專利名稱：低輻射復(fù)合膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種低輻射復(fù)合膜，屬于膜層結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
我們知道，傳統(tǒng)的低輻射復(fù)合膜，在銀層外部(一面或者兩面)為一層金屬保護(hù)層， 其材料為MCr，在實(shí)際的鍍制過(guò)程中，為了更好地保護(hù)功能層Ag層，通常需要增加金屬保護(hù)層MCr層的厚度，而此時(shí)，使得低輻射復(fù)合膜的透光率降低。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種不會(huì)影響復(fù)合膜的透光率，且能有效保護(hù)功能層Ag層的低輻射復(fù)合膜。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種低輻射復(fù)合膜，包括銀層和金屬保護(hù)層，其特征在于，在金屬保護(hù)層的外部還鍍制有一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層。所述的氧化物保護(hù)層的材料為NiCrOx。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過(guò)在金屬保護(hù)層MCr層的外部再鍍制一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層，不僅可以很好地保護(hù)功能層Ag層，而且可以很大程度的提高低輻射復(fù)合膜的可見(jiàn)光透過(guò)率，使產(chǎn)品可以在保證低輻射率的情況下，得到最大限度地透光率，非常適合北方寒冷地區(qū)使用。

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中主要附圖標(biāo)記含義為1、銀層 2、金屬保護(hù)層 3、氧化物保護(hù)層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示低輻射復(fù)合膜，包括銀層1和金屬保護(hù)層2，其中，在銀層1的一側(cè)鍍制有金屬保護(hù)層2，而在金屬保護(hù)層2的外部還鍍制有一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層 3，其材料為NiCrOx。圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。低輻射復(fù)合膜，包括銀層1和金屬保護(hù)層2，其中，在銀層1的兩側(cè)鍍制有金屬保護(hù)層2，而在金屬保護(hù)層2的外部還鍍制有一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層3，其材料為 NiCrOx0[0017]上述的處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層3的鍍制方法為在應(yīng)用真空磁控濺射鍍膜方法鍍制低輻射復(fù)合膜時(shí)，在其中的金屬保護(hù)層MCr層中加入一定量的O2，加入A的具體方法是在純Ar氣氛中正常濺射的平面MCr的陰極中加入少量02，并觀察陰極的電壓情況，該電壓會(huì)隨著A的增加而升高，逐漸增加O2，直到該陰極電壓不再升高為止，若加入O2 過(guò)量電壓則會(huì)逐漸降低，這時(shí)需關(guān)掉O2，待電壓穩(wěn)定后，再次打開(kāi)并適當(dāng)減少A，直到電壓升高到一定程度，且穩(wěn)定下來(lái)，形成欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層3，則可開(kāi)始鍍制低輻射復(fù)合膜的其他膜層。本實(shí)用新型通過(guò)在金屬保護(hù)層2，即NiCr層的外面形成一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層3，即NiCrOx，通常為NiCrO，從而保證能夠更好地保護(hù)功能層Ag，并且大幅度地減少透光率的降低。本實(shí)用新型可以應(yīng)用于目前各種低輻射復(fù)合膜系的架構(gòu)中，如普通單銀低輻射復(fù)合膜架構(gòu)Sn02/NiCr/Ag/NiCr/ Sn02/Si3N4 ；TxO/ NiCr/Ag/NiCr/ Sn02/Si3N4 ；TxO/ ZnO/Ag/NiCr/ Sn02/Si3N4 ；普通雙銀低輻射復(fù)合膜架構(gòu)Sn02/Zn0/Ag/NiCr/Sn02/ Zn0/Ag/NiCr/Sn02/ Si3N4 ；TxO/ ZnO/Ag/NiCr SnO2/ ZnO/Ag/NiCr/Sn02/Si3N4 ；可鋼化單銀低輻射復(fù)合膜架構(gòu)Si3N4 /NiCr/Ag/NiCr/ Si3N4 ；在上述的低輻射復(fù)合膜系的架構(gòu)中使用本實(shí)用新型均能起到很好地保護(hù)功能層 Ag層的作用，而且可以很大程度的提高低輻射復(fù)合膜層的可見(jiàn)光透過(guò)率，使產(chǎn)品可以在保證低輻射率的情況下，得到最大限度地透光率。以上已以較佳實(shí)施例公開(kāi)了本實(shí)用新型，然其并非用以限制本實(shí)用新型，凡采用等同替換或者等效變換方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種低輻射復(fù)合膜，包括銀層和金屬保護(hù)層，其特征在于，在金屬保護(hù)層的外部還鍍制有一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輻射復(fù)合膜，其特征在于，所述的氧化物保護(hù)層的材料為 NiCrOx。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低輻射復(fù)合膜，包括銀層和金屬保護(hù)層，其特征在于，在金屬保護(hù)層的外部還鍍制有一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層，其材料為NiCrOx。本實(shí)用新型通過(guò)在金屬保護(hù)層NiCr層的外部再鍍制一層處于欠氧狀態(tài)的氧化物保護(hù)層，不僅可以很好地保護(hù)功能層Ag層，而且可以很大程度的提高低輻射復(fù)合膜的可見(jiàn)光透過(guò)率，使產(chǎn)品可以在保證低輻射率的情況下，得到最大限度地透光率，非常適合北方寒冷地區(qū)使用。
文檔編號(hào)C03C17/36GK202016953SQ201020687189
公開(kāi)日2011年10月26日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者林嘉宏 申請(qǐng)人:林嘉宏