描述的技術總體上涉及一種顯示設備。

背景技術：

顯示設備的示例類型包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器、場效應顯示器(FED)和電泳顯示設備等。

具體地，顯示器中的每個像素的OLED包括兩個電極和插入的有機發(fā)射層，當從一個電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在有機發(fā)射層中彼此結合以形成激子并且激子釋放能量時，OLED發(fā)光。

因為OLED顯示器的特征在于自發(fā)光并且不需要單獨的光源，所以與LCD不同，可以減小OLED顯示器的厚度和重量。此外，因為OLED技術具有諸如低功耗、高亮度和高響應速度的期望的特性，所以將OLED顯示器視為下一代顯示技術。

技術實現要素：

一個發(fā)明方面涉及一種可以防止設置在基底的外圍區(qū)域中的布線腐蝕的顯示設備。

另一方面是一種顯示設備，所述顯示設備包括：基底，包括顯示圖像的顯示區(qū)域和與顯示區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域；多條信號線，設置在顯示區(qū)域中；包封層，設置在多條信號線上；焊盤部分，設置在外圍區(qū)域中；多條連接布線，連接信號線和焊盤部分，其中，設置在顯示區(qū)域上的包封層延伸從而設置在多條連接布線上。

折疊區(qū)域可以設置在基底的外圍區(qū)域中，延伸的包封層可以與折疊區(qū)域疊置。

保護膜可以設置在基底下方。

保護膜可以不設置在基底的折疊區(qū)域的下部。

基底可以在折疊區(qū)域中彎曲，支撐板可以設置在折疊的基底的端部之間從而彼此面對。

粘合劑層可以設置在基底與支撐板之間。

包封層可以由多個層形成。

包封層可以通過一個接一個地交替層疊無機層和有機層來形成。

包封層的無機層可以延伸從而設置在多條連接布線上。

設置在多條連接布線上的無機層可以由均具有不同密度的至少兩個或更多個層形成。

設置在多條連接布線上的無機層可以包括：一對第一無機層，具有第一密度；第二無機層，設置在所述一對第一無機層之間并具有第二密度。

無機層可以由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一種制成。

包封層可以包括：無機層和有機層，一個接一個地交替層疊；金屬氧化物層，設置在無機層和有機層之間，作為包封層的最頂層或作為包封層的最底層。

金屬氧化物層可以延伸從而設置在多條連接布線上。

金屬氧化物層可以由氧化鋁、ITO、氧化鋅和氧化鈦中的至少一種制成。

包封層可以包括：無機層和有機層，一個接一個地交替層疊；六甲基二硅氧烷(HMDSO)層，設置在無機層與有機層之間，作為包封層的最頂層或作為包封層的最底層。

HMDSO層可以延伸從而設置在多條連接布線上。

顯示設備還可以包括結合到焊盤部分的膜上芯片。

另一方面是一種顯示設備，所述顯示設備包括：基底，包括被構造為顯示圖像的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；多條信號線，設置在顯示區(qū)域中；包封層，設置在信號線之上；焊盤部分，設置在外圍區(qū)域中；多條連接布線，連接信號線和焊盤部分，其中，連接布線中的每條包括設置在外圍區(qū)域的第一部分和設置在顯示區(qū)域中的第二部分，其中，包封層設置在顯示區(qū)域上的部分延伸到外圍區(qū)域并置于連接布線的第一部分之上。

在以上顯示設備中，外圍區(qū)域包括折疊區(qū)域，其中，包封層的延伸部分在顯示設備的深度維度上與折疊區(qū)域疊置。以上顯示設備還包括設置在基底下方的保護膜。在以上顯示設備中，保護膜不設置在基底的折疊區(qū)域的下部。在以上顯示設備中，基底的端部被構造為折疊并彼此面對，其中，顯示設備還包括設置在基底的端部之間的支撐板。以上顯示設備還包括設置在基底與支撐板之間的粘合劑層。在以上顯示設備中，包封層包括多個層。在以上顯示設備中，所述層包括交替形成的多個無機層和多個有機層。

