一種多晶硅鑄錠用熔料工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，包括步驟：一、預熱：采用鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行預熱，并將鑄錠爐的加熱溫度逐步提升至T1；預熱時間為6～10h，T1=1165～1185℃；二、熔化：對裝于坩堝內的硅料進行熔化，熔化溫度為T1～T5；其中T5=1540～1560℃；待坩堝內的硅料全部熔化后，將鑄錠爐加熱溫度控制在T5，之后鑄錠爐加熱功率開始下降，待鑄錠爐的加熱功率停止下降且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；t=18min～22min。本發(fā)明方法步驟簡單、設計合理、實現(xiàn)方便且易于掌握、使用效果好，能有效解決由于熔料時間不足或熔料時間過長而造成的所生產多晶硅鑄錠質量下降的問題。
【專利說明】一種多晶硅鑄錠用熔料工藝
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于多晶硅鑄錠【技術領域】，尤其是涉及一種多晶硅鑄錠用熔料工藝。
【背景技術】
[0002]光伏發(fā)電是當前最重要的清潔能源之一，具有極大的發(fā)展?jié)摿?。制約光伏行業(yè)發(fā)展的關鍵因素，一方面是光電轉化效率低，另一方面是成本偏高。光伏硅片是生產太陽能電池和組件的基本材料，用于生產光伏硅片的多晶硅純度必須在6N級以上(B卩非硅雜質總含量在Ippm以下)，否則光伏電池的性能將受到很大的負面影響。近幾年，多晶硅片生產技術有了顯著進步，多晶鑄錠技術已從G4 (每個硅錠重約270kg，可切4X4=16個硅方)進步到G5 (5 X 5=25個硅方)，然后又進步到G6 (6 X 6=36個硅方)。并且，所生產多晶硅鑄錠的單位體積逐步增大，成品率增加，且單位體積多晶硅鑄錠的制造成本逐步降低。目前，如何制造出體積更大的多晶硅鑄錠，是降低制造成本的重要措施。
[0003]實際生產過程中，太陽能多晶硅鑄錠時，需使用石英坩堝來填裝硅料，且將硅料投入石英坩堝后，通常情況下還需經預熱、熔化(也稱熔料)、長晶(也稱定向凝固結晶)、退火、冷卻等步驟，才能完成多晶硅鑄錠過程。實際進行多晶硅鑄錠時，由熔化階段跳轉到長晶階段的時間如果控制不好，會造成鑄錠失敗:如果過早進入長晶階段，可能造成硅料熔化不夠充分，造成硅錠壽命異常；而如果太晚切換到長晶階段，就會使石英坩堝長時間處于高溫階段，對氮化硅涂層可能造成損傷，造成粘堝。而現(xiàn)如今，進行多晶硅鑄錠時，大多數(shù)廠家均不能準確把握由熔化階段切換到長晶階段的切換時機，并相應導致由于熔料時間不足或熔料時間過長而造成的所生產多晶硅鑄錠質量下降的問題。
【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題在于針對上述現(xiàn)有技術中的不足，提供一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其方法步驟簡單、設計合理、實現(xiàn)方便且易于掌握、使用效果好，能解決由于熔料時間不足或熔料時間過長而造成的所生產多晶硅鑄錠質量下降的問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是:一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于該工藝包括以下步驟:
[0006]步驟一、預熱:采用鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行預熱，并將所述鑄錠爐的加熱溫度逐步提升至Tl ;預熱時間為6h~10h，其中T1=1165°C~1185°C ；
[0007]步驟二、熔化:采用所述鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行熔化，熔化溫度為Tl~T5 ;其中 T5=1540°C~15600C ；
[0008]待坩堝內的硅料全部熔化后，將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，之后所述鑄錠爐的加熱功率開始下降，待所述鑄錠爐的加熱功率停止下降且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中 t=18min ~22min。
[0009]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟一中預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率逐步升高至P1，其中Pl=70kW~80kW ;步驟二中所述坩堝內的硅料全部熔化后，對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，待所述鑄錠爐的加熱功率下降至P2，并保持P2不變且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中，P2=35kW~45kW。
[0010]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟二中熔化過程中，向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐內氣壓保持在Q1，其中Ql=550mbar~650mbar。
[0011]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟二中進行熔化時，過程如下:
[0012]第I步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在Tl，并保溫0.4h~0.6h ;
[0013]第2步至第5步、升溫及加壓:由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2，升溫時間為0.4h~0.6h ;升溫過程中向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐的氣壓逐步提升至Ql ;其中，T2=1190°C~1210°C ；
