專利名稱：基底處理裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基底處理裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種基底處理裝 置，其具有在將基底裝載到處理室或從處理室卸載時(shí)打開/關(guān)閉的基底入口，本發(fā)明還涉及一種基底處理方法。
技術(shù)背景在用于處理半導(dǎo)體晶片或液晶基底的常規(guī)裝置中，半導(dǎo)體晶片或液 晶基底通過形成在處理室處并作為基底傳輸通道的基底入口而進(jìn)入或退 出。在基底入口處，安裝有閘門閥以便打開或關(guān)閉基底入口。如圖1所示，閘門閥20安裝在處理室IO的一個(gè)側(cè)壁處，以便打開 或關(guān)閉作為處理室10的基底傳輸通道的基底入口 12。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，通 過形成在處理室10的一個(gè)側(cè)面處的基底入口 12將晶片W放入到處理室 10中或者從處理室10中取出。這種常規(guī)處理室存在著要在下面進(jìn)行詳細(xì)說明的問題。由于常規(guī)閘門閥20與處理室10的外側(cè)連接以便選擇性地打開或關(guān) 閉形成在處理室10的一個(gè)側(cè)面13處的基底入口 12，所以在處理室10 內(nèi)出現(xiàn)空間不對(duì)稱性，從而在對(duì)基底W進(jìn)行等離子體處理期間會(huì)引起不 均勻性。也就是說，在基底入口 12處，產(chǎn)生了與腔室間隔的厚度對(duì)應(yīng)的 空間不均勻性，從而使得難以在處理室10內(nèi)均勻地進(jìn)行等離子體處理。 尤其是，在基底W的左邊緣"a"和右邊緣"b"處的等離子體密度之間 存在差異，從而降低了基底處理均勻性。為了解決上面的問題，已經(jīng)提出了各種方案。其中一個(gè)方案在于， 在基底入口的內(nèi)側(cè)處還安裝有閘門閥以與基底入口配合。但是，該方案需要在處理室內(nèi)安裝活動(dòng)部件，從而會(huì)產(chǎn)生顆粒物并出現(xiàn)誤差。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及基底處理裝置。在一示例性實(shí)施方案 中，該基底處理裝置可以包括處理室，它提供了用于進(jìn)行基底處理過 程的處理空間，并且包括在那里安裝有讓基底進(jìn)出的基底入口和安裝有用來打開和關(guān)閉所述基底入口的閘門閥的一個(gè)側(cè)面；安裝在所述處理室 內(nèi)的基底保持部件，其上放置通過所述基底入口進(jìn)入的基底；以及安裝 在所述處理室的上惻處的氣體分配板，所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱 形成的氣體注入流動(dòng)通道，用于將等離子體和處理氣體分配給所述處理 空間。本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及具有用于將等離子體和處理氣體分配 到處理室內(nèi)的基底上的氣體分配板的基底處理裝置。在一示例性實(shí)施方 案中，該氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通道，用于有 所不同地將等離子體和處理氣體分配到所述處理室中。本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及用于在基底上進(jìn)行灰化處理的裝置。在一示例性實(shí)施方案中，該裝置可以包括處理室，它提供了用于進(jìn)行基底處理過程的處理空間，并且包括在那里安裝有讓基底進(jìn)出的基底入 口的一個(gè)側(cè)面；多個(gè)安裝在所述處理室內(nèi)的基底保持部件，用來在處理期間保持基底；能量施加器，其被構(gòu)造成用來向相應(yīng)的基底保持部件施 加能量；等離子體發(fā)生部件，其被構(gòu)造成用來產(chǎn)生等離子體并且將等離 子體供應(yīng)到所述處理室中；排放部件，其被構(gòu)造成用來將所述處理室中 的氣體排出；分隔部件，其被設(shè)置成用來限定所述處理室中的處理空間 和所述排放部件的排放空間；以及安裝在所述處理室中的處理空間上方 的氣體分配板，所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通 道，用于將等離子體和處理氣體分配給安放在所述基底保持部件上的相 應(yīng)基底。