專利名稱：?jiǎn)蝹?cè)工件處理的制作方法
單側(cè)工件處理
背景技術(shù)：
晶片的后側(cè)可以采用現(xiàn)有的技術(shù)進(jìn)行處理，以去除污染物。這些 技術(shù)包括通常當(dāng)旋轉(zhuǎn)時(shí)晶片，在后側(cè)上施加工藝流體(process fluid)。然 而，如果工藝流體接觸晶片的前側(cè)，則工藝流體會(huì)損壞微電子器件。因 此，通常在后側(cè)處理時(shí)，或單側(cè)處理時(shí)，工藝流體最好是^:到最小量或 與晶片的前側(cè)即相對(duì)側(cè)不接觸。因?yàn)楣に嚵黧w包括液體、氣體或者蒸汽， 而且當(dāng)其應(yīng)用時(shí)，晶片通常是旋轉(zhuǎn)的，在目前的晶片處理技術(shù)中，這一 目標(biāo)在很大程度上仍然無(wú)法實(shí)現(xiàn)。采用循環(huán)氣體的晶片處理機(jī)器可包括具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入 口的槽座(bowl),用于將工藝流體施加到晶片的第一側(cè)上。該機(jī)器具有能 夠在工件處理期間設(shè)置為與槽座相接合(engagement)的頭部。在支撐于頭 部上的轉(zhuǎn)子內(nèi)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣體。產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣流的一個(gè)方法是，在轉(zhuǎn)子內(nèi)按 照與旋轉(zhuǎn)方向相切或接近相切的方向釋放加壓氣體。旋轉(zhuǎn)氣流將晶片固 持在轉(zhuǎn)子上或轉(zhuǎn)子內(nèi)的適當(dāng)位置，而與晶片的物理接觸最小。當(dāng)晶片圍 繞轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)時(shí)，流體入口將一種或多種工藝流體施加到晶片的第一側(cè)上。 除了將晶片固持在適當(dāng)位置，對(duì)于單側(cè)處理，轉(zhuǎn)子內(nèi)的旋轉(zhuǎn)氣流也能用 于將工藝流體排除在晶片的第二側(cè)之外。在一個(gè)設(shè)計(jì)中，晶片可以設(shè)置 在轉(zhuǎn)子之上，且圍繞晶片的邊緣設(shè)有間隙。進(jìn)入轉(zhuǎn)子的部分或全部循環(huán) 氣體從該間隙并圍繞晶片的邊緣溢出。這種氣體的向外流動(dòng)避免了施加 到第 一側(cè)上的任何工藝流體到達(dá)第二側(cè)。在另一個(gè)設(shè)計(jì)中，在晶片的邊緣附近，轉(zhuǎn)子可以具有一種環(huán)形邊 緣接觸環(huán)，其與晶片相接觸或者密封抵接晶片。與邊緣接觸環(huán)相關(guān)的氣流路徑將從轉(zhuǎn)子溢出的氣體引導(dǎo)遠(yuǎn)離晶片的邊緣。施加到晶片底面上的 工藝流體圍繞晶片的邊緣，并且^f義僅在晶片頂面上的 一 個(gè)明確限定的邊 緣區(qū)域上流動(dòng)。轉(zhuǎn)子也可以具有另一種類型的環(huán)形邊緣接觸環(huán)，其接觸 晶片的邊緣，并基本上阻止任何的工藝流體運(yùn)動(dòng)到晶片的頂面上。本發(fā) 明也包括其所用機(jī)器和方法的其它組合方式。


在圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。為了清楚起見(jiàn)，圖中
省略了電線和氣體與液體的管道線路。。
具體實(shí)施例方式如圖4和5所示，槽座78具有流體噴霧噴嘴或入口 112,以便將 工藝流體施加到保持在頭部80內(nèi)的工件100的背面或向下表面。噴嘴或
