專利名稱：用作電磁干擾抑制體的合成體磁顆粒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及合成體磁顆粒，尤其是涉及這樣一種磁顆粒，它在高頻帶上具有改善的復數(shù)磁導率，適于用作電磁干擾抑制體。
在已廣泛使用的高頻電子設(shè)備中，采用準微波頻帶的移動通信設(shè)備在實際應用中已得到迅速推廣。在移動通信設(shè)備中，迫切需要便攜式無線電話機體積小和重量輕。為滿足這種需要，印刷電路板、電路元件以及在模塊之間連接的電纜線在有限的小空間中相互靠緊設(shè)置。另外，還需要增大信號處理速率，以提高所采用的頻率。結(jié)果，電磁干擾對這些設(shè)備的正常工作帶來了嚴重問題，這種干擾是由于電磁耦合、由電磁耦合增大的線-線耦合以及噪聲輻射引起的。
為了抑制電磁干擾，通常采用導電屏蔽裝置來反射由于導體(線)和空間的阻抗不匹配引起的不希望的電磁波。
導電屏蔽可用于屏蔽不希望的電磁波。但是，不希望的電磁波的反射恰巧會加重不希望的電磁波的發(fā)射源和其他電路元件之間的電磁耦合。
為防止由于不希望的電磁波的反射引起的電磁耦合，在不希望的電磁波的發(fā)射源和導電屏蔽裝置之間設(shè)置軟磁物質(zhì)是有效的，這種軟磁物質(zhì)具有大的磁損耗或者高的虛部(虛數(shù)部分，imaginary part)磁導率μ”。
一般說來，具有高磁導率的磁性物質(zhì)用作電感元件的磁芯，并也稱之軟磁物質(zhì)。在高頻交流磁場中使用時，軟磁材料具有復數(shù)磁導率，此復數(shù)磁導率由(μ’-jμ”)表示。實部(real part)磁導率μ’涉及電感，虛部磁導率μ”涉及磁能損耗或磁能吸收。當頻率變高時，實部磁導率μ’減小，而虛部磁導率μ”增大。另外，虛部磁導率μ”通常在頻率軸線的不同頻率點處具有一個或多個峰值。這種現(xiàn)象被稱為軟磁物質(zhì)的磁諧振。峰值處的頻率被認為諧振頻率。此外，在高頻范圍內(nèi)，軟磁物質(zhì)的厚度d與虛部磁導率成反比，并且此時虛部磁導率μ”大于實部磁導率μ’。
另一方面，不希望的電磁波通常具有許多頻率分量，這些分量處于寬的頻率范圍內(nèi)。因此，為了吸收不希望的電磁波，要求軟磁物質(zhì)在寬的頻率范圍內(nèi)具有高的虛部磁導率μ”。
在日本專利申請JP-A-7212079(參考文獻I)中，本發(fā)明人已提出了一種采用具有定形磁性異向的軟磁粉的電磁干擾抑制體。磁粉在從幾十兆赫至幾千兆赫的寬頻率范圍內(nèi)具有高的磁損耗。磁損耗被認為由于磁諧振而產(chǎn)生的。
參考文獻I中提出的電磁干擾抑制體采用片狀或扁平狀的合金軟磁粉。這種磁粉具有比相同金屬合金的球形粉末高的的各向異性磁場HK。這是基于由扁平或片狀形狀導致的磁性異向，即，退磁因數(shù)Nd。退磁因數(shù)Nd是由粉末顆粒的形狀和縱橫方向尺寸比率決定的。因此，通過改變顆粒形狀和縱橫方向尺寸比率，磁諧振頻率是可以變化的。不過，當縱橫方向尺寸比率超過10時，退磁因數(shù)Nd接近飽和。因此，磁諧振頻率的可變化范圍是有限的。
另一方面，業(yè)已知道，渦流損耗是影響軟磁材料的高頻響應改善的一個問題。即，在低于磁諧振頻率的頻率下產(chǎn)生的渦流使磁導率變差。
為解決這個問題，已知的方法是，考慮到趨膚效應，采用軟磁材料薄膜。一個例子是一種多層產(chǎn)品，它包括交替覆蓋或重疊的軟磁薄膜和介質(zhì)薄膜。
但是，這種多層產(chǎn)品存在另外一個問題，即，位移電流要流經(jīng)此產(chǎn)品中的介質(zhì)薄膜。位移電流使磁導率變差。位移電流取決于此多層產(chǎn)品中的磁性薄膜的尺寸。這表明采用軟磁粉要解決介質(zhì)電流的問題。
因此，本發(fā)明的一個目的是要提供一種用作電磁干擾抑制體的合成體磁顆粒，它在寬的高頻范圍內(nèi)具有高的虛部磁導率μ”并在寬的頻率范圍內(nèi)具有可變的或可調(diào)的磁諧振頻率。
