在此實(shí)施例中，流體噴嘴12和千燥氣體噴嘴13在不同的方向 上徑向移動(dòng)。特別地，單獨(dú)^fi有支撐流體噴嘴12的支撐臂和支撐干燥氣體噴 嘴13的支撐臂。在干燥步驟，相應(yīng)的支撐臂iM;控制器16 (附圖l)的控制以 180。的角在不同的方向上徑向移動(dòng)。因此，流體噴嘴12和干燥氣體噴嘴13從 晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po以180。的角在不同的方向上朝外徑向移動(dòng)。也是在這種 情況下，干燥氣體的供給位置Sn被保持在與第二流體的供給位置Sf相比更接 近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心Po的位置。也就是，控制千燥氣體的供給位置Sn和旋轉(zhuǎn) 中心Po之間的距離總是小于第二流體的供給位置Sf和旋轉(zhuǎn)中心Po之間的距離。 也是在這種情況下，利用晶片W的旋轉(zhuǎn)在朝著干燥氣體的供給位置Sn移動(dòng)已 經(jīng)被供給在晶片W的上表面中的供給位置Sf處的第二流體，M,AJ鬼轉(zhuǎn)中心 Po —側(cè)所供給的干燥氣體4蝶二流^ 月著晶片W的夕卜周邊被吹掉，以便干燥晶 片。因而可以有效地干燥晶片W。在流體噴嘴12被劃分為如上所述的第一流體噴嘴和第二流體噴嘴的情況 下，以及設(shè)置圖8所示的吸取噴嘴80的情況下，可以通過分離的支撐臂有選擇 地支撐這些噴嘴?？商鎿Q地，可以在不同的方向上有選擇地移動(dòng)這些噴嘴。以下描述圖11所示的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，驗(yàn) 調(diào)節(jié)器85設(shè)置在處理容器2的頂部上作為調(diào)節(jié)由旋轉(zhuǎn)卡盤3保持的晶片W附21近的MS的濕度調(diào)節(jié)系統(tǒng)。該濕度調(diào)節(jié)器85可以調(diào)節(jié)處理容器2內(nèi)的，處理空間S中的濕度。當(dāng)執(zhí)療液體膜形成步驟和千燥步驟中的至少一個(gè)時(shí)，處理容器2中的鵬與化學(xué)處理步驟和漂洗步驟中的f破相比被降低。在這種情況下， 可以防止包含在處理空間S中的濕氣被溶解在供給至幅片W的第一和第二流體 中的至少一個(gè)中。因此可以防止晶片W被千燥后在其上產(chǎn)，粒。財(cái)卜，可以 在干燥步驟加速晶片W的干燥。以下描述圖12所示的設(shè)有皿調(diào)節(jié)系統(tǒng)的襯底處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。 在此實(shí)施例中，濕度調(diào)節(jié)系統(tǒng)100構(gòu)造為使得具有經(jīng)調(diào)節(jié)的ME的氣體AUl面 被供給到^bS容器2中的處理空間S內(nèi)，并且該氣體從下面流出。特別地，如圖12所示，此實(shí)施例中的濕度調(diào)節(jié)系統(tǒng)100包括向處理容器2 中供給用于調(diào)整濕度的惰性氣體的氣體供給容器91 o該氣體供給容器91設(shè)置在 M容器2的頂部上。具有多4^體供纟^1路94的導(dǎo)流板93設(shè)置在氣體供給 容器91和處理容器2之間。氣體供纟^M路94均勻地分布在整個(gè)導(dǎo)流板93中。 氣體供給容器91通過氣體入口通道95連接至愾體提供源96。濕度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)92 設(shè)置在氣體入口鵬95上，以調(diào)節(jié)從氣體提供源96供給的情性氣體的濕度。 根據(jù)來自控制器16的控制指令控制該濕度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)92，并且該機(jī)構(gòu)肯,將惰性 氣體中的濕氣含量調(diào)節(jié)到給定值。從氣體供給容器91供給到處理容器2中的惰 性氣體向下流入到由旋轉(zhuǎn)卡盤3保持的晶片W上方的處理空間S中，并且從形 皿處理容器2的底部中的出口通路98流出。因此，在處理空間S中形成具有 經(jīng)調(diào)節(jié)的MS的向下流動(dòng)的情性氣體，并因此可以適當(dāng)?shù)乜刂铺幚砜臻gS中的 鵬。從氣體提供源96供給的用于調(diào)節(jié)濕度的氣體不局限于隋性氣體，并且可以 是其他的氣懶卩空氣。當(dāng)f柳空氣時(shí)，也可以順利地控制處理空間S中的纟鵬。通常，安裝襯底處理設(shè)備的清潔空間具有常溫(大約23。C)和大約40%到 大約45%的相贈(zèng)顯度。在液體膜形成步驟和干燥步驟中的至少一個(gè)中，M空 間S中的溫度與清潔空間的相對(duì)濕度相比可被降低。這可以進(jìn)一步加強(qiáng)晶片W 的干燥性能。在這種情況下，處理空間S的濕度可以是例如大約不^3125% (在 大約23°C的^^下的相對(duì)^顯度)?？商鎿Q地，處理空間S的會(huì)Mf顯度可以是例 如大約5g/m3 0在液體膜形成步驟和干燥步驟中的僅僅一個(gè)中執(zhí)纟于處理空間S中的濕度調(diào)整。但是，并不局限于此，可以在化學(xué)處理步驟和漂洗步驟之間調(diào)整處理空間s的驗(yàn)?？商鎿Q地，可以經(jīng)常調(diào)節(jié)處理空間S的 鵬。