[0014]第6步、第一次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T2逐漸提升至T3且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T3=1440°C~1460°C ；
[0015]第7步:第二次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T3逐漸提升至T4且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T4=1490°C~1510°C ；
[0016]第8步、第三次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T4逐漸提升至T5且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T5=1540°C~1560°C ；
[0017]第9步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫3.5h~4.5h ;保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保 持在Ql ；
[0018]第10步、持續(xù)保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫4h~8h，直至坩堝內的硅料全部熔化；保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql。
[0019]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:第6步中進行第一次升溫及保壓過程中、第7步中進行第二次升溫及保壓過程中、第8步中進行第三次升溫及保壓過程中和第9步中進行保溫過程中，均需對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，并確保所述鑄錠爐的加熱功率變化平穩(wěn)。
[0020]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:第2步至第5步中由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2時，每一步提升溫度5°C~8°C，且每一步提升均需 5min ~IOmin0
[0021]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟一中預熱時間為7h ;預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率以(10~15)kW/h的增長速率逐步提升至Pl。
[0022]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟一中T1=1175°C，Pl=75kff ;步驟二中 T5=1550°C, t=20min。
[0023]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:第2步至第5步中T2=1200°C，第6步中 T3=1450°C，第 7 步中 T4=1500°C，第 8 步中 T5=1550°C。
[0024]上述一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征是:步驟一中所述鑄錠爐為G5型鑄錠爐。
[0025]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點:
[0026]1、設計合理且處理工藝步驟簡單，易于掌握。
[0027]2、投入成本低且實現(xiàn)方便。
[0028]3、使用操作方便，熔化過程中，待坩堝內的硅料全部熔化后，控制鑄錠爐的加熱溫度保持不變，并對鑄錠爐的加熱功率隨時間變化的曲線(即功率曲線)進行觀測；其中，待坩堝內的硅料全部熔化后，鑄錠爐的功率曲線開始下降，待鑄錠爐的功率曲線下降且走平20min后，熔料過程完成，之后進行長晶階段。實際操作過程中，通過觀測功率曲線便能準確確定熔料過程完成的時間點，即由熔化階段切換到長晶階段的切換時間點。實際操作簡便，且實現(xiàn)方便，能準確把握由熔化階段切換到長晶階段的切換時機。也就是說，本發(fā)明通過延長熔料時間穩(wěn)定鑄錠熔料曲線，待功率曲線走平20min后再切入長晶階段，因而能準確熔化到長晶階段的切換時機，同時杜絕了由于熔料時間不足或熔料時間過長造成的多晶硅鑄錠質量下降、成本上升等問題。并且，采用本發(fā)明對多晶硅鑄錠過程中熔料至長晶的切換時機進行準確把握后，能確保長晶的質量和最終制成電池片的轉換效率。
[0029]4、熔化過程分十步進行，設計合理、實現(xiàn)方便且使用效果好，可有效改善長晶質量，降低粘禍率，提聞太陽能電池片的轉換效率，能有效提聞成品率。
[0030]5、實用性強，便于批量生產。
[0031]綜上所述，本發(fā)明方法步驟簡單、設計合理、實現(xiàn)方便且易于掌握、使用效果好，能有效解決由于熔料時間不足或熔料時間過長而造成的所生產多晶硅鑄錠質量下降的問題。
[0032]下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明的工藝流程框圖。
[0034]圖2為采用本發(fā)明進行多晶硅鑄錠時的溫度及功率曲線圖。
【具體實施方式】
[0035]實施例1·[0036]如圖1所示的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，包括以下步驟:
[0037]步驟一、預熱:采用鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行預熱，并將所述鑄錠爐的加熱溫度逐步提升至Tl ;預熱時間為7h，其中T1=1175°C。
