專利名稱：Euv輻射源以及euv輻射產(chǎn)生方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及EUV輻射源和EUV輻射產(chǎn)生方法。EUV輻射源可以形成光刻設(shè)備的一部分。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或更多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示
權(quán)利要求
1.一種EUV輻射源，包括配置成將燃料的液滴傳輸至等離子體產(chǎn)生位置的燃料供給裝置；配置成提供第一激光束輻射的第一激光束源，該第一激光束輻射在等離子體產(chǎn)生位置入射到燃料液滴上并由此蒸發(fā)燃料液滴以產(chǎn)生用于發(fā)射EUV輻射的等離子體；以及配置成隨后在等離子體產(chǎn)生位置處提供第二激光束輻射的第二激光束源，第二激光束輻射配置成蒸發(fā)由燃料液滴的不完全蒸發(fā)引起的碎片顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的EUV輻射源，其中第一激光束源配置成提供作為脈沖束的第一激光束輻射，第二激光束源配置成提供作為脈沖束的第二激光束輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EUV輻射源，其中所述第一激光束源和第二激光束源被進(jìn)一步配置成使得第二激光束輻射的輻射脈沖的起點(diǎn)在第一激光束輻射的輻射脈沖的起點(diǎn)之后100納秒或更長時(shí)間入射到等離子體產(chǎn)生位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的EUV輻射源，其中第二激光束源配置成使得在由燃料液滴的蒸發(fā)形成的等離子體已經(jīng)衰退之后，第二激光束輻射的輻射脈沖入射到等離子體產(chǎn)生位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，其中第一激光束源和第二激光束源配置成使得第二激光束輻射的輻射脈沖在第一激光束輻射的后續(xù)的輻射脈沖入射到等離子體產(chǎn)生位置處之前已經(jīng)結(jié)束。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，其中所述第二激光束源配置成提供作為一串輻射脈沖的第二激光束輻射。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的EUV輻射源，其中第一激光束源和第二激光束源被進(jìn)一步配置成使得第二激光束輻射的所述串輻射脈沖在第一激光束輻射的后續(xù)的輻射脈沖入射到等離子體產(chǎn)生位置處之前已經(jīng)結(jié)束。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的EUV輻射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束輻射的輻射脈沖的持續(xù)時(shí)間是所述串輻射脈沖的持續(xù)時(shí)間的十分之一或更小。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束輻射在等離子體產(chǎn)生位置處的直徑為O. 4mm或更大。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束輻射在等離子體產(chǎn)生位置處的直徑為6mm或更小。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，其中第二激光束源配置成使得第二激光束輻射相對于EUV輻射源的光軸所成的角度為30度或更小。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源，還包括配置成反射第二激光束輻射的反射鏡，使得第二激光束輻射經(jīng)過等離子體產(chǎn)生位置兩次或更多次。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的EUV輻射源，還包括配置成反射第二激光束輻射的額外的反射鏡，使得它穿過等離子體產(chǎn)生位置三次或更多次。
14.一種光刻設(shè)備,包括 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的EUV輻射源； 照射系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)由EUV輻射源產(chǎn)生的EUV輻射束； 支撐結(jié)構(gòu)，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在EUV輻射束的橫截面中將圖案賦予EUV輻射束以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，構(gòu)造成保持襯底；和投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的EUV輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
15.一種產(chǎn)生EUV輻射的方法，包括步驟 將燃料液滴傳輸至等離子體產(chǎn)生位置； 通過將第一激光束輻射引導(dǎo)到等離子體產(chǎn)生位置來蒸發(fā)燃料液滴，用于產(chǎn)生用于發(fā)射EUV輻射的等離子體，之后隨后通過將第二激光束輻射引導(dǎo)到等離子體產(chǎn)生位置來蒸發(fā)由燃料液滴的不完全蒸發(fā)所產(chǎn)生的碎片顆粒。
全文摘要
一種EUV輻射源包括配置成將燃料液滴傳輸至等離子體產(chǎn)生位置(201)的燃料供給裝置(200)；配置成提供第一激光束輻射(205)的第一激光束源，該第一激光束輻射在等離子體產(chǎn)生位置入射到燃料液滴上并由此蒸發(fā)燃料液滴；以及配置成隨后在等離子體產(chǎn)生位置處提供第二激光束輻射(205)的第二激光束源，第二激光束輻射配置成蒸發(fā)由燃料液滴的不完全蒸發(fā)產(chǎn)生的碎片顆粒(252)。
文檔編號H05G2/00GK102823330SQ201180015510
公開日2012年12月12日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者A·亞庫寧, V·班尼恩, V·伊萬諾夫, K·科舍廖夫, V·克里夫特蘇恩, D·克拉什科夫 申請人:Asml荷蘭有限公司