半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置能夠抑制電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)的局部放電的發(fā)生，從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析。本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置(1)具有：至少大于或等于1個(gè)電極(17)；絕緣性的保護(hù)層(20)，其具有以電極(17)的一部分露出的方式設(shè)置的至少大于或等于1個(gè)開口部(21)，且該保護(hù)層形成為將開口部(21)以外的電極(17)覆蓋；以及導(dǎo)電層(26)，其將保護(hù)層(20)及開口部(21)覆蓋，在開口部(21)與電極(17)直接連接。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是涉及一種實(shí)施了對(duì)電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)的改善的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]將半導(dǎo)體芯片、集成了該半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片等半導(dǎo)體裝置作為被測(cè)定物，在對(duì)其電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，在通過真空吸附等將被測(cè)定物的設(shè)置面接觸而固定至卡盤臺(tái)的表面后，為了相對(duì)于被測(cè)定物的與設(shè)置面不同的面進(jìn)行電氣輸入輸出而使接觸探針接觸至被測(cè)定物的與設(shè)置面不同的面。此時(shí)，與施加大電流或者高電壓這樣的現(xiàn)有的要求等相對(duì)應(yīng)，實(shí)施了接觸探針的多針化。
[0003]已知如果在如上所述的狀況下對(duì)被測(cè)定物的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，則有時(shí)會(huì)在該評(píng)價(jià)過程中發(fā)生局部放電現(xiàn)象，發(fā)生被測(cè)定物的局部的故障。在這里，局部放電現(xiàn)象是指，例如，在接觸探針和被測(cè)定物之間、或者接觸探針之間等，局部地發(fā)生放電的現(xiàn)象。
[0004]如果將在上述的評(píng)價(jià)中發(fā)生的局部放電漏掉，原本發(fā)生了局部放電的被測(cè)定物(不合格品)以在上述評(píng)價(jià)中被判斷為合格品的狀態(tài)移交至后續(xù)工序，則在后續(xù)工序中將原本發(fā)生了局部放電的被測(cè)定物作為不合格品而進(jìn)行提取是非常困難的。因此，為了不將發(fā)生了局部放電的被測(cè)定物移交至后續(xù)工序，在對(duì)被測(cè)定物的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)抑制局部放電這一點(diǎn)也變得重要。
[0005]當(dāng)前，公開了下述技術(shù)，S卩，通過在絕緣性的液體中進(jìn)行特性檢查(特性評(píng)價(jià))，從而防止電子部件的特性檢查過程中的放電的發(fā)生(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0006]另外，公開了下述技術(shù)，S卩，通過在充滿了非活性氣體的密閉空間中進(jìn)行特性檢查，從而防止特性檢查過程中的放電的發(fā)生(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。
[0007]另外，近年來，公開了下述技術(shù)，S卩，通過紅外分光等，在電氣評(píng)價(jià)過程中從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析。
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2003 —130889號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開平10 — 96746號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在專利文獻(xiàn)I中，需要高價(jià)的探測(cè)器，另外，由于在液體中進(jìn)行評(píng)價(jià)，因此評(píng)價(jià)工序所需的時(shí)間增加，存在無助于低成本化的問題。另外，在被測(cè)定物是芯片測(cè)試、晶片測(cè)試時(shí)的半導(dǎo)體元件的情況下，在評(píng)價(jià)后需要將絕緣性的液體從半導(dǎo)體元件完全去除，難以完全去除。
[0011]在專利文獻(xiàn)2中，存在評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、無法實(shí)現(xiàn)低成本化的問題。另外，存在評(píng)價(jià)工序所需的時(shí)間增加的問題。
