多層線路板以及其制造方法
【專利摘要】一種多層線路板，包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一納米銀導(dǎo)電柱、第二納米銀導(dǎo)電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層；線路基板包括基板層以及貼附于基板層上的金屬圖案層；絕緣基板位于金屬圖案層上，并包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞；第一孔洞貫穿絕緣基板并暴露出金屬圖案層；第二孔洞位于基板層，并且暴露出金屬圖案層；第一納米銀導(dǎo)電柱填入第一孔洞中，第二納米銀導(dǎo)電柱填入第二孔洞中；第一銀漿層覆蓋在絕緣層上，第二銀漿層覆蓋在基板層上；第一保護層覆蓋第一銀漿層，第二保護層覆蓋第二銀漿層。本發(fā)明用第一銀漿層、第二銀漿層形成多層線路板，降低多層板的層數(shù)，進而減少厚度，達到產(chǎn)品薄型化的目的。
【專利說明】多層線路板以及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板以及其制程方法，且特別涉及一種多層線路板以及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，多層線路板的制造過程包括，先將單層板或雙層板進行堆棧黏合以形成多層板。再對多層板進行蝕刻工藝以形成多層線路板。單層板的結(jié)構(gòu)包括一金屬層、一絕緣層以及一黏著層，而雙層板的結(jié)構(gòu)包括兩金屬層、一絕緣層以及一黏著層。然而，利用單層板與雙層板堆棧黏合所形成的多層板會具有較大的厚度，使得所形成的多層線路板無法具有薄型化的特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種多層線路板，其可以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0004]本發(fā)明提供一種多層線路板的制造方法，其用來制造上述多層線路板。
[0005]本發(fā)明提供一種多層線路板，此多層線路板包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一納米銀導(dǎo)電柱、第二納米銀導(dǎo)電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層；線路基板包括基板層以及貼附于基板層上的金屬圖案層；。絕緣基板位于金屬圖案層上，并包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞；黏著層貼附于金屬圖案層上，而絕緣層貼附于黏著層上；第一孔洞貫穿絕緣基板并暴露出金屬圖案層；而第一孔洞的孔徑是從第一孔洞的開口向金屬圖案層遞減；第二孔洞位于基板層，并且暴露出金屬圖案層；第二孔洞的孔徑是從第二孔洞的開口向金屬圖案層遞減；第一納米銀導(dǎo)電柱填入第一孔洞之中，而第二納米銀導(dǎo)電柱填入第二孔洞之中；第一銀漿層覆蓋絕緣層以及第一納米銀導(dǎo)電柱，而第二銀漿層覆蓋基板層以及第二納米銀導(dǎo)電柱；第一保護層覆蓋第一銀漿層，而第二保護層覆蓋第二銀漿層。
[0006]本發(fā)明提供一種多層線路板的制造方法:首先，提供一線路基板，其包括一基板層以及一貼附于基板層上的金屬層；圖案化金屬層以形成一金屬圖案層；形成一絕緣基板于金屬圖案層上，其包括一黏著層、一絕緣層以及至少一第一孔洞；黏著層貼附于金屬圖案層上，絕緣層貼附于黏著層上。而第一孔洞貫穿絕緣基板，并暴露出金屬圖案層；之后，形成一第二孔洞于基板層，第二孔洞暴露出金屬圖案層；再來，形成第一納米銀導(dǎo)電柱于第一孔洞之中，并形成第二納米銀導(dǎo)電柱于第二孔洞之中；形成第一銀漿層于絕緣層之上，并形成第二銀漿層于基板層上；形成第一保護層于第一銀漿層上，并形成第二保護層于第二銀漿層上。
[0007]綜上所述，本發(fā)明提供了一種多層線路板以及其制造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一納米銀導(dǎo)電柱、一第二納米銀導(dǎo)電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層通過第一納米銀導(dǎo)電柱電性連接金屬圖案層。而第二銀漿層通過第二納米銀導(dǎo)電柱電性連接金屬圖案層。第一銀漿層以及第二銀漿層可以用來取代單層板以及雙層板的結(jié)構(gòu)，以形成多層線路板的結(jié)構(gòu)。如此可以降低多層板的層數(shù)，進而減少多層板的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的目的。
[0008]為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的保護范圍作任何的限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明實施例一多層線路板的剖面示意圖；
[0010]圖1A至圖1G為本發(fā)明實施例一多層線路板的制造流程剖面示意圖；
[0011]圖2A至圖2B為本發(fā)明實施例二多層線路板的制造流程剖面示意圖。
[0012]【主要元件附圖標(biāo)記說明】
[0013]I多層線路板
[0014]100線路基板