在以上顯示設備中，無機層中的至少一個延伸到外圍區(qū)域以便設置在連接布線之上。在以上顯示設備中，無機層具有不同的密度。在以上顯示設備中，無機層包括：一對第一無機層，具有第一密度；第二無機層，設置在一對第一無機層之間并具有第二密度。在以上顯示設備中，無機層中的每個由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一種制成。在以上顯示設備中，包封層包括：多個無機層和多個有機層，交替形成；金屬氧化物層，設置在無機層和有機層之間，作為包封層的最頂層或作為包封層的最底層。

在以上顯示設備中，金屬氧化物層延伸到外圍區(qū)域以便設置在連接布線之上。在以上顯示設備中，金屬氧化物層由氧化鋁、ITO、氧化鋅和氧化鈦中的至少一種制成。在以上顯示設備中，包封層包括：多個無機層和多個有機層，交替形成；六甲基二硅氧烷(HMDSO)層，設置在無機層與有機層之間，作為包封層的最頂層或作為包封層的最底層。在以上顯示設備中，HMDSO層延伸到外圍區(qū)域以便設置在連接布線之上。以上顯示設備還包括結合到焊盤部分的膜上芯片。

另一方面是顯示設備，所述顯示設備包括：基底，包括被構造為顯示圖像的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；多條信號線，設置在顯示區(qū)域中；包封層，設置在信號線之上；焊盤部分，設置在外圍區(qū)域中；多條連接布線，連接信號線和焊盤部分，其中，連接布線中的每條包括設置在外圍區(qū)域的第一部分和設置在顯示區(qū)域中的第二部分，其中，包封層設置在連接布線的第一部分和第二部分之上。

在以上顯示設備中，包封層包括底層、頂層和插入頂層和底層之間的中間層，其中，底層比頂層接近基底，其中，頂層和底層中的一個設置在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中，其中，中間層與頂層和底層中的另一個僅設置在顯示區(qū)域中。

根據公開的實施例中的至少一個，可以防止由于來自用戶的手的濕氣或鹽水導致的設置在基底的外圍區(qū)域中的布線腐蝕。

附圖說明

圖1是根據示例性實施例的顯示設備的俯視平面圖。

圖2是沿線II-II截取的圖1的剖視圖。

圖3示出處于彎曲狀態(tài)的圖2的基底。

圖4是圖1的單個像素的擴大的剖視圖。

圖5是根據另一示例性實施例的顯示設備的剖視圖。

圖6示出處于彎曲狀態(tài)的圖5的基底。

圖7是根據本示例性實施例的包封層的剖視圖。

圖8示出本示例性實施例的包封層的第一示例性變型。

圖9示出本示例性實施例的包封層的第二示例性變型。

具體實施方式

在OLED顯示器中，基底的附著有膜上芯片等的一側處于彎曲狀態(tài)。該彎曲區(qū)域設置在顯示設備的邊緣并與用戶的手接觸。在這種情況下，用戶的手上的濕氣和汗水可以滲透到顯示設備中，從而導致彎曲區(qū)域中的布線腐蝕。

將在下文中參照附圖更充分地描述實施例。如本領域的技術人員了解的，在都不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改描述的實施例。將附圖和描述視為實質上是描述性的而不是限制性的。貫穿說明書，相同的附圖標記表示相同的元件。

另外，為了更好地理解和易于描述，任意示出了在附圖中示出的每個構件的尺寸和厚度，但本發(fā)明不限于此。

在附圖中，為了清楚，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了更好地理解和便于描述，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上或也可以存在中間元件。

在本公開中，術語“基本上”包括完全地、幾乎完全地或在一些應用以及根據本領域技術人員的任何有意義的程度。此外，“形成、設置在……之上、布置在……之上”也可以意為“形成、設置或布置在……上”。術語“連接”包括電連接。