[0038]本實施例中，所述鑄錠爐為G5型鑄錠爐。并且,所述鑄錠爐具體為浙江晶盛機電股份有限公司生產的G5型鑄錠爐。所述坩堝為石英坩堝且其為G5坩堝，并且生產出來的多晶硅鑄錠為G5錠。
[0039]實際使用時，所述石英坩堝的裝料量為600kg左右。
[0040]本實施例中，所述石英坩堝的裝料量為560kg。實際使用過程中，可以根據(jù)具體需要，對所述石英坩堝的裝料量進行相應調整。
[0041]本實施例中，步驟一中預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率逐步升高至P1，其中Pl=75kff0
[0042]并且，預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率以(10~15)kW/h的增長速率逐步提升至P1。
[0043]實際進行預熱時，可以根據(jù)具體需要，對預熱時間、預熱過程中加熱功率的增長速率以及Tl和Pl的取值大小進行相應調整。
[0044]步驟二、熔化:采用所述鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行熔化，熔化溫度為Tl~T5 ;其中 T5=1550°C。
[0045]待坩堝內的硅料全部熔化后，將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，之后所述鑄錠爐的加熱功率開始下降，待所述鑄錠爐的加熱功率停止下降且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中t=20min。
[0046]實際進行熔化時，可以根據(jù)具體需要，對T5和t的取值大小進行相應調整。
[0047]本實施例中，步驟二中熔化過程中，向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐內氣壓保持在Q1，其中Ql=600mbar。
[0048]實際進行熔化時，可以根據(jù)具體需要，對Ql的取值大小進行相應調整。
[0049]本實施例中，待坩堝內的硅料全部熔化后，將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并對所述鑄錠爐的加熱功率隨時間變化的曲線(即功率曲線)進行觀測，詳見圖2。圖2中，細實線為所述鑄錠爐的加熱功率隨時間變化的曲線，需實線為所述鑄錠爐的加熱溫度隨時間變化的曲線，豎線為坩堝內的硅料全部熔化時的報警線。由圖2可以看出，待坩堝內的硅料全部熔化后，所述鑄錠爐的功率曲線開始下降，待所述鑄錠爐的功率曲線下降且走平20min后，熔料過程完成，之后進入長晶階段；即圖2中的A點為熔料過程完成的時間點。
[0050]本實施例中，進行長晶時，先將所述鑄錠爐的加熱溫度由T5逐漸降至T6后，開始進行定向凝固并進入長晶過程，其中T6為多晶硅結晶溫度且T6=1420°C~1440°C。
[0051]實際操作過程中，通過觀測功率曲線便能準確確定熔料過程完成的時間點，即由熔化階段切換到長晶階段的切換時間點。實際操作簡便，且實現(xiàn)方便，能準確把握由熔化階段切換到長晶階段的切換時機。
[0052]本實施例中，步驟二中所述坩堝內的硅料全部熔化后，對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，待所述鑄錠爐的加熱功率下降至P2，并保持P2不變且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中，P2=40kW。
[0053]實際進行熔化時，根據(jù)所述坩堝內裝料量的不同，P2的大小相應在35kW~45kW范圍內進行調整。
[0054]本實施例中，步驟二中進行熔化時，過程如下:
[0055]第I步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在Tl，并保溫0.5h。
[0056]第2步至第5步、升溫及加壓:由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2，升溫時間為0.5h (即第2步至第5步的總時間為0.5h);升溫過程中向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐的氣壓逐步提升至Ql ;其中，T2=1200°C。
[0057]第2步至第5步中由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2時,每一步提升溫度5°C~8°C,且每一步提升均需5min~lOmin。
[0058]第6步、第一次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T2逐漸提升至T3且升溫時間為4h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T3=1450°C。
[0059]第7步:第二次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T3逐漸提升至T4且升溫時間為4h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T4=1500°C。
[0060]第8步、第三次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T4逐漸提升至T5且升溫時間為4h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T5=1550°C。
[0061]第9步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫4h ;保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql。