權(quán)利要求
1. 一種襯底處理方法，它包括以下步驟通過處理液處理襯底；通過在其上供給與所述處理液相比具有更高揮發(fā)性的第一流體而在所述襯底的上表面上形成液體膜；和當(dāng)旋轉(zhuǎn)所述襯底時(shí)，向所述襯底的所述上表面供給與所述處理液相比具有更高揮發(fā)性的第二流體；其中在供給所述第二流體的步驟，向所述襯底供給所述第二流體的位置相對(duì)于所述襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于，其還包括化學(xué)處理步驟，在由所述處理液處理所述襯底的步驟之前，所述化學(xué)處理步驟通過化學(xué)液處理 所述襯底。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的襯底處理方法，其特征在于， ffiil所述化學(xué)處理步驟增大所述襯底的所述上表面的疏冰性。
4. 根據(jù)^^i」要求1的襯底處理方法，其特征在于，在形j^萬述液體膜的步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)所述襯底時(shí)，向所述襯底供給所述第一 流體的位置相對(duì)于所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)以形^^f述液體膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的襯底處理方法，其特征在于，在形i^萬述液體膜步驟的所述第一流體的所述供給位置的移動(dòng)速度比在供 給所述第二流體步驟的所述第二流體的所述供給位置的移動(dòng)速度快。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4的襯底處理方法，其特征在于，在形j^f述液體膜步驟的所述襯底的旋轉(zhuǎn)速度比在供給所述第二流體步驟 的所述襯底的旋^I^慢。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于，在供給所述第二流體的步驟，千燥氣體還被供給至斷述襯底的所述上表面， 并且當(dāng)保持向所述襯底供給所述干燥氣體的位置與所述第二流體的所述供給位 置相比更接近所述襯底的旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，向所述襯底供給所述干燥氣體和所述第 二流體的位置相對(duì)于晶片的旋轉(zhuǎn)中心分另嘲夕卜徑向移動(dòng)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的襯底處理方法，其特征在于，向所述襯底供給所述干燥氣體的所述位置位于所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心和 所述第二流體的所述供給^S之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的襯底處理方法，其特征在于，在所述襯底的旋轉(zhuǎn)方向上，向所述襯底供給所述"P燥氣體的所述位置位于 向所述襯底供給所述第二 荒體的所述位置之前。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的襯底處理方法，其特征在于，在與所述供給位置的所述移動(dòng)方向垂直的方向上，向所述襯底供給所述干 燥氣體的區(qū)域的尺寸比向所述襯底供給所述第二流體的區(qū)域的尺寸大。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的襯底鵬方法，其特征在于，所述千燥氣體是隋性氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的襯底處理方法，其特征在于，所述千燥氣體是千燥空氣。