圖1是根據示例性實施例的顯示設備100的俯視平面圖，圖2是沿線II-II截取的圖1的剖視圖，圖3示出處于彎曲狀態(tài)的圖2的基底。

參照圖1至圖3，顯示設備100包括基底211、多條連接布線213、包封層400和焊盤部分PAD。

在一些實施例中，包封層400設置在顯示區(qū)域DA中的部分延伸到外圍區(qū)域PA，延伸的包封層400覆蓋形成在外圍區(qū)域PA中的連接布線213。延伸的包封層400防止設置在其下方的連接布線213腐蝕。

參照圖1和圖2，將基底211分為被構造為顯示圖像的顯示區(qū)域DA和與顯示區(qū)域DA相鄰或包圍顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域PA。顯示區(qū)域DA包括多個發(fā)光的像素P。外圍區(qū)域PA包括被構造為驅動像素P的多條連接布線213、焊盤部分PAD和膜上芯片300。

連接布線213設置在基底211的外圍區(qū)域PA中。連接布線213將形成在顯示區(qū)域DA中的諸如數據線(未示出)、掃描線(未示出)等的多條信號線連接到焊盤部分PAD。在本示例性實施例中，連接布線213與將柵極線或數據線與柵極IC或數據IC連接的扇出部分對應。

在這種情況下，緩沖層212設置在基底211與連接布線213之間。緩沖層212用于防止雜質元素的滲透并使基底211的表面平坦化。緩沖層212可以是與設置在圖4的基底123上的基底緩沖層126相同的層。

布線絕緣層214設置在連接布線213上。布線絕緣層214部分地暴露焊盤部分PAD中的連接布線213。在這種情況下，可以將連接布線213的暴露部分與膜上芯片300連接。

布線絕緣層214可以由丙烯?；鶚渲?、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚亞苯基樹脂、聚苯硫醚樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)形成。然而，可以省略布線絕緣層214，包封層400可以設置在連接布線213上。

膜上芯片300設置在由連接布線213的暴露部分形成的焊盤部分PAD上，并且與連接布線213電連接?？梢詫⒂糜隍寗酉袼豍的驅動芯片(未示出)安裝在膜上芯片300中。

在這種情況下，膜上芯片300可以設置為在具有柔性的基膜(未示出)上的多條金屬布線(未示出)。

可以將驅動芯片安裝在基膜中以產生驅動信號。例如，驅動芯片可以是通過接收外部控制信號產生掃描信號的掃描驅動電路或通過接收外部控制信號產生數據信號的數據驅動電路。

根據本示例性實施例，包封層400設置在布線絕緣層214上。如以上所討論的，包封層400設置在顯示區(qū)域DA的像素P中的部分延伸到外圍區(qū)域PA。包封層400通過密封顯示區(qū)域DA的像素P中的OLED和像素驅動器來保護它們。

在本示例性實施例中，包封層400的延伸部分設置在連接布線213上。

參照圖3，當相對于折疊區(qū)域或可彎曲區(qū)域BA彎曲基底211的外圍區(qū)域PA時，基底211的外圍區(qū)域PA可以設置在顯示設備中。如圖3中所示，將基底211與膜上芯片300結合的一端折疊，因此基底211的端部彼此面對。

包封層400的一部分，例如，金屬氧化物層411的一部分，可以與折疊區(qū)域BA疊置，從而與連接布線213一起折疊。

在一些實施例中，如圖7中所示，包封層400設置為在顯示區(qū)域DA中的多個層。包封層400可以通過交替層疊金屬氧化物層411、有機層421和441以及無機層431和451來形成。即，在金屬氧化物層411上交替層疊有機層421和441以及無機層431和451。

在本示例性實施例中，金屬氧化物層411設置在包封層400的最底層中，但是金屬氧化物層411可以設置在包封層400的最頂層中?？蛇x擇地，金屬氧化物層411可以設置在交替層疊的有機層421和441與無機層431和451之間。

返回參照圖2，在本示例性實施例中，由多個層形成的包封層400之中的金屬氧化物層411從顯示區(qū)域DA延伸從而形成在外圍區(qū)域PA中。即，金屬氧化物層411可以延伸從而可以設置在外圍區(qū)域PA的布線絕緣層214上。

