專利名稱：具有經(jīng)擠出的耐火材料的帶狀晶體線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及線帶狀晶體(string ribbond crystal)，更具體地，本發(fā)明還 涉及用于形成線帶狀晶體的線。
背景技術(shù)：
諸如在美國專利4， 689， 109(1987年公布，Emanuel M. Sachs為單獨(dú)發(fā)明人)中討
論的線帶狀晶體可以形成各種電子器件的基礎(chǔ)。例如，常青太陽能公司(Evergreen Solar，
Inc.)(莫爾伯勒市，馬薩諸塞州)由常規(guī)的線帶狀晶體形成太陽能電池。 如所述專利中更詳細(xì)討論的，通過使兩個或更多個線穿過熔融硅來形成線帶狀晶
體。該線的組成和性質(zhì)對最終形成的線帶狀晶體的效率產(chǎn)生顯著影響，并且在某些情況下，
對最終形成的線帶狀晶體的成本產(chǎn)生顯著影響。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方案，一種制造用于線帶狀晶體的線的方法包括提供具 有外表面的襯底；將耐火材料擠出到襯底上。耐火材料基本上覆蓋襯底的外表面。然后，該 方法還包括固化耐火材料。 例如，襯底可以由碳絲(filament)或絲束(tow)形成，而經(jīng)擠出的耐火材料可以 包括碳化硅。所述方法還可以在耐火材料的徑向外部形成外部減少潤濕層。在一些實(shí)施方 案中，襯底和耐火材料形成大致伸長的橫截面形狀和/或大致同心。 在本發(fā)明的其他實(shí)施方案中，用于形成帶狀晶體的線具有襯底和經(jīng)擠出的耐火材 料層，所述耐火材料層基本上覆蓋襯底。


參照以下總結(jié)的附圖并根據(jù)所討論的"具體實(shí)施方式
"，本領(lǐng)域技術(shù)人員會更充分地理解本發(fā)明各種實(shí)施方案的優(yōu)點(diǎn)。 圖1示意性示出可以由根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案構(gòu)造的線形成的線帶狀晶體。
圖2示意性示出用于形成線帶狀晶體的示例性爐。 圖3示意性示出具有現(xiàn)有技術(shù)線的現(xiàn)有技術(shù)帶狀晶體中的一部分的橫截面圖。
圖4A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案形成的線。 圖4B示意性示出根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方案沿著圖4A中線的虛線B-B的8個橫 截面圖。 圖5示出使用根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案構(gòu)造的線形成線帶狀晶體的示例性工 藝。 圖6A、圖6B和圖6C示意性示出使用根據(jù)具有伸長橫截面的線的實(shí)施方案的帶狀 晶體的橫截面圖。 圖7A和圖7B示意性示出具有用于執(zhí)行單線功能的多個線的帶狀晶體的橫截面 圖。 圖8A和圖8B示意性示出具有橫截面形狀為大致凹形的帶狀晶體。
具體實(shí)施例方式
示例性實(shí)施方案在芯/襯底上方擠出耐火材料，以形成用于生長帶狀晶體的線。 這個過程有利地避免使用需要有害化學(xué)品的復(fù)雜的現(xiàn)有技術(shù)工藝(例如，CVD工藝)。以下 討論各種實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。 圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案構(gòu)造的線帶狀晶體10。采用與其他帶 狀晶體相類似的方式，該帶狀晶體10具有大致矩形形狀并且其前表面和后表面具有相對 大的表面積。例如，帶狀晶體10可以具有約3英寸的寬度，并且其長度為約6英寸。如本 領(lǐng)域技術(shù)人員所知道的，長度可以發(fā)生顯著變化。例如，在一些已知的工藝中，長度取決于 當(dāng)帶狀晶體10生長時爐操作者對于切割帶狀晶體10的判斷力。另外，可以根據(jù)其形成帶 狀晶體寬度邊界的兩個線12(參見圖12)的分離來變化寬度。因此，對于特定長度和寬度 的討論是示例性的，并不意圖限制本發(fā)明的各種實(shí)施方案。 帶狀晶體10的厚度可以發(fā)生變化，并且相對于其長度和寬度尺寸是非常小的。例 如，線帶狀晶體10在其寬度上可以具有的厚度的范圍從約60微米至約320微米。盡管厚 度存在這種變化，線帶狀晶體10也可以被視為在其長度和/或?qū)挾壬暇哂衅骄暮穸取?