考慮到在將球形粉末顆粒加工成片狀或扁平狀粉末顆粒的過程中產(chǎn)生的軟磁粉的應力應變，本發(fā)明力圖采用具有正的或負的磁致伸縮λ(不等于零)的軟磁粉末，以利用由應變引起的磁性異向的方向性。
此外，本發(fā)明還力圖通過退火處理改變殘余應力，以在寬的頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生磁諧振頻率。
本發(fā)明的一個特定目的是要提供一種合成體磁顆粒，它包括軟磁粉，此軟磁粉具有小于趨膚深度的厚度、可以得到Nd＝1的退磁因數(shù)的高縱橫方向尺寸比率以及表面氧化層。
根據(jù)本發(fā)明，所得到的合成體磁顆粒包括軟磁粉，其中至少一種軟磁成分具有磁致伸縮常數(shù)，此粉末的每一顆粒是片狀的；和有機粘結(jié)劑，用于粘結(jié)分散于其中的軟磁粉。
磁致伸縮常數(shù)可以是正的或負的。
軟磁粉在形成片狀后優(yōu)選進行退火處理。
片狀軟磁顆粒的平均厚度最好小于趨膚深度，在趨膚深度內(nèi)會在采用合成體磁顆粒的頻帶上產(chǎn)生趨膚效應。
片狀軟磁顆粒在有機粘結(jié)劑中優(yōu)選定向于一個方向上。
每一片狀軟磁顆粒優(yōu)選具有一個外氧化層。
外氧化層可以通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對磁粉進行表面氧化形成。
軟磁粉優(yōu)選是由兩種或多種具有不同磁致伸縮常數(shù)的成分組成的。
軟磁粉優(yōu)選包括兩種或多種已在不同退火條件下退火處理的片狀顆粒。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種了用于制造合成體磁顆粒的方法，該磁顆粒包括有機粘結(jié)劑粘結(jié)的軟磁粉。該方法包括以下步驟通過將軟磁粉加工成片狀，制備片狀軟磁粉；對片狀軟磁粉進行退火處理，以消除由于加工形成的殘余應力；將退火處理的片狀軟磁粉和粘結(jié)劑及溶劑的液體混合；將所得到的混合物做成定形顆粒。
該方法還包括以下步驟在退火步驟之后以及混合步驟之前，通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對磁粉進行表面氧化，形成片狀軟磁粉的每一顆粒的外氧化層。
作為替代，外氧化層形成步驟是在制備片狀軟磁粉步驟之后而在退火步驟之前進行的。
在制備片狀軟磁粉的步驟中，優(yōu)選控制施加至磁粉的加工應力，以改變殘余應力，從而調(diào)節(jié)制成的合成體磁顆粒的復磁導率的外部(external)頻率。
在退火步驟中，優(yōu)選控制退火條件，以改變殘余應力，從而調(diào)節(jié)制成的合成體磁顆粒的復磁導率的外部頻率。


圖1是一個評估系統(tǒng)的示意圖，此系統(tǒng)用于評估電磁干擾抑制體的特性；圖2是一個曲線圖，用于顯示本發(fā)明的樣品和比較樣品的磁導率頻率響應特性。
在本發(fā)明的實施方案中，F(xiàn)e-Al-Si合金(商標是“Sendust”，鐵硅鋁磁合金)、Fe-Ni合金(坡莫合金)、非晶合金或其他金屬軟磁材料可以用作原料。
原料經(jīng)過研磨、軋制和撕裂(tearing)，制備成扁平或片狀顆粒粉末。在這種方法中，重要的是，片狀顆粒的平均厚度要小于產(chǎn)生趨膚效應的深度尺寸，并且片狀粉末具有大于10的縱橫方向尺寸比率，以使退磁因數(shù)Nd約等于1。
上面所說的深度下文稱為“趨膚深度”δ。此趨膚深度δ由下式給出δ＝(ρ/πμf)1/2其中ρ、μ和f分別表示電阻率、磁導率和頻率。應當注意，趨膚效應δ根據(jù)軟磁材料使用的頻率變化。不過，所希望的趨膚深度和縱橫方向尺寸比率可以通過限定原料粉末的平均顆粒尺寸很容易地實現(xiàn)。