[0062]第10步、持續(xù)保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫6h，直至坩堝內的硅料全部熔化；保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql。[0063]本實施例中，第6步中進行第一次升溫及保壓過程中、第7步中進行第二次升溫及保壓過程中、第8步中進行第三次升溫及保壓過程中和第9步中進行保溫過程中，均需對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，并確保所述鑄錠爐的加熱功率變化平穩(wěn)。
[0064]也就是說，第6步至第9步中進行熔化時，必須使功率曲線平穩(wěn)前進，不能出現(xiàn)較為明顯的凹凸點，這樣會帶來硬質點的增多。
[0065]本實施例中，第2步至第5步中進行升溫及加壓時，過程如下:
[0066]第2步、第一步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1175°C提升至1182°C，且升溫時間為7min。
[0067]第3步、第二步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1182°C提升至1190°C，且升溫時間為8min。
[0068]第4步、第三步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1190°C提升至1195°C，且升溫時間為5min。
[0069]第5步、第四步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1195°C提升至1200°C，且升溫時間為5min。
[0070]本實施例中，第10步中待坩堝內的硅料全部熔化且所述鑄錠爐發(fā)出“熔化完成報警”后，需人工干預，對功率曲線的下降情況進行觀測，待所述鑄錠爐的功率曲線下降且走平20min后，熔料過程完成，之后人工干預將熔化階段切入到長晶階段。
[0071 ] 本實施例中，步驟二中所述惰性氣體為氬氣。
[0072]本實施例中，所加工成型多晶娃鑄淀的表面無雜質，無粘禍現(xiàn)象，少子壽命>5.5us (微秒)，硬質點比例〈0.5%，成品率為71%。
[0073]實施例2
[0074]本實施例中，與實施例1不同的是:步驟一中預熱時間為6h且T1=1185°C，Pl=80kff ;步驟二中 T5=1560°C, t=18min, Ql=650mbar ;第 I 步中保溫時間為 0.4h ;第 2 步至第5步中T2=1210°C，升溫時間為0.4h ?’第6步中T3=1460°C且升溫時間為3.5h ?’第7步中T4=1510°C且升溫時間為3.5h ;第8步中T5=1560°C且升溫時間為3.5h ;第9步中保溫時間為3.5h ;第10步中保溫時間為4h。
[0075]本實施例中，第2步至第5步中進行升溫及加壓時，過程如下:
[0076]第2步、第一步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1185°C提升至1190°C，且升溫時間為5min。
[0077]第3步、第二步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1190°C提升至1195°C，且升溫時間為5min。
[0078]第4步、第三步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1195°C提升至1205°C，且升溫時間為9min。
[0079]第5步、第四步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1205°C提升至1210°C，且升溫時間為5min。
[0080]本實施例中，其余工藝步驟和工藝參數(shù)均與實施例1相同。
[0081 ] 本實施例中，所加工成型多晶娃鑄淀的表面無雜質，無粘禍現(xiàn)象，少子壽命>5.5us (微秒)，硬質點比例〈0.5%，成品率為70%。
[0082]實施例3[0083]本實施例中，與實施例1不同的是:步驟一中預熱時間為IOh且T1=1165°C，Pl=70kff ;步驟二中 T5=1540°C, t=22min, Ql=550mbar ;第 I 步中保溫時間為 0.6h ;第 2 步至第5步中T2=1190°C，升溫時間為0.6h ;第6步中T3=1440°C且升溫時間為4.5h ?’第7步中T4=1490°C且升溫時間為4.5h ;第8步中T5=1540°C且升溫時間為4.5h ;第9步中保溫時間為4.5h ;第10步中保溫時間為8h。
[0084]本實施例中，第2步至第5步中進行升溫及加壓時，過程如下:
[0085]第2步、第一步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1165°C提升至1172°C，且升溫時間為9min。
[0086]第3步、第二步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1172°C提升至1178°C，且升溫時間為8min。
[0087]第4步、第三步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1178°C提升至1183°C，且升溫時間為IOmin。
[0088]第5步、第四步提升:將所述鑄錠爐的加熱溫度由1183°C提升至1190°C，且升溫時間為9min。
[0089]本實施例中，其余工藝步驟和工藝參數(shù)均與實施例1相同。
[0090]本實施例中，所加工成型多晶娃鑄淀的表面無雜質，無粘禍現(xiàn)象，少子壽命>5.5us (微秒)，硬質點比例〈0.5%，成品率為70%。[0091]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明作任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結構變化，均仍屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍內。
【權利要求】