帶狀晶體10可以由各種材料(通常被統(tǒng)稱為"帶狀材料"或"晶體材料")中的任 意一種形成，這取決于其應(yīng)用方式。例如，當(dāng)生長帶狀晶體10以供光電應(yīng)用時，帶狀晶體IO 可以由諸如硅的單一元素或諸如硅基材料(例如，硅鍺)的化合物形成。其他示例性的帶 狀晶體可以包括砷化鎵或磷化銦。帶狀晶體可以是各種晶體類型中的任意一種，例如多晶 (multi-crystalline)、單晶、聚晶(polycrystalline)、微晶或半晶。 如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的，帶狀晶體10由通常被帶狀材料嵌入/包封的一對線12 形成。簡化起見，所討論的帶狀晶體10由聚晶硅帶狀材料形成。但是，應(yīng)該重申的是，對于 聚晶硅的討論不意圖限制所有的實(shí)施方案。 示例性實(shí)施方案在諸如圖2所示的帶狀晶體生長爐14中生長帶狀晶體10。更具 體而言，圖2示意性示出可以用于形成根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的線帶狀晶體10的硅帶狀晶體生長爐14。其中，爐14具有殼體16，殼體16形成基本上沒有氧氣(以防止燃燒)的密封內(nèi)部空間。該內(nèi)部具有某些濃度的諸如氬的其他氣體或這些氣體的組合，以替代氧氣。其中，殼體內(nèi)部還包含坩鍋18和其他組件，用于基本上同時生長4個硅帶狀晶體10。殼體16中的進(jìn)料入口 20提供了一種用于將硅給料導(dǎo)向到內(nèi)部坩鍋18的裝置，而可選的窗口 22使得能夠?qū)?nèi)部組件進(jìn)行檢查。 如圖所示，坩鍋18被殼體16內(nèi)的內(nèi)部平臺支撐，并且具有基本上平坦的頂表面。坩鍋18的該實(shí)施方案具有伸長的形狀，并且具有用于沿著其長度生長并排布置的硅帶狀晶體10的區(qū)域。在示例性實(shí)施方案中，坩鍋18由石墨形成，并且對于使硅保持在其熔點(diǎn)之上的溫度來說是耐熱的。為了改進(jìn)結(jié)果，坩鍋18具有的長度遠(yuǎn)大于其寬度。例如，坩鍋18的長度可以是其寬度的3倍或更多倍。當(dāng)然，在一些實(shí)施方案中，坩鍋18沒有以這種方式伸長。例如，坩鍋18可以具有稍微方形的形狀或者非矩形的形狀。 如圖2中所示并且在以下更詳細(xì)討論的，爐14具有用于容納線12的多個孔24(以虛擬方式示出)。具體而言，圖2中的爐14具有用于容納四對線12的8個線孔24。每對線12穿過坩鍋18中的熔融硅，以形成單帶狀晶體10。 許多傳統(tǒng)的帶狀晶體生長工藝形成在線附近具有薄頸部的帶狀晶體。更具體而言，圖3示意性示出具有現(xiàn)有技術(shù)線12P的現(xiàn)有技術(shù)帶狀晶體10P中的一部分的橫截面圖?，F(xiàn)有技術(shù)的帶狀晶體10P在帶狀晶體10的線12P和較寬部38之間具有薄頸部36。如果頸部36太薄，則帶狀晶體10P會非常脆并且更容易破裂，從而導(dǎo)致收率損失。例如，如果線12p和形成帶狀晶體10P的帶狀材料(例如，聚晶硅)之間的熱膨脹系數(shù)的差足夠大，則帶狀晶體10P會更容易在頸部36發(fā)生破裂。 為了增大頸部厚度，本領(lǐng)域技術(shù)人員向帶狀生長工藝添加了設(shè)備。例如， 一種這樣的方案是將氣體噴射器(未示出)添加到爐14中。這些氣體噴射器將相對冷的氣體流導(dǎo)向頸部36，從而降低了那個區(qū)域的溫度，以增大頸部厚度。