[0012]在通過紅外線分光等在電氣評(píng)價(jià)過程中從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析的情況下，由于在被測(cè)定物之上配置有用于進(jìn)行電連接的多個(gè)接觸探針，因此存在下述問題，即，被測(cè)定物的由接觸探針遮擋的部位成為故障解析時(shí)的無法檢測(cè)區(qū)域。另外，如果為了抑制接觸探針之間的局部放電，將接觸探針的接觸位置設(shè)為被測(cè)定物的端部，則存在如下問題，即，被測(cè)定物的端部和接觸探針接近，局部放電變得容易發(fā)生。
[0013]本發(fā)明就是為了解決如上所述的問題而提出的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置能夠抑制電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)的局部放電的發(fā)生，從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析。
[0014]為了解決上述的課題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置具有:至少大于或等于I個(gè)電極；絕緣性的保護(hù)層，其具有以電極的一部分露出的方式設(shè)置的至少大于或等于I個(gè)開口部，且保護(hù)層形成為將開口部以外的電極覆蓋；以及導(dǎo)電層，其將保護(hù)層及開口部覆蓋，在開口部與電極直接連接。
[0015]發(fā)明的效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，具有:至少大于或等于I個(gè)電極;絕緣性的保護(hù)層，其具有以電極的一部分露出的方式設(shè)置的至少大于或等于I個(gè)開口部，且保護(hù)層形成為將開口部以外的電極覆蓋；以及導(dǎo)電層，其將保護(hù)層及開口部覆蓋，在開口部與電極直接連接，因此能夠抑制電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)的局部放電的發(fā)生，從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析。
[0017]該發(fā)明的目的、特征、方式及優(yōu)點(diǎn)通過以下的詳細(xì)說明和附圖而變得更加明了。
【附圖說明】
[0018]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。
[0019]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0020]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0021]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0022]圖5是表不圖4的A—A剖面的剖視圖。
[0023]圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0024]圖7是表示圖6的B—B剖面的剖視圖。
[0025]圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。
[0026]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面，基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0028]<實(shí)施方式1>
[0029]首先，說明進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的電氣特性評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)。
[0030]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置2的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。
[0031]此外，在本實(shí)施方式I中，假設(shè)半導(dǎo)體裝置I是沿圖的Z方向，即面外方向流過大的電流的縱向型構(gòu)造而進(jìn)行說明。此外，半導(dǎo)體裝置I并不限定于縱向型構(gòu)造，也可以是在一個(gè)面進(jìn)行輸入輸出的橫向型構(gòu)造。
[0032]如圖1所示，半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置2具有探針基體3、卡盤臺(tái)4、評(píng)價(jià)-控制部5。
[0033]探針基體3和評(píng)價(jià)-控制部5經(jīng)由連接部9及信號(hào)線10而電連接。
[0034]卡盤臺(tái)4和評(píng)價(jià)-控制部5經(jīng)由連接部11及信號(hào)線12而電連接。
[0035]探針基體3具有絕緣性基體6、接觸探針7、連接部9。
[0036]接觸探針7固定于絕緣性基體6，設(shè)想到施加大電流而設(shè)置有多個(gè)接觸探針7。
[0037]連接部9是為了將絕緣性基體6和信號(hào)線10連接而設(shè)置的。
