專利名稱：一種可提高切割成品率的切割道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓切割工藝，尤其涉及一種可提高切割成品率的切割道。 ,狄A
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，當(dāng)在晶圓上制成晶粒(die)后，還需要通過切割工藝 將晶圓切割為單個的晶粒，之后將該些晶粒封裝形成可直接使用的芯片。如圖1 所示，切割道10 (Scribe line)將晶圓1區(qū)隔為多個晶粒11,在進(jìn)行切割工 藝時沿著切割道10將晶圓l切割成單個的晶粒ll。切割道10的寬度通常為80 微米，為盡可能的利用晶圓上的空間，通常會在切割道10上設(shè)置用于進(jìn)行晶圓 驗收測試(wafer acceptance testing;簡稱WAT)的測試模塊100 (test key)。
參見圖2,該測試模塊100具有多個金屬墊100a和多條連接在金屬墊100a 上的金屬導(dǎo)線100b,金屬墊100a與晶粒11上的金屬互聯(lián)層同時形成。
參見圖3,其為現(xiàn)有技術(shù)中的金屬墊100a的剖視圖，如圖所示，現(xiàn)有技術(shù)
的金屬墊100a具有第 一層金屬Ml 、第 一層金屬插塞層VI 、第二層金屬層M2.....
頂層金屬插塞層TV、頂層金屬TM,其所包括的每層金屬上下對齊，且其均為邊 長等于70微米的正方形。在現(xiàn)有技術(shù)中，圖2中所示的金屬導(dǎo)線lOOb在與金 屬墊100a互連時，從金屬墊100a的外側(cè)與金屬墊100a實現(xiàn)連接，由于金屬墊 100a與切割道10的中心重合，于是金屬導(dǎo)線100b通常分布在距離晶粒5微米 的范圍內(nèi)，當(dāng)完成WAT測試并沿切割道10將晶圓l切成單個的晶粒ll時，由 于金屬導(dǎo)線100b距離晶粒11的距離非常近，此時金屬導(dǎo)線lOOb產(chǎn)生的金屬碎 屑易損傷晶粒ll，嚴(yán)重時會造成晶粒ll的報廢，如此會大大降低切割工藝的成
品率o
因此，如何提供一種可提高切割成品率的切割道以避免金屬導(dǎo)線距離晶粒 太近而在切割時形成可損傷晶粒的金屬碎屑，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可提高切割成品率的切割道，通過所述切割道 可避免金屬導(dǎo)線與晶粒間的距離過近而使金屬導(dǎo)線在切割時形成易損傷晶粒的 金屬碎屑，從而可大大提高晶圓切割的成品率。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的 一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在 晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上i殳置有多個測試模塊，該測試模 塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導(dǎo)線，該金屬墊底部具有一 沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導(dǎo)線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬 墊的頂層金屬上，該金屬導(dǎo)線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在該金屬墊上。 在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊由多層金屬組成。 在上述的可提高切割成品率的切割道中，該金屬墊排布在切割道的中心區(qū)域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽位于金屬墊底部的中
心區(qū)域。
在上述的可提高切割成品率的切割道中，該容置凹槽的寬度占該金屬墊總 寬度的10%至80%。
與現(xiàn)有技術(shù)中連接在金屬墊的金屬導(dǎo)線從金屬墊外側(cè)連接至金屬墊，從而 造成切割晶圓時金屬導(dǎo)線所產(chǎn)生金屬碎屑易損傷晶粒相比，本發(fā)明的可提高切 割成品率的切割道在金屬墊的底部設(shè)置一沿切割道方向且貫通的容置凹槽，金 屬導(dǎo)線途徑該容置凹槽穿過或連接在金屬墊上，從而避免了在將晶圓切割成單 個晶粒時距離晶粒過近的金屬導(dǎo)線產(chǎn)生的高能量金屬碎屑損傷晶粒，如此可大 大提高晶圓切割時的成品率，同時也有效增大了切割道上的布線空間。