其他方案涉及添加專用的半月板成形器(meniscus shaper)。 與使用這種附加的外部措施不同的是，本發(fā)明的示例性實(shí)施方案以指定方式設(shè)計線12的橫截面尺寸。然后，線12以使生長帶狀晶體10的頸部36的尺寸增大的方式定位在晶體生長爐14內(nèi)。例如，平均厚度為約190微米的所得到的帶狀晶體10可以具有最小厚度為約60微米的頸部36，這會滿足某些應(yīng)用的需要。這種創(chuàng)新因此減少了收率損失，從而降低了生產(chǎn)成本。 圖4A示意性示出可以根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案形成的線12。雖然該附圖看上去示出了大致凸形或圓形的橫截面，但是該附圖應(yīng)該被視為只是示意性的而不是代表任何特定的橫截面形狀。為此，圖4B示意性示出根據(jù)本發(fā)明的多個不同實(shí)施方案沿著圖4A中線12的橫截面線B-B的8個可能的橫截面圖。例如，這些形狀中的一些形狀被大致伸長，例如，線1的不規(guī)則形狀、線2的矩形形狀和線3的稍微橢圓形狀。 無論它們是否伸長，各種線12都可以被分類為大致凹形或大致凸形。如本文所使用的，橫截面形狀當(dāng)其周邊形成至少一個不可忽略的凹度時大致為凹形。因此，線l被視為大致凹形，盡管其存在其他的凸形部。相反地，橫截面形狀當(dāng)其周邊沒有形成不可忽略的凹度時被視為大致凸形。因此，圖4中的線2和線3大致為凸形。 圖4B示出大致為凹形的多個其他橫截面線形狀。事實(shí)上，一些可以被視為伸長的和凹形的。例如，線4大致為"C"形、凹形和伸長的，而線5大致為十字形、凹形的但不是伸長的。線5的形狀(十字形)不是伸長的，這是因?yàn)槠浯笾率菍ΨQ的，即十字的水平部和垂直部大約是相同的尺寸。根據(jù)線8的實(shí)際尺寸，線8(大致為"T"形)會或者不會被視為伸長的。例如，如果"T"形中向下延伸的部分比其水平部分長，則線8可以被視為伸長的。在任一情況下，線8被視為大致是凹形。 —些實(shí)施方案使用多個線12來形成帶狀晶體10的一個邊緣。線6和線7示出兩個這種實(shí)施方案。具體而言，線6示出一個實(shí)施方案，其中，在最終的帶狀晶體10中各個線12彼此接觸，而線7示出另一實(shí)施方案，其中，在最終的帶狀晶體10中各個線12彼此分隔。應(yīng)該注意的是，使用多個線12的實(shí)施方案可以使用不止兩個線12。另外，該多個線的實(shí)施方案中的各個線12可以具有相同或不同的橫截面形狀(例如，第一橢圓形線12和其他的十字形或圓形線12)。 圖4B中的具體形狀只是多種不同橫截面線形狀的示例。例如，一些實(shí)施方案使用具有大致圓形的橫截面形狀的線。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，其他的線形狀也落入各種實(shí)施方案的范圍內(nèi)。 圖5示出形成具有根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案構(gòu)造的線12的線帶狀晶體10的示例性工藝。為了簡化起見，只參照圖4B中的線2來討論該工藝，這是因?yàn)榫€2是該附圖中清楚示出該工藝中所討論的各種線層的僅有的線12。但是，應(yīng)該注意的是，所討論的原理適用于具有其他橫截面形狀的線12或由其他工藝形成的其他線。 工藝開始于步驟500，即形成芯/襯底28，該芯/襯底28用作接納耐火材料層的襯底。