專利名稱：表面處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及向被處理物噴出處理氣體，進行被處理物的清洗、表面改 性、蝕刻、拋光、成膜等表面處理的裝置，包括等離子體表面處理裝置或熱CVD裝置等。尤其，涉及在等離子體處理中，將被處理物配置于電極 間空間的外部，朝向其噴出在電極間形成的等離子體的所謂的遠程式等離 子體處理裝置。
背景技術：
在液晶面板等平板顯示器的制造領域等中，近年來，被處理物處于大 型化的傾向，表面處理裝置也尋求針對大型被處理物的應對。在專利文獻1、 2中記載了設置兩列將多個電極與長邊方向平行地排 列而成的電極列，在這些兩個電極列之間形成了間隙狀放電空間的等離子 體表面處理裝置。即使各電極短，也能夠將間隙狀放電空間設成與大型被 處理物的寬度尺寸對應的長度。通過將用該間隙狀放電空間等離子體化的 處理氣體噴到被處理物，能夠一次性處理被處理物的整個寬度。被處理物 在與電極的長邊方向(間隙狀放電空間的延伸方向)正交的方向上被輸送。在專利文獻3、 4中記載了將多個電極在與長邊方向正交的方向上排 列而成的電極模塊沿所述長邊方向設置前后兩級的技術。在給電極模塊的 相鄰的電極之間形成間隙狀放電空間。前級的電極模塊和后級的電極模塊 在上述電極的排列設置方向上錯開排列樹脂間距的一半程度。從而，前級 和后級的間隙狀放電空間也錯開一半間距。被處理物在各電極的長邊方向 進而各間隙狀放電空間的長邊方向上被輸送。專利文獻l:日本特開2005—302685號公報專利文獻2:日本特開2005—302686號公報專利文獻3:日本特開2005 —135892號公報專利文獻4:日本特開2005—333096號公報在將包含電極模塊等的多個單元一直線排列時，需要在面向相鄰的單 元的端部不設置配線或配管，或在所述端部以外的部分設置臺架的支承 部，不是將通常的單元單單排列多個。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供能夠以簡單的結構應對大型的被處理物的表 面處理裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明是一種表面處理裝置，其將處理氣體噴到 被處理物的表面，處理該表面，其特征在于，具備第一單元，其具有用于噴出所述處理氣體的第一孔列，該第一孔列在 第一方向上延伸；第二單元，其具有用于噴出所述處理氣體的第二孔列，該第二孔列在 與所述第一孔列相同的方向上延伸；移動機構，其使所述被處理物相對于所述第一、第二單元，在與所述 第一方向正交的第二方向上相對移動，其中所述第一單元和第二單元配置為，相互在所述第一方向上錯開，且在 所述第二方向上錯開。由此，即使在被處理物為大型的情況下，也能夠以簡單的結構進行表 面處理。優(yōu)選所述第一孔列的長邊方向的第二單元側的端部、和所述第二孔列 的長邊方向的第一單元側的端部在從所述第二方向觀察的情況下，在所述 第一方向上重疊。由此，在各單元的孔列端部中，即使由于處理氣體的減速或失活而處 理能力比孔列中央部降低的情況下，也能夠通過使兩個單元重疊而使該重 疊部分處的處理能力成為將兩個低的處理能力加起來的大小，得到與各單 元的孔列中央部相等的處理能力。優(yōu)選還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠在所述第一方向上調節(jié)所述第一單元的位置。由此，能夠吸收沿第一方向的組裝誤差，或調節(jié)上述重疊的寬度。優(yōu)選還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠在與所述第一方向及第二方向正交的第三方向上調節(jié)所述第一單元 的位置。由此，能夠吸收沿第三方向的組裝誤差，或調節(jié)單元和被處理物之間 的距離(工作距離)，或矯正單元間的個體差異等引起的第一處理區(qū)域的 處理程度和第二處理區(qū)域的處理程度的不均一。優(yōu)選還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且 能夠對所述第一單元調節(jié)從所述第一方向觀察的角度。由此，能夠吸收從第一方向觀察的角度誤差，或調節(jié)向被處理物噴出 氣體的方向，或矯正單元間的個體差異等引起的第一處理區(qū)域的處理狀態(tài) 和第二處理區(qū)域的處理狀態(tài)的不均一。