入口 112可以固定在槽座78的側(cè)面或底面的位置。可選"t奪地，噴嘴112 中的一些或全部可以移動(dòng)，例如，在搖臂上。也可采用固定以及移動(dòng)噴 嘴112的結(jié)合。具有多個(gè)噴嘴或者入口的固定或移動(dòng)噴霧管，也可以在 槽座78中采用。還可以經(jīng)由噴嘴112將氣體或蒸汽施加到工件100上。 排水管114收集失效的工藝流體以便將其從槽座78中排出。 一個(gè)或多個(gè) 閥門(mén)116可以與排水管114相關(guān)耳關(guān)。槽座支腳110,如果采用的話，連 接到槽座上且,人槽座78上向上凸伸朝向頭部80上的工件100。如圖5 所示，頭部80可以通過(guò)經(jīng)由頭部提升臂90連接到頭部上的頭部升降機(jī) (未表示)被垂直提升離開(kāi)槽座78,如圖4所示。氣體供給，例如氮，或者干凈干空氣，在壓力下，連接頭部80的 供應(yīng)管線，經(jīng)過(guò)連接到馬達(dá)殼體的迷宮式帽126(圖4, 5和7表示)，并 進(jìn)入到延伸穿過(guò)軸桿124內(nèi)的套管125的入口管線86。套管125連接到 驅(qū)動(dòng)板130上，并且在帽126內(nèi)旋轉(zhuǎn)。卡盤(pán)板132上的外輪緣142的側(cè)壁138在卡盤(pán)132上形成具有直 徑D以及深度或高度H的大致上指定的空間155，如圖9所示。尺寸H 大致上一致，除了在圍繞輪轂122的中央?yún)^(qū)域之外。參閱圖3,處理器50位于向上或打開(kāi)位置以便加載或卸載。在所 示的設(shè)計(jì)中，頭部提升臂90將頭部82從槽座78處升高。工件100被移 動(dòng)進(jìn)入頭部82和槽座78之間的位置，工件100大致上對(duì)準(zhǔn)轉(zhuǎn)子92。隨 后工件被垂直向上移動(dòng)，導(dǎo)銷134圍繞工件的外側(cè)邊緣。工件此時(shí)位于 或高于導(dǎo)銷134的平面P,如圖11所示。這些工件的加載運(yùn)動(dòng)可以手動(dòng) 執(zhí)行，或通過(guò)機(jī)械手，如后文的進(jìn)一步描述。當(dāng)氣體從轉(zhuǎn)子92流出后，其進(jìn)入氣體排出穩(wěn)壓室120并隨后從處 理器50流走。取決于在處理器50內(nèi)運(yùn)行的特定處理，卡盤(pán)132和驅(qū)動(dòng) 板130可選擇采用抗腐蝕材料制成，例如PVDF塑膠材料或等同物。如 上所揭示的轉(zhuǎn)子92，以及整個(gè)頭部80實(shí)際上可以用于任何離心處理， 其中處理化學(xué)制品，通常為液體，被施加到工件的僅僅一側(cè)上。處理器 50表示為位于直立和豎直的位置，但是它也可以在其它位置或方向使用。 因此，此處提供對(duì)于頂面或底面以及向上方和向下方的描述，是為了說(shuō) 明圖示示例，而并非必須的或者必要的運(yùn)行參數(shù)。在所述的每一個(gè)實(shí)施方式中，晶片的前側(cè)或裝置側(cè)可以面向或背 離轉(zhuǎn)子。為了后側(cè)清洗或處理，晶片放置在轉(zhuǎn)子中而裝置側(cè)面向轉(zhuǎn)子。 為了前側(cè)清洗或處理，晶片放置在轉(zhuǎn)子中而前側(cè)背離轉(zhuǎn)子?？赏ㄟ^(guò)機(jī)器 人或手動(dòng)處理，獲得轉(zhuǎn)子的期望的向上/向下定向。也可采用單獨(dú)的翻轉(zhuǎn) 或晶片反轉(zhuǎn)工作站。圖9B表示了一種可選擇的轉(zhuǎn)子設(shè)計(jì)400,除了此處所描述的以外， 其與轉(zhuǎn)子92相同。轉(zhuǎn)子400具有連接到轉(zhuǎn)子環(huán)402的邊緣接觸環(huán)404。 邊緣接觸環(huán)404可以是連接到轉(zhuǎn)子環(huán)402上的分離環(huán)形環(huán)元件，例如， 通過(guò)緊固件，或者它可以作為轉(zhuǎn)子環(huán)402的一部分制造。氣流路徑，在 圖9B中大致由408表示，在邊緣接觸環(huán)404和轉(zhuǎn)子環(huán)402之間形成。氣 流路徑408可由切削進(jìn)入轉(zhuǎn)子環(huán)402內(nèi)的倒角環(huán)槽410以及連接進(jìn)入槽 體410內(nèi)的氣體出口 412形成。進(jìn)入氣流^各徑408內(nèi)的入口 415位于槽 體410的4交^氐的內(nèi)部開(kāi)口處。5到45°范圍。圖13的框架48表示支撐了十個(gè)工件處理器50,但是可以包括任 何期望數(shù)量的處理器50。框架42優(yōu)選地在處理器50之間包括一個(gè)或多 個(gè)中心定位軌道46。 一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手44能在軌道46上運(yùn)動(dòng)從而將工 件加載或卸載進(jìn)入處理器50并從處理器50出來(lái)。