如在代理人案巻號為3253/172、名稱為"REDUCEDWETTING STRING FOR RIBBONCRYSTAL"(用于帶狀晶體的減少潤濕線)、共同待決的美國專利申請(以上通過引用結(jié)合于此)更詳細(xì)討論的，可以通過傳統(tǒng)的擠出工藝由碳來形成芯28。然而，在其他實(shí)施方案中，芯28可以是線材(wire)、絲或纏繞在一起作為絲束的多個小導(dǎo)電纖維。例如，后制造工藝可以通過諸如氧化、碳化或滲透的已知制造工藝來形成單絲。 芯28可以具有所需的橫截面形狀。例如，如圖4B中所示，線2的芯28大致為矩
形?？商孢x地，芯28可以具有不同的橫截面形狀，而耐火材料應(yīng)用設(shè)備可以專門構(gòu)造用于
形成所期望的橫截面形狀。例如，擠出設(shè)備可以專門構(gòu)造用于由具有預(yù)定橫截面形狀的芯
材料形成橫截面形狀，所述預(yù)定橫截面形狀與最終的橫截面線形狀相同或不同。 在形成芯28之后，工藝形成用作上述耐火材料層30的第一涂層/層(步驟502)。
其中，第一涂層30可以包括碳化硅、鎢或者碳化硅和鎢的組合。傳統(tǒng)思維是使得該外表面
30應(yīng)該非常光滑，以使當(dāng)其在爐24內(nèi)接觸熔融硅材料時會出現(xiàn)的成核現(xiàn)象最小化。期望的
是，較少的成核現(xiàn)象應(yīng)該產(chǎn)生較少的晶粒，并因此產(chǎn)生較少的晶粒邊界。結(jié)果，與具有更多
晶粒和更多晶粒邊界的線12相比，這種線12應(yīng)該是更加電學(xué)有效的。 為此，本發(fā)明人已知的一個通用的現(xiàn)有技術(shù)工藝使用化學(xué)氣相沉積(即，CVD)來
形成耐火材料層30。因此，這種現(xiàn)有技術(shù)的線應(yīng)該具有更光滑的外表面，并因此產(chǎn)生較少的
晶粒和晶粒邊界。然而，不理想的是，這類工藝是復(fù)雜的并且使用有害的化學(xué)品。 示例性實(shí)施方案解決了這些問題。具體而言，為了避免CVD工藝(或其他類似的
工藝)中使用這類復(fù)雜的機(jī)械和有害化學(xué)品，示例性實(shí)施方案直接將耐火材料擠出到芯/
襯底28上，由此覆蓋芯28的基本上整個外(外圍)表面。然而，這與現(xiàn)有技術(shù)的教導(dǎo)是相反的，這是因?yàn)轭A(yù)料到的是產(chǎn)生比較不光滑的表面。但是，本發(fā)明人預(yù)期，這種線可以產(chǎn)生令人滿意的結(jié)果，即成本節(jié)省得更多并且安全風(fēng)險更小。 其中，經(jīng)擠出的耐火材料層30的形成還會涉及拉擠成型(pulltrusion)工藝，具有聚合物組分的耐火材料的旋壓，隨后被烘焙。結(jié)合擠出/拉擠成型的工藝可以使用碳、硅、碳化硅、氮化硅、鋁、多鋁紅柱石、二氧化硅、BN顆?；蛘呋旌嫌芯酆衔镎澈衔锏睦w維中的至少一種組分。這還會涉及具有碳化硅、碳、硅中的至少一種的芯28和具有氧化物、多鋁紅柱石、碳和/或碳化硅中的至少一種的鞘的雙組分?jǐn)D出。因此，如上所述，芯28有效地用作支撐耐火材料層30的襯底。例如，耐火材料層30可以(或可以不)與芯28大致同心。在耐火材料層30被擠出到芯28上之后，使得耐火材料層30能夠硬化/固化充足的時間量。
