據(jù)線50、第I控制線75以及第2控制線76比上述第2層F2靠上一層(第3層F3)地形成于同一層。
[0101]接著，說明在像素20內(nèi)設(shè)置的布線以及半導(dǎo)體層的構(gòu)成。在像素20內(nèi)的最下層即第I層Fl形成有半導(dǎo)體層41、51、52、61、62。這些半導(dǎo)體層均包含硅等半導(dǎo)體材料。此夕卜，當(dāng)然，用不同材料構(gòu)成各半導(dǎo)體層也是可以的。
[0102]本實施方式中，半導(dǎo)體層51包括第I半導(dǎo)體層51a以及第2半導(dǎo)體層51b。半導(dǎo)體層52包括第I半導(dǎo)體層52a以及第2半導(dǎo)體層52b。半導(dǎo)體層61包括第I半導(dǎo)體層61a以及第2半導(dǎo)體層61b。半導(dǎo)體層62包括第I半導(dǎo)體層62a以及第2半導(dǎo)體層62b。半導(dǎo)體層41、51、52、61、62形成為相互分離的島狀。
[0103]在該第I層的上一層即第2層形成有布線56、57、58以及63。這些布線含有例如銅、鋁、銀等高導(dǎo)電性金屬。
[0104]布線56包括:設(shè)置成俯視與第I半導(dǎo)體層61a重疊的分支部分56a ;和設(shè)置成俯視與第2半導(dǎo)體層61b重疊的分支部分56b。由第I半導(dǎo)體層61a、分支部分56a和在第I半導(dǎo)體層61a與分支部分56a之間配置的柵絕緣層構(gòu)成P型晶體管T11，由第2半導(dǎo)體層61b、分支部分56b和在第2半導(dǎo)體層61b與分支部分56b之間配置的柵絕緣層構(gòu)成N型晶體管T22。
[0105]布線57包括:設(shè)置成俯視與第I半導(dǎo)體層62a重疊的分支部分57a ;設(shè)置成俯視與第2半導(dǎo)體層62b重疊的分支部分57b ;設(shè)置成俯視與第I半導(dǎo)體層52a重疊的分支部分57c ;和設(shè)置成俯視與第2半導(dǎo)體層52b重疊的分支部分57d。由第I半導(dǎo)體層62a、分支部分57a和在第I半導(dǎo)體層62a與分支部分57a之間配置的柵絕緣層構(gòu)成P型晶體管T21，由第2半導(dǎo)體層62b、分支部分57b和在第2半導(dǎo)體層62b、分支部分57b之間配置的柵絕緣層由構(gòu)成N型晶體管T12。
[0106]布線58包括:設(shè)置成俯視與第I半導(dǎo)體層51a重疊的分支部分58a ;和設(shè)置成俯視與第2半導(dǎo)體層51b重疊的分支部分58b。由半導(dǎo)體層51、52和布線57、58構(gòu)成鎖存電路25。
[0107]布線63構(gòu)成用于連接第I控制線75與晶體管T11、T12的布線的一部分。布線63經(jīng)由接觸孔與第I控制線75相連接。
[0108]在第2層的上一層即第3層形成有布線42、43、53、54、55、64、65以及66。這些布線與在第2層形成的布線同樣地，含有例如銅、鋁、銀等高導(dǎo)電性金屬。
[0109]布線42是從數(shù)據(jù)線50向像素20內(nèi)向圖中左方向突出的部分，經(jīng)由接觸孔與半導(dǎo)體層41的一方端部相連接。
[0110]布線43經(jīng)由接觸孔將半導(dǎo)體層41的另一方的端部與布線58的端部相連接。另夕卜，經(jīng)由接觸孔將半導(dǎo)體層41的另一方的端部與布線56相連接。
[0111]布線53包括:將高電位電源線78與第I半導(dǎo)體層51a連接的布線53a ;和將高電位電源線78與第I半導(dǎo)體層52a連接的布線53b。布線53經(jīng)由接觸孔連接于第I半導(dǎo)體層51a以及52a。
[0112]布線54是將低電位電源線77、第2半導(dǎo)體層52b與第2半導(dǎo)體層51b連接的布線。布線54經(jīng)由接觸孔與第2半導(dǎo)體層51b以及52b相連接。
[0113]布線55經(jīng)由接觸孔分別與第I半導(dǎo)體層51a、第2半導(dǎo)體層51b、布線57相連接。