[0038]各接觸探針7和連接部9例如通過在絕緣性基體6之上設(shè)置的金屬板(未圖示)而連接。
[0039]為了通過紅外線分光等在電氣評(píng)價(jià)過程中從被測(cè)定物的上方進(jìn)行故障解析，在絕緣性基體6設(shè)置有貫通孔13，在該貫通孔13的上方設(shè)置有在故障解析時(shí)使用的照相機(jī)14。此夕卜，并不限定于照相機(jī)14，只要能夠進(jìn)行故障解析，則可以是任何裝置。
[0040]探針基體3能夠通過移動(dòng)臂8而向任意的方向移動(dòng)。
[0041]卡盤臺(tái)4是用于將半導(dǎo)體裝置I接觸并固定在其表面之上的基座。在這里，作為對(duì)半導(dǎo)體裝置I進(jìn)行固定的方法，例如可以通過真空吸附進(jìn)行固定，也可以通過靜電吸附等進(jìn)行固定。
[0042]評(píng)價(jià)-控制部5進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)。另外，在評(píng)價(jià)時(shí)，對(duì)施加至半導(dǎo)體裝置I的電流、電壓進(jìn)行控制。
[0043]此外，在絕緣性基體6之上設(shè)置的連接部9、和在卡盤臺(tái)4的側(cè)面設(shè)置的連接部11設(shè)置于下述位置，即，使得彼此的距離無論經(jīng)由各接觸探針7中的哪個(gè)探針均成為大致相同的距離。
[0044]另外，也可以不通過移動(dòng)臂8使探針基體3移動(dòng)，而是使卡盤臺(tái)4移動(dòng)。
[0045]在通過上述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置2對(duì)半導(dǎo)體裝置I的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，在半導(dǎo)體裝置I的表面形成的電極(電極焊盤)與多個(gè)接觸探針7進(jìn)行接觸。另外，在半導(dǎo)體裝置I的背面形成的電極與卡盤臺(tái)4的表面進(jìn)行接觸。在如上所述的狀態(tài)下，通過經(jīng)由接觸探針7及卡盤臺(tái)4向半導(dǎo)體裝置I施加電流、電壓，從而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)。
[0046]接下來，針對(duì)半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)，使用圖2?4按照制造工序的順序進(jìn)行說明。
[0047]圖2是表示半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0048]此外，在本實(shí)施方式I中，假設(shè)半導(dǎo)體裝置I是I個(gè)縱向型的IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)而進(jìn)行說明，但例如也可以是M0SFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)等其他半導(dǎo)體元件。
[0049]如圖2所示，半導(dǎo)體裝置I具有元件區(qū)域15(圖的虛線內(nèi)側(cè)的區(qū)域)和末端區(qū)域16(圖的虛線外側(cè)的區(qū)域)。
[0050]在元件區(qū)域15形成有期望的半導(dǎo)體元件，在這里形成的是IGBT。
[0051]在元件區(qū)域15的表面，形成有發(fā)射極電極17、18及柵極電極19作為電極焊盤。此夕卜，各電極的位置及個(gè)數(shù)并不限定于圖2而是任意的。
[0052]另外，在元件區(qū)域15的背面形成有集電極電極(與后面記述的圖5所示的集電極電極29相對(duì)應(yīng))。
[0053]為了維持耐壓，在元件區(qū)域15的外周部分設(shè)置有末端區(qū)域16。
[0054]圖3是針對(duì)圖2的半導(dǎo)體裝置I而形成了保護(hù)層20、22、24后的半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。
[0055]如圖3所示，在發(fā)射極電極17之上形成有絕緣性的保護(hù)層20，該保護(hù)層20具有以發(fā)射極電極17的一部分露出的方式設(shè)置的開口部21，并且該保護(hù)層20將開口部21以外的發(fā)射極電極17覆蓋。
[0056]在發(fā)射極電極18之上形成有絕緣性的保護(hù)層22，該保護(hù)層22具有以發(fā)射極電極18的一部分露出的方式設(shè)置的開口部23，并且該保護(hù)層22將開口部23以外的發(fā)射極電極18覆至
ΠΠ ο
[0057]在柵極電極19之上形成有絕緣性的保護(hù)層24，該保護(hù)層24具有以柵極電極19的一部分露出的方式設(shè)置的開口部25，并且該保護(hù)層24將開口部25以外的柵極電極19覆蓋。
[0058]此外，保護(hù)層20、22、24各自形成為將發(fā)射極電極17、18及柵極電極19各自覆蓋，但也可以形成為將半導(dǎo)體裝置I的表面整體覆蓋。在該情況下，保護(hù)層20、22、24彼此一體地形成。