0082參閱圖12-14，在使用中，工件或晶片IOO通常被移動(dòng)到處理系統(tǒng) 30的容器38內(nèi)，例如前側(cè)開(kāi)口標(biāo)準(zhǔn)外殼(front opening unified pods) (FOUPs)或類似的可關(guān)閉的或可密封的容器內(nèi)?？蛇x4奪地，可采用打開(kāi)的 容器，例如盒體或其它載體。在塢站或輸入/輸出站36，如果容器38具 有門(mén)或蓋子， 一般會(huì)經(jīng)由機(jī)械手的或者自動(dòng)化的子系統(tǒng)移開(kāi)。如果在外 殼32中包括任何的加載舷門(mén)(port door)或者窗戶，會(huì)被打開(kāi)。機(jī)械手 44把工件100從容器38移開(kāi)并將它運(yùn)送到處理器20或50之一。隨后 工件100已經(jīng)為加載進(jìn)入處理器做好準(zhǔn)備。理所當(dāng)然的，步驟的順序， 以及用于將工件100移動(dòng)到處理器的元件或裝置可以變化，而對(duì)本發(fā)明 并非最重要的。然而，為了說(shuō)明的目的，上述的以及圖12-14所示的順 序代表了一個(gè)示例。現(xiàn)在參閱圖5。頭部80中的流動(dòng)傳感器可以用來(lái)檢驗(yàn)氣流，向控 制器34指示機(jī)械手44可以安全地收回。機(jī)械手44向下移動(dòng)并遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)子 92。機(jī)械手44上的感應(yīng)器4全驗(yàn)工件100已經(jīng)不再位于機(jī)械手44上。然 后機(jī)械手收回并遠(yuǎn)離處理器50。然后處理器運(yùn)行上述的操作。如圖16所示，空氣罩190設(shè)置在輪緣192的頂面上，輪緣192支 撐在輪緣支柱194上且位于處理器184的上面。電線穿過(guò)線導(dǎo)引198， 線導(dǎo)引198大致上從靠近外殼32的頂面處延伸到安裝板188。參閱圖16 和17,干燥處理?yè)u臂196支撐在位于安裝板188上的搖臂致動(dòng)器200上 并由其驅(qū)動(dòng)，且位于處理器184的一側(cè)。圖17所示的頭部80與圖2-9所示以及上述的頭部80類似或相同。 圖17所示的頭部80可與槽座204相接合。槽座204有利地包括具有圓 柱形上端212的頂部210,中間部分208,和底板206。槽座204還包括 由致動(dòng)器222驅(qū)動(dòng)的往復(fù)噴霧搖臂220。在搖臂220上提供一個(gè)或多個(gè) 噴霧或噴射噴嘴或入口 218。另外槽座204與上述的槽座78類似。由槽 座78或204上的噴嘴或入口所施加的處理化學(xué)藥品可以是液體酸溶液， 例如HF, HCL，硝酸或碌u磺酸。可選4奪地，處理化學(xué)藥品可包括液體溶 劑。提升旋轉(zhuǎn)單元186可以將頭部80設(shè)置在相對(duì)于基座的各種不同的垂 直J立置。旋轉(zhuǎn)晶片的邊緣大致上與角區(qū)302垂直對(duì)準(zhǔn)，沖過(guò)晶片100的液 體趨于向下偏離，朝向槽座204的底部。這減少了在晶片上的來(lái)回飛濺。 環(huán)形唇部排出道或穩(wěn)壓室120圍繞下罩304設(shè)置。大致上位于槽座相對(duì) 側(cè)上的氣體排出管連接306,進(jìn)入排出通道120內(nèi)。輕微的真空可以應(yīng) 用到管連接，引導(dǎo)來(lái)自槽座的氣流，經(jīng)過(guò)通道305到達(dá)排出通道120并 隨后經(jīng)由管連接306從處理器排出。經(jīng)過(guò)處理器的典型氣流在大約 60-200, 100-170或120-150公升每分鐘的范圍。術(shù)語(yǔ)圓柱形，圓形,或環(huán)形還包括多部分的形狀。術(shù)語(yǔ)接合的或 接合包括實(shí)際的物理接觸，以及允許元件之間互相協(xié)作而它們之間沒(méi)有 物理接觸的鄰近位置。術(shù)語(yǔ)渦流或氣流渦流表示大致上具有環(huán)形特征的 氣體流動(dòng)，而且包括螺旋狀的，螺線的和類似的流動(dòng)。術(shù)語(yǔ)氣體包括基 本氣體，例如氮，氧，臭氧，二氧化碳，以及其它用于半導(dǎo)體制造的氣 體，以及它們和空氣以及蒸汽的混合物。此處所采用的復(fù)數(shù)，也包括單 數(shù)，反之亦然。術(shù)語(yǔ)連接到或者支撐于同時(shí)包括直接和間接連接或相互