1.一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于該工藝包括以下步驟: 步驟一、預熱:采用鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行預熱，并將所述鑄錠爐的加熱溫度逐步提升至Tl ;預熱時間為6h~10h，其中T1=1165°C~1185°C ； 步驟二、熔化:采用所述鑄錠爐對裝于坩堝內的硅料進行熔化，熔化溫度為Tl~T5 ;其中 T5=1540°C ~1560 0C ； 待坩堝內的硅料全部熔化后，將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，之后所述鑄錠爐的加熱功率開始下降，待所述鑄錠爐的加熱功率停止下降且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中 t=18min ~22min。
2.按照權利要求1所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟一中預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率逐步升高至Pl，其中Pl=70kW~80kW ;步驟二中所述坩堝內的硅料全部熔化后，對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，待所述鑄錠爐的加熱功率下降至P2，并保持P2不變且持續(xù)時間t后，熔料過程完成；其中，P2=35kW~45kW。
3.按照權利 要求1或2所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟二中熔化過程中，向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐內氣壓保持在Q1，其中Ql=550mbar ~650mbaro
4.按照權利要求3所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟二中進行熔化時，過程如下: 第I步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在Tl，并保溫0.4h~0.6h ; 第2步至第5步、升溫及加壓:由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2，升溫時間為0.4h~0.6h ;升溫過程中向所述鑄錠爐內充入惰性氣體并將所述鑄錠爐的氣壓逐步提升至Ql ;其中，T2=1190°C~1210°C ； 第6步、第一次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T2逐漸提升至T3且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T3=1440°C~1460°C ； 第7步:第二次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T3逐漸提升至T4且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T4=1490°C~1510°C ； 第8步、第三次升溫及保壓:將所述鑄錠爐的加熱溫度由T4逐漸提升至T5且升溫時間為3.5h~4.5h，升溫過程中所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ;其中，T5=1540°C~1560°C ； 第9步、保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫3.5h~4.5h ;保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql ; 第10步、持續(xù)保溫:將所述鑄錠爐的加熱溫度控制在T5，并保溫4h~8h，直至坩堝內的硅料全部熔化；保溫過程中，所述鑄錠爐內氣壓保持在Ql。
5.按照權利要求4所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:第6步中進行第一次升溫及保壓過程中、第7步中進行第二次升溫及保壓過程中、第8步中進行第三次升溫及保壓過程中和第9步中進行保溫過程中，均需對所述鑄錠爐的加熱功率變化情況進行觀測，并確保所述鑄錠爐的加熱功率變化平穩(wěn)。
6.按照權利要求4所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:第2步至第5步中由先至后分四步將所述鑄錠爐的加熱溫度由Tl逐漸提升至T2時，每一步提升溫度5°C~8°C,且每一步提升均需5min~lOmin。
7.按照權利要求2所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟一中預熱時間為7h ;預熱過程中，將所述鑄錠爐的加熱功率以(10~15) kff/h的增長速率逐步提升至Pl0
8.按照權利要求1或2所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟一中T1=1175°C, Pl=75kff ;步驟二中 T5=1550°C, t=20min。
9.按照權利要求1或2所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于--第2步至第5步中 T2=1200°C，第 6 步中 T3=1450°C，第 7 步中 T4=1500°C，第 8 步中 T5=1550°C。
10.按照權利要求1或2所述的一種多晶硅鑄錠用熔料工藝，其特征在于:步驟一中所述鑄錠爐為G5型鑄錠爐。`
【文檔編號】C30B28/06GK103741213SQ201410041953
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2014年1月28日 優(yōu)先權日:2014年1月28日
【發(fā)明者】周建華 申請人:西安華晶電子技術股份有限公司