[0059]保護(hù)層20、22、24由在電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，在熱學(xué)及化學(xué)方面穩(wěn)定，且絕緣性能優(yōu)異的材料構(gòu)成。具體地說，舉出光致抗蝕劑、具有絕緣性的片材(例如，聚酰亞胺、Kapton(注冊(cè)商標(biāo))、聚苯基倍半硅氧烷、聚乙烯基倍半硅氧烷)等，但并不限定于此。
[0060]圖4是表示針對(duì)圖3的半導(dǎo)體裝置I形成了導(dǎo)電層26?28后的半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。另外，圖5是表不圖4的A—A剖面的剖視圖。此外，在圖4中，省略了末端區(qū)域的圖示。
[0061 ]如圖4所示，在保護(hù)層20及開口部21之上形成有導(dǎo)電層26，該導(dǎo)電層26將保護(hù)層20及開口部21覆蓋，在開口部21與發(fā)射極電極17直接連接。
[0062]在保護(hù)層22及開口部23之上形成有導(dǎo)電層27，該導(dǎo)電層27將保護(hù)層22及開口部23覆蓋，在開口部23與發(fā)射極電極18直接連接。
[0063]在保護(hù)層24及開口部25之上形成有導(dǎo)電層28，該導(dǎo)電層28將保護(hù)層24及開口部25覆蓋，在開口部25與柵極電極19直接連接。
[0064]如上所述，保護(hù)層20、22、24分別獨(dú)立地形成在發(fā)射極電極17、18及柵極電極19。
[0065]如圖5所示，保護(hù)層20形成至半導(dǎo)體裝置I的端部，導(dǎo)電層26形成在末端區(qū)域16的一部分。即，導(dǎo)電層26沒有形成在半導(dǎo)體裝置I的端部。這是為了對(duì)半導(dǎo)體裝置I所露出的端面(側(cè)面)和導(dǎo)電層26之間的放電、短路的發(fā)生進(jìn)行抑制。此外，也可以是導(dǎo)電層26不形成在末端區(qū)域16，僅形成在元件區(qū)域15。另外，關(guān)于其他導(dǎo)電層27、28也是同樣的。
[0066]導(dǎo)電層26?28由在電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，在熱學(xué)及化學(xué)方面穩(wěn)定、且導(dǎo)電性優(yōu)異的材料構(gòu)成。具體地說，舉出鋁、金或者化合物等的金屬膜，但并不限定于此。例如，在導(dǎo)電層26?28是金屬膜的情況下，該金屬膜也可以將鋁作為主要成分，也可以將金作為主要成分。在這里，主要成分是指，與非主要成分相比相對(duì)于整體而言存在的比例突出的成分，例如是指與非主要成分相比以大于或等于數(shù)十倍的比例存在的成分。
[0067]另外，導(dǎo)電層26?28也可以將多個(gè)層進(jìn)行層疊而形成。此時(shí)，層疊的各層可以由相同種類的材料構(gòu)成，也可以由相互不同的材料構(gòu)成。通過形成如上所述的結(jié)構(gòu)，從而得到下述效果，即，確保導(dǎo)電性、或者減小電流密度而抑制半導(dǎo)體裝置I的發(fā)熱。
[0068]導(dǎo)電層26?28的形成是通過濺射等而進(jìn)行的。例如，在將保護(hù)層20、22、24設(shè)為光致抗蝕劑的情況下，難以進(jìn)行將該光致抗蝕劑作為掩模的濺射，由于導(dǎo)電層26?28的形成區(qū)域比較大，因此通過使用金屬掩模進(jìn)行的濺射，能夠?qū)?dǎo)電層26?28的形成區(qū)域進(jìn)行選擇(指定)。
[0069]此外，在對(duì)精細(xì)的導(dǎo)電層26?28的形成區(qū)域進(jìn)行選擇的情況下，也可以使用片材作為保護(hù)層20、22、24，將光致抗蝕劑設(shè)為掩模而進(jìn)行濺射。
[0070]另外，為了確保導(dǎo)電層26?28與發(fā)射極電極17、18及柵極電極19之間的密接性及接觸性，也可以使發(fā)射極電極17、18及柵極電極19的表面變得粗糙。作為使表面變粗糙的方法，舉出對(duì)表面進(jìn)行輕微的蝕刻的方法、對(duì)表面短時(shí)間實(shí)施噴砂加工的方法等。
[0071]在上述的結(jié)構(gòu)中，在實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，在圖1的卡盤臺(tái)4之上載置圖4的半導(dǎo)體裝置I而進(jìn)行評(píng)價(jià)。具體地說，使接觸探針7與導(dǎo)電層26?28的一部分接觸。此時(shí)，多個(gè)接觸探針7與各導(dǎo)電層26?28接觸。然后，通過對(duì)半導(dǎo)體裝置I施加電流、電壓，從而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)。
[0072]在評(píng)價(jià)后，進(jìn)行保護(hù)層20、22、24的分解去除或者剝離去除等，轉(zhuǎn)移至后續(xù)工序。此時(shí)，導(dǎo)電層26?28也同時(shí)被去除。例如，在保護(hù)層20、22、24是光致抗蝕劑的情況下，在通過灰化工序?qū)⒐庵驴刮g劑分解去除后，根據(jù)需要實(shí)施清洗。另外，在保護(hù)層20、22、24是片材的情況下，基本上是進(jìn)行剝離去除，但也可以不進(jìn)行剝離去除就轉(zhuǎn)移至作為后續(xù)工序的安裝工序，維持防放電效果。另外，在保護(hù)層20、22、24是具有粘接層的片材(例如，由Kapton構(gòu)成的片材)的情況下，容易裝卸。
