專利名稱：：處理基底的方法處理基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種處理基底表面的方法。本發(fā)明更具體涉及一種欲結(jié)合入薄膜沉積裝置并在真空中操作的處理方法，所述裝置具有工業(yè)尺寸(基底在垂直于運(yùn)動(dòng)方向的尺寸大于1.5m，或者甚至大于2m)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種與薄膜沉積過(guò)程(通常是濺射沉積生產(chǎn)線，所述濺射任選是磁增強(qiáng)濺射或磁控濺射)相結(jié)合的表面處理方法和利用線性離子源處理這些薄膜表面的方法。當(dāng)然，本發(fā)明還涉及這樣處理過(guò)的、并用多層涂敷的基底，所述多層由具有不同功能的層(太陽(yáng)光控制層、低熱發(fā)射率層、電磁屏蔽層、加熱層、親水層、疏水層和光催化層)、改變可見(jiàn)光反射水平的層(抗反射層和鏡面層)或包括活性系統(tǒng)的層(電致變色層、電致發(fā)光層或光致電壓層)組成。通常，沉積在具有玻璃功能的基底上的薄膜多層所包括的薄層層數(shù)增加，這相應(yīng)地增加了各層之間的界面數(shù)量。每個(gè)分隔兩層不同材料膜的界面構(gòu)成了控制整個(gè)多層光學(xué)性能、熱性能和機(jī)械性能的必要區(qū)域。因此，例如公知薄膜多層的場(chǎng)強(qiáng)由界面處的鍵能(化學(xué)鍵、離子鍵、范德華鍵、氫鍵等等)所確定。同樣，由各不同層的體積應(yīng)力而產(chǎn)生的界面應(yīng)力還可能導(dǎo)致界面斷裂，這致使承受最高應(yīng)力或者具有最低粘附能的界面處涂層的脫層。同樣已知的是，表征界面的第二參數(shù)是其改變可結(jié)晶性或至少保證上層中程有序性的能力。這一影響當(dāng)然是用在例如微電子工業(yè)中，來(lái)促進(jìn)在使用具有合適結(jié)晶特性基底的納米晶體薄膜中類單晶的生長(zhǎng)或晶粒的優(yōu)先取向。這種技術(shù)通常稱為"外延生長(zhǎng)"，并且在上層材料與下層材料不同的情況下，更確切地說(shuō)是異質(zhì)外延生長(zhǎng)。因此，薄層的結(jié)晶特性和晶粒形態(tài)決定了沉積在具有玻璃功能的基底上的多層所提供的功能性。那么，根據(jù)第一非限定性實(shí)施例，通過(guò)沉積具有光催化性能的薄層(尤其是基于氧化鈦的薄層)得到具有自清潔功能的多層，在這種情況下，所述層的性能由包含在功能層中的銳鈦型二氧化鈦相的量來(lái)決定。作為第二實(shí)施例，具有太陽(yáng)光控制功能或增強(qiáng)的熱絕緣功能(也稱為低熱發(fā)射率功能)的多層，其性能由功能金屬層具有有利于反射波長(zhǎng)大于功能層波長(zhǎng)的射線的結(jié)晶態(tài)的容量所決定，所述功能層可以例如由銀制成，該有利的結(jié)晶態(tài)十分依賴于形成先于功能層而沉積的一層或多層的原子的結(jié)晶排列。更通常而言，利用濺射沉積生產(chǎn)線沉積的薄膜多層結(jié)構(gòu)，包括沉積在至少一層A上的至少一層B，其被稱為功能層。在本發(fā)明的上下文中，層A被限定為至少一層，其可以是多層Aj(A,、A2、A3、...An，其中i為l—n，并且n大于或等于l)的重疊。當(dāng)每個(gè)單元層Aj盡可能的不受污染(例如吸附的氣體分子)并且具有盡可能平滑的表面光潔性和最佳的材料排列(低密度的晶格型晶體缺陷或位錯(cuò))時(shí)，就可以使多層達(dá)到最佳性能。發(fā)明者不幸地發(fā)現(xiàn)，盡管在沉積步驟中很小心，但是各層Ai的表面還是可能會(huì)出現(xiàn)下列情況(i)在兩個(gè)各配有自己的陰極的沉積室之間傳送層A的過(guò)程中，受到沉積裝置(磁控管)殘留氣氛(水、碳?xì)浠衔?