作用。術(shù)語(yǔ)上和下，以及頂面和底面，可以互相交換使用，除非從上下 文中可以明確某一方向或位置是必要的。表示并描述了新的系統(tǒng)和方法。 理所當(dāng)然，可以做出等同的各種不同的變化，替代和使用，而不脫離本 發(fā)明的精神和范圍。因此，除了下述的權(quán)利要求和他們的等同替換之夕卜， 本發(fā)明不應(yīng)該被限制。
[00951本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2007年1月3日且目前未決的美國(guó)專利申請(qǐng)第 11/619,515號(hào)的部分延續(xù)申請(qǐng)，而該申請(qǐng)又是申請(qǐng)日為2006年2月22 曰且目前未決的美國(guó)專利申請(qǐng)第11/359,969號(hào)的部分延續(xù)申請(qǐng)，而第 11/359,969號(hào)是申請(qǐng)日為2005年3月8日且目前未決的美國(guó)專利申請(qǐng)第 11/075,099號(hào)的部分延續(xù)申請(qǐng)，且要求申請(qǐng)日為2004年3月12日的美 國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第60/552,642號(hào)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)也是申請(qǐng)日為2005年 6月30日且目前未決的美國(guó)專利申請(qǐng)第11/172, 162號(hào)的部分延續(xù)申請(qǐng)。 本申請(qǐng)也是申請(qǐng)日為2005年11月28日且目前未決的美國(guó)專利申請(qǐng)第 11/288,770號(hào)的部分延續(xù)申請(qǐng)。這些申請(qǐng)?jiān)诖艘米鳛閰㈤啞?br> 權(quán)利要求
1、一種工件處理器，其包括具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的槽座；在工件加工處理過(guò)程中，能與所述槽座相接合的頭部；支撐在所述頭部上、并可相對(duì)于所述頭部旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子；以及在所述轉(zhuǎn)子中的旋轉(zhuǎn)氣流系統(tǒng)。
2、 如權(quán)利要求l所述的處理器，其中，所述的旋轉(zhuǎn)氣流系統(tǒng)包括設(shè) 置用于產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣流的氣體入口 。
3、 如權(quán)利要求l所述的處理器，其進(jìn)一步包括鄰近所述轉(zhuǎn)子周邊的 導(dǎo)銷。
4、 如權(quán)利要求l所述的處理器，其中，所述轉(zhuǎn)子包括驅(qū)動(dòng)板和連接 到該驅(qū)動(dòng)板的卡盤(pán)板、以及在所述驅(qū)動(dòng)板和卡盤(pán)板之間的氣流路徑。
5、 如權(quán)利要求4所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述驅(qū)動(dòng)板和卡 盤(pán)板之間的密封。
6、 如權(quán)利要求4所述的處理器，其中，所述的轉(zhuǎn)子包括卡盤(pán)板，該 卡盤(pán)板具有連接到表面板上的圓柱形側(cè)壁，所述的氣體入口位于所述的 圓柱形側(cè)壁上。
7、 如權(quán)利要求l所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述頭部中用于 旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)子的馬達(dá)。