[0114]布線64是將第I半導(dǎo)體層61a、第2半導(dǎo)體層62b、布線63連接的布線。布線64經(jīng)由接觸孔分別與第I半導(dǎo)體層61a、第2半導(dǎo)體層62b、布線63相連接。布線65包括:連接第2控制線76與晶體管(N型晶體管)T22的布線65a ;和連接第2控制線76與晶體管(P型晶體管)T21的布線65b。布線65a、65b分別經(jīng)由接觸孔與第2半導(dǎo)體層61b、第I半導(dǎo)體層62a相連接。
[0115]布線66經(jīng)由接觸孔分別與第I半導(dǎo)體層61a、62a以及第2半導(dǎo)體層61b、62b相連接。而且，布線66經(jīng)由接觸孔連接于與在上一層(5層)所形成的像素電極21。
[0116]通過這樣構(gòu)成各層，由半導(dǎo)體層61、62、布線56、57、64、66以及第I層與第2層之間的未圖示的絕緣層構(gòu)成傳輸門TG1、TG2。
[0117]另外，半導(dǎo)體層41中俯視與掃描線40的一部分重疊的部分成為溝道區(qū)域，經(jīng)由布線42而連接于數(shù)據(jù)線50的部分成為源區(qū)域，連接于布線43的部分成為漏區(qū)域。掃描線40中俯視與半導(dǎo)體層41重疊的部分(延伸部分)構(gòu)成像素開關(guān)元件24的柵電極。
[0118]另外，以半導(dǎo)體層51以及52、布線53、55、57、58以及57為主體構(gòu)成鎖存電路25。由半導(dǎo)體層51構(gòu)成鎖存電路25的N型晶體管31和P型晶體管32，由半導(dǎo)體層52構(gòu)成鎖存電路25的N型晶體管33和P型晶體管34，但是并未圖示。
[0119]而且，以第I半導(dǎo)體層61a為主體構(gòu)成場效應(yīng)型的P型晶體管T11，以第2半導(dǎo)體層62b為主體構(gòu)成場效應(yīng)型的N型晶體管T12。以第2半導(dǎo)體層61b為主體構(gòu)成場效應(yīng)型的N型晶體管T22，以第I半導(dǎo)體層62a為主體構(gòu)成場效應(yīng)型的P型晶體管T21。S卩，通過第I半導(dǎo)體層61a、第2半導(dǎo)體層62b、布線56、57、64、66構(gòu)成傳輸門TG1、TG2。
[0120]形成這樣的像素20的情況下，只要從第I層到第4層依次層疊即可。
[0121]圖6(a)是具體地表示本實施方式涉及的電泳顯示裝置100中的3個像素20的構(gòu)成的俯視圖，圖6(b)是圖6(a)中的A — A線向視的剖視圖。
[0122]本實施方式中，如圖6(a)所示，采用在相鄰的像素20A與像素20B之間共用第2控制線76的結(jié)構(gòu)。在圖6所示的構(gòu)成中，像素20A內(nèi)的構(gòu)造與像素20B內(nèi)的結(jié)構(gòu)相對于第2控制線76為線對稱的關(guān)系。通過這樣配置，不大幅改變像素內(nèi)的布線的實質(zhì)配置就能夠省略第2控制線76的條數(shù)。因此，能夠與該量相應(yīng)地確保相鄰的像素20A與像素20B的空間，能夠使在像素20A以及像素20B內(nèi)形成的布線之間的距離有余裕。
[0123]另外，本實施方式中，具備俯視與第I控制線75以及第2控制線76重疊的靜電屏蔽層(屏蔽層)90。靜電屏蔽層90跨多個像素20形成為條紋狀。靜電屏蔽層90由在Cu箔上依次層疊有鎳鍍層和金鍍層的物質(zhì)和/或、Al、ITO(銦錫氧化物)等形成。能夠通過未圖示的控制器對靜電屏蔽層90輸入電位。
[0124]如圖6(b)所述，本實施方式中，靜電屏蔽層90配置在第2控制線76與像素電極21之間。此外，雖省略了圖示，但靜電屏蔽層90配置在第I控制線75與像素電極21之間。
[0125]另外，靜電屏蔽層90具有俯視與相鄰的像素20之間的像素電極21的兩端部重疊的大小。靜電屏蔽層90如后所述具有屏蔽在第I控制線75以及第2控制線76與對置電極22之間產(chǎn)生電場的功能。
[0126]接下來，為說明靜電屏蔽層90的效果，就在沒有設(shè)置靜電屏蔽層90的情況下所產(chǎn)生的問題進行說明。圖7是表示關(guān)注電泳顯示裝置中的I個像素20的驅(qū)動方法的一例的定時圖。