的污染；(ii)通過(guò)磁控濺射沉積得到的層A的表面，不總是構(gòu)成沉積層B的理想表面，因?yàn)楦鶕?jù)被沉積材料的性質(zhì)、層厚度和沉積層B的條件，特別是在某些材料的情況下，層A具有一定的粗糙度；和(iii)其牛勾成了晶體干擾介質(zhì)(crystallograhicallydisturbedmedium)。本發(fā)明的目的在于，通過(guò)提供一種處理位于A/B薄膜多層結(jié)構(gòu)中層A的至少一個(gè)表面部分的方法來(lái)減輕上述缺陷。為此，根據(jù)本發(fā)明，對(duì)位于薄膜多層的基底和層B之間的至少一層A的至少一個(gè)表面部分進(jìn)行處理的方法，其中所述層被真空沉積在具有玻璃功能的基底上，其特征在于-在所述基底的表面部分沉積至少一薄層A，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)實(shí)施；-利用至少一個(gè)線性離子源，由氣體或氣體混合物產(chǎn)生電離物種的等離子體；-使層A的至少一個(gè)表面部分經(jīng)受所述等離子體處理，使得所述電離物種至少部分改變層A的表面狀態(tài)；和-將至少一層B沉積在層A的表面部分上，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)實(shí)施。由于這些安排，可能使層A的表面性質(zhì)基本上被改變，這種改變影響了在薄膜沉積裝置中沉積在層A上的層B的結(jié)晶和/或晶粒形態(tài)，其中所述裝置具有工業(yè)尺寸并且在真空中進(jìn)行操作。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案中，可以任選進(jìn)一步利用以下一種或多種安排-將線性離子源與沉積層A的真空沉積裝置置于相同的區(qū)室中；-層A包括數(shù)層重疊的層Ai并且使至少一層Aj(這里i為1—n，并且n>l)經(jīng)受所述的等離子體處理；-利用一個(gè)或多個(gè)接連排列的線性離子源來(lái)進(jìn)行表面處理；-利用向上和向下濺射技術(shù)來(lái)進(jìn)行；-將線性離子源與沉積層A的真空沉積裝置置于兩個(gè)隔離的區(qū)室；-將線性離子源以與基底平面成30°-卯°的角度放置；-沉積過(guò)程由濺射過(guò)程，尤其是磁增強(qiáng)濺射或磁控濺射過(guò)程組成；-真空沉積過(guò)程由基于PECVD(等離子體化學(xué)氣相沉積)的過(guò)程組成；-該過(guò)程包括離子源和基底之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)；-利用基于氬或任何惰性氣體、氧氣或氮?dú)獾臍怏w等離子體；-線性離子源產(chǎn)生能量為0.05-2.5keV，優(yōu)選為l-2keV的準(zhǔn)直離子束。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還涉及一種基底，尤其是玻璃基底，所述基底的至少一個(gè)表面部分被薄膜多層所覆蓋，所述多層包括具有不同功能的層(太陽(yáng)光控制層、低熱發(fā)射率層、電磁屏蔽層、加熱層、親水層、疏水層和光催化層)、改變可見(jiàn)光反射水平的層(鏡面層和抗反射層)或者包括活性系統(tǒng)的層(電致變色層、電致發(fā)光層或光致電壓層)，其中位于B之下的薄層Aj的至少一層用上述方法處理過(guò)。下面將通過(guò)非限定實(shí)施例的方式進(jìn)行說(shuō)明，在這個(gè)過(guò)程中本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)變得明顯。