[0015]120、120’基板層
[0016]140金屬層 [0017]140’金屬圖案層
[0018]160第二孔洞
[0019]200、200’、200”絕緣基板
[0020]220、220，、220，，黏著層
[0021]240、240’、240”絕緣層
[0022]260、260’第一孔洞
[0023]320第一屏蔽板
[0024]322第一鏤空處
[0025]340第二屏蔽板
[0026]342第二鏤空處
[0027]420第一納米銀材料
[0028]422第一納米銀導(dǎo)電柱
[0029]440第二納米銀材料
[0030]442第二納米銀導(dǎo)電柱
[0031]520第一銀漿層
[0032]540第二銀漿層
[0033]620第一保護層
[0034]640第二保護層
[0035]L激光
【具體實施方式】
[0036]實施例一
[0037]圖1為本發(fā)明實施例一多層線路板I的剖面示意圖。請參閱圖1，多層線路板I包括一線路基板100、一絕緣基板200’、一第二孔洞160、一第一納米銀導(dǎo)電柱422、一第二納米銀導(dǎo)電柱442、一第一銀衆(zhòng)層520、一第二銀衆(zhòng)層540、一第一保護層620以及一第二保護層 640。
[0038]線路基板100包括一基板層120’以及一金屬圖案層140’。金屬圖案層140’貼附在基板層120’上，并做為多層線路板I的線路層。絕緣基板200’位于金屬圖案層140’上，包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。而黏著層220’貼附于金屬圖案層140’上，絕緣層240’則貼附于黏著層220’上。第一孔洞260貫穿絕緣基板200’，且此第一孔洞260暴露出位于絕緣基板200’下方的金屬圖案層140’。
[0039]需要說明的是，如圖1所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的最大孔徑位在絕緣層240’的上表面，而第一孔洞260的最小孔徑位在黏著層220’的下表面。詳細而言，在本實施例中，第一孔洞260的最大孔徑為0.2_，最小孔徑為0.1_。然而本發(fā)明不限定第一孔洞260的形狀以及孔徑大小。
[0040]另外，基板層120’的材質(zhì)可以是聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate, PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester, LCP),或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase, PC)。金屬圖案層140’的材質(zhì)包括銅、招或是錫。而黏著層220’的材料包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂(Acrylic)。此外，基板層120’的厚度為12 μ m。絕緣基板200’的厚度為27 μ m，其中黏著層220’的厚度為15 μ m,絕緣層240’的厚度為12 μ m。
[0041]請再次參閱圖1，第二孔洞160貫穿基板層120’，并且暴露出位于基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第二孔洞160的最大孔徑位在基板層120’的下表面上，而第二孔洞160的最小孔徑位在基板層120’的上表面上。詳細而言，在本實施例中，第二孔洞160的最大孔徑為0.2mm，最小孔徑為0.1mm。然而本發(fā)明不限定第二孔洞160的形狀以及孔徑大小，在其他實施例中，第二孔洞160也可以只有單一孔徑，而孔徑大小可以是0.15-0.35_。
[0042]如圖1所示，第一納米銀導(dǎo)電柱422填入第一孔洞260之中，并電性連接金屬圖案層140’。而第二納米銀導(dǎo)電柱442填入第二孔洞160之中，并電性連接金屬圖案層140’。第一銀漿層520位于絕緣層240’以及第一納米銀導(dǎo)電柱422之上，并覆蓋絕緣層240’以及第一納米銀導(dǎo)電柱422。而第一銀衆(zhòng)層520的厚度為4-12 μ m。第二銀衆(zhòng)層540位于基板層120’以及第二納米銀導(dǎo)電柱442之上，并覆蓋基板層120’以及第二納米銀導(dǎo)電柱442。而第二銀漿層540的厚度為4-12 μ m。需要說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板I的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0043]承上所述，第一銀漿層520借助于第一納米銀導(dǎo)電柱422電性連接金屬圖案層140’，而第二銀漿層540借助于第二納米銀導(dǎo)電柱442電性連接金屬圖案層140’。也就是說，第一銀漿層520、第二銀漿層540以及金屬圖案層140’彼此電性導(dǎo)通。在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以不具線路圖案，以做為多層線路板I的接地層。然而在其他實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540也可以是線路圖案層。也就是說，多層線路板I具有三層線路圖案，且彼此之間可以通過第一納米銀導(dǎo)電柱422以及第二納米銀導(dǎo)電柱442電性連接。[0044]請再次參閱圖1，第一保護層620位于第一銀漿層520上，并覆蓋第一銀漿層520。而第二保護層640位于第二銀漿層540上，并覆蓋第二銀漿層540，也就是說第二銀漿層540會位于第二保護層640以及基板層120之間。第一保護層620以及第二保護層640的材料可以是聚酯類或聚酰亞胺，其可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，并且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導(dǎo)通。