8、 如權(quán)利要求l所述的處理器，其中，所述槽座中的工藝流體入口 包括用于在所述工件的向下表面上噴射所述工藝流體的噴嘴。
9、 一種離心式工件處理器，包括 具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的槽座； 在所述槽座上方的頭部；以及連接到所述頭部上并可相對(duì)于所述頭部旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子，其中，所述轉(zhuǎn)子 具有大致上圓柱形側(cè)壁，且該側(cè)壁上具有一個(gè)或多個(gè)的氣體入口 。
10、 如權(quán)利要求9所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述轉(zhuǎn)子的外周 邊的導(dǎo)銷，使工件保持在所述轉(zhuǎn)子上、由所述導(dǎo)銷內(nèi)側(cè)所限定的位置處。
11、 如權(quán)利要求9所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述轉(zhuǎn)子上的接 觸銷。
12、 如權(quán)利要求9所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述轉(zhuǎn)子中與所 述氣體入口相連4妄的氣流^各徑。
13、 如權(quán)利要求12所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述轉(zhuǎn)子上連 接到板上的軸桿、以及具有連接到所述轉(zhuǎn)子上馬達(dá)的頭部，其中，所述 氣流路徑包括延伸穿過(guò)所述馬達(dá)、軸桿和板的入口套管。
14、 一種離心工件處理器，其包括 具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的基座； 可移動(dòng)到所述基座上的頭部；位于所述頭部上的轉(zhuǎn)子，其具有板和連接到該板上的圓柱形側(cè)壁； 用于旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)子的裝置；與所述轉(zhuǎn)子協(xié)作的氣流裝置，其用于在所述轉(zhuǎn)子的周邊處產(chǎn)生部分真工o
15、 如權(quán)利要求14所述的處理器，其進(jìn)一步包括，與所述轉(zhuǎn)子協(xié)作 的引導(dǎo)裝置，其用于保持工件基本上與所述轉(zhuǎn)子對(duì)準(zhǔn)。
16、 如權(quán)利要求14所述的處理器，其中，所述的氣體裝置包括在所 述轉(zhuǎn)子的圓柱形側(cè)壁內(nèi)產(chǎn)生渦流氣流的裝置。
17、 一種處理工件的方法，其包括引導(dǎo)氣體進(jìn)入轉(zhuǎn)子、從而在所述工件的第一側(cè)和所述轉(zhuǎn)子的一個(gè)表面 之間的空間中產(chǎn)生氣流渦流，所述氣流渦流在臨近所述工件的邊緣處產(chǎn) 生負(fù)壓，該負(fù)壓保持所述工件的邊緣位于所述轉(zhuǎn)子上；旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)子和工件；以及用工藝流體接觸所述工件的第二側(cè)。
18、 如權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括，通過(guò)所述轉(zhuǎn)子上的導(dǎo)銷接觸所述工件的邊緣，使所述工件與所述轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)軸對(duì)準(zhǔn)。
19、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，至少部分氣體從所述工件的 邊緣和所述轉(zhuǎn)子之間溢出，而且所述溢出的氣體基本上阻止了所述工藝 流體接觸所述工件的第 一側(cè)。
20、 如權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括，通過(guò)所述負(fù)壓將所 述工件的邊緣抵接于所述轉(zhuǎn)子上的密封件上，從而將所述工件的邊緣與 所述轉(zhuǎn)子密封抵接。