實(shí)施本發(fā)明的方法的優(yōu)選方式在于將至少一個(gè)線性離子源加進(jìn)工業(yè)尺寸的生產(chǎn)線中，其中所述生產(chǎn)線用于通過(guò)陰極濺射，尤其是磁增強(qiáng)濺射或磁控濺射，和尤其在氧氣和/或氮?dú)獯嬖谙碌姆磻?yīng)濺射在基底上沉積薄膜。薄膜沉積還可以通過(guò)基于CVD(化學(xué)氣相沉積)或PECVD(等離子體化學(xué)氣相沉積)的方法來(lái)進(jìn)行，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，并且其實(shí)施例在文獻(xiàn)EP0149408中進(jìn)行了圖示說(shuō)明。在本發(fā)明的上下文中，"工業(yè)尺寸"這種表述適用于生產(chǎn)線，其尺寸一方面適于連續(xù)操作，另一方面適于處理具有一個(gè)基準(zhǔn)尺寸的基底，例如垂直于基底運(yùn)動(dòng)方向的寬度為至少1.5m?？梢园惭b線性離子源代替陰極，或者將其安裝在連接兩個(gè)沉積室的氣鎖上，或者更通常而言在沉積生產(chǎn)線中經(jīng)受高度真空(例如具有l(wèi)xl0^mbar級(jí)別的值)的形成室部件中。在生產(chǎn)線中結(jié)合多個(gè)離子源是可能的，所述離子源可以同時(shí)和連續(xù)只在基底的一側(cè)起作用，或者在基底的每側(cè)都起作用(例如向上和向下濺射生產(chǎn)線)，并且每個(gè)離子源可能具有它們自己的調(diào)整模式。當(dāng)進(jìn)行處理使得離子束被垂直取向，或者是向上或向下取向時(shí)，這種處理被稱為是向上和向下濺射處理。利用的至少一個(gè)線性離子源，其工作原理如下線性離子源包括陽(yáng)極、陰極、磁裝置和用于引入氣體的源。這種類型的源的實(shí)例在例如RU2030807、US6002208或WO02/093987中有描述。通過(guò)直流電源將陽(yáng)極升高到正電位，陽(yáng)極和陰極之間的電位差使周圍注入的氣體電離。隨后使氣體等離子體經(jīng)受磁場(chǎng)(由永久或非永久磁體產(chǎn)生)，由此加速和聚集離子束。這樣，離子被準(zhǔn)直和加速射向離子源之外，并且其強(qiáng)度特別取決于離子源的幾何形狀、氣體流速、其性質(zhì)和施加到陽(yáng)極的電壓。在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法，線性離子源以準(zhǔn)直模式操作，其中氣體混合物包含氧氣、氬氣、氮?dú)?，并包含可能的惰性氣體，例如氖或氦作為微量組分。優(yōu)選使用的氣體，其化學(xué)性質(zhì)適合于待處理的層的類型。為了避免與所述表面發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)，優(yōu)選使用惰性氣體，尤其是基于氬、氪或氤的惰性氣體。這對(duì)于基底清潔類型的應(yīng)用并不適用，在該情況下，優(yōu)選使用在電離狀態(tài)具有顯著氧化能力的氣體(尤其是氧氣)。作為非限定性的實(shí)施例，將氧氣以150sccm的流速引入，電極之間的電壓是3kV且電流是1.8A，因此消耗功率是5400W(這些數(shù)字涉及l(fā)m長(zhǎng)的離子源)。在上述條件下，將該離子源置于室中使得含有電離物種的準(zhǔn)直等離子體通過(guò)處理室，到達(dá)薄層A的至少一個(gè)表面部分，其中所述薄層A事先通過(guò)真空沉積技術(shù)被沉積在具有玻璃功能的基底的一部分上。因此，可以在位于基底一面上或同一基底兩面上(如果使用幾個(gè)離子源)的層A的表面部分上處理層A的表面，所述表面隨后將利用真空沉積技術(shù)來(lái)覆蓋層B，該層B的結(jié)晶和/或晶粒形態(tài)隨后得到控制，或者更通常而言在多層中任一層Ai(A,、A2、A3、...A。)