專利名稱：一種輝光啟輝器老煉裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及到熒光燈啟輝器領(lǐng)域，尤其是涉及到一種輝光啟輝器老煉裝置。
背景技術(shù)：
啟輝器用在熒光燈電路中，起一個自動開關(guān)的作用。一般，啟輝器都需配置消氣裝置。目前，多采用電感式鎮(zhèn)流器進行消氣。電感式鎮(zhèn)流器消氣裝置通過交流電的變化以及鎮(zhèn)流器電感產(chǎn)生的電壓對啟輝器進行消氣，因為電壓較低，而且不易控制，在電流過大時無法及時斷開。導(dǎo)致消氣時間長，耗能高，不適合大規(guī)模流水化生產(chǎn)。電感式鎮(zhèn)流器消氣裝置消氣一般需要至少30分鐘，用電量大，速度慢、成本高。

實用新型內(nèi)容本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種輝光啟輝器老煉裝置。本實用新型所采用的技術(shù)方案是，輝光啟輝器老煉裝置采用單片機設(shè)計方法，包括系統(tǒng)供電電路、MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路，所述系統(tǒng)供電電路和 MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路之間分別連接，MCU智能控制芯片和電流控制電路、開關(guān)控制電路之間連接，用于和電流控制電路、開關(guān)控制電路之間傳輸和接收信號。所述的系統(tǒng)供電電路通過電容實現(xiàn)倍壓整流，并在老煉前對啟輝器進行檢測，確定老煉方法，從而提高啟輝器老煉時的電壓，縮短老煉時間，降低了能耗，提高了效率。所述的MCU智能控制芯片對所要老煉的啟輝器檢測，并根據(jù)檢測得到的結(jié)果，對電路中的橋、以及電流進行控制，并對內(nèi)部各電路實現(xiàn)監(jiān)控。所述的電流控制電路通過運算比較器，比較采樣電阻的電壓，將信號反饋至MCU 智能控制芯片，在電流過大時，使橋電路關(guān)閉，避免電流過大造成的危害，增加了系統(tǒng)安全性和穩(wěn)定性。所述的開關(guān)控制電路通過全橋電路的方式得到高壓正負脈沖。所述全橋電路由四個MOS管以及控制電路組成，分別由兩個MOS管組成兩組控制部分，通過智能芯片對兩組的MOS管通斷進行控制，實現(xiàn)正向和反向脈沖電壓。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實用新型提供了一種輝光啟輝器老煉裝置，該技術(shù)可以替代電感式鎮(zhèn)流器消氣，可以使啟輝器消氣的時間控制在6-10分鐘，縮短時間的同時也大大降低了用電量，有提高生產(chǎn)效率，降低能耗，提高穩(wěn)定性，適應(yīng)流水化生產(chǎn)等優(yōu)點。避免了電感式鎮(zhèn)流器消氣裝置有效率低，功耗高，時間長的缺點。

圖1為輝光啟輝器老煉裝置原理圖。圖2為輝光啟輝器老煉裝置系統(tǒng)供電電路圖。圖3為輝光啟輝器老煉裝置開關(guān)控制電路圖。[0014]圖4為輝光啟輝器老煉裝置電流控制電路圖。圖5為輝光啟輝器老煉裝置控制程序流程圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。圖1為輝光啟輝器老煉裝置原理圖，包括系統(tǒng)供電電路、MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路。圖2為輝光啟輝器老煉裝置供電電路圖。變壓器將電壓降至15V， 后全橋整流將交流電轉(zhuǎn)為直流，再濾波電容使波形變得平整。使用L7812輸出電壓驅(qū)動橋電路。后使用78L05輸出電壓驅(qū)動智能芯片和運算比較器。圖3為輝光啟輝器老煉裝置開關(guān)控制電路圖。開關(guān)控制電路采用了雙向脈沖橋電路，把Q12、Q21分為一組，Q25、Q11分為另一組，當電壓為正向時，Q12和Q21導(dǎo)通，其他截止。當電壓為反向時，Q25和Qll導(dǎo)通，其他截止。此電路中通過智能芯片控制三極管基極電壓，改變MOS管控制極電壓，實現(xiàn)橋電路通斷以及方向。圖4為輝光啟輝器老煉裝置電流控制電路圖。當采樣電阻上電流過大時， 運算比較器上負極電壓會大于正極電壓，使運算比較器輸出低電平信號，使橋電路斷開。圖 5為輝光啟輝器老煉裝置控制程序流程圖。按照該流程圖的控制，能對電路元件通斷進行控制，實現(xiàn)正反雙向脈沖。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.一種輝光啟輝器老煉裝置，其特征在于所述的輝光啟輝器老煉裝置采用單片機設(shè)計，包括系統(tǒng)供電電路、MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路，所述系統(tǒng)供電電路和MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路之間分別連接，MCU智能控制芯片和電流控制電路、開關(guān)控制電路之間連接，用于和電流控制電路、開關(guān)控制電路之間傳輸和接收信號；在所述的開關(guān)控制電路通過全橋電路的方式得到高壓正負脈沖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述輝光啟輝器老煉裝置，其特征在于所述全橋電路由四個MOS 管以及控制電路組成，分別由兩個MOS管組成兩組控制部分，通過智能芯片對兩組的MOS管通斷進行控制，實現(xiàn)正向和反向脈沖電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述輝光啟輝器老煉裝置，其特征在于所述正負脈沖電壓的寬度和周期通過MCU智能控制芯片進行控制。
專利摘要一種輝光啟輝器老煉裝置，采用單片機設(shè)計，包括系統(tǒng)供電電路、MCU智能控制芯片、電流控制電路、開關(guān)控制電路。MCU智能控制芯片對電路中的橋、以及電流進行控制，并對內(nèi)部各電路實現(xiàn)監(jiān)控。電流控制電路通過運算比較器，通過比較采樣電阻的電壓，將信號反饋至MCU智能控制芯片，在電流過大時，使橋電路關(guān)閉，避免電流過大造成的危害，增加了系統(tǒng)安全性和穩(wěn)定性。開關(guān)控制電路通過全橋電路的方式得到高壓正負脈沖，且正負脈沖的寬度和周期通過MCU智能控制芯片進行控制。該技術(shù)可以替代電感式鎮(zhèn)流器消氣，可以使啟輝器消氣的時間控制在6-10分鐘，縮短時間的同時也大大降低了用電量，有提高生產(chǎn)效率，降低能耗，提高穩(wěn)定性，適應(yīng)流水化生產(chǎn)等優(yōu)點。避免了電感式鎮(zhèn)流器消氣裝置有效率低，功耗高，時間長的缺點。
文檔編號H05B41/36GK202172523SQ20112025392
公開日2012年3月21日 申請日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者方利國 申請人:黃山市高立亞照明電器有限責(zé)任公司