為研磨、軋制和撕裂原材料，可以優(yōu)選使用球磨機、碾磨機和輥磨機?？梢圆捎闷渌O(shè)備，只要這些設(shè)備能夠制備具有上述的厚度和縱橫方向尺寸比率的粉末，并且顧及到由于這些設(shè)備加工引起的殘余應力。
如果原料具有正的磁致伸縮常數(shù)λ，定形磁性異向和應變磁性異向?qū)捎谘心ズ退毫讯幱诠餐姆较蛏?。因此，?jīng)加工的每一顆粒具有一個由兩種各向異性產(chǎn)生的總異向性磁場。所以，此異向性磁場在場強度方面和磁諧振頻率方面均高于采用無磁致伸縮(λ＝0)的磁性材料作為原料的情況。
由扁平化處理引起的殘余應力可以通過合適的退火處理減輕。因此，待退火處理的軟磁粉末在與退火條件相關(guān)的頻率fr上具有磁諧振。在退火之后，磁諧振頻率fr低于退火之前，但高于采用無磁致伸縮(λ＝0)的磁性材料的情況。因此，磁諧振頻率可以通過控制退火條件來調(diào)節(jié)。如果原料具有負的磁致伸縮常數(shù)(λ＜0)，由殘余應力引起的應力磁性異向的方向垂直于形狀磁性異向，這樣，與無磁致伸縮(λ＝0)的磁性材料相比，異向性磁場較低且具有低的磁諧振頻率。
因此，通過結(jié)合定形磁性異向性、正或負磁致常數(shù)以及退火條件，有可能在較寬的頻帶內(nèi)提供具有不同磁諧振頻率的合成體磁顆粒。
在本發(fā)明的合成體磁顆粒中，軟磁粉設(shè)有介質(zhì)外表面層，以便即使在高的粉末加載濃度下也能使每一粉末顆粒與相鄰粉末顆粒絕緣。介質(zhì)外表面層由金屬氧化物構(gòu)成，它是通過金屬磁性粉末的表面氧化形成的。在例如Fe-Al-Si合金磁性粉末中，氧化層主要由AlOx和SiOx構(gòu)成。
對于金屬磁性粉末的表面氧化，考慮到易于控制、穩(wěn)定性和安全性，可以優(yōu)選采用公知的液相慢氧化方法和汽相慢氧化方法。在這兩種方法中，在前一種方法中用控制氧分壓的氮-氧混合氣體引入有機烴溶劑中，而在后一種方法中則引入惰性氣體中。
表面氧化和退火可以按上述次序進行，但也可以按相反次序進行，也可以同時進行。
作為本發(fā)明中使用的有機粘結(jié)劑或粘合劑，推薦使用聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、纖維素樹脂、ABS樹脂、丁氰橡膠、丁苯橡膠、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、酰胺樹脂、(酰)亞胺樹脂、或其共聚物。
為制備合成體磁顆粒，片狀磁粉末與有機粘合劑混合并分散于其中，而形成所希望的顆粒形狀?；旌秃统尚褪遣捎脧墓幕旌秃统尚驮O(shè)備中選擇的合適設(shè)備實施的。
在合成體磁顆粒中，磁性粉末定向于一個方向上。定向可以采用剪切力或磁場實現(xiàn)。
下面將對幾個實施例進行說明。
首先，采用水霧化方法制備多個Fe-Ni合金和Fe-Al-Si合金的原始粉末樣品，這些樣品具有不同的磁致伸縮常數(shù)。這些原始粉末樣品分別在不同條件下進行研磨、軋制和撕裂處理，爾后進行液相慢氧化處理，在這個過程中，每一樣品要在加入具有35％氧分壓的氮-氧混合物的有機烴溶劑中攪動約8小時，然后進行分類。于是，便得到了具有不同的異向性磁場Hk的多種樣品粉末。
所得粉末樣品經(jīng)對每一顆粒進行表面分析確認，在每一粉末顆粒的外表面上具有氧化膜。
在采用汽相慢氧化方法時，樣品粉末被放置于加入具有20％氧分壓的氮-氧混合物的惰性氣體中，在這種情況下也確認，在樣品粉末的外表面上形成有氧化膜。
此后，采用粉末樣品制備合成體磁顆粒，并測量磁導率頻率(μ-f)響應，以及檢測電磁干擾抑制能力。
在測量(μ-f)響應時，制備一個本發(fā)明的合成體磁顆粒的測試環(huán)，并將其插入一個具有一匝線圈的測試裝置中。在不同頻率的交流電流流經(jīng)線圈的情況下，測量線圈的阻抗，從而得到μ’和μ”。