都將覆蓋功能層B?；缀推溥@樣處理過(guò)的薄膜多層結(jié)構(gòu)是玻璃片的形式，其可能是彎曲的，并且具有"工業(yè)"尺寸。在本發(fā)明的上下文中，"工業(yè)"尺寸被理解為玻璃片的基準(zhǔn)尺寸，其在法國(guó)一般被稱為PLF(即全寬浮動(dòng)(full-widthfloat))或DLF(即半寬浮動(dòng)(half-widthfloat))，即分別是寬度大于3m和寬度大于2m?；缀推溥@樣處理過(guò)的多層在不間斷真空的情況下(也就是說(shuō)基底保持在真空沉積裝置之中)，可連續(xù)穿過(guò)適于通過(guò)以下各種已知技術(shù)方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的室PECVD、CVD(化學(xué)氣相沉積)、磁控濺射或離子電鍍、離子束濺射和雙重離子束濺射?；變?yōu)選是透明的平面或曲面基底，并且由玻璃或塑料(PMMA、PC等)制成，其可以在如上所述的真空沉積裝置中被涂覆至少一層薄膜多層，所述薄膜多層賦予所述基底各種功能，例如上文所述的那些功能。因此，根據(jù)第一種實(shí)施方案，基底具有"增強(qiáng)熱絕緣"或低熱發(fā)射率類型的涂層。該涂層由至少一個(gè)順序排列的至少5層連續(xù)層組成，所述連續(xù)層即基于尤其選自氧化錫、氧化鈦和氧化鋅的金屬氧化物或半導(dǎo)體的第一層(厚10度為10-30nm);沉積在第一層之上的尤其是基于氧化鋅或氧化鈦的金屬氧化物或半導(dǎo)體層(厚度為5-20nm);銀層(厚度為5-12nm);尤其選自鎳鉻、鈦、鈮和鋯的金屬層，所述金屬層任選被氮化(厚度為至少5nm)并且沉積在銀層之上；和至少一層上層(厚度為5-40nm)，其包括尤其選自氧化錫、氧化鈦和氧化鋅的金屬氧化物，并沉積在金屬層之上，該上層(任選由多層構(gòu)成)任選是保護(hù)層，稱為外涂層。因此，在第二種實(shí)施方案中，基底具有適于經(jīng)受(韌化類型的)熱處理的"增強(qiáng)熱絕緣"或低E或太陽(yáng)光控制類型的涂層，或者特別為汽車工業(yè)設(shè)計(jì)的(也適于經(jīng)受熱處理的)涂層。該涂層由薄膜多層組成，所述薄膜多層包括交替的n層功能層B和n+l層涂層A使得每層功能層B都位于兩層涂層A之間，其中&1，所述功能層B在紅外和/或太陽(yáng)輻射下具有反射性能，其尤其基于銀(厚度為5-15nm)，所述涂層A包括由電介質(zhì)形成的一層或重疊的多層，其特別基于氮化硅(厚度為5-80nm)，或者基于硅和鋁的混合物、或氮氧化硅、或氧化鋅(厚度為5-20nm);所述多層結(jié)構(gòu)還包括吸收可見(jiàn)光的層，尤其是基于鈦、鎳鉻或鋯，這些層任選被氮化并且位于功能層之上和/或之下。因此，在第三種實(shí)施方案中，基底具有太陽(yáng)光控制類型的涂層?；妆惶峁┯斜∧ざ鄬?，所述薄膜多層包括交替的一層或更多n層功能層和(n+l)層"涂層"，其中n^，所述功能層對(duì)于紅外和/或太陽(yáng)輻射具有反射性能，并且尤其本質(zhì)上是金屬性質(zhì)的，所述多層一方面由一層或多層構(gòu)成，所述層包括至少一層電介質(zhì)層，尤其是基于氧化錫(厚度為20-80nm)、氧化鋅、或金屬、或鎳鉻氧化物(厚度為2-30nm)，另一方面，由至少一層由銀或含銀金屬合金形成的功能層(厚度為5-30nm)構(gòu)成，(每層)功能層位于兩電介質(zhì)層之間。因此，在第四種實(shí)施方案中，基底具有適于經(jīng)受(例如韌化類型的)熱處理的太陽(yáng)光控制類型的涂層。