[0127]如圖7所示，電泳顯示裝置100中，各像素20依次經(jīng)歷圖像信號輸入期間STl以及圖像寫入期間ST2而生成圖像。
[0128]圖像信號輸入期間STl中，從數(shù)據(jù)線50對鎖存電路25輸入圖像數(shù)據(jù)。具體而言，在具有上述構(gòu)成的像素20中，若從數(shù)據(jù)線50經(jīng)由像素開關(guān)元件24對鎖存電路25輸入低電平的圖像數(shù)據(jù)，則如上所述鎖存電路25的端子NI變?yōu)榈碗娖健?br>[0129]于是，傳輸門TGl導(dǎo)通，像素電極21電連接于第I控制線75。因此，能夠?qū)ο袼仉姌O21輸入與第I控制線75相對應(yīng)的電位。即，從第I控制線75對像素電極21輸入低電平即例如OV的電位(L)作為控制信號SI。
[0130]另一方面，若從數(shù)據(jù)線50經(jīng)由像素開關(guān)元件24對鎖存電路25輸入高電平的圖像數(shù)據(jù)，則傳輸門TG2導(dǎo)通，像素電極21電連接于第2控制線76。因此，能夠?qū)ο袼仉姌O21輸入與第2控制線76相對應(yīng)的電位。即，從第2控制線76對像素電極21輸入高電平即例如15V的電位(H)作為控制信號S2。
[0131]電泳顯示裝置100能夠通過從根據(jù)上述圖像信號輸入期間STl所選擇的第I控制線75或第2控制線76將預(yù)定電位輸入像素電極21而使像素20顯示圖像。
[0132]接著，就圖像寫入期間ST2進行說明。如圖7所示，圖像寫入期間ST2包括前半部ST2a和后半部ST2b。
[0133]圖像寫入期間ST2的前半部ST2a中，對對置電極22輸入與低電平的信號相對應(yīng)的例如OV的電位Vcom。該情況下，在從第I控制線75被輸入OV的電位(L)的像素電極21與對置電極22之間不產(chǎn)生電位差。因此，電泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)不動。
[0134]另一方面，從第2控制線76被輸入15V的電位⑶的像素電極21，相對于對置電極22具有15V的電位差，因此帶正電的白色微粒82向?qū)χ秒姌O22側(cè)移動、帶負電的黑色微粒83向像素電極21側(cè)移動，由此，若從成為顯示面的對置電極22側(cè)觀察該像素，則被識別為白色(W)(參照圖4(a))。
[0135]圖像寫入期間ST2的后半部ST2b中，對對置電極22輸入與高電平的信號相對應(yīng)的例如15V的電位Vcom。該情況下，在從第2控制線76被輸入15V的電位(H)的像素電極21與對置電極22之間不產(chǎn)生電位差。另一方面，從第I控制線75被輸入OV的電位(L)的像素電極21，相對于對置電極22具有一 15V的電位差，因此帶正電的白色微粒82向像素電極21側(cè)移動，帶負電的黑色微粒83向?qū)χ秒姌O22側(cè)移動，由此，若從成為顯示面的對置電極22側(cè)觀察該像素，則被識別為黑色(B)(參照圖4(b))。
[0136]以上那樣，從第I控制線75被輸入OV的電位(L)的像素電極21的像素20變?yōu)楹谏?，從?控制線76被輸入15V的電位(H)的像素電極21的像素20變?yōu)榘咨?。因此，在圖7中，將被輸入進行黑顯示的像素20的像素電極21的電位設(shè)為“黑”，將被輸入進行白顯示的像素20的像素電極21的電位設(shè)為“白”。
[0137]但是，第I控制線75以及第2控制線76跨多個像素20共用地形成。因此，在圖像寫入期間ST2之中，第I控制線75始終被輸入OV的電位(L)，第2控制線76始終被輸入15V的電位⑶。
[0138]根據(jù)以上內(nèi)容，在沒有設(shè)置靜電屏蔽層90的情況下，會發(fā)生圖8所示的現(xiàn)象。圖8表示每個像素20的截面與白色微粒82、黑色微粒83的運動。此外，圖8中，簡化了圖示，僅示出了像素電極21、對置電極22、第I控制線75以及第2控制線76。
[0139]圖8(a)與在某一個像素20中從黑色表示向白色表示切換時的圖像寫入期間ST2的前半部ST2a相對應(yīng)，圖8(b)與相繼于圖8(a)的圖像寫入期間ST2的后半部ST2b相對應(yīng)。另外，圖8 (c)與在某一個像素20中從白色表示向黑色表示切換