配線基板制造工序用支持膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及在配線基板的制造工序中貼附于配線基板的支持膜，尤其涉及在柔性 配線基板的制造工序中從曝光至鍍覆處理為止能夠以1片支持膜進(jìn)行制造的配線基板制 造工序用支持膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 圖1示出了以往工序的一個示例，其中，使用2片支持膜在配線基板的電路圖案上 部分地形成鍍覆層。圖1A為第1支持膜的截面示意圖的一個示例，圖1H為第2支持膜的 截面示意圖的一個示例。
[0003] 首先，以60°C~120Γ的溫度將干膜抗蝕劑5和第1支持膜10熱層壓于作為配線 基板的柔性印刷基板（以下有時稱為FPC) 20,由此進(jìn)行貼合（圖1B)。
[0004] 接著，進(jìn)行曝光、顯影，將銅箱面4的不需要部位的部分的干膜抗蝕劑5去除（圖 1C) 〇
[0005] 之后，在40°C~60°C使用混合了硫酸銅和過氧化氫的液體進(jìn)行3分鐘~10分鐘 蝕刻，去除所述銅箱面4的不需要部位（圖1D)。使用強(qiáng)堿液去除殘留在FPC20上的干膜抗 蝕劑5,在常溫下進(jìn)行水洗（圖1E)。
[0006] 并且，將在設(shè)置鍍覆層的部分開孔的覆蓋層膜6置于FPC20上，在150°C~180°C 進(jìn)行3分鐘~60分鐘熱壓，由此進(jìn)行貼附（圖IF)。
[0007] 接著，將第1支持膜10從所述FPC20剝離、去除（圖1G)，利用常溫層壓進(jìn)行第2 支持膜10'（圖1H)的貼附（圖II)。需要說明的是，第2支持膜10'的粘附層2'為紫外 線剝離型的粘附層，其在常溫層壓時牢固地貼附于FPC20,紫外線照射后常溫下的剝離力變 弱。
[0008] 接著，將如上得到的貼附了第2支持膜10'的FPC20放入鍍覆液通常為60°C~ 90°C左右的鍍覆槽7中，進(jìn)行電解鍍覆或無電解鍍覆，從而在FPC20上的未貼有覆蓋層膜6 的銅箱面4部分形成鍍覆層8 (圖1J)。圖1J的鍍覆工序結(jié)束后，將FPC20從鍍覆槽8取 出，進(jìn)行水洗，在60°C~120°C干燥后，放置冷卻至室溫（未圖示）。通過紫外線等能量射線 的照射將第2支持膜10'從冷卻后的FPC20剝離，從而得到在FPC20的所期望的部位形成 有鍍覆層7的產(chǎn)品（圖1K)。
[0009] 如上，對于以往的貼附至配線基板的支持膜而言，在配線基板的制造工序中，貼附 至配線基板后，若曝光、蝕刻、熱壓為止的工序結(jié)束，則將該支持膜（第1支持膜）剝離、去 除，接著在進(jìn)入鍍覆工序之前，將在高溫具有高粘附力的第2片支持膜（第2支持膜）貼附 于配線基板，進(jìn)行鍍覆處理、水洗、干燥之后，照射紫外線等而使常溫下的剝離力變?nèi)?，由?將其剝離、去除（專利文獻(xiàn)1)。
[0010] 作為如此在鍍覆工序之前替換所貼附的第1支持膜的理由，進(jìn)行鍍覆處理時的鍍 覆液的溫度為高溫（通常為60°c~90°C左右），支持膜的粘附層需要具有高溫下的高粘附 力，以至于即使在這種高溫狀態(tài)下也不會從配線基板剝離。
[0011] 但是，這種在高溫下具有高粘附力的粘附層在常溫下也具有較高的粘附力。如此， 若使用在鍍覆處理后的常溫下具有高粘附力的支持膜，則會產(chǎn)生下述問題：在將該支持膜 從配線基板剝離、去除時，無法徹底地剝離、去除，或者使配線基板受損。
[0012] 因這種理由，具有紫外線固化型粘附層的支持膜被用作第2支持膜，該粘附層可 以耐受鍍覆處理工序、具有高溫下的高粘附力、并且在鍍覆處理后的常溫下通過紫外線的 照射可簡單地剝離。
[0013] 但是，如此替換所貼附的支持膜是繁雜的，期望一種使用1片就能夠網(wǎng)羅全部工 序的支持膜。
[0014] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0015] 專利文獻(xiàn)
[0016] 專利文獻(xiàn)1:再公表專利W0 01/004228 (第3頁第10行~第4頁第1行）

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 發(fā)明要解決的問題
[0018] 因此，考慮了從最初的工序使用如上所述的具有紫外線剝離型粘附層的第2支持 膜，但從最初的工序使用第2支持膜的情況下，在熱壓的工序中施加150°C~180°C的熱，紫 外線剝離型粘附層無法耐受這樣的溫度，全部工序結(jié)束后，在從配線基板進(jìn)行剝離、去除時 產(chǎn)生膠痕（糊殘*9 )。
[0019] 另外，在全部工序使用上述的第1支持膜的情況下，在鍍覆處理工序中產(chǎn)生該支 持膜從配線基板剝離的問題。
[0020] 另外，在全部工序中使用具有提高了高溫下的粘附力的粘附層的支持膜的情況 下，鍍覆處理后，從配線基板剝離去除時剝離力過強(qiáng)，會產(chǎn)生無法從配線基板剝離、使配線 基板受損等問題。
[0021] 因如上所述的理由，以往，在配線基板的制造工序中需要貼附替換工序，其中，使 用第1支持膜進(jìn)行至熱壓工序?yàn)橹?，在鍍覆處理工序之前將?支持膜剝離、去除，之后貼 附第2支持膜，這種工序是繁雜的。