本發(fā)明的示例性實(shí)施方案涉及基底處理方法。在一示例性實(shí)施方案 中，該基底處理方法可以包括通過處理室的基底入口將基底裝載到設(shè) 在處理空間中的基底保持部件上；使所述處理室中的壓力降低至預(yù)定壓力；并且通過供氣部件將處理氣體和從等離子體發(fā)生部件產(chǎn)生出來的等 離子體供應(yīng)到所述處理室的處理空間，其中供應(yīng)到所述處理室的處理空 間的處理氣體和等離子體被更多地供應(yīng)到位于所述處理室的基底入口附 近的基底邊緣區(qū)域。


圖1顯示出常規(guī)的灰化裝置。圖2為根據(jù)本發(fā)明的基底處理裝置的外視圖。 圖3為根據(jù)本發(fā)明的基底處理裝置的前剖視圖。 圖4為沿著圖3的A-A'線剖開的剖視圖。 圖5為沿著圖4的B-B'線剖開的剖視圖。 圖6為第一氣體分配板的俯視圖。圖7為平面剖視圖，顯示出其中將圖8的氣體分配板應(yīng)用于本發(fā)明 的例子。圖8顯示出改進(jìn)的氣體分配板。圖9顯示出包括形成有狹縫式氣體注入流動(dòng)通道的第二邊緣部分的 氣體分配板。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)說明，在這些附圖中顯示出了 本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。但是，本發(fā)明可以按照許多不同方式實(shí)施，并 且不應(yīng)該被解釋為局限于在這里所給出的實(shí)施方案。這些實(shí)施方案只是 以這樣的方式提供，從而使得本發(fā)明的公開內(nèi)容是全面完整的，并且將 把本發(fā)明的范圍完全傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見 而將各個(gè)元件和部件放大。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。雖然本發(fā)明的實(shí)施方案將結(jié)合用于在光蝕刻加工之后使用等離子體 去除留在基底上的不想要的光刻膠的等離子體灰化裝置進(jìn)行說明，但是 本發(fā)明不限于此，并且可以應(yīng)用于使用等離子體處理半導(dǎo)體基底的所有 裝置。另外，雖然下面將微波描述為用于產(chǎn)生等離子體的能量源，但是可 以采用各種能量源，例如射頻(RF)能量。參照?qǐng)D2~圖6，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的基底處理裝置100是用于使用從等離子體源部件產(chǎn)生出來的基團(tuán)而對(duì)半導(dǎo)體基底進(jìn)行灰化的半 導(dǎo)體制造裝置。如圖2~圖4所示，基底處理裝置IOO包括提供有預(yù)定密封氛圍的處 理室110、基底保持部件120、排放部件150、分隔部件160、等離子體 發(fā)生部件140以及具有第一氣體分配板170a和第二氣體分配板170b的 供氣部件130。處理室110提供了在其中進(jìn)行灰化處理的處理空間并且被構(gòu)造成同 時(shí)處理兩塊基底。也就是說，處理室100的處理空間分成第一空間"a" 和第二空間"b"，每個(gè)空間都是在處理期間在裝入的相應(yīng)基底上進(jìn)行灰 化處理的空間。在處理室110的一個(gè)側(cè)壁處形成有基底入口 112，基底 W分別通過基底入口 112進(jìn)入或退出第一空間"a"和第二空間"b"。 基底入口 112通過諸如閘門閥等開/關(guān)門114打開和關(guān)閉。在處理室的底壁處設(shè)有排放口 116，處理室110中的氣體通過排放 口 116排出。排放口 116圍繞著它們的基底保持部件120形成，從而呈 現(xiàn)環(huán)形形狀。雖然在該實(shí)施方案中描述了處理室110具有兩個(gè)空間"a" 和"b"，但是處理室110中的分隔空間的數(shù)量可以為三個(gè)或更多個(gè)。在處理室110的第一空間"a"和第二空間"b"處分別安裝有基底 保持部件120，用來在處理期間保持著基底W?