在這種情況下，金屬氧化物層411可以由氧化鋁(AlO_x)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)和氧化鈦(TiO_x)中的至少一種制成。然而，金屬氧化物層411的材料不限于此，可以使用在薄膜包封中使用的已知材料。

此外，鈍化層215可以設置在外圍區(qū)域PA中的金屬氧化物層411上。鈍化層215可以通過防止?jié)駳獾臐B透來防止設置在其下方的多條連接布線213腐蝕。

參照圖1和圖3，折疊區(qū)域BA設置在顯示設備100的邊緣處。因此，當用戶拿著顯示設備100時，折疊區(qū)域BA可以與用戶的手相鄰。

在這種情況下，來自用戶的手的濕氣和鹽水等可以滲透到折疊區(qū)域BA中。通常地(不一定是現有技術)，當包封層400的一部分不設置在折疊區(qū)域BA中時，連接布線213會由于濕氣或鹽水被腐蝕。

然而，在本示例性實施例中，包封層400的一部分設置在連接布線213上，從而可以防止?jié)駳夂望}水等的滲透。

即，在本示例性實施例中，包封層400之中的金屬氧化物層411延伸到外圍區(qū)域PA，從而可以防止由于濕氣和鹽水等導致連接布線213腐蝕。

此外，可以在形成顯示區(qū)域DA的包封層400的同時，在外圍區(qū)域PA中形成金屬氧化物層411。因此，額外的掩膜工藝和額外的沉積工藝都不是必需的。因此，可以節(jié)約加工時間和制造成本。

像素P設置在顯示區(qū)域DA中。在下面的描述中，將參照圖4詳細描述單個像素P。在本示例性實施例中，每個像素P可以由有機發(fā)光元件形成。

參照圖4，基底123可以由諸如玻璃、金屬材料的無機材料或諸如樹脂的有機材料制成?；?23可以具有透光特性或光阻擋特性?；?23可以由與圖2和圖3的基底211相同的層制成。

另外，基底緩沖層126設置在基底123上?；拙彌_層126用于防止雜質元素的滲透并使其表面平坦化。

基底緩沖層126可以由可以執(zhí)行上述功能的各種材料制成。例如，基底緩沖層126可以形成為氮化硅(SiN_x)層、氧化硅(SiO_x)層和氮氧化硅(SiO_xN_y)層中的一種。然而，基底緩沖層126不是必需的元件，并且可以根據基底123的類型和工藝條件省略。

驅動半導體層137設置在基底緩沖層126上。驅動半導體層137形成為多晶硅層。此外，驅動半導體層137包括其中不摻雜雜質的溝道區(qū)域135和在溝道區(qū)域135的各側邊處摻雜雜質的源區(qū)134以及漏區(qū)136。在這種情況下，摻雜離子材料是諸如硼(B)的P型雜質，主要使用B₂H₆。雜質根據薄膜晶體管的種類變化。

由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)制成的柵極絕緣層127設置在驅動半導體層137上。

包括驅動柵電極133的柵極布線設置在柵極絕緣層127上。另外，驅動柵電極133形成為與驅動半導體層137的至少一部分(具體地，溝道區(qū)域135)疊置。

同時，覆蓋驅動柵電極133的層間絕緣層128形成在柵極絕緣層127上。暴露驅動半導體層137的源區(qū)134和漏區(qū)136的接觸孔128a形成在柵極絕緣層127和層間絕緣層128中。

與柵極絕緣層127相似，層間絕緣層128可以通過使用諸如氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)的陶瓷基材料來形成。

另外，包括驅動源電極131和驅動漏電極132的數據布線設置在層間絕緣層128上。此外，通過形成在層間絕緣層128和柵極絕緣層127中的接觸孔128a將驅動源電極131和驅動漏電極132分別與驅動半導體層137的源區(qū)134和漏區(qū)136連接。

因此，形成包括驅動半導體層137、驅動柵電極133、驅動源電極131和驅動漏電極132的驅動薄膜晶體管130。驅動薄膜晶體管130的構造不限于前述示例并且可以進行各種修改為可以容易被本領域技術人員實現的已知構造。

