專利名稱：一種照明控制集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種照明控制集成電路。
背景技術(shù)：
在強(qiáng)調(diào)節(jié)能環(huán)保的當(dāng)今世界，如何高效率地使用能源已經(jīng)成為全世界的研 究型機(jī)構(gòu)、大學(xué)以及高科技企業(yè)越來越關(guān)注的課題。其中，對于照明方面的電 力管理集成電路的研究，如電感螢光燈、電子縈光燈、緊湊型螢光燈(CFL)、 卣素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(HID)技術(shù)等，因其能夠廣泛地應(yīng) 用在居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，與國計(jì)民生息息相關(guān)，更成為了目前節(jié)能領(lǐng)域研 究的重中之重。
照明控制集成電路最典型的應(yīng)用方法是與若干個外部無源器件一起，驅(qū)動 其內(nèi)部的兩個高壓(通常高于400V)功率M0S晶體管，實(shí)現(xiàn)一個半橋變換器。
目前，在現(xiàn)有的照明控制集成電路中，高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中必 要的一部分，獲得了廣泛應(yīng)用，其主要目的是將照明控制集成電路內(nèi)部的高壓 功率MOS晶體管與低壓控制電路制作在同一芯片上，達(dá)到一體化解決的效果。 該技術(shù)的主要特點(diǎn)概括如下
高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)允許高壓功率MOS晶體管電路放置在隔離的"井" 區(qū)域里面，這個"井"區(qū)域到低壓電路可以有600V隔離。這樣，高壓功率MOS
晶體管與低壓控制電路就能工作在同一芯片上，為批量生產(chǎn)提供了便利。但是， 隨之帶來的問題在于高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)的復(fù)雜性和伴隨的昂貴售價(jià)，限
制了照明集成電路進(jìn)一步的普及。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型旨在提供一種改進(jìn)的照明 控制集成電路，回避了復(fù)雜且成本高的高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)，大大減少了
3芯片的成本。
本實(shí)用新型所述的一種照明控制集成電路，包括低壓控制芯片，其特征在
于它還包括電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片，且所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓 功率管芯片與低壓控制芯片連接。
在上述的照明控制集成電路中，所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片以 及低壓控制芯片封裝在同 一封裝體中。
在上述的照明控制集成電路中，所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片包 括兩個相互連接的高壓功率MOS晶體管。
由于采用了上述的技術(shù)解決方案，本實(shí)用新型通過使用雙芯片封裝的結(jié)構(gòu)，將 原先集成在同一塊芯片上的高壓功率MOS晶體管與低壓控制電路分割成兩塊獨(dú)立 的集成芯片，即電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管集成芯片和低壓控制芯片，從而使得在 芯片的設(shè)計(jì)中避免了使用高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)。在這樣的結(jié)構(gòu)中，本實(shí)用新型 成功地回避了高價(jià)的結(jié)隔離技術(shù)，使得電路結(jié)構(gòu)簡單，大大減少了制造成本。同時， 雙芯片的結(jié)構(gòu)使得各種芯片的組合更加靈活，為實(shí)現(xiàn)各種功能的驅(qū)動方法提供了巨 大的便利。
附困說明


圖1是本實(shí)用新型一種照明控制集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型一種照明控制集成電路中電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯 片以及低壓控制芯片的封裝示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
請參見圖1、圖2，本實(shí)用新型，即一種照明控制集成電路IO,包括低壓控制 芯片1以及電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片2,其中，電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管 芯片2通過絲焊的飛線4與低壓控制芯片1連接，且電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯 片2和低壓控制芯片1封裝在同一封裝體5中。
電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片2包括兩個相互連接的高壓功率MOS晶體管 (通常高于400V)(圖中未示)。在本實(shí)用新型中，電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片2和低壓控制芯片1可以通 過劃片機(jī)將現(xiàn)有技術(shù)中的同時集成有高壓功率MOS晶體管與低壓控制電路的芯片 分離得到，因此，從生產(chǎn)角度上講，電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片2和低壓控制 芯片1仍舊在同一片硅片上制作完成，從而使得現(xiàn)有技術(shù)中批量生產(chǎn)的優(yōu)勢得以保 存。在封裝過程中，首先通過劃片機(jī)將硅片分割，使它們成為獨(dú)立的兩塊芯片，再 將它們通過飛線連接，從而實(shí)現(xiàn)了控制信號在雙芯片之間的傳遞，最后再將這兩片 獨(dú)立的芯片封裝在同一個封裝體中，從而徹底回避了高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)。
綜上所述，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，價(jià)格低廉。同時，雙芯片的結(jié)構(gòu)使得各種芯 片的組合更加靈活，為實(shí)現(xiàn)各種功能的驅(qū)動方法提供了巨大的便利。
以上結(jié)合附圖實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人 員可根據(jù)上述說明對本實(shí)用新型做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié) 不應(yīng)構(gòu)成對本實(shí)用新型的限定，本實(shí)用新型將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作 為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種照明控制集成電路，包括低壓控制芯片，其特征在于它還包括集電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片，且所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片與低壓控制芯片連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明控制集成電路，其特征在于所述的電平 轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片以及低壓控制芯片封裝在同 一封裝體中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的照明控制集成電路，其特征在于所述的 電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片包括兩個相互連接的高壓功率MOS晶體管。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種照明控制集成電路，它包括低壓控制芯片以及電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片，且所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片與低壓控制芯片芯片連接。所述的電平轉(zhuǎn)移電路和高壓功率管芯片以及低壓控制芯片封裝在同一封裝體中。本實(shí)用新型成功地回避了價(jià)格較高的高壓隔離技術(shù)，大大減少了芯片的成本。同時，雙芯片的結(jié)構(gòu)使得各種芯片的組合更加靈活，為實(shí)現(xiàn)各種功能的驅(qū)動方法提供了巨大的便利。
文檔編號H05B41/14GK201341261SQ20082015822
公開日2009年11月4日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者康明利, 王小明, 聰 陳 申請人:上海貝嶺股份有限公司