；妆３植考?20在處 理期間安裝有基底W，并且將所安裝的基底W加熱至預(yù)定處理溫度。為 了加熱基底W，基底保持部件120具有這樣一種常規(guī)結(jié)構(gòu)，它包括用于 將基底W加熱至預(yù)定溫度的加熱器以及用于在保持著基底W的同時(shí)使 基底W上升和下降以使得機(jī)械手能夠容易地傳輸基底W的升降組件(未 示出)。將基底保持部件120維持在適合于除去基底W上的光刻膠的溫 度(大約200~400攝氏度)下。升降組件可以包括用于支撐由機(jī)械手(未示 出)放入的基底W的底面的升降銷和用于使升降位置上升(上位置)和下降 (下位置)的驅(qū)動(dòng)器。升降銷使得基底W能夠從基底保持部件120的頂面移動(dòng)到與基底保持部件120的頂面間隔開的上位置以及將基底W安放在基底保持部件120的頂面上的下位置。能量施加器122與基底保持部件 120連接，并且向基底保持部件120施加預(yù)定的偏壓能量。如圖3所示，設(shè)有排放部件150，用來使得處理室110的內(nèi)部成為 真空，并且將灰化處理期間所產(chǎn)生出來的反應(yīng)副產(chǎn)物排出。排放部件150包括共用排放管線152、主排放管線154和減壓部件 156。共用排放管線152被構(gòu)造成用來將處理室110中的氣體排放到外面。 排放管線152與處理室IIO的排放口 116連接以將第一空間"a"和第二 空間"b"中的所有氣體排出。排放部件150還可以包括用于更有效的單 獨(dú)排放的單排放管線152a。單排放管線152a從排放口 116呈環(huán)形向下延 伸。單排放管線152a使得在處理期間從第一空間"a"和第二空間"b" 通過排放口 116排出的氣體能夠均勻地流向共用排放管線152。單排放管 線152a防止了通過排放口 116排出的氣體出現(xiàn)回流或不均勻流動(dòng)。共用 排放管線152被設(shè)置成用來將從與單排放管線152a之間的相應(yīng)第一空間 "a"和第二空間"b"連接的排放管線152中排出的氣體排出。主排放 管線154與共用排放管線152連接。減壓部件156安裝在主排放管線154 處，并且將第一空間"a"和第二空間"b"中的氣體強(qiáng)制排出，以使處 理室110的內(nèi)壓降低。減壓部件156可以為真空泵。分隔部件160包括分隔壁162和間隔壁164。分隔壁162將處理室 110的內(nèi)部分隔以使第一空間"a"和第二空間"b"能夠具有等同的結(jié)構(gòu)。 分隔壁162垂直豎立地安裝在處理室110內(nèi)的中央處。分隔壁162將處 理室110的內(nèi)部分隔以使第一空間"a"和第二空間"b"相對(duì)于線X2 和線X3相互對(duì)稱。與第一空間"a"對(duì)應(yīng)的線X2是穿過第一空間"a" 中的基底保持部件120的中央的虛線，與第二空間"b"對(duì)應(yīng)的線X3是 穿過第二空間"b"中的基底保持部件120的中央的虛線。線X2和線X3 與垂直穿過分隔壁162的線XI平行。分隔壁162的外側(cè)面162a被設(shè)置 成相對(duì)于線X2和線X3與處理室110的內(nèi)側(cè)面111對(duì)稱。間隔壁164將共用排放管線152內(nèi)的排放空間隔開，從而將從第一 空間"a"和第二空間"b"中排出的氣體單獨(dú)排出。間隔壁164從分隔 壁162垂直向下延伸。間隔壁164可以延伸至共用排放管線152和主排放管線154相互連接的部分。間隔壁164將共用排放管線152隔開，從 而使得將第一空間"a"中的氣體排出的第一排放空間"c"和將第二空 間"b"中的氣體排出的第二排放空間"d"能夠具有等同的結(jié)構(gòu)。分隔部件160被設(shè)置用來對(duì)第一空間"a"和第二空間"b"進(jìn)行單 獨(dú)排放。還有，分隔部件160將第一空間"a"和第二空間"b"分隔開， 以防止在第一空間"a"中施加在基底保持部件120上的能量和在第二空 間"b"中施加在基底保持部件120上的能量之間出現(xiàn)相互作用。為此， 分隔部件160由絕緣材料制成。雖然在該實(shí)施方案中描述了 "分隔部件160包括分隔壁162和間隔 壁164，它們結(jié)合成一體，用于將處理室110和共用排放管線152分隔開"， 但是分隔部件的結(jié)構(gòu)、形狀和安裝方法可以有各種各樣的改變和變化。 