另外，覆蓋數據布線的平坦化層124設置在層間絕緣層128上。平坦化層124用于去除臺階并使臺階平坦化以便增加將要形成在其上的有機發(fā)光元件的發(fā)光效率。此外，平坦化層124具有暴露漏電極132的一部分的電極通孔122a。

平坦化層124可以由聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚亞苯基醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)中的一種或更多種材料制成。

這里，描述的技術不限于前述結構，在一些情況下，可以省略平坦化層124和層間絕緣層128中的一個。

在這種情況下，有機發(fā)光元件的第一電極(即，像素電極160)形成在平坦化層124上。即，OLED顯示器包括分別針對多個像素設置的多個像素電極160。在這種情況下，像素電極160彼此分開設置。通過平坦化層124的電極通孔122a將像素電極160連接到驅動漏電極132。

此外，具有暴露像素電極160的開口的像素限定層125形成在平坦化層124上。即，像素限定層125具有針對每個像素形成的多個開口。

在這種情況下，可以針對由像素限定層125形成的每個開口形成有機發(fā)射層170。因此，形成每個有機發(fā)射層的像素區(qū)域可以由像素限定層125限定。

在這種情況下，像素電極160設置為與像素限定層的開口對應。然而，像素電極160不僅設置在像素限定層125的開口中，并且可以設置在像素限定層125的下方以使像素電極160的一部分與像素限定層125疊置。

像素限定層125可以由諸如聚丙烯酸酯樹脂和聚酰亞胺樹脂的樹脂或二氧化硅基無機材料等制成。

有機發(fā)射層170形成在像素電極160上。

另外，第二電極(即，共電極180)可以形成在有機發(fā)射層170上。因此，形成包括像素電極160、有機發(fā)射層170和共電極180的OLED。

像素電極160和共電極180中的每個可以由透明導電材料或者透反或反射導電材料制成。根據形成像素電極160和共電極180的材料的種類，OLED顯示器可以是頂發(fā)射型、底發(fā)射型或雙面發(fā)射型。

同時，覆蓋和保護共電極180的覆蓋層190可以形成為共電極180上的有機層。

另外，包封層140設置在覆蓋層190上。包封層140從外部包封并保護設置在基底123中的OLED和像素驅動器。包封層140形成為與圖2和圖3的包封層400相同。

包封層140包括交替層疊的有機包封層140a和140c以及無機包封層140b和140d。在圖4中，例如，示出了交替層疊兩個有機包封層140a和140c以及兩個無機包封層140b和140d以構造薄膜包封層140的情況，但不限于此。如上所述，金屬氧化物層411可以設置在包封層140之中的有機包封層140a下方。

在下文中，參照圖8和圖9，將描述根據示例性實施例的顯示設備的包封層的第一至第三示例性變型。在第一至第三示例性變型的描述中，將省略關于與上述示例性實施例相同的構造的詳細描述。

圖8示出根據本示例性實施例的包封層的第一示例性變型，圖9示出根據本示例性實施例的包封層的第二示例性變型。

參照圖8，在第一示例性變型中，通過在顯示區(qū)域DA中交替層疊有機層和無機層形成包封層402，無機層中的一個(見412)延伸到外圍區(qū)域PA中。即，在本示例性變型中，設置在有機層之間的無機層、最上無機層或最底無機層延伸到外圍區(qū)域PA。

更具體地，交替層疊有機層422和442中的每個以及無機層432和452中的每個，無機層412設置在有機層422的下部分中，即，無機層412設置為最底層。

最底無機層412延伸到外圍區(qū)域PA。即，無機層412延伸從而設置在外圍區(qū)域PA的布線絕緣層214上。在這種情況下，無機層可以包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、和氮氧化硅(SiON)中的至少一種。

參照圖9，在第二示例性變型中，包封層403通過在顯示區(qū)域DA中交替層疊有機層和無機層來形成，無機層中的一個延伸到外圍區(qū)域PA。即，在本示例性變型中，設置在有機層之間的無機層、最上無機層或最底無機層延伸到外圍區(qū)域PA。在這種情況下，無機層可以由均具有不同的密度的至少兩個或更多個層形成。