這種薄膜多層包括至少一個(gè)順序排列的至少5層連續(xù)層，即尤其基于氮化硅的第一層(厚度為20-60nm);沉積在第一層上的、尤其基于鎳鉻或鈦的金屬層(厚度至少為10nm);對(duì)于紅外和/或陽(yáng)光輻射具有反射性能的、尤其是基于銀的功能層(厚度至少為10nm);沉積在銀層上的、尤其選自鈦、鈮、鋯和鎳鉻的金屬層(厚度為至少10nm);和沉積在所述金屬層上的、基于氮化硅的上層(厚度為2-60nm)。下面給出涂敷有低E多層的基底的實(shí)施例實(shí)施例1:基底/Sn02/Ti02/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4/Ti02;實(shí)施例2:基底/Sn02/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4/Ti02。在實(shí)施例1和2中，層B包括銀，層A是多層中位于層B之下的至少一層其它層。作為實(shí)施例1和2的變型，并且根據(jù)第二種實(shí)施方案，基底包括適于經(jīng)受(韌化類型的)熱處理的低E類型或太陽(yáng)光控制類型的涂層，或者專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的涂層(這種涂層也適于經(jīng)受熱處理)。例如，下面給出實(shí)施例3和4，其適于經(jīng)受熱處理實(shí)施例3:基底/Si3N4/ZnO/NiCr/Ag/ZnO/Si3N4實(shí)施例4:基底/SbN4/ZnO/Ti/Ag/ZnO/Si3N4/Zn0/Ti/Ag/ZnO/Si3N4/Ti02在實(shí)施例3和4中，層B包括銀，而層A是多層中位于層B之下的至少一層其它層。形成實(shí)施例l一4的多層的沉積條件如下所述-Si3N4層使用Si:Al靶，脈沖模式電源(極性變化頻率50kHz)，壓力為2x10—3mbar(0.2Pa)，功率為2000W,并使用16sccm的Ar和18sccm的Ny-Sn02層使用Sn革巴，直流電源，壓力為4xl(T3mbar(0.4Pa)，功率為500W，并使用30sccm的Ar和40sccm的N2;-Zn:AlO層沉積使用Zn:Al(2重量。/。的Al)靶，直流電源，壓力為2x10'3mbar(0.2Pa)，功率為1500W，并使用40sccm的Ar和25sccm的02;-1102層沉積使用TiOx靶，直流電源，壓力為2xl(T3mbar(0.2Pa)，功率為2500W，并使用50sccm的Ar和3.0sccm的02;-銀層沉積使用Ag靶，直流電源，壓力為2xl(T3mbar(0.2Pa)，功率為120W，并使用50sccm的Ar;-鈦層沉積使用Ti靶，直流電源，壓力為2x10—3mbar(0.2Pa)，功率為180W，并使用50sccm的Ar;-NiCr層沉積使用Ni8oCr2o靶，直流電源，壓力為2xl(T3mbar(0.2Pa)，功率為200W，并使用50sccm的Ar。從下表中可以看出，利用線性離子源進(jìn)行界面處理的影響，使得ZnO層(取向)和銀層([lll]取向)的結(jié)晶相顯著提高而非晶相損失，因此顯示出銀的結(jié)晶性能得到提高。這在實(shí)驗(yàn)上與銀層的電阻率減少相關(guān)。在實(shí)施例1一5中，離子源都是在高能操作模式下使用。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>、氧化物層的處理用氬作為載氣，操作條件如下放電電壓和電流1060V和141mA;載氣23sccm的Ar;總壓力二lmTorr;氮化物層的處理離子源操作條件放電電壓和電流1500V和190mA;載氣50sccm的N;總壓力二lmTorr;、指示的區(qū)域是整個(gè)多層中的ZnO層的貢獻(xiàn)總和；3:在實(shí)施例E.4的情況下，指示的區(qū)域是整個(gè)多層中的兩層Ag層的貢獻(xiàn)總和。因此，根據(jù)第五種實(shí)施方案，基底包括具有光催化功能類型的涂層。