例如，分隔部件160可以包括相互分開的分隔壁162和間隔壁164，并且 可以設(shè)置多個(gè)分隔壁162和多個(gè)間隔壁164。可選的是，分隔部件160 的分隔壁162可以固定安裝在處理室110處，其間隔壁164可以固定安 裝，并且當(dāng)組裝基底處理裝置100時(shí)，分隔壁162和間隔壁164相互連 接。等離子體發(fā)生部件140在處理期間產(chǎn)生等離子體，并且將所產(chǎn)生出 來的等離子體供應(yīng)到處理室110。等離子體發(fā)生部件40可以為遠(yuǎn)程等離 子體發(fā)生裝置，并且包括第一發(fā)生部件142和第二發(fā)生部件144。第一發(fā) 生部件142在處理期間向第一供應(yīng)部件132提供等離子體，第二發(fā)生部 件144在處理期間向第二供應(yīng)部件134提供等離子體。第一發(fā)生部件142 包括磁控管142a、波導(dǎo)管142b和供氣管線142c。第二發(fā)生部件144包 括磁控管144a、波導(dǎo)管144b和供氣管線144c。磁控管142a和144a產(chǎn) 生用于在處理期間生成等離子體的微波。波導(dǎo)管142b將從磁控管142a 產(chǎn)生出來的微波引導(dǎo)至供氣管線142c，波導(dǎo)管144b將從磁控管144a產(chǎn) 生出來的微波引導(dǎo)至相應(yīng)的供氣管線144c。供氣管線142c和144c被構(gòu) 造成用來在處理期間提供反應(yīng)氣體。這時(shí)，通過從磁控管142a和144b 產(chǎn)生出來的微波，從通過供氣管線142c和144c接收到的反應(yīng)氣體產(chǎn)生 等離子體。從等離子體發(fā)生部件140產(chǎn)生出來的等離子體在灰化處理期 間被供應(yīng)到供氣部件130。供氣部件130的第一供應(yīng)部件132和第二供應(yīng)部件134在處理期間 將等離子體和處理氣體注入到處理室no的第一空間"a"和第二空間"b" 中。第一供應(yīng)部件132安裝在處理室110的第一空間"a"上方，第二供 應(yīng)部件134安裝在處理室110的第二空間"b"上方。第一供應(yīng)部件132 包括提供了與第一發(fā)生部件142連接的隧道狀流動(dòng)通道的蓋罩136a和安 裝在蓋罩136a下面并面對(duì)著基底W的第一氣體分配板(GDP) 170a。第二 供應(yīng)部件134包括提供了與第二發(fā)生部件144連接的隧道狀流動(dòng)通道的 蓋罩136b和安裝在蓋罩136b下面并面對(duì)著基底W的第二氣體分配板 (GDP) 170b。第一供應(yīng)部件132在處理期間將等離子體和處理氣體注入到第一空 間"a"中安裝在基底保持部件120處的基底W上。第二供應(yīng)部件134 在處理期間將等離子體和處理氣體注入到第二空間"b"中安裝在基底保 持部件120處的基底W上。尤其是，第一氣體分配板170a和第二氣體分配板170b包括多個(gè)氣 體注入流動(dòng)通道172a和172b,它們不對(duì)稱地形成，以使供應(yīng)到第一空間 "a"和第二空間"b"的處理氣體和等離子體密度均勻。具體地說，第 一氣體分配板170a和第二氣體分配板170b包括不對(duì)稱氣體注入流動(dòng)通 道172a和172b，它們可以劃分成第一邊緣部分Kl和位于基底入口 112 附近的第二邊緣部分K2，在第一邊緣部分K1處，形成具有相同尺寸的 各條氣體注入流動(dòng)通道172a，在第二邊緣部分K2處，形成比氣體注入 流動(dòng)通道172a更大的各條氣體注入流動(dòng)通道172b。如圖5所示，由于讓基底W進(jìn)入和退出的基底入口 112，所以處理 室110具有呈現(xiàn)凹形形狀的一個(gè)側(cè)面110a。與處理室110的這一個(gè)側(cè)面 的厚度對(duì)應(yīng)的空間不均勻性由基底入口 112引起。因此，在基底入口 112 處產(chǎn)生了與在處理室110中的其它區(qū)域處不同的氣體和等離子體流動(dòng)。 這種不同的流動(dòng)使得難以均勻地處理基底W。在這方面，必須改善氣體 和等離子體的分布結(jié)構(gòu)，以抑制由基底入口 112導(dǎo)致的氣體和等離子體 流動(dòng)變化所引起的密度不均勻性。