對電磁干擾抑制能力的檢測是采用圖1中所示的評估系統(tǒng)實現(xiàn)的。本發(fā)明的合成體磁顆粒的測試樣品2是一個20cm×20cm的正方形板，其厚度為2mm。測試樣品2背面設(shè)有銅板8，從而形成電磁干擾抑制器的測試件。電磁波發(fā)生器6和網(wǎng)絡(luò)分析器7連接至發(fā)射和接收環(huán)形天線4和5，這兩個天線分別具有一個直徑為1.5mm的細環(huán)。電磁波是由發(fā)生器6通過天線4發(fā)射的，接收天線5接收的電磁場強度是由分析器7測量的。
實施例1制備軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分片狀軟磁粉A95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ20μm×0.3μm(t)磁致伸縮+0.72退火無聚氨基甲酸乙酯樹脂 8重量份固化劑(異氰酸酯化合物) 2重量份溶劑(環(huán)已酮和甲苯的混合物) 40重量份應當指出的是，這里給出磁致伸縮的是以(dl/l)×10-6為計量單位的?！癲l”表示在H＝200Oe的磁場強度下尺寸“l(fā)”的應變。這在后面描述的樣品2、4、5和6中是相似的。
采用此膏，通過以下工藝形成薄膜樣品1用刮漿刀處理，熱壓，爾后在85℃下進行24小時固化處理。
采用掃描電子顯微鏡對薄膜樣品1進行分析，由此證實磁顆粒校準的方向處于樣品的表面中。
實施例2制備另一種軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分片狀軟磁粉B 95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ20μm×0.3μm(t)磁致伸縮+0.72退火650℃，2小時聚氨基甲酸乙酯樹脂8重量份固化劑(異氰酸酯化合物)2重量份溶劑(環(huán)己酮和甲苯的混合物)40重量份采用此膏，通過以下工藝形成薄膜樣品2用刮漿刀處理，熱壓，爾后在85℃下進行24小時固化處理。
采用掃描電子顯微鏡對薄膜樣品2進行分析，由此證實磁顆粒對準的方向處于樣品的表面中。
實施例3制備再一種軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分片狀軟磁粉C 95重量份成分Fe-Ni合金平均顆粒直徑φ30μm×0.4μm(t)磁致伸縮-1.03退火無聚氨基甲酸乙酯樹脂8重量份固化劑(異氰酸酯化合物)2重量份溶劑(環(huán)已酮和甲苯的混合物)40重量份采用此膏，通過以下工藝形成薄膜樣品3用刮漿刀處理，熱壓，爾后在85℃下進行24小時固化處理。
采用掃描電子顯微鏡對薄膜樣品3進行分析，由此證實磁顆粒校準的方向處于樣品的表面中。
實施例4制備另一種軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分片狀軟磁粉A 95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ20μm×0.3μm(t)磁致伸縮+0.72退火無片狀軟磁粉B 95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ20μm×0.3μm(t)磁致伸縮+0.72退火650℃，2小時聚氨基甲酸乙酯樹脂 8重量份固化劑(異氰酸酯化合物) 2重量份溶劑(環(huán)已酮和甲苯的混合物) 40重量份采用此膏以與實施例1中相似的方法形成薄膜樣品4。
以相似的方法對薄膜樣品1進行分析，證實磁顆粒校準的方向處于樣品的表面中。
實施例5制備另一種軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分球形軟磁粉B 95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ15μm聚氨基甲酸乙酯樹脂 8重量份固化劑(異氰酸酯化合物) 2重量份溶劑(環(huán)己酮和甲苯的混合物) 40重量份采用此膏，以與實施例1中相似的方法形成比較薄膜樣品5。