更具體地，在第二示例性變型中，有機層422和442以及無機層432和452一個接一個地交替層疊，形成為分別具有不同密度的層的無機層413設置在有機層422的下部分中，即，最底層。無機層413可以延伸到外圍區(qū)域PA。

在第二示例性變型中，無機層413可以由均具有第一密度的一對第一無機層413a和413c以及設置在一對第一無機層413a和413c之間的第二無機層413b形成。在這種情況下，第二無機層413b具有與第一無機層413a和413c的第一密度不同的第二密度。

例如，一對第一無機層413a和413c可以具有1.8g/cm³的密度，第二無機層413b可以具有3.0g/cm³的密度。在這種情況下，第一無機層413a可以由氧化硅(SiO_x)制成，第一無機層413c可以由氮化硅(SiN_x)制成，第二無機層413b可以由氮氧化硅(SiON)制成。

同時，根據第三示例性變型，包封層400通過交替層疊六甲基二硅氧烷(HMDSO)層(未示出)、有機層421和441以及無機層431和451形成。即，在HMDSO層(未示出)上一個接一個地交替層疊有機層421和441以及無機層431和451。

然而，在本示例性實施例中，HMDSO層設置為包封層400的最底層，但這不是限制性的。HMDSO層可以設置為包封層400的最頂層?？蛇x擇地，HMDSO層(未示出)可以設置在交替層疊的有機層421和441與無機層431和451之間。

在由多個層形成的包封層400之中，HMDSO層(未示出)從顯示區(qū)域DA延伸從而形成在外圍區(qū)域PA中。即，HMDSO層(未示出)延伸從而設置在外圍區(qū)域PA的布線絕緣層214上。第三示例性變型與圖2和圖3的示例性實施例不同在于，代替金屬氧化物層411，設置了HMDSO層(未示出)。

HMDSO層用于吸收包封層400的應力以提供柔性。HMDSO層基本上是無機層，但是具有與有機層相似的柔韌特性。因此，HMDSO層可以利用與有機層相似的柔性有效地吸收包封層400的應力，同時因為HMDSO層基本上是無機層，所以可以在形成包封層400的無機層431和451的室中沉積HMDSO層。

在下文中，將參照圖5和圖6描述根據另一示例性實施例的顯示設備。相同的附圖標記表示與前述示例性實施例的構成元件相同的構成元件。

圖5是根據另一示例性實施例的顯示設備的剖視圖，圖6示出處于彎曲狀態(tài)的圖5的基底。

參照圖5和圖6，保護膜310設置在基底211的下方。在這種情況下，保護膜310可以防止?jié)駳獾认蚧?11的滲透或防止由于外部沖擊對基底211的損害。

保護膜310不設置在折疊區(qū)域BA的下方。即，保護膜310可以設置在除了折疊區(qū)域BA的下部分處之外的基底211的下方。然而，保護膜310可以僅設置在外圍區(qū)域PA中或可以設置在外圍區(qū)域PA和顯示區(qū)域DA中。

支撐板500設置在彎曲的基底211的端部之間，因此它們彼此面對。當將膜上芯片300附著到其上的基底211的橫向端部折疊時，支撐板500保持基底211的端部彼此面對。

在本示例性實施例中，粘合劑層320設置在支撐板500與基底211之間，因此膜上芯片300附著的基底211固定到支撐板500。因此，基底211可以保持折疊狀態(tài)。

根據示例性實施例的顯示設備，包封層400設置在顯示區(qū)域DA的像素P中的部分延伸到外圍區(qū)域PA，從而可以防止設置在包封層400下方的多條連接布線213腐蝕。此外，包封層400可以與顯示區(qū)域DA的包封層同時形成，從而可以節(jié)約制造時間和制造成本。

雖然已經結合目前認為是實際的示例性實施例描述了發(fā)明技術，但是將理解的是，發(fā)明不限于公開的實施例，而是相反，意圖覆蓋包括在權利要求的精神和范圍內的各種修改和等同布置。