[0073]由此，根據(jù)本實(shí)施方式I，能夠?qū)Π雽?dǎo)體裝置I的電氣特性評(píng)價(jià)時(shí)的局部放電的發(fā)生進(jìn)行抑制。另外，通過使用光致抗蝕劑作為保護(hù)膜，從而能夠進(jìn)行通常工序的處理，因此實(shí)現(xiàn)低成本化。另外，能夠一邊抑制局部放電、一邊使接觸探針7的位置向半導(dǎo)體裝置I的端部移動(dòng)，因此從半導(dǎo)體裝置I的上方進(jìn)行的故障解析變得容易。
[0074]此外，在上述中，假設(shè)半導(dǎo)體裝置I是I個(gè)縱向型的IGBT而進(jìn)行了說明，但也可以是晶片。即，半導(dǎo)體裝置I也可以是具有多組發(fā)射極電極17、18、柵極電極19、保護(hù)層20、22、24以及導(dǎo)電層26?28的晶片。在該情況下得到下述效果，S卩，評(píng)價(jià)時(shí)間縮短、生產(chǎn)率提高、或者測(cè)試成本減少。
[0075]在上述中，說明了針對(duì)發(fā)射極電極17、18而形成獨(dú)立的導(dǎo)電層26、27的情況，但并不限定于此。發(fā)射極電極17、18基本上是相同電位，因此也可以將導(dǎo)電層26、27橫跨發(fā)射極電極17、18而一體形成。在該情況下得到下述效果，S卩，導(dǎo)電層的形成區(qū)域的選擇變得容易，形成導(dǎo)電層的工序中的處理變得容易。
[0076]<實(shí)施方式2>
[0077]在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，其特征在于，與圖1的各接觸探針7相對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)開口部及導(dǎo)電層。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1(參照?qǐng)D4)相同，因此在這里省略說明。
[0078]圖6是表示本實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的俯視圖。另外，圖7是表示圖6的B—B剖面的剖視圖。
[0079]如圖6所示，在發(fā)射極電極17之上形成有保護(hù)層20，該保護(hù)層20具有以發(fā)射極電極17的一部分(3個(gè)部位)露出的方式設(shè)置的3個(gè)開口部21，并且該保護(hù)層20將各開口部21以外的發(fā)射極電極17覆蓋。另外，在保護(hù)層20及各開口部21之上形成有3個(gè)導(dǎo)電層26，該導(dǎo)電層26將保護(hù)層20及各開口部21覆蓋，在各開口部21與發(fā)射極電極17直接連接。即，導(dǎo)電層26是針對(duì)每一個(gè)開口部21獨(dú)立地形成的。
[0080]在發(fā)射極電極18之上形成有保護(hù)層22，該保護(hù)層22具有以發(fā)射極電極18的一部分(3個(gè)部位)露出的方式設(shè)置的3個(gè)開口部23，并且該保護(hù)層22將各開口部23以外的發(fā)射極電極18覆蓋。另外，在保護(hù)層22及各開口部23之上形成有導(dǎo)電層27，該導(dǎo)電層27將保護(hù)層22及各開口部23覆蓋，在各開口部23與發(fā)射極電極18直接連接。即，導(dǎo)電層27是針對(duì)每一個(gè)開口部23獨(dú)立地形成的。
[0081 ]柵極電極19的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I相同。
[0082]關(guān)于上述的結(jié)構(gòu)，在實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，在圖1的卡盤臺(tái)4之上載置圖6的半導(dǎo)體裝置I而進(jìn)行評(píng)價(jià)。具體地說，使接觸探針7與導(dǎo)電層26?28的一部分接觸。此時(shí)，各導(dǎo)電層26?28分別與I根接觸探針7進(jìn)行接觸。然后，通過向半導(dǎo)體裝置I施加電流、電壓，從而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置I的電氣特性的評(píng)價(jià)。
[0083]此外，在上述中，對(duì)3根接觸探針7分別與發(fā)射極電極17、18接觸的情況進(jìn)行了說明，但并不限定于此。例如，也可以變更開口部的數(shù)量，以與根據(jù)半導(dǎo)體裝置的各電極的大小、施加的電流的大小等而變更的接觸探針的根數(shù)相對(duì)應(yīng)。
[0084]由此，根據(jù)本實(shí)施方式2，能夠更有效地抑制在各接觸探針7的附近、接觸探針7之間發(fā)生的局部放電。另外，在電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，能夠?qū)⑹┘恿穗娏鞯陌雽?dǎo)體裝置I中的電流分布均勻化，因此能夠抑制半導(dǎo)體裝置I的發(fā)熱。
[0085]<實(shí)施方式3>
[0086]在本發(fā)明的實(shí)施方式3中，其特征在于，將多個(gè)層進(jìn)行層疊而形成保護(hù)膜。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1(參照?qǐng)D4)或者實(shí)施方式2(參照?qǐng)D6)相同，因此在這里省略說明。