下面給出具有這種類型涂層的基底的實(shí)施例實(shí)施例5:基底/Si02/BaTi(VTi02。層B是Ti02層，層Aj是位于層B之下的至少一層。形成實(shí)施例5的多層的沉積條件如下-Si02層使用Si:Al靶，脈沖模式電源(極性變化頻率30kHz)，壓力為2xl(T3mbar(0.2Pa)，功率為2000W，并使用15sccm的Ar和sccm的02;-BaTi03層使用BaTi。3革巴，射頻電源，壓力為2x10-3mbar(0.2Pa)，功率為500W，并使用50sccm的Ar;禾口-Ti02層沉積使用TiOx靶，直流電源，壓力為2x10—3mbar(0.2Pa)，功率為2500W，并使用200sccm的Ar和2.5sccm的02。從下表中可以看出，在韌化處理之前和之后，利用離子束處理對(duì)氧化鈦層結(jié)晶性能及其光催化性能的影響。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>*離子源條件放電電壓和電流1500V和118mA;載氣20sccmAr;總壓力二lmTorr。還可以使用低能操作模式下的線性離子源。下面給出的是根據(jù)該實(shí)施方案處理的多層結(jié)構(gòu)(實(shí)施例6):實(shí)施例6:Ti02層的低能處理下述類型的多層基底/Sn02/Ti02/ZnO/Ag/NiCr/ZnO/Si3N4/Ti02。從下表可以看出，在Ti02的情況下，利用低能(500V)離子源處理導(dǎo)致層A的結(jié)構(gòu)的改變。事實(shí)上，該處理可以在先前的非晶層中產(chǎn)生納米級(jí)結(jié)晶區(qū)域。這種效應(yīng)對(duì)銀的結(jié)晶產(chǎn)生影響，這在實(shí)驗(yàn)上與該層的電阻率減少相關(guān)聯(lián)。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>微晶大小利用Scherrer等式來(lái)估算，假定由X射線衍射測(cè)量的峰的增寬只與結(jié)晶區(qū)域的大小相關(guān)(峰通過(guò)pseudo-Voigt函數(shù)來(lái)模擬)。通常，這些基底中的一些隨后能夠經(jīng)受熱處理(彎曲、韌化、退火)并且欲用于汽車工業(yè)中，尤其是遮陽(yáng)篷頂、側(cè)窗、擋風(fēng)玻璃、后窗玻璃或后視鏡；或用于建筑物的單層或雙層玻璃，尤其是建筑物的室內(nèi)和室外玻璃；可以是曲面的商店陳列櫥窗或柜臺(tái)、保護(hù)繪畫類型物品的玻璃窗、防眩電腦屏幕、玻璃家具；或任何玻璃基底，尤其是透明玻璃基底。下面給出通過(guò)SAT試驗(yàn)測(cè)量光催化活性的操作條件。光催化活性以如下方式測(cè)量-切害1」5乂50112白勺試樣；-在UV輻射下和氧氣流中清洗試樣45分鐘；-通過(guò)FTIR或者4000到400cm'1之間的波數(shù)測(cè)量紅外光譜，以構(gòu)成參考光譜；-沉積硬脂酸以5g/l的量溶解在甲醇中的60毫升硬脂酸溶液，通過(guò)旋涂沉積在試樣上；-通過(guò)FTIR測(cè)量紅外光譜，并且在3000到2700cm—1之間測(cè)量CH2-CH3鍵伸縮譜帶的面積，-使試樣經(jīng)受UVA輻照試樣接收的功率分別為約35W/n^和1.4W/i^來(lái)模擬室外和室內(nèi)照射，其通過(guò)315-400nm波長(zhǎng)范圍的光電池來(lái)控制。根據(jù)照明條件，燈的性質(zhì)也不同PhilipsT12參考的熱點(diǎn)熒光燈管用作室內(nèi)照射，而PhilipsCleoPerformanceUV燈用作室外照射；-每次測(cè)量3000到2700cm"之間的012-013鍵伸縮譜帶的面積，進(jìn)行IO分鐘的連續(xù)照射之后，硬脂酸層隨后被光降解；和-室外條件下的光催化活性k針卜由直線的斜率來(lái)定義，單位為cm".min'1，其中所述直線代表3000到2700cm"之間的012-013鍵伸縮譜帶的面積作為0-30分鐘的UV照射時(shí)間的函數(shù)。