[0045]以上所述為本發(fā)明實施例一多層線路板I的結(jié)構(gòu)。接下來要介紹此多層線路板I的制造方法。圖1A至圖1G為本發(fā)明實施例一多層線路板I的制造流程剖面示意圖。
[0046]請參閱圖1A，首先提供一線路基板100，線路基板100包括一基板層120以及一金屬層140。金屬層140貼附在基板層120之上。請參閱圖1B，之后依照用戶的需求圖案化金屬層140以形成金屬圖案層140’。圖案化金屬層140的方法包括利用影像轉(zhuǎn)移搭配化學(xué)藥液的方式，在金屬層140上形成線路圖案。請參閱圖1B以及圖1C，接下來，形成一絕緣基板200’于金屬圖案層140’上。絕緣基板200’包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。第一孔洞260會貫穿黏著層220’以及絕緣層240’，并且暴露出位于黏著層220’下方的金屬圖案層140’。
[0047]詳細而言，形成一絕緣基板200’于金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200，此絕緣基板200包括一黏著層220以及一絕緣層240，而絕緣層240貼附于黏著層220之上。之后，可以利用例如是熱壓合的方法將絕緣基板200貼附于金屬圖案層140’之上，而黏著層220貼附于金屬圖案層140’上。黏著層220的厚度為15 μ m，絕緣層240的厚度為12 μ m，也就是說絕緣基板200的厚度為27 μ m。
[0048]另外，基板層120的材質(zhì)可以是聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate, PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester, LCP),或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase, PC)。金屬層140的材質(zhì)包括銅、招或是錫。而黏著層220的材料包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂(Acrylic)。
[0049]如圖1B所示，之后在金屬圖案層140’上欲形成孔洞的位置上，利用激光L對絕緣基板200進行鉆孔，以形成第一孔洞260于絕緣基板200’。如圖1C所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口往金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的孔徑是從絕緣層240’的上表面向黏著層220’的下表面遞減(如圖1C所示)，其最小孔徑為0.1mm,而最大孔徑為0.2_。也就是說，在本實施例中，可以先將絕緣基板200貼附于金屬圖案層140’上，之后根據(jù)金屬圖案層140’欲導(dǎo)通的位置在絕緣基板200上形成一第一孔洞260。利用上述方法形成絕緣基板200’于金屬圖案層140’可以使得第一孔洞260落在比較精準(zhǔn)的位置上。
[0050]請參閱圖1C以及圖1D，之后在金屬圖案層140’上欲鉆孔的位置上，利用激光L對基板層120進行鉆孔，以形成第二孔洞160于基板層120’。第二孔洞160會貫穿基板層120’，并暴露出位于基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口往的金屬圖案層140’遞減(如圖1D所示)。也就是說，第二孔洞160的孔徑是從基板層120’的上表面向基板層120’的下表面遞減。而第二孔洞160的最小孔徑為
0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。[0051]需要說明的是，在本實施例中，形成第一孔洞260以及第二孔洞160之后會進行清孔以及檢查的步驟。清孔的步驟可以去除殘留在第一孔洞260底部的部分絕緣基板200’以及在第二孔洞160底部的部分基板層120’。而清孔的步驟可包括化學(xué)藥液或電漿。而檢查的步驟可以確保第一孔洞260以及第二孔洞160清孔完全。如此可以維持或提升后續(xù)形成的第一納米銀導(dǎo)電柱422以及第二納米銀導(dǎo)電柱442對于金屬圖案層140’電性連接的質(zhì)量。
[0052]請參閱圖1E，接下來，分別形成第一納米銀導(dǎo)電柱422以及第二納米銀導(dǎo)電柱442于第一孔洞260以及第二孔洞160之中。形成第一納米銀導(dǎo)電柱422的方法包括，設(shè)置一第一屏蔽板320于絕緣層240’以及第一孔洞260之上。第一屏蔽板320具有一個第一鏤空處322，且此鏤空處322的面積會大于第一孔洞260的開口面積。也就是說，鏤空處322會暴露出第一孔洞260。需要說明的是，本發(fā)明不限定第一孔洞260的數(shù)量。在其他實施例中，多層線路板I也可以具有多個第一孔洞260，而第一鏤空處322會對應(yīng)第一孔洞260的數(shù)量。