21、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，在至少部分與所述轉(zhuǎn)子的圓 柱形側(cè)壁相切的方向上，釋放壓力下的氣體，使其進(jìn)入所述轉(zhuǎn)子，從而產(chǎn)生渦流流動(dòng)o
22、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)子支撐在頭部上，并 進(jìn)一步包括移動(dòng)所述頭部以便與一槽座接合，并通過(guò)從該槽座中的一個(gè) 或多個(gè)噴嘴向上噴射液體，從而用工藝液體接觸所述工件的第二側(cè)。
23、 一種離心工件處理系統(tǒng)，其包括 處理器的陣列，其中，至少一個(gè)所述處理器包括 具有至少一個(gè)工藝流體入口的槽座；與所述槽座相接合的頭部，該頭部包括轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子具有板和連接到 該板上的側(cè)壁，其中，所述轉(zhuǎn)子中設(shè)置有定向的氣體入口，以便在所述 側(cè)壁內(nèi)提供旋轉(zhuǎn)氣流；以及至少 一個(gè)機(jī)械手，其將工件運(yùn)送到 一個(gè)或多個(gè)所述的處理器。
24、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括，圍繞所述處理器陣 列的外殼、以及位于所述外殼一側(cè)的輸入/輸出站，其中，所述的機(jī)械手 從所述輸入/輸出站移動(dòng)到 一個(gè)或多個(gè)所述的處理器。
25、 一種工件處理器，其包括支撐在所述頭部、并可相對(duì)于該頭部旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子具有氣體入 口，其設(shè)置成在所述轉(zhuǎn)子內(nèi)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣流；所述旋轉(zhuǎn)氣流在臨近所述氣 體入口處提供低壓力區(qū)域，并在鄰近所述轉(zhuǎn)子的中心處提供較高的壓力頭部;區(qū)域。
26、 如權(quán)利要求l所述的工件處理器，其進(jìn)一步包括位于或接近所述 轉(zhuǎn)子的中央位置處的氣體入口 。
27、 如權(quán)利要求l所述的工件處理器，其進(jìn)一步包括在所述轉(zhuǎn)子上的 邊緣接觸環(huán)，該邊緣接觸環(huán)具有內(nèi)部邊緣，以適于與所述轉(zhuǎn)子中的工件 在該工件的邊緣處相接觸。
28、 如權(quán)利要求3所述的工件處理器，其中，所述的導(dǎo)銷排列在具有 直徑D1的環(huán)上，并進(jìn)一步在所述轉(zhuǎn)子上包括邊緣接觸環(huán)，該邊緣接觸環(huán) 包括具有直徑D2的內(nèi)部邊緣，其中，D2比Dl小4-20mm。
29、 如權(quán)利要求27所述的工件處理器，其中，所述邊緣接觸環(huán)的內(nèi) 部邊緣，適于在從所述工件的邊緣徑向向內(nèi)2-7mm的位置處，與所述工 件接觸。
30、 如權(quán)利要求27所述的工件處理器，其進(jìn)一步包括所述轉(zhuǎn)子中的 氣流路徑，該氣流路徑在所述邊緣接觸環(huán)的內(nèi)部邊緣處具有氣流路徑入 o 。
31、 如權(quán)利要求30所述的工件處理器，其中，所述入口是由與所述 轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)平面成銳角延伸的環(huán)形槽體形成的。
32、 如權(quán)利要求30所述的工件處理器，其中，所述氣流路徑適于引 導(dǎo)氣體從固持在所述轉(zhuǎn)子中的工件邊緣處離開(kāi)。
33、 如權(quán)利要求l所述的工件處理器，其進(jìn)一步包括在所述轉(zhuǎn)子上的 邊緣接觸環(huán)，其具有適于與工件的邊緣相接觸的邊緣接觸表面。