[0087]圖8是表示本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。此外，在圖8中，示出了形成有發(fā)射極電極17的區(qū)域的剖面(相當(dāng)于圖4的A—A剖面、圖7的B —B剖面)，省略了導(dǎo)電層26及末端區(qū)域16的圖示。
[0088]如圖8所示，在發(fā)射極電極17之上層疊地形成有保護(hù)層20及保護(hù)層30，該保護(hù)層20及保護(hù)層30具有以發(fā)射極電極17的一部分露出的方式設(shè)置的開口部21，并且該保護(hù)層20及保護(hù)層30將開口部21以外的發(fā)射極電極17覆蓋。
[0089]保護(hù)層20及保護(hù)層30形成為在開口部21的內(nèi)側(cè)面，保護(hù)層30(上側(cè)的層)將保護(hù)層20(下側(cè)的層)覆蓋。
[0090]另外，保護(hù)層20及保護(hù)層30可以由相同種類的材料構(gòu)成，也可以由相互不同的材料構(gòu)成。例如，也可以是將保護(hù)層20設(shè)為片材、以及將保護(hù)層30設(shè)為光致抗蝕劑，在電氣特性的評(píng)價(jià)后僅將保護(hù)層30去除，殘留保護(hù)層20，在該情況下進(jìn)行后續(xù)工序。這樣，在需要更大的開口部的后續(xù)工序中進(jìn)行導(dǎo)線鍵合時(shí)變得有效。
[0091]此外，在上述中，對(duì)保護(hù)層以2層形成的情況進(jìn)行了說明，但并不限定于此。特別是為了在開口部抑制過度的臺(tái)階，構(gòu)成為之后形成的保護(hù)層對(duì)之前形成的保護(hù)層進(jìn)行覆蓋的結(jié)構(gòu)即可。通過設(shè)為如上所述的結(jié)構(gòu)，從而能夠使得之后形成的導(dǎo)電層不中斷、易于形成。
[0092]在上述中，以形成有發(fā)射極電極17的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)例子而進(jìn)行了說明，但關(guān)于其他電極也是同樣的結(jié)構(gòu)。
[0093]由此，根據(jù)本實(shí)施方式3，通過將多個(gè)層進(jìn)行層疊而形成保護(hù)層，從而能夠更有效地抑制在各接觸探針7的附近、各接觸探針7之間發(fā)生的局部放電。
[0094]<實(shí)施方式4>
[0095]在半導(dǎo)體裝置中，已知不僅是接觸探針?biāo)佑|的中央部的元件區(qū)域，在外周部即末端區(qū)域的附近(例如，半導(dǎo)體裝置的側(cè)面與導(dǎo)電層之間)也頻繁地發(fā)生局部放電。因此，希望抑制末端區(qū)域附近的局部放電的發(fā)生。
[0096]在本發(fā)明的實(shí)施方式4中，其特征在于，使在末端區(qū)域的附近形成的保護(hù)層以多個(gè)層形成。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1(參照?qǐng)D4)或者實(shí)施方式2(參照?qǐng)D6)相同，因此在這里省略說明。
[0097]圖9是表示本實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。此外，在圖9中，示出了形成有發(fā)射極電極17的區(qū)域的剖面(相當(dāng)于圖4的A—A剖面、圖7的B —B剖面)。
[0098]如圖9所示，在末端區(qū)域16的附近，層疊地形成有保護(hù)層20及保護(hù)層31。
[0099]此外，在上述中，以形成有發(fā)射極電極17的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)例子而進(jìn)行了說明，但關(guān)于其他電極也是同樣的結(jié)構(gòu)。
[0100]由此，根據(jù)本實(shí)施方式4，通過使半導(dǎo)體裝置I的側(cè)面和導(dǎo)電層26進(jìn)一步分離(使半導(dǎo)體裝置I和導(dǎo)電層26之間的距離進(jìn)一步延長(zhǎng))，從而能夠?qū)υ诎雽?dǎo)體裝置I和導(dǎo)電層26之間發(fā)生的放電、短路進(jìn)一步進(jìn)行抑制。
[0101]此外，本發(fā)明在其發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠?qū)?shí)施方式適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變形、省略。
[0102]雖然對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但上述的說明在全部的方面都是例示，本發(fā)明并不限定于此?？梢岳斫鉃樵诓幻撾x本發(fā)明的范圍的情況下能夠設(shè)想出未例示的無數(shù)的變形例。
[0103]標(biāo)號(hào)的說明