[0053]接著，如圖1E所示，涂布一第一納米銀材料420于第一屏蔽板板320上，使得第一納米銀材料420填滿第一孔洞260。最后，移除屏蔽板320并且固化第一納米銀材料420，以形成第一納米銀導(dǎo)電柱422于第一孔洞260中。固化第一納米銀材料420的方法包括以130-140°C的溫度加熱第一納米銀材料420大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第一納米銀材料420。而此第一納米銀導(dǎo)電柱422的電阻值< 20mΩ/square/mil。
[0054]如圖1E所示，形成第二納米銀導(dǎo)電柱442的方法包括，設(shè)置第二屏蔽板340于基板層120’以及第二孔洞160之上。第二屏蔽板340包括第二鏤空處342，且此第二鏤空處342的面積會大于第二孔洞160的開口面積。也就是說第二鏤空處342會暴露出位于第二屏蔽板340下方的第二孔洞160。之后，涂布一第二納米銀材料440于第二屏蔽板340上(如圖1E所示)，使得第二納米銀材料440填滿第二孔洞160。再來，移除第二屏蔽板340，并且固化第二納米銀材料440以形成第二納米銀導(dǎo)電柱442。固化第二納米銀材料440的方法包括以130-140°C的溫度加熱第二納米銀材料440大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第二納米銀材料440。而此第二納米銀導(dǎo)電柱442的電阻值≤20mΩ/square/miI。在其他實施例中，多層線路板I也可以具有多個第二孔洞160，而第二鏤空處342會對應(yīng)第二孔洞160的數(shù)量。
[0055]需要說明的是，本發(fā)明不限定所述第一孔洞260、第二孔洞160、第一納米銀導(dǎo)電柱422以及第二納米銀導(dǎo)電柱442的數(shù)量，在其他實施例中，使用者可依照實際需求以及走線設(shè)計決定第一孔洞260、第二孔洞160、第一納米銀導(dǎo)電柱422以及第二納米銀導(dǎo)電柱442
的數(shù)量。
[0056]另外，第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深度以及形狀皆會影響第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440填入的難易度以及填充的均勻度。在本實施例中，第一孔洞260的深度即為基板層120’的厚度，也就是12 μ m。而第二孔洞160的深度即為黏著層220’以及絕緣層240’的厚度總合，也就是27 μ m。另外，第一孔洞260的開口是向金屬圖案層140’遞減，其最小孔徑為0.1_，而最大孔徑為0.2mm。第二孔洞160的開口也是向金屬圖案層140’遞減,其最小孔徑為0.1mm,而最大孔徑為0.2mm。
[0057]以上所述第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深度以及形狀會使得第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440可以較輕易的填滿第一孔洞260以及第二孔洞160。然而本發(fā)明不以此為限。
[0058]接下來，請參閱圖1F，形成一第一銀漿層520于絕緣層240’以及第一納米銀導(dǎo)電柱422之上。而第一銀漿層520的厚度為4-12 μ m。形成第一銀漿層520的方法包括利用涂布的方式將第一銀漿材料涂布于絕緣層240’以及第一納米銀導(dǎo)電柱422之上。之后，固化第一銀漿材料，以形成第一銀漿層520。固化第一銀漿材料的方式包括加熱第一銀漿材料或者是利用UV照射第一銀漿材料。另外，第一銀漿層520會電性連接第一納米銀導(dǎo)電柱422以及金屬圖案層140’。
[0059]之后，形成第二銀漿層540于基板層120’以及第二納米銀導(dǎo)電柱442之上。形成第二銀漿層540的方法和形成第一銀漿層520的方法相同，在此不多做贅述。而第二銀漿層540的厚度為4-12 μ m。另外第二銀漿層540會電性連接第二納米銀導(dǎo)電柱442以及金屬圖案層140’。需要說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板I的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的需求。
[0060]在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540為多層線路板I的接地層。然而，在其他實施例中，可以再對第一銀漿層520以及第二銀漿層540進行圖案化的步驟以形成第一線路圖案層以及第二線路圖案層。而多層線路板I為一三層線路板的結(jié)構(gòu)。在此，本發(fā)明不限定第一銀漿層520以及第二銀漿層540的功用。