34、 如權(quán)利要求l所述的工件處理器，其進(jìn)一步包括在所述轉(zhuǎn)子上的 一個(gè)或多個(gè)支腳銷，其鄰近所述轉(zhuǎn)子上的中央位置，用于避免固持在所 述轉(zhuǎn)子中的晶片過(guò)度向上彎曲。
35、 如權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括引導(dǎo)氣流動(dòng)到所述晶片的第一側(cè)的步驟。
36、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述的工藝流體圍繞所述晶 片的邊緣流動(dòng)，并到達(dá)所述晶片的第一側(cè)上。
37、 如權(quán)利要求36所述的方法，其進(jìn)一步包括，在靠近所述晶片的 邊緣處，使環(huán)形邊緣接觸環(huán)接觸所述晶片的第一側(cè)，從而將所述工藝流 體限制在所述晶片第一側(cè)上的外部邊緣區(qū)域。
38、 如權(quán)利要求37所述的方法，其進(jìn)一步包括引導(dǎo)從所述轉(zhuǎn)子流出 的氣體遠(yuǎn)離晶片的邊緣。
39、 如權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括用一邊緣接觸表面接 觸所述晶片的邊緣，以阻止所述工藝流體運(yùn)動(dòng)到所述晶片的第一側(cè)上。
40、 一種工件處理器，其包括 具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的槽座； 在所述槽座中的角區(qū)；在工件處理過(guò)程中，能與所述槽座相接合的頭部；支撐在所述頭部上、并能相對(duì)于頭部旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子，該頭部能運(yùn)動(dòng)到一 個(gè)位置，在此位置處固持在所述轉(zhuǎn)子內(nèi)的工件大致上與所述槽座的角區(qū) 對(duì)準(zhǔn)。
41、 如權(quán)利要求40所述的處理器，其中，所述的槽座進(jìn)一步包括所 述鄰近角區(qū)上端的、基本上圓柱形的槽座上端，以及鄰近所述角區(qū)下端 的、基本上圓柱形的下罩。
42、 如權(quán)利要求41所述的處理器，其中，所述的槽座上端基本上與 所述的下罩同軸且平行。
43、 如權(quán)利要求41所述的處理器，其中，所述槽座上端的直徑大約 為所述下罩直徑的75-99%。 .
44、 如權(quán)利要求41所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述頭部上的、 能與槽座上端相結(jié)合的密封。
45、 如權(quán)利要求41所述的處理器，其進(jìn)一步包括基本上圍繞所述下 罩的排出通道。
46、 如權(quán)利要求41所述的處理器，其進(jìn)一步包括位于所述基座中的 排出通道，以及位于所述槽座的側(cè)壁中、連接該排出通道的的通道。
47、 如權(quán)利要求40所述的處理器，其中，所述的槽座包括第一部分 和連接到第一部分的第二部分；其中，所述的角區(qū)位于第一部分上，所 述的第一部分具有鄰近所述角區(qū)上端的、基本上圓柱形的槽座上端以及 鄰近所述角區(qū)下端的、基本上圓柱形的下罩。
48、 如權(quán)利要求47所述的處理器，其中，所述的第二部分具有與所 述下罩基本同軸的、基本上圓柱形的側(cè)壁。
49、 如權(quán)利要求40所述的處理器，其進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)氣流系統(tǒng)，該 旋轉(zhuǎn)氣流系統(tǒng)具有用于產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣流的氣體入口 。
50、 如權(quán)利要求40所述的處理器，其進(jìn)一步包括鄰近所述轉(zhuǎn)子的周 邊的導(dǎo)銷。
51、 如權(quán)利要求40所述的處理器，其中，所述的轉(zhuǎn)子包括驅(qū)動(dòng)板和 連接到該驅(qū)動(dòng)板的卡盤(pán)板，以及位于所述驅(qū)動(dòng)板和卡盤(pán)板之間的氣流路徑。