權(quán)利要求1.一種表面處理方法，其用于處理位于基底和薄膜多層的層B之間的至少一層A的至少一個(gè)表面部分，所述多層的各層真空沉積在具有玻璃功能的基底上，根據(jù)本發(fā)明，所述方法特征在于-將至少一層薄層A沉積在所述基底的表面部分上，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)進(jìn)行；-利用至少一個(gè)線性離子源，從氣體或氣體混合物中產(chǎn)生電離物種的等離子體；-使層A的至少一個(gè)表面部分經(jīng)受所述等離子體的處理，使得所述電離物種至少部分地改變層A的表面狀態(tài)；和-將至少一層B沉積在層A的表面部分上，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)進(jìn)行。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的處理方法，其特征在于，所述層A包括數(shù)層重疊層Aj，并且至少一層Ai(i為l一n，且n^l)經(jīng)受所述等離子體處理。3.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的表面處理方法，其特征在于，所述表面處理通過(guò)接連排列的一個(gè)或多個(gè)線性離子源來(lái)進(jìn)行。4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的表面處理方法，其特征在于利用向上和向下濺射技術(shù)來(lái)進(jìn)行。5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的表面處理方法，其特征在于，將所述線性離子源與用于沉積層A的真空沉積裝置置于相同的區(qū)室中。6.根據(jù)權(quán)利要求l一4之一所述的表面處理方法，其特征在于，將所述線性離子源與用于沉積層A的真空沉積裝置置于兩個(gè)隔離的區(qū)室中。v7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的表面處理方法，其特征在于，將所述線性離子源以與基底平面成30。-90°的角度放置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述沉積方法由濺射方法，尤其是磁增強(qiáng)濺射或磁控濺射方法構(gòu)成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述真空沉積方法由基于PECVD的方法構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，使用基于惰性氣體、氧氣或氮?dú)獾臍怏w等離子體。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述線性離子源產(chǎn)生能量為0.05-2.5keV,優(yōu)選l-2keV的準(zhǔn)直離子束。12.通過(guò)實(shí)施權(quán)利要求l一ll之一所述的方法得到的基底，其特征在于，所述基底提供有多層涂層，所述涂層對(duì)于熱輻射具有高反射性，并且由至少一個(gè)順序排列的至少5層連續(xù)層構(gòu)成，所述連續(xù)層即為-基于尤其選自氧化錫和氧化鈦的金屬氧化物的第一層；-沉積在第一層上的、尤其是基于氧化鋅的金屬氧化物層；-銀層；-沉積在銀層上的、尤其選自鎳鉻、鈦、鈮和鋯的金屬層；和-沉積在金屬層上的上層，其包括尤其選自氧化錫、氧化鋅和氧化鈦的金屬氧化物或半導(dǎo)體。