如以下所討論的，一些實(shí)施方案在耐火材料層30的徑向外部形成一個或多個層。這類層可以比較光滑，或者其粗糙度與該層30的粗糙度相類似。 該步驟因此形成被視為基礎(chǔ)線部26的部分。在該工藝中的此時，基礎(chǔ)線部26具有組合的熱膨脹系數(shù)，該熱膨脹系數(shù)通常優(yōu)選地匹配帶狀材料的熱膨脹系數(shù)。具體而言，線12的熱膨脹特性應(yīng)該足以匹配帶狀材料，使得在界面處沒有出現(xiàn)過多的應(yīng)力。在合理的隨后帶狀晶體操縱和處理步驟中，如果線12表現(xiàn)出與帶狀晶體的分離，或者如果線12表現(xiàn)出從帶狀晶體邊緣向外或向內(nèi)巻曲的趨勢，則應(yīng)力被視為過多。然而，在其他實(shí)施方案中，基礎(chǔ)線部26的熱膨脹系數(shù)通常與帶狀材料的熱膨脹系數(shù)不匹配。 如上所述，根據(jù)應(yīng)用，本發(fā)明的一些實(shí)施方案可以具有一個或多個附加層。例如，如在上述并入的代理人案巻號為3235/172的專利申請中更詳細(xì)討論的，線12可以具有非潤濕/降低潤濕的層32，以增大帶狀材料的晶粒尺寸。在該情況下，工藝進(jìn)行到步驟504，該步驟504在基礎(chǔ)線部26上形成暴露的非潤濕/降低潤濕的層32。在對于熱膨脹系數(shù)差敏感的應(yīng)用中，該層32優(yōu)選地非常薄，使得它對整體線的熱膨脹系數(shù)的影響可以忽略不計。例如，降低潤濕的層32應(yīng)該比耐火材料層30的厚度薄得多。 在使用該非潤濕層32的實(shí)施方案中，應(yīng)該仔細(xì)控制其外表面與帶狀材料的接觸
角，以造成熔融的帶狀材料與之附著-一否則，該工藝不能夠形成帶狀晶體io。在使用熔融
聚晶硅的應(yīng)用中，例如，預(yù)料到的是，在約15度至120度之間的與硅的接觸角應(yīng)該產(chǎn)生令人滿意的結(jié)果。這類大于25度的角度可以產(chǎn)生更好的結(jié)果。 在其他方式之中，可以通過CVD工藝、浸涂或其他方法來形成非潤濕層32。例如，可以采用CVD涂覆的方法，通過在沉積腔室內(nèi)涂布電接觸同時通過腔室進(jìn)料來涂布基礎(chǔ)線部26—一由此基礎(chǔ)線部26自身受熱。可替選地，可以通過腔室感應(yīng)加熱來加熱基礎(chǔ)線部26。 用于實(shí)現(xiàn)該步驟的現(xiàn)有技術(shù)包括 在CVD爐的端部或在重繞期間，溶膠凝膠浸蘸，用于二氧化硅或氧化鋁或碳氧化
娃， 通過從外部加熱石英并且感應(yīng)加熱基礎(chǔ)線部26來沉積CVD非潤濕涂層， 用隨后將會被燒掉的聚合物粘合物來進(jìn)行噴涂沉積， 將顆粒搖動到基礎(chǔ)線部26或絲束上，然后將其烘焙到基礎(chǔ)線部26或絲束中，以及 *用耐火漿體(例如，碳化硅/ 二氧化硅)或液體對基礎(chǔ)線部26進(jìn)行涂覆，然后燒掉殘余物。 線12還可以具有操縱層34，該操縱層34在耐火材料層30的徑向外部，以保持基 礎(chǔ)線部26的完整。為此，如果被包含的話，操縱層34對基礎(chǔ)線部26提供小的壓應(yīng)力，由此 提高整體線12的堅固性。因此，如果基礎(chǔ)線部26出現(xiàn)裂縫，則操縱層34的壓應(yīng)力應(yīng)該減 小線12將破裂的可能性。其中，操縱層34可以是碳的薄層(例如，具有大致已知尺寸的線 12的厚度為1微米或2微米)。 因此，在執(zhí)行步驟504之前， 一些實(shí)施方案可以形成與所產(chǎn)生的非潤濕層32分離 的操縱層34(例如，參見圖4B中的線2)。因此，在這種實(shí)施方案中，非潤濕層32基本上覆 蓋操縱層34。更具體而言，非潤濕層32覆蓋操縱層34的外圍表面。