[0061]另外，第一銀漿層520以及第二銀漿層540的材料可以是一金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料。而第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440的材料是納米金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料，且此納米金屬銀為小于IOOnm的金屬銀，且總固體含量為82±3%。由于第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440為小于IOOnm的金屬銀，因此第一納米銀材料420以及第二納米銀材料440可以較輕易的填入第一孔洞260以及第二孔洞160。
[0062]值得說明的是，由于第一納米銀導(dǎo)電柱422與第一銀漿層520以及第二納米銀導(dǎo)電柱442與第二銀漿層540的主成分皆為銀，因此當(dāng)形成第一銀漿層520于第一納米銀導(dǎo)電柱422以及形成第二銀漿層540于第二納米銀導(dǎo)電柱442時，較不會因為材料的差異而產(chǎn)生電性連接或者是爆板等問題。
[0063]另外，在本實施例中，是先形成絕緣基板200’于線路基板100上，再利用激光切割形成第一孔洞260于絕緣基板200’上。這樣的作法可以使得第一孔洞260落在比較精準(zhǔn)的位置上。因此所形成的第一納米銀導(dǎo)電柱422會較準(zhǔn)確的落在金屬圖案層140’上欲電性導(dǎo)通的位置上。特別是針對金屬圖案層140’之線路分布較密集的情況下，這樣的做法可以更準(zhǔn)確的電性連接金屬圖案層140’以及第一銀漿層520。
[0064]請參閱圖1G，接下來，形成第一保護層620于第一銀漿層520之上，并形成第二保護層640于第二銀漿層540之上，也就是說第二銀漿層540會位于第二保護層640以及基板120之間。第一保護層620以及第二保護層640的材料可以是聚酯類樹脂或聚酰亞胺，其介電系數(shù)為3.5，而絕緣阻抗為1011 Ω。此外，第一保護層620以及第二保護層640可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，并且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導(dǎo)通。[0065]實施例二
[0066]圖2A至2B為本發(fā)明實施例二多層線路板的制造流程剖面示意圖。請參閱圖2A，和前一實施例不同的是，本實施例形成絕緣基板200”于金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200”。此絕緣基板200”包括黏著層220”以及絕緣層240”，而絕緣層240”貼附于黏著層220”之上。之后，根據(jù)金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置，利用激光L在絕緣基板200”上形成一第一孔洞260’。此第一孔洞260’會貫穿絕緣基板200”，并暴露出金屬圖案層140’。
[0067]將絕緣基板200”貼附于金屬圖案層140’上，使得第一孔洞260’對應(yīng)到金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置。而絕緣基板200”貼附的方式可以是利用熱壓合的方式。之后，利用激光L對于基板層120-’進行鉆孔，以形成第二孔洞160于基板層120’。而多層線路板的其他步驟以及結(jié)構(gòu)大致上和實施例一相同，在此不多做贅述。值得說明的是，在本實施例中，是先形成第一孔洞260’于絕緣基板200”上，再將絕緣基板200”貼附于線路基板
100上。
[0068]綜上所述，本發(fā)明提供了一種多層線路板以及其制造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一納米銀導(dǎo)電柱、一第二納米銀導(dǎo)電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層、金屬圖案層以及第二銀漿層之間會通過第一納米銀導(dǎo)電柱以及第二納米銀導(dǎo)電柱電性連接。而第一銀漿層以及第二銀漿層可以取代單層板以及雙層板，以形成多層線路板的結(jié)構(gòu)。如此可降低多層板的層數(shù)，進而減少多層板的厚度，以達到產(chǎn)品薄型化的目的。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，其并非用來限定本發(fā)明的保護范圍。任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的修改及修飾的等效替換，仍為本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多層線路板，其特征在于，該多層線路板，包括: 一線路基板，包括: 一基板層； 一金屬圖案層，貼附于該基板層上； 一絕緣基板，位于該金屬圖案層上，其具有: 一黏著層，貼附于該金屬圖案層上； 一絕緣層，貼附于該黏著層上； 至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，并暴露出該金屬圖案層，該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 至少一第二孔洞位于該基板層，該第二孔洞暴露出金屬圖案層，該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 至少一第一納米銀導(dǎo)電柱，填入該第一孔洞，并電性連接該金屬圖案層； 至少一第二納米銀導(dǎo)電柱，填入該第二孔洞并電性連接該金屬圖案層； 一第一銀漿層，覆蓋該絕緣層以及該第一納米銀導(dǎo)電柱，并借助于該第一納米銀導(dǎo)電柱電性連接該金屬圖案層； 一第二銀漿層，覆蓋該基板層以及該第二納米銀導(dǎo)電柱，并且借助于該第二納米銀導(dǎo)電柱電性連接該金屬圖案層； 一第一保護層覆蓋該第一銀漿層；以及 一第二保護層覆蓋該第二銀漿層。