52、 一種工件處理器，其包括 具有一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的槽座； 所述槽座中的搖臂； 所述搖臂上的端點(diǎn)探測(cè)器；頭部，其具有能相對(duì)于其旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子，以及連接到所述頭部上的頭部升降機(jī)。
53、 如權(quán)利要求52所述的工件處理器，其中，所述的端點(diǎn)探測(cè)器進(jìn) 一步包括光源和光探測(cè)器，以及罩裝該光源和光探測(cè)器的透明(translucent)蓋子。
54、 一種離心工件處理器，其包括 具有 一個(gè)或多個(gè)工藝流體入口的基座； 所述基座上能移動(dòng)的頭部； 所述頭部上適于保持工件的轉(zhuǎn)子； 所述頭部中連接到所述轉(zhuǎn)子的馬達(dá)；以及 所述基座中能移動(dòng)的端點(diǎn)探測(cè)裝置。
55、 如權(quán)利要求54所述的處理器，其中所述能移動(dòng)的端點(diǎn)探測(cè)裝置 包括搖臂。
56、 一種處理工件的方法，其包括引導(dǎo)氣體進(jìn)入轉(zhuǎn)子，從而在工件的第一側(cè)和所述轉(zhuǎn)子的一個(gè)表面之間 的空間中產(chǎn)生氣流渦流，該氣流渦流在鄰近所述工件的邊緣處產(chǎn)生負(fù)壓, 該負(fù)壓將所述工件的邊緣固持在所述轉(zhuǎn)子上；旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)子和工件； 用工藝流體接觸所述工件的第二側(cè)；以及通過(guò)有角度的表面使沖過(guò)所述工件的工藝流體偏斜而離開(kāi)所述工件。
57、 如權(quán)利要求56所述的方法，其進(jìn)一步包括，通過(guò)使所述轉(zhuǎn)子上 的導(dǎo)銷接觸所述工件的邊緣，從而使所述工件與所述轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)軸對(duì)準(zhǔn)。
58、 一種用于處理工件的方法，其包括 在轉(zhuǎn)子上固持工件；圍繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)子和工件； 用工藝流體接觸所述工件的第二側(cè)；相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸移動(dòng)端點(diǎn)探測(cè)器，以;險(xiǎn)測(cè)要處理的端點(diǎn)。
59、 如權(quán)利要求58所述的方法，其進(jìn)一步包括，在一搖臂上前后移 動(dòng)所述的端點(diǎn)探測(cè)器。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于處理半導(dǎo)體晶片和類似工件的離心工件處理器，其包括固持并旋轉(zhuǎn)工件的頭部。頭部包括具有氣體系統(tǒng)的轉(zhuǎn)子。氣體從轉(zhuǎn)子內(nèi)的入口被噴霧或者噴射，從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)氣流。旋轉(zhuǎn)氣流產(chǎn)生壓力條件，使工件第一側(cè)的邊緣固持抵接到轉(zhuǎn)子上的接觸銷或表面上。轉(zhuǎn)子和工件一起旋轉(zhuǎn)。鄰近周邊的導(dǎo)銷可以幫助將工件與轉(zhuǎn)子對(duì)準(zhǔn)。一個(gè)有角度的表面幫助使失效的工藝流體偏斜遠(yuǎn)離工件。頭部可以移動(dòng)到與槽座的多個(gè)不同接合位置。當(dāng)工件旋轉(zhuǎn)時(shí)，槽座內(nèi)的噴霧噴嘴將工藝流體噴射到工件的第二側(cè)上以便處理工件。可采用移動(dòng)的端點(diǎn)探測(cè)器來(lái)探測(cè)處理的端點(diǎn)。
文檔編號(hào)B08B3/00GK101389415SQ200780006324
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月22日
發(fā)明者丹尼爾·伍德拉夫, 凱爾·M·漢森, 詹森·A·拉伊 申請(qǐng)人:賽邁有限公司