然而，一些實(shí)施方案可 以將非潤濕層32集成到操縱層34中。 然后，在步驟506中確定所涂覆的線12是否具有延伸穿過非潤濕層32的絲(這 類絲在本文中被稱作"須晶")。這會出現(xiàn)在例如絲的絲束形成芯28時。如果所涂覆的線 12具有須晶，則在步驟508中將其剃除。隨后，該工藝可以循環(huán)返回步驟504，步驟504再 涂布非潤濕層32。 可替選地，如果線12沒有須晶，則工藝進(jìn)行到步驟510，步驟510向如圖2所示的 爐14提供線12。為此，一些實(shí)施方案提供用于每個帶狀晶體邊緣的單個線12，或者用于每 個帶狀晶體邊緣的多個線12 (例如，圖4B的線6和線7)。除非作相反地清楚修改(例如， 通過"單個"或"多個"的詞語)，否則在參照形成帶狀晶體10的邊界/寬度提及術(shù)語"線" 時，術(shù)語"線"通常意味著一個或多個線。 與使用以上形成線12的方法不同的是，一些實(shí)施方案將凹度加工或鉆孔成圓形 或其他另外大致凸形線12。因此，線12可以通過其他方法形成。 示例性實(shí)施方案以增大帶狀晶體頸部36的厚度的方式使在爐14中的線12被定 向。例如，圖6A至圖6C示意性示出具有線12的三個帶狀晶體10的橫截面圖，該線12具 有伸長的、大致橢圓、大致凸形橫截面形狀。為了增大頸部36的厚度，這些實(shí)施方案定向它 們各自的大致縱軸42，使得它們偏離其各自的帶狀晶體10的寬度尺寸。換言之，為了滿足 偏離，縱軸42沒有與寬度尺寸平行——而是，縱軸42和寬度尺寸相交。
更具體而言，每個線12的橫截面具有最大的尺寸，每個尺寸都示出為圖6A至圖6C 中的雙箭頭。為了進(jìn)行參考，這些伸長橫截面形狀中的每個橫截面形狀的縱軸42因此被視 為與最大尺寸共線。例如，圖6A將縱軸42定向?yàn)榛旧吓c寬度尺寸垂直，而圖6C將縱軸 42定向成與寬度尺寸形成淺角。圖6B定向在圖6A和圖6C的極端之間的縱軸42。
應(yīng)該注意的是，與圖6A至圖6C中所示的取向不同的取向應(yīng)該提供滿意的結(jié)果。例 如，以其從圖6B所示的角度旋轉(zhuǎn)約90度(順時針或逆時針)的方式定向縱軸42也應(yīng)該增 大頸尺寸。 圖8A和圖8B示意性示出具有橫截面形狀為大致凹形的線12的兩個帶狀晶體10。 如圖所示，線12被定向，使得它們的凹度完全向著晶片寬度(g卩，在X方向上)或者完全背 離晶片寬度(即，在X方向上)定向。具體而言，凹度大致對稱地定向，例如，凹度在X軸上 方和下方形成鏡面圖像。然而，從這些方位的顯著旋轉(zhuǎn)(順時針或逆時針)會影響半月板 形狀，以妨礙適當(dāng)?shù)木w生長。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這種構(gòu)思應(yīng)用于線12，該線12具有 多個凹度或者在橫截面形狀(例如，十字形)的相對面上具有多個凹度。
8
此時，對于正在生長的每個帶狀晶體10，工藝使得兩個線12 ( —起形成最終的帶
狀晶體寬度)穿過爐14和坩鍋18，由此形成線帶狀晶體10 (步驟512)。 因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施方案將耐火材料層30擠出到芯28上，由此避免與現(xiàn)有