13.通過(guò)實(shí)施權(quán)利要求l一ll之一所述的方法得到的基底，其特征在于，所述基底提供由薄膜多層，所述薄膜多層包括交替的n層功能層B和(n+l)層涂層A，使得每層功能層B都處于兩層涂層A之間，其中n21，所述功能層B對(duì)于紅外和/或陽(yáng)光輻射具有反射性能，其尤其是基于銀，所述涂層A包括一層或多層重疊的電介質(zhì)層，其特別是基于氮化硅、或硅鋁混合物、或氧氮化硅、或氧化鋅，所述多層還包括吸收可見(jiàn)光的層，其尤其是基于鈦、鎳鉻或鋯，這些層任選被氮化并且位于功能層之上和/或之下。14.通過(guò)實(shí)施權(quán)利要求l一ll之一所述的方法得到的基底，其特征在于，所述基底提供有薄膜多層，所述薄膜多層包括交替的n層功能層B和(n+l)層覆蓋層A，其中n21，所述功能層B對(duì)于紅外和/或陽(yáng)光輻射具有反射性能，其尤其本質(zhì)上是金屬性質(zhì)的，所述多層一方面由一層或多層構(gòu)成，所述層包括至少一層電介質(zhì)層，尤其是基于氧化錫或金屬、或鎳鉻氧化物，另一方面，由至少一層功能層構(gòu)成，所述功能層由銀或含銀的金屬合金制成，(每層)功能層位于兩電介質(zhì)層之間。15.通過(guò)實(shí)施權(quán)利要求l一ll之一所述的方法得到的基底，其特征在于，所述基底包括薄膜多層，所述薄膜多層包括至少一個(gè)順序排列的至少5層連續(xù)層，艮口-尤其是基于氮化硅的第一層；-沉積在第一層上的、尤其是基于鎳鉻或鈦的層；-對(duì)于紅外和/或太陽(yáng)輻射具有反射性能的、尤其是基于銀的功能層；-在銀層之上的、尤其選自鎳鉻、鈦、鈮、和鋯的金屬層；和-沉積在金屬層上的、基于氮化硅的上層。16.通過(guò)實(shí)施權(quán)利要求l一ll之一所述的方法得到的基底，其特征在于，所述基底提供有薄膜多層，所述薄膜多層具有自清潔性能，其包括至少一層含有Ti02的功能層和用于異質(zhì)外延的阻擋次層。17.根據(jù)權(quán)利要求12—16之一所述的基底，其特征在于，所述基底欲用于汽車工業(yè)，尤其是遮陽(yáng)篷頂、側(cè)窗、擋風(fēng)玻璃、后窗玻璃或后視鏡；或用于建筑物的單層或雙層玻璃窗，尤其是用于建筑物的室內(nèi)和室外玻璃窗；可以是曲面的商店陳列櫥窗或柜臺(tái)、保護(hù)繪畫類型物品的玻璃窗、防眩電腦屏幕、或玻璃家具。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基底，其特征在于，所述基底是曲面的。全文摘要本發(fā)明涉及一種表面處理方法，其用于處理位于基底和薄膜多層的層B之間的至少一層A的至少一個(gè)表面部分，所述多層的各層真空沉積在具有玻璃功能的基底上，根據(jù)本發(fā)明，所述方法特征在于-將至少一層薄層A沉積在所述基底的表面部分上，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)進(jìn)行；-利用至少一個(gè)線性離子源，從氣體或氣體混合物中產(chǎn)生電離物種的等離子體；-使層A的至少一個(gè)表面部分經(jīng)受所述等離子體的處理，使得所述電離物物至少部分地改變層A的表面狀態(tài)；和-將至少一層B沉積在層A的表面部分上，該沉積階段通過(guò)真空沉積方法來(lái)進(jìn)行。文檔編號(hào)C03C17/34GK101296876SQ200680040014公開(kāi)日2008年10月29日申請(qǐng)日期2006年10月23日優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日發(fā)明者M(jìn)·洛爾根,N·納多,S·羅什,U·施密特申請(qǐng)人:法國(guó)圣-戈班玻璃公司