[0022] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種配線基板制造工序用支持膜，其能夠以1片支 持膜網(wǎng)羅全部工序，并且在使用后，可以在常溫下簡單地剝離、去除。
[0023] 用于解決問題的手段
[0024] 因此，本發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)了通過使用特定成分的粘附層可以 解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。
[0025] 即，本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜是在基材膜的至少一個面具有粘附層的 配線基板制造工序用支持膜，其特征在于，上述粘附層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為l〇°C至35°C， 并且，至少由（A)丙烯酸系樹脂和（B)交聯(lián)劑形成，上述（A)丙烯酸系樹脂為由至少包含 (A-1)甲基丙烯酸乙酯、(A-2)具有羥基且具有碳原子數(shù)為2~8的烷基的（甲基）丙烯酸 酯以及（A-3)具有烯鍵式不飽和雙鍵的單體的成分構(gòu)成的共聚物。
[0026] 另外，優(yōu)選的是，本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜的特征在于，粘附層進(jìn)一步 含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為_70°C至_30°C的樹脂作為（C)成分。
[0027] 進(jìn)一步優(yōu)選的是，本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜的特征在于，（C)成分是含 有選自碳原子數(shù)為2~8的（甲基）丙烯酸酯、丙烯腈、乙酸乙烯酯和含官能團(tuán)單體的至少 一種以上的樹脂。
[0028] 另外，本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜的特征在于，粘附層中的（C)成分的 含量為所述粘附層整體的30質(zhì)量％以上80質(zhì)量％以下。
[0029] 需要說明的是，本發(fā)明中所指的"玻璃化轉(zhuǎn)變溫度"是指，對從配線基板制造工序 用支持膜剝離的粘附層進(jìn)行差示掃描熱量測定（DSC)由此而得到的值（°C )。
[0030] 發(fā)明效果
[0031] 根據(jù)本發(fā)明，可以得到一種配線基板制造工序用支持膜，其能夠以1片支持膜網(wǎng) 羅全部工序，并且在使用后，可以在常溫下簡單地剝離去除。
【附圖說明】
[0032] 圖1是示出以往工序的一個示例的示意圖，在以往工序中，使用2片支持膜在配線 基板的電路圖案上部分地形成鍍覆層。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜是在基材膜的至少一個面具有粘附層的配 線基板制造工序用支持膜，其特征在于，上述粘附層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為l〇°C至35°C，并 且，至少由（A)丙烯酸系樹脂和（B)交聯(lián)劑形成，上述（A)丙烯酸系樹脂為由至少包含 (A-1)甲基丙烯酸乙酯、(A-2)具有羥基且具有碳原子數(shù)為2~8的烷基的（甲基）丙烯酸 酯以及（A-3)具有烯鍵式不飽和雙鍵的單體的成分構(gòu)成的共聚物。
[0034] 以下，對本發(fā)明的配線基板制造工序用支持膜的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0035] 作為本發(fā)明中使用的基材膜，沒有特別限制，可以使用例如將聚對苯二甲酸乙二 醇酯、聚對苯二甲酸丙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、三乙 酰纖維素、聚酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、芳香族聚酰胺、聚砜、亞克力、聚氯乙烯、氟樹脂等合 成樹脂或玻璃、金屬、陶瓷制成膜狀的基材膜。
[0036] 其中，從成本面或處理性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用合成樹脂膜；從能夠進(jìn)一步提高支 持性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。進(jìn)一步，從抑制 自熱壓后的FPC的翹曲的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用150°C的熱收縮率小于0. 5%的基材膜。
[0037] 需要說明的是，基材膜可以是透明的，也可以是在構(gòu)成基材膜的材料中混配了各 種顏料或染料而著色的基材膜，另外，其表面可以被加工成墊狀。進(jìn)一步，可以為將2層以 上的上述合成樹脂膜組合層積而得到的基材膜。對于基材膜的厚度而言，只要具有能夠保 持配線基板的程度的厚度即可，因