也就是說，如圖5和圖6所示，第一 氣體分配板170a和第二氣體分配板170b被構(gòu)造成通過形成在第二邊緣 部分K2處的氣體注入流動(dòng)通道172b向位于基底入口 112附近的空間供應(yīng)的等離子體和處理氣體的量大于供應(yīng)到第一邊緣部分Kl的等離子體和處理氣體量。包括不對(duì)稱氣體注入流動(dòng)通道172a和172b的第一氣體 分配板170a和第二氣體分配板170b在處理室110的不對(duì)稱空間結(jié)構(gòu)中 在密度較低的基底入口 112周圍分配更大量的等離子體。因此，在基底 W的邊緣處產(chǎn)生的等離子體密度變得均勻，從而改善了灰化均勻性。形 成在第二邊緣部分K2處的氣體注入流動(dòng)通道172b的開口面積大約比形 成在第一邊緣部分Kl處的氣體注入流動(dòng)通道172a大1%~1000%。形成 在中央部分K3處的氣體注入流動(dòng)通道172c相互對(duì)稱，并且其尺寸小于形成在第二邊緣部分K2處的氣體注入流動(dòng)通道172b可以為狹縫形。圖8顯示出改進(jìn)的氣體分配板，圖7為平面剖視圖，顯示出其中將 圖8的氣體分配板應(yīng)用于本發(fā)明的例子。下面將參照?qǐng)D3對(duì)處理室110的第一空間"a"和第二空間"b"處 的排放氣流進(jìn)行說明。氣體和等離子體在與共用排放管線152直接連接 的排放口 116側(cè)(與分隔壁162相鄰的區(qū)域(參照?qǐng)D4))比在第一空間"a" 和第二空間"b"中的其它區(qū)域處流得更快。因此，出現(xiàn)氣體和等離子體 密度差異。在這方面，需要改善氣體和等離子體的分布結(jié)構(gòu)，以抑制由 共用排放管線152導(dǎo)致的氣體和等離子體流動(dòng)變化所引起的密度不均勻 性。如圖7和圖8所示，第三氣體分配板170c被構(gòu)造成通過形成在第二 邊緣部分K2處的氣體注入流動(dòng)通道172b向位于基底入口 112附近的空 間供應(yīng)比第一邊緣部分Kl更大量的等離子體和處理氣體。尤其是，第三 氣體分配板170c被構(gòu)造成通過形成在位于共用排放管線152附近的第三 邊緣部分K4處的氣體注入流動(dòng)通道172d向位于共用排放管線152附近 的空間供應(yīng)比第一邊緣部分Kl更大量的等離子體和處理氣體。包括不對(duì) 稱氣體注入流動(dòng)通道172a、 172b和172d的第三氣體分配板170c能夠在 處理室110的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)中在密度較低的基底入口 112和共用排放管線 152周圍分配更大量的等離子體和處理氣體。因此，在基底W的邊緣處 產(chǎn)生的等離子體密度變得均勻，從而改善了灰化均勻性。下面將對(duì)使用圖2所示的基底處理裝置進(jìn)行的灰化處理進(jìn)行詳細(xì)說明。參照?qǐng)D2和圖3，如果基底處理裝置100的處理開始了，則通過基 底入口 112將基底W分別裝載在基底保持部件120上。當(dāng)基底W裝載 在基底保持部件120上時(shí)，通過設(shè)在基底保持部件120處的加熱器將基 底W加熱至預(yù)定溫度，并且能量施加器122向相應(yīng)的基底保持部件120 施加偏壓能量。減壓部件156強(qiáng)制吸出處理室110中的空氣，從而使在 處理室110中的壓力降低至預(yù)定壓力。如果處理室110中的諸如處理壓力和溫度等處理?xiàng)l件滿足預(yù)定條 件，則等離子體發(fā)生部件140產(chǎn)生等離子體，并且將等離子體供應(yīng)到供氣部件130，排放部件150將處理室110中的壓力保持在恒定壓力下。通 過供氣部件130注入的等離子體將基底W上的不想要的光刻膠去除。排 放部件150以恒定的流量將供應(yīng)到處理室110中的等離子體和處理氣體 排出，從而保持處理室110中的壓力。如果已將基底W上的光刻膠去除， 則將基底W從基底保持部件120卸載之后，通過基底入口 112將基底W 從處理室110中取出。在去除基底W上的光刻膠的過程(灰化處理)期間，將等離子體和氣 體不對(duì)稱地分配給第一空間"a"和第二空間"b"。也就是說，在處理 室110的不對(duì)稱空間結(jié)構(gòu)中在其密度降低的基底入口 112周圍分配更多 的等離子體和氣體。因此，在基底W邊緣處產(chǎn)生的等離子體密度變得均 勻，從而改善了灰化均勻性。