[0104]I半導(dǎo)體裝置，2半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，3探針基體，4卡盤臺(tái)，5評(píng)價(jià)-控制部，6絕緣性基體，7接觸探針，8移動(dòng)臂，9連接部，10信號(hào)線，11連接部，12信號(hào)線，13貫通孔，14照相機(jī)，15元件區(qū)域，16末端區(qū)域，17、18發(fā)射極電極，19柵極電極，20保護(hù)層，21開口部，22保護(hù)層，23開口部，24保護(hù)層，25開口部，26?28導(dǎo)電層，29集電極電極，30保護(hù)層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有: 至少大于或等于I個(gè)電極(17); 絕緣性的保護(hù)層(20)，其具有以所述電極(17)的一部分露出的方式設(shè)置的至少大于或等于I個(gè)開口部(21)，且所述保護(hù)層形成為將所述開口部(21)以外的所述電極(17)覆蓋；以及 導(dǎo)電層(26)，其將所述保護(hù)層(20)及所述開口部(21)覆蓋，在所述開口部(21)與所述電極(17)直接連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)針對(duì)一個(gè)所述電極(17)具有多個(gè)所述開口部(21)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)是將多個(gè)層進(jìn)行層疊而形成的。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)的各所述層由相互不同的材料構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)的各所述層形成為，在所述開口部(21)的內(nèi)側(cè)面，上側(cè)的層將下側(cè)的層覆蓋。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)是將多個(gè)層進(jìn)行層疊而形成的。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)的各所述層由相互不同的材料構(gòu)成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)是針對(duì)每一個(gè)所述開口部(21)而獨(dú)立地形成的。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)是針對(duì)每一個(gè)所述電極(17)而獨(dú)立地形成的。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在相同電位的所述電極存在多個(gè)的情況下， 所述導(dǎo)電層(26)橫跨所述相同電位的各所述電極而形成。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)沒有形成在所述半導(dǎo)體裝置(I)的端部。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)由光致抗蝕劑構(gòu)成。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)由Kapton構(gòu)成，其中，該Kapton是注冊(cè)商標(biāo)。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述保護(hù)層(20)是由Kapton構(gòu)成的片材， 所述片材具有粘接層。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電層(26)是金屬膜。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述金屬膜以鋁為主要成分。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述金屬膜以金為主要成分。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體裝置(I)是具有多組所述電極(17)、所述保護(hù)層(20)以及所述導(dǎo)電層(26)的晶片D
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK106068552SQ201480076887
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2014年3月6日 公開號(hào)201480076887.0, CN 106068552 A, CN 106068552A, CN 201480076887, CN-A-106068552, CN106068552 A, CN106068552A, CN201480076887, CN201480076887.0, PCT/2014/55714, PCT/JP/14/055714, PCT/JP/14/55714, PCT/JP/2014/055714, PCT/JP/2014/55714, PCT/JP14/055714, PCT/JP14/55714, PCT/JP14055714, PCT/JP1455714, PCT/JP2014/055714, PCT/JP2014/55714, PCT/JP2014055714, PCT/JP201455714
【發(fā)明人】秋山肇, 岡田章, 山下欽也
【申請(qǐng)人】三菱電機(jī)株式會(huì)社