2.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第一孔洞的最小孔徑為0.1mm，最大孔徑為0.2mm。
3.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第二孔洞的最小孔徑為0.1mm，最大孔徑為0.2mm。
4.如權(quán)利要求1述的多層線路板，其特征在于，該第一銀漿層的厚度為4-12μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第二銀漿層的厚度為4-12μ m。
6.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該基板層的厚度為12μ m。
7.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該絕緣基板的厚度為27μ m，該黏著層的厚度為15 μ m，該絕緣層的厚度為12 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的多層線路板，其特征在于，該第一銀漿層為第一線路圖案層，而該第二銀漿層為第二線路圖案層。
9.一種多層線路板的制造方法，其特征在于，該多層線路板的制造方法包括: 提供一線路基板，該線路基板包括一基板層以及一貼附于該基板層的金屬層； 圖案化該金屬層以形成一金屬圖案層； 形成一絕緣基板于該金屬圖案層上，該絕緣基板包括: 一黏著層，貼附于金屬圖案層上； 一絕緣層，貼附于該黏著層上； 至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，并暴露出該金屬圖案層，該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 形成至少一第二孔洞于該基板層，該第二孔洞暴露出該金屬圖案層，該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減； 形成一第一納米銀導(dǎo)電柱于該第一孔洞之中； 形成一第二納米銀導(dǎo)電柱于該第二孔洞之中； 形成一第一銀漿層于該絕緣層上，該第一銀漿層電性連接該第一納米銀導(dǎo)電柱以及該金屬圖案層； 形成一第二銀漿層于該基板層上，該第二銀漿層電性連接該第二納米銀導(dǎo)電柱以及該金屬圖案層； 形成一第一保護層于該第一銀衆(zhòng)層上；以及 形成一第二保護層于該第二銀漿層上。
10.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第一納米銀導(dǎo)電柱于該第一孔洞之中的方法包括: 設(shè)置一第一屏蔽板于該絕緣層上，該第一屏蔽板具有至少一第一鏤空處，該第一鏤空處暴露出該第一孔洞，且該第一鏤空處的面積大于該第一孔洞的開口面積； 涂布一第一納米銀材料于該第一屏蔽板上，該第一納米銀材料會填滿該第一孔洞；以及 固化該第一納米銀材料。
11.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第二納米銀導(dǎo)電柱于該第二孔洞之中的方法包括: 設(shè)置一第二屏蔽板于該基板層上，該第二屏蔽板具有至少一第二鏤空處，該第二鏤空處暴露出該第二孔洞，且該些第二鏤空處的面積大于該第二孔洞的開口面積； 涂布一第二納米銀材料于該第二屏蔽板上，該第二納米銀材料會填滿該第二孔洞；以及 固化該第二納米銀材料。
12.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第一銀漿層于該絕緣層上的方法還包括: 圖案化該第一銀漿層。
13.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成該第二銀漿層于該基板層上的方法還包括: 圖案化該第二銀漿層。
14.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成一絕緣基板于金屬圖案層上的方法包括: 提供一絕緣基板，該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，該絕緣層貼附于該黏著層上； 將該絕緣基板貼附于該金屬圖案層上，該黏著層貼附于該金屬圖案層上；以及 形成該第一孔洞于該絕緣基板，該第一孔洞會貫穿該絕緣基板。
15.如權(quán)利要求9所述的多層線路板的制造方法，其特征在于，形成一絕緣基板于金屬圖案層的方法包括: 提供一絕緣基板，該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，該絕緣層貼附于該黏著層上；形成該第一孔洞于該絕緣基板，該第一孔洞會貫穿該絕緣基板；以及將該絕緣基板貼 附于該金屬圖案層上，該黏著層貼附于該金屬圖案層上。
【文檔編號】H05K3/46GK103974521SQ201310053051
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】蕭世楷, 蕭鈞鴻, 徐銓良, 施中山 申請人:嘉聯(lián)益科技股份有限公司