單獨(dú)對(duì)第一空間"a"和第二空間"b"進(jìn)行排放。也就是說，通過 分隔部件160將第一空間"a"中的等離子體和處理氣體排出到共用排放 管線152中的第一排放空間"c"，通過分隔部件160將第二空間"b" 中的等離子體和處理氣體排出到共用排放管線152中的第二排放空間 "d"。從第一空間"a"和第二空間"b"中排出的氣體由于單排放管線 152a而不會(huì)回流。因此，供應(yīng)到第一空間"a"和第二空間"b"的氣體 被單獨(dú)分開排出，并且第一空間"a"中的等離子體和氣體流動(dòng)與第二空 間"b"中的等離子體和氣體流動(dòng)相同。如上所述，當(dāng)在具有由基底入口 112導(dǎo)致的不對(duì)稱空間結(jié)構(gòu)的處理 室IIO中處理基底W時(shí)，在基底入口 112周圍分配更大量的等離子體和 氣體。因此，在基底W邊緣處產(chǎn)生的等離子體密度變得均勻，從而改善了灰化均勻性。另外，在將多個(gè)保持部件120安裝在處理室110內(nèi)以處理多個(gè)基底w時(shí)，將外殼的內(nèi)部劃分成多個(gè)具有相同尺寸和結(jié)構(gòu)的基底處理空間，并且使得外殼的內(nèi)部相對(duì)于保持部件對(duì)稱，從而在各個(gè)基底w上進(jìn)行均勻相同的處理。根據(jù)本發(fā)明，可以防止由處理室中的空間不均勻性導(dǎo)致的等離子體 和氣體分布差異。另外，當(dāng)在處理室內(nèi)進(jìn)行等離子體處理時(shí)，能提供均勻的等離子體密度以均勻地處理基底。雖然已經(jīng)結(jié)合附圖中所示的本發(fā)明實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明， 但是本發(fā)明不限于此。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明作出各種替換、改變和變化。
權(quán)利要求
1.一種基底處理裝置，包括處理室，它提供了用于進(jìn)行基底處理過程的處理空間，并且包括在那里安裝有讓基底進(jìn)出的基底入口和安裝有用來打開和關(guān)閉所述基底入口的閘門閥的一個(gè)側(cè)面；安裝在所述處理室內(nèi)的基底保持部件，其上放置通過所述基底入口進(jìn)入的基底；以及安裝在所述處理室的上側(cè)處的氣體分配板，所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通道，用于將等離子體和處理氣體分配給所述處理空間。
2. 如權(quán)利要求l所述的基底處理裝置，其中，在所述氣體注入流動(dòng) 通道之中，形成在位于所述基底入口附近區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的 開口密度大于形成在其它區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的開口密度。
3. 如權(quán)利要求2所述的基底處理裝置，其中，在所述不對(duì)稱氣體注 入流動(dòng)通道之中，形成在位于所述基底入口附近區(qū)域處的氣體注入流動(dòng) 通道具有相對(duì)更大的尺寸。
4. 如權(quán)利要求2所述的基底處理裝置，還包括 設(shè)在所述氣體分配板的上側(cè)處的等離子體源單元，用于產(chǎn)生等離子體。
5. 如權(quán)利要求l所述的基底處理裝置，其中，所述處理室還包括形 成在其底部處的排放口。
6. 如權(quán)利要求5所述的基底處理裝置，其中，形成在位于所述排放 口附近區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的尺寸大于形成在其它區(qū)域處的氣體 注入流動(dòng)通道的尺寸。
7. 如權(quán)利要求1所述的基底處理裝置，其中，形成在位于所述基底 入口附近區(qū)域處的每條氣體注入流動(dòng)通道的尺寸大約比形成在其它區(qū)域處的每條氣體注入流動(dòng)通道的尺寸大1%~1000%。
8. —種基底處理裝置，具有用于將等離子體和處理氣體分配到處理室內(nèi)的基底上的氣體分配板，其中，所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形 成的氣體注入流動(dòng)通道，用于有所不同地將等離子體和處理氣體分配到 所述處理室中。