技術(shù)的沉積技術(shù)和降低生產(chǎn)成本相關(guān)的問題。 雖然以上的討論公開了本發(fā)明的各種示例性實(shí)施方案，但是應(yīng)該清楚的是，本領(lǐng) 域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的真實(shí)范圍的情況下，對將實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行各 種修改。
權(quán)利要求
一種制造用于線帶狀晶體的線的方法，所述方法包括提供具有外表面的襯底；將耐火材料擠出到所述襯底上，所述耐火材料基本上覆蓋所述襯底的外表面；固化所述耐火材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括碳絲。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述耐火材料包括碳化硅。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述襯底包括絲束。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述耐火材料的徑向外部形成外部減少潤濕層。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底和耐火材料形成大致伸長的橫截面形狀。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底和耐火材料大致是同心的。
8. —種用于形成帶狀晶體的線，所述線包含 襯底，所述襯底具有外表面；以及經(jīng)擠出的耐火材料層，所述經(jīng)擠出的耐火材料層基本上覆蓋所述襯底的外表面。
9. 如權(quán)利要求8所述的線，其中所述襯底包括碳絲。
10. 如權(quán)利要求8所述的線，其中所述耐火材料包括碳化硅。
11. 如權(quán)利要求8所述的線，其中所述襯底包括絲束。
12. 如權(quán)利要求8所述的線，還包含在所述耐火材料的徑向外部的外部減少潤濕層。
13. 如權(quán)利要求8所述的線，其中所述襯底和耐火材料形成大致伸長的橫截面形狀。
14. 如權(quán)利要求8所述的線，其中所述襯底和耐火材料大致是同心的。
15. 如權(quán)利要求8所述的線，還包含在所述耐火材料的徑向外部的操縱層。
16. —種形成帶狀晶體的線，所述線包含 襯底；以及經(jīng)擠出的耐火裝置，所述經(jīng)擠出的耐火裝置基本上覆蓋所述襯底。
17. 如權(quán)利要求16所述的線，其中所述經(jīng)擠出的耐火裝置包括耐火材料。
18. 如權(quán)利要求16所述的線，其中所述襯底包括碳絲。
19. 如權(quán)利要求16所述的線，其中所述經(jīng)擠出的耐火裝置包括碳化硅。
20. 如權(quán)利要求16所述的線，其中所述襯底包括絲束。
21. 如權(quán)利要求16所述的線，還包含在所述經(jīng)擠出的耐火裝置的徑向外部的外部減少 潤濕層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造用于線帶狀晶體的線的方法，該方法包括提供具有外表面的襯底；將耐火材料擠出到所述襯底上。所述耐火材料基本上覆蓋所述襯底的外表面。然后，該方法還包括固化耐火材料。
文檔編號C30B15/36GK101784701SQ200880103887
公開日2010年7月21日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者克里斯汀·理查森, 勞倫斯·費(fèi)爾頓 申請人:長青太陽能股份有限公司