本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道由以下的實施例及附圖給出。 圖1為具有切割道和晶粒的晶圓的主視圖； 圖2為測試模塊的組成結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中金屬墊的剖視圖4為本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道上金屬墊的剖視圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
參見圖1,本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道10設(shè)置在晶圓1上，且將 晶圓1區(qū)隔為多個晶粒11，所述切割道10上設(shè)置有多個測試模塊100。在本實 施例中，切割道10的寬度為80微米。
參見圖2,所述測試模塊100具有多個金屬墊100a以及多條連接在金屬墊 100a上的金屬導(dǎo)線100b，其中，所述金屬導(dǎo)線100b可用于進(jìn)行互連或用于測試。
參見圖4，本發(fā)明中的金屬墊100a具有第一層金屬Ml、第一層金屬插塞層
VI、第二層金屬層M2.....頂層金屬插塞層TV、頂層金屬TM,本發(fā)明的金屬
墊100a底部具有一沿切割道10方向貫通并用于設(shè)置金屬導(dǎo)線100b的容置凹槽 Gl,所述容置凹槽Gl終止于所述金屬墊100a的頂層金屬TM上，所述容置凹槽 Gl的寬度占金屬墊100a總寬度的10 /。至80%。在本實施例中，所述金屬墊100a 的每一金屬層均為邊長等于70微米的正方形，所述容置凹槽G1的寬度為15微 米。如此金屬導(dǎo)線100b可通過一個或多個容置凹槽Gl連接至金屬墊100a。在 進(jìn)行切割工藝時，與晶粒11最近的區(qū)域中沒有金屬導(dǎo)線100b，如此可避免由金 屬導(dǎo)線lOOb在切割時所產(chǎn)生的金屬碎屑損傷晶粒ll。
綜上所述，本發(fā)明的可提高切割成品率的切割道在金屬墊的中設(shè)置一沿切 割道方向且貫通的容置凹槽，金屬導(dǎo)線途徑所述容置凹槽將測試單元與金屬墊 連接，從而避免了在將晶圓切割成單個晶粒時距離晶粒過近的金屬導(dǎo)線產(chǎn)生的 高能量金屬碎屑損傷晶粒，如此可大大提高晶圓切割時的成品率，同時也有效 增大了切割道上的布線空間。
權(quán)利要求
1、一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上設(shè)置有多個測試模塊，該測試模塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導(dǎo)線，其特征在于，該金屬墊底部具有一沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導(dǎo)線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬墊的頂層金屬上，該金屬導(dǎo)線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在金屬墊上。
2、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該金屬 墊由多層金屬組成。
3、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該金屬 墊排布在切割道的中心區(qū)域。
4、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該容置 凹槽位于金屬墊底部的中心區(qū)域。
5、 如權(quán)利要求1所述的可提高切割成品率的切割道，其特征在于，該容置 凹槽的寬度占該金屬墊總寬度的10%至80%。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可提高切割成品率的切割道，其設(shè)置在晶圓上且將晶圓區(qū)隔為多個晶粒，該切割道上設(shè)置有多個測試模塊，該測試模塊具有多個金屬墊以及多條連接在金屬墊上的金屬導(dǎo)線?，F(xiàn)有技術(shù)中金屬導(dǎo)線排布在金屬墊外側(cè)且接近晶粒易在切割時產(chǎn)生損傷晶粒的金屬碎屑。本發(fā)明的金屬墊中具有一沿切割道方向貫通并用于設(shè)置金屬導(dǎo)線的容置凹槽，該容置凹槽終止于該金屬墊的頂層金屬上，該金屬導(dǎo)線經(jīng)過該容置凹槽穿過或連接在該金屬墊上。采用本發(fā)明可避免金屬導(dǎo)線距離晶粒太近而在切割時產(chǎn)生可損傷晶粒的金屬碎屑，如此將大大提高切割工藝的成品率，同時也有效增大了切割道上的布線空間。
文檔編號B28D5/04GK101554756SQ20081003589
公開日2009年10月14日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者永 趙, 陸黎明, 黃偉霞 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司