采用掃描電子顯微鏡以相似的方法對薄膜樣品5進行分析，并且證實磁顆粒校準的方向是各向同性的。
實施例6制備另一種軟磁膏，此軟磁膏具有以下組分片狀軟磁粉E 95重量份成分Fe-Al-Si合金平均顆粒直徑φ20μm×0.4μm(t)磁致伸縮0聚氨基甲酸乙酯樹脂 8重量份固化劑(異氰酸酯化合物) 2重量份溶劑(環(huán)已酮和甲苯的混合物) 40重量份采用此膏，以與實施例1中相似的方法形成比較薄膜樣品6。
采用掃描電子顯微鏡對比較薄膜樣品6進行分析，確認磁顆粒校準的方向處于樣品的表面中。
表1示出樣品1-6中每一樣品的實部磁導率μ’和磁諧振頻率fr。
表1
＊μ’是在f＝10MHZ條件下得到的＊＊磁諧振是不明顯的(unclear)圖2示出樣品1和2以及比較樣品6的μ-f特性曲線。
從圖2中將能理解，采用具有正磁致伸縮的磁粉的樣品1具有最高的磁諧振頻率fr，而采用無磁致伸縮的磁粉的樣品6具有最高的實部磁導率。樣品2采用了與樣品1相同的磁粉，但進行了退火處理。就磁諧振頻率fr和實部磁導率μ‘而言，樣品2具有處于樣品1和6的磁諧振頻率fr和實部磁導率μ’數(shù)值之間的中間值。
另一方面，從表1中可注意到，具有負磁致伸縮的樣品3的磁諧振頻率fr低于樣品6，但樣品3的實部磁導率μ’卻高于樣品6。
與任一其他樣品1-4和比較樣品相比，采用球形磁粉的比較樣品5的實部磁導率μ’非常低。
從上述實施例中將能理解，采用無磁致伸縮的磁粉并通過退火改變磁粉的殘余應力，可以在寬的頻帶上控制合成體磁顆粒的磁導率。此外，可以注意到，通過限定磁粉顆粒的厚度并通過在磁粉的外表面上形成絕緣覆蓋層，可以提供在高頻率范圍內(nèi)具有高磁導率的合成體磁顆粒。
表2示出樣品4和比較樣品5的各種數(shù)據(jù)。
表2
在表2中，表面電阻值是采用ASTM-D-257方法測量的，μ”分布是基于樣品4和5的相互比較，衰減值是基于以銅作為標準的值并表示電磁干擾抑制效果。
從表2中將能理解，樣品4和比較樣品5均具有107-108Ω的表面電阻值。這意味著，采用至少表面氧化的磁粉，可以制備不導電的合成體磁顆粒。因此，這種顆?？梢砸种齐姶挪ǖ谋砻娣瓷?，這種表面反射通常是由于采用導體或磁性金屬塊時的阻抗不匹配引起的。另外，將能注意到，在粉末加載率方面，樣品4低于比較樣品5，但在電磁干擾抑制效果方面卻優(yōu)于比較樣品5。這意味著，寬的μ”分布有益于電磁干擾抑制效果。
權(quán)利要求
1.一種合成體磁顆粒，包括軟磁粉，其中至少一種軟磁成分具有磁致伸縮常數(shù)，此粉末的每一顆粒是片狀的；和有機粘結(jié)劑，用于粘結(jié)分散于其中的所述軟磁粉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述磁致伸縮常數(shù)是正的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述磁致伸縮常數(shù)是負的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述軟磁粉在形成片狀后進行退火處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述片狀軟磁顆粒的平均厚度小于趨膚深度，在所述趨膚深度內(nèi)會在采用所述合成體磁顆粒的頻帶上產(chǎn)生趨膚效應。