9. 一種用于在基底上進(jìn)行灰化處理的裝置，所述裝置包括處理室，它提供了用于進(jìn)行基底處理過程的處理空間，并且包括在那里安裝有讓基底進(jìn)出的基底入口的一個(gè)側(cè)面；多個(gè)安裝在所述處理室內(nèi)的基底保持部件，用來在處理期間保持基底；能量施加器，其被構(gòu)造成用來向相應(yīng)的基底保持部件施加能量； 等離子體發(fā)生部件，其被構(gòu)造成用來產(chǎn)生等離子體并且將等離子體供應(yīng)到所述處理室中；排放部件，其被構(gòu)造成用來將所述處理室中的氣體排出； 分隔部件，其被設(shè)置成用來限定所述處理室中的處理空間和所述排放部件的排放空間；以及安裝在所述處理室中的處理空間上方的氣體分配板，所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通道，用于將等離子體和處理氣體分配給安放在所述基底保持部件上的相應(yīng)基底。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，在所述氣體注入流動(dòng)通道之 中，形成在位于所述基底入口附近區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的尺寸大 于形成在其它區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的尺寸。
11. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，在所述氣體注入流動(dòng)通道之 中，形成在位于所述排放部件附近區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的尺寸大 于形成在其它區(qū)域處的氣體注入流動(dòng)通道的尺寸。
12. 如權(quán)利要求ll所述的裝置，其中，所述排放部件包括共用排放 管線，所述處理空間中的氣體沿著所述共用排放管線，通過環(huán)繞著相應(yīng) 基底保持部件而形成的排放口排出，其中，所述分隔部件包括安裝在所述處理室內(nèi)以限定所述處理空間 的分隔壁以及安裝在所述共用管線內(nèi)以限定排放空間從而使氣體從相應(yīng) 的處理空間中單獨(dú)排出的間隔壁。
13. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述分隔壁劃分出相對(duì)于穿 過所述基底保持部件的中央并且與所述分隔壁平行的線對(duì)稱的處理空 間，其中，所述間隔壁劃分出相對(duì)于所述間隔壁對(duì)稱的排放空間。
14. 一種基底處理方法，所述方法包括通過處理室的基底入口將基底裝載到設(shè)在處理空間中的基底保持部 件上；使所述處理室中的壓力降低至預(yù)定壓力；并且通過供氣部件將處理氣體和從等離子體發(fā)生部件產(chǎn)生出來的等離子 體供應(yīng)到所述處理室的處理空間，其中，供應(yīng)到所述處理室的處理空間的處理氣體和等離子體被更多 地供應(yīng)到位于所述處理室的基底入口附近的基底邊緣區(qū)域。
15. 如權(quán)利要求14所述的基底處理方法，其中，通過具有多條在所 述供氣部件處不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通道的氣體分配板，將處理氣 體和等離子體不對(duì)稱地供應(yīng)到所述處理室的處理空間。
全文摘要
一種基底處理裝置，它包括提供了用于進(jìn)行基底處理過程的處理空間的處理室、其上保持著基底的基底保持部件以及安裝在處理室的上側(cè)處的氣體分配板。所述氣體分配板包括多個(gè)不對(duì)稱形成的氣體注入流動(dòng)通道，用于將等離子體和處理氣體分配給處理空間。根據(jù)本發(fā)明，在處理室內(nèi)的不均勻空間中提供了均勻的等離子體密度，從而能均勻地處理基底。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101226875SQ20081000042
公開日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月17日
發(fā)明者白仁赫 申請(qǐng)人:Psk有限公司