專利名稱：摻銦混晶鋅擴散源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種制造半導(dǎo)體器件的專用材料。
為了降低GaAs、(AlGa)As材料的半導(dǎo)體晶體管、發(fā)光管、激光器等器件歐姆接觸比電阻，通常在p型材料表面要進(jìn)行Zn雜質(zhì)擴散。目前采用的擴散源為純Zn、ZnAs2、Zn3As2還有Zn∶Ga∶As原子比為45∶5∶50的三元混晶擴散源等。但是用這些擴散源形成的歐姆接觸比電阻不理想。
本發(fā)明就是為了進(jìn)一步降低歐姆接觸比電阻所研制的一種新的混晶Zn擴散源。因為(InGa)As的禁帶寬度比單純GaAs禁帶寬度窄，有利于降低歐姆接觸比電阻。為此在Zn擴散源中摻一定量的In，將In同時擴入GaAs或(AlGa)As晶體中，使之形成(InGa)As三元晶體，從而可顯著降低歐姆接觸比電阻。這種擴散源同時還可得到很高的表面Zn雜質(zhì)濃度(1～3×1020cm-3)，這都有利于降低歐姆接觸比電阻。使用這種新擴散源Zn擴散速度較慢，易于精確控制擴散結(jié)深。
摻銦混晶鋅擴散源的配制方法將In∶As∶Zn原子百分比為5～10∶50∶45～40的三種單質(zhì)，也可用In∶Ga∶Zn∶As原子百分比為5～15∶5∶40～30∶50的四種單質(zhì)稱量好，清洗處理后，真空封入石英管內(nèi)，真空度不小于5×10-5乇。將加熱爐升至1100℃左右，將石英管緩慢推入加熱爐的高溫區(qū)(用10～15分鐘)，待幾種單質(zhì)材料全部熔為熔體時進(jìn)行晃動，以使化合(混合)均勻(20分鐘左右即可)?；旌暇鶆蚝笱杆偃〕鐾度肜渌小?br> 使用方法將配好的擴散源敲成小碎塊和待擴散晶體一起真空封入石英管內(nèi)(真空度不小于5×10-5乇)，擴散源的用量按真空石英管容積和擴散源重量比為1ml∶0.5mg～1ml∶5mg均可。擴散溫度按使用未摻銦擴散源相同溫度進(jìn)行。擴散時間根據(jù)所需Zn擴散深度進(jìn)行調(diào)整。以后其它歐姆接觸工藝均按原未摻銦擴散源工藝進(jìn)行。
本發(fā)明有如下優(yōu)點1.可降低歐姆接觸比電阻，2.可得到很高的表面Zn雜質(zhì)濃度(可達(dá)1～3×1020cm-3)，3.使用方便，無需精確稱量，4.配制容易，花費時間少，5.Zn雜質(zhì)擴散速度慢，擴散結(jié)深易于控制。
權(quán)利要求
1.一種鋅雜質(zhì)擴散源，其特征在于摻入銦使之形成均勻一體混晶。
2.一種按照權(quán)項要求1所述的混晶擴散源，其特征在于由原子百分比為5～10∶50∶45～40的In∶As∶Zn三元構(gòu)成。
3.一種按照權(quán)項要求1所述的混晶擴散源，其特征在于由原子百分比為5～15∶40～30∶5∶50的In∶Zn∶Ga∶As四元構(gòu)成。
4.一種按權(quán)項要求2、3所述的混晶擴散源，其特征在于最佳最快的配制方法是，將稱量并清洗好的幾種單質(zhì)材料真空封入石英管內(nèi)，將石英管緩慢(10～15分)推入加熱爐高溫區(qū)(1100℃左右)，并晃動使之化合(混合)均勻后，迅速取出投入冷水中。
全文摘要
本發(fā)明為一種制造半導(dǎo)體器件的專用材料。
文檔編號C30B35/00GK1037051SQ8810220
公開日1989年11月8日 申請日期1988年4月11日 優(yōu)先權(quán)日1988年4月11日
發(fā)明者杜國同, 馬曉宇 申請人:吉林大學(xué)