13.根據(jù)權(quán)利要求7的襯底處理方法，其特征在于，供纟煞5加熱的干燥氣體。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于，當(dāng)吸取所述襯底的所述上表面附近的空氣時(shí)，執(zhí)行供給所述第二流體的步驟。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的襯底處理方法，其特征在于， 當(dāng)保持空氣的吸取位置與所述第二流體的所述供給位置相比離所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心更遠(yuǎn)時(shí)，空氣的所述吸取位置和向所述襯底供給所述第二流體的 所述位置相對(duì)于所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心朝夕卜徑向移動(dòng)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14的襯底處理方法，其特征在于， ;ffi^f述襯底的旋轉(zhuǎn)方向上，空氣的所述吸取^S位于向所述襯底供給所述第二流體的位置之前。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于，執(zhí)行形成所述液體膜的步驟和供給所述第二流體的步驟的至少一個(gè)，使所 述襯底周圍的濕度低于在由所述處理液處理所述襯底的步驟的濕度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于， 所述處理液是去離子水。
19. 根據(jù)權(quán)禾腰求1的襯底處理方法，^#征在于，所述第一流體和所述第二流體中的至少一個(gè)選自包括IPA液體，IPA溶液， 霧化IPA液體，IPA蒸汽和IPA溶液的蒸汽的組。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，其特征在于，所述第一流體和所述第二流體彼此相同。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1的襯底處理方法，^fT征在于， 供纟煞勁卩熱的第二流體。
22. —種用于存儲(chǔ)可由襯底處理設(shè)備的控制器執(zhí)行的禾聘的存儲(chǔ)介質(zhì)，以執(zhí) 行包括以下步驟的襯底處理方法fflil處理艦理襯底；31在其上供給與所述處理液相比具有更高揮發(fā)性的第一流體而在所述襯 底的上表面上形^^體騰禾口當(dāng)旋轉(zhuǎn)所述襯底時(shí)，向所述襯底的所^J:表面供給與戶;f述處理液相比具有 更高揮發(fā)性的第二流體；其中在供給所述第二流體的步驟，向所述襯底供給所述第二流體的位置相對(duì)于 所述襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)。
23. —種襯底處理設(shè)備,它包括(a) 構(gòu)形成保持并旋轉(zhuǎn)襯底的旋轉(zhuǎn)卡盤；(b) 構(gòu)形成向由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的所述襯底的上表面供給處理液的處理液 供給系統(tǒng)'，(c) 具有第一流體噴嘴的第一流體供給系統(tǒng)，所述第一流體供給系統(tǒng)構(gòu)形成 ,AM述第一流體噴嘴向所述襯底的所^LL表面供給與所述處理液相比具有更高 揮發(fā)性的第一流體；(d) 具有第二流體噴嘴的第二流體供給系統(tǒng)，所述第二流體供給系統(tǒng)構(gòu)形成 從所述第二流體噴嘴向所述襯底的所^i:表面供給與所述處理液相比具有更高 揮發(fā)性的第二流體；(e) 構(gòu)形成相對(duì)所述襯底的旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng)所述第二流體噴嘴的噴嘴 移動(dòng)機(jī)構(gòu)；(f) 控制器，所鵬制器構(gòu)形成控制所述旋轉(zhuǎn)卡盤、所述M、液供給系統(tǒng)、 所述第一流體供給系統(tǒng)、所述第二流體供給系統(tǒng)、和所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以執(zhí) 行以下步驟Mi^述供給系統(tǒng)向所述襯底的上表面供給所述處理液； M^f述第一流體噴嘴向所述襯底的所^i:表面供給所述第一流體；禾口 當(dāng)通過所述旋轉(zhuǎn)卡^J定轉(zhuǎn)所述襯底并通31戶;f述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)所3^第二流體噴嘴時(shí)，/A^f述第二流體噴嘴向所述襯底的所^i:表面供給所述第二流體。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23的襯底處理設(shè)備，^#征在于，其還包括構(gòu)形成向所述襯底的所^i:表面供給"P燥氣體的"B桌氣體噴嘴；其中當(dāng)保持所述干燥氣體噴嘴與所述第二流體噴嘴相比更接近所述襯底的所述 旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)形成相對(duì)所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向 移動(dòng)所述千燥氣體噴嘴和所述所述第二流體噴嘴。