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述片狀軟磁顆粒于所述有機粘結(jié)劑中定向于一個方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中每一所述片狀軟磁顆粒具有一個外氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的合成體磁顆粒，其中所述外氧化層是通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對所述磁粉進行表面氧化形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的合成體磁顆粒，該顆粒是不導電的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的合成體磁顆粒，其中所述軟磁粉是由兩種或多種具有不同磁致伸縮常數(shù)的成分組成的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的合成體磁顆粒，其中所述軟磁粉包括兩種或多種已在不同退火條件下退火處理的片狀顆粒。
12.一種合成體磁顆粒的制造方法，所述磁顆粒包含由有機粘結(jié)劑粘結(jié)的軟磁粉，該方法包括以下步驟通過將軟磁粉加工成片狀，制備片狀軟磁粉；對所述片狀軟磁粉進行退火處理，以消除由于加工形成的殘余應力；將所述退火處理的片狀軟磁粉和所述粘結(jié)劑及溶劑的液體混合；和將所得到的混合物做成顆粒形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括以下步驟在所述退火步驟之后以及所述混合步驟之前，通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對所述磁粉進行表面氧化，形成所述片狀軟磁粉的每一顆粒的外氧化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括以下步驟在所述制備片狀軟磁粉步驟之后以及所述退火步驟之前，通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對所述磁粉進行表面氧化，形成所述片狀軟磁粉的每一顆粒的外氧化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，在所述制備片狀軟磁粉的步驟中，通過汽相慢氧化方法或液相慢氧化方法，采用含氧氣體對所述磁粉進行表面氧化，形成所述片狀軟磁粉的每一顆粒的外氧化層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，在所述制備片狀軟磁粉的步驟中，控制施加至所述磁粉的加工應力，以改變殘余應力，從而調(diào)節(jié)制成的合成磁顆粒的復數(shù)磁導率的外部(external)頻率。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，在所述退火步驟中，控制所述退火條件，以改變殘余應力，從而調(diào)節(jié)制成的合成體磁顆粒的復數(shù)磁導率的外部頻率。
18.一種電磁干擾抑制體，它是由權(quán)利要求1所述的合成磁顆粒制成的。
全文摘要
一種用作電磁干擾抑制體的合成體磁顆粒。包括軟磁粉，其中至少一種軟磁成分具有磁致伸縮常數(shù)，此粉末的每一顆粒是片狀的；和有機粘結(jié)劑，用于粘結(jié)分散于其中的所述軟磁粉。軟磁粉在形成片狀后進行退火處理。軟磁粉的片狀顆粒的平均厚度小于趨膚深度，在所述趨膚深度內(nèi)會在采用所述合成磁顆粒的頻帶上產(chǎn)生趨膚效應，每一顆粒具有一個外氧化層。
文檔編號H05K9/00GK1149747SQ9611234
公開日1997年5月14日 申請日期1996年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1995年9月22日
發(fā)明者吉田榮吉, 佐藤光晴, 菅原英州, 島田寬 申請人:株式會社東金