25. 根據(jù)權(quán)禾腰求24的襯底處理設(shè)備，其特征在于，在與由所述所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)移動(dòng)所述噴嘴的移動(dòng)方向垂直的方向上，所 述^P燥氣體噴嘴的開口尺寸比所述第二流體噴嘴的開口尺寸大。
26. 根據(jù)權(quán)利要求24的襯底處理設(shè)備，其特征在于，所述千燥氣體是惰性氣體。
27. 根據(jù)權(quán)利要求24的襯底處理設(shè)備，其特征在于，所述"P燥氣體是"B喿空氣。
28. 根據(jù)權(quán)利要求24的襯底處理設(shè)備，其特征在于，其還包括構(gòu)形成加熱,A^述干燥氣體噴嘴供給的所述千燥氣體的干燥氣體加熱器。
29. 根據(jù)權(quán)利要求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于，其還包括構(gòu)形成吸取所述襯底的所述上表面附近的空氣的吸取噴嘴，其中當(dāng)保持所述吸取噴嘴與所述第二流體噴嘴相比更遠(yuǎn)離所述襯底的所述旋轉(zhuǎn) 中心時(shí)，所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)形成相對(duì)所述襯底的所述旋轉(zhuǎn)中心朝外徑向移動(dòng) 所述吸取噴嘴和所述第二流體噴嘴。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29的襯底處理設(shè)備，其特征在于， 當(dāng)在所述襯底的旋轉(zhuǎn)方向上，保持所述吸取噴嘴位于所述所述第二流體噴嘴之前時(shí)，所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)形成移動(dòng)所述吸取噴嘴和所述第二流體噴嘴。
31. 根據(jù)權(quán)禾腰求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于，其還包括構(gòu)形成調(diào)節(jié) 由所述旋轉(zhuǎn)卡盤保持的所述襯底周圍的mS的mS調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
32. 根據(jù)權(quán)禾腰求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于，其包括用作所述第一 和第二流體噴嘴的單個(gè)流體噴嘴。
33. 根據(jù)權(quán)禾腰求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于， 所述第一、流體和所述第二流體彼此相同。
34. 根據(jù)權(quán)利要求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于，所述處理液是去離子水。
35. 根據(jù)權(quán)利要求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于， 所述第一流體和所述第二流體中的至少一個(gè)選自包括IPA液體、IPA溶液、IPA液皿氣、IPA蒸汽、和IPA溶液的蒸汽的組。
36. 根據(jù)權(quán)禾腰求23的襯底處理設(shè)備，其特征在于，其還包括構(gòu)形成加熱 要M^述第二流體噴嘴供給的所述第二流體的流體加SI。
全文摘要
本發(fā)明提出一種襯底(W)，它用處理液如去離子水進(jìn)行處理。接著，從流體噴嘴(12)向襯底(W)的上表面供給比處理液更易揮發(fā)的第一流體以形成液體膜。接下來，當(dāng)晶片(W)被旋轉(zhuǎn)時(shí)，從流體噴嘴(12)向襯底(W)的上表面供給比處理液更易揮發(fā)的第二流體。在此供給操作期間，從襯底(W)的旋轉(zhuǎn)中心(Po)朝外徑向移動(dòng)向襯底(W)供給第二流體的供給位置(Sf)。結(jié)果，在通過使用第一流體和第二流體干燥襯底(W)后可以防止在襯底(W)上產(chǎn)生顆粒。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101253604SQ200680022348
公開日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月23日
發(fā)明者關(guān)口賢治, 內(nèi)田范臣, 大野廣基, 田中曉 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社