優(yōu)選還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且 能夠對所述第一單元調節(jié)從所述第二方向觀察的角度。由此，能夠吸收從第二方向觀察的角度誤差，或調節(jié)向被處理物噴出 氣體的方向，或矯正單元間的個體差異等引起的第一處理區(qū)域的處理狀態(tài) 和第二處理區(qū)域的處理狀態(tài)的不均一。優(yōu)選還具備臺架； 一對連結機構，其分別設置于所述第一單元的所 述第一方向的兩端部，且將所述第一單元連結于所述臺架，且能夠在與所 述第一方向及第二方向正交的第三方向上調節(jié)所述第一單元的位置。由此，不僅能夠在第三方向上調節(jié)第一單元的位置，而且還能夠調節(jié) 從第二方向觀察的角度。優(yōu)選還具備臺架；四個連結機構，其分別設置于所述第一單元的從 與所述第一方向及第二方向正交的第三方向觀察到的四角，且將所述第一 單元連結于所述臺架，且能夠在與所述第一方向及第二方向正交的第三方 向上調節(jié)所述第一單元的位置。由此，不僅能夠在第三方向上調節(jié)第一單元的位置，而且還能夠調節(jié) 從第一方向觀察的角度及從第二方向觀察的角度。優(yōu)選還具備-臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，所述連結機構具有被支承部，其設置于所述第一單元；單元支承部，其設置于所述臺架，且在與所述第一方向及第二方向正交的第三方向上與所述被支承部對置；第一、第二連結軸，其設置為在所述被支承部、和單元支承部之間沿 所述第三方向延伸；第一限制部，其設置于所述第一連結軸，且容許所述被支承部相對于 所述單元支承部沿所述第三方向遠離，并限制接近；第二限制部，其設置于所述第二連結軸，且容許所述被支承部相對于 所述單元支承部沿所述第三方向接近，并限制遠離。由此，能夠將第一單元支承為可在第一方向和第三方向上調節(jié)位置， 能夠吸收第一方向及第三方向上的安裝誤差。優(yōu)選在所述被支承部和單元支承部中的一方中，形成有用于插通所述 第一連結軸或第二連結軸而連結的插通孔，該插通孔形成為長軸朝向所述 第一方向的長孔。由此，能夠在第一方向上調節(jié)第一單元相對于臺架的位置，能夠吸收 第一單元的沿第一方向的組裝誤差，或能夠將第一單元在第一方向上相對 于第二單元調節(jié)位置，能夠調節(jié)上述重疊的寬度。優(yōu)選所述第一連結軸是軸線朝向所述第三方向的螺紋部件，在所述第一連結軸的所述被支承部側的端部螺合所述第一限制部，所 述第一連結軸的所述單元支承部側的端部頂碰在所述單元支承部，所述第一限制部與所述被支承部的朝向所述單元支承部的面抵接或 接合。由此，能夠以簡單的結構，容許所述被支承部相對于單元支承部沿所 述第三方向遠離，限制其接近。優(yōu)選所述第二連結軸是軸線朝向所述第三方向的螺紋部件，在所述第二連結軸的所述被支承部側的端部上設置有所述第二限制 部，所述第二連結軸的所述單元支承部側的端部螺合于所述單元支承部，所述第二限制部與所述被支承部的朝向與所述單元支承部相反的一 側的面抵接。由此，能夠以簡單的結構，容許所述被支承部相對于單元支承部沿所 述第三方向接近，限制其遠離。優(yōu)選不僅是第一單元，而且第二單元也通過與第一單元相同的連結枳i 構連結于臺架。優(yōu)選所述第一單元包含在所述第一方向上分別延伸的一對電極，這些 電極在所述第二方向上對置而在相互之間形成放電空間，該放電空間的下 游端與所述第一孔列相連。優(yōu)選第二單元也相同地構成。由此，能夠進行等離子體表面處理。本發(fā)明適合在大氣壓左右下生成等離子體，進行表面處理。大氣壓左右(大致常壓)是指1.013Xl(^ 50.663Xl(^Pa的范圍，在考慮壓力調節(jié) 的容易化或裝置結構的簡便化的情況下，優(yōu)選1.33 3X 104 10.664X 104Pa (100 800Torr)，更優(yōu)選9.331 X 104 10.397 X 104 Pa (700 780Torr)。另外，本發(fā)明是一種表面處理裝置，其將處理氣體噴到被處理物的表面而處理該表面，其特征在于，具備處理頭，其包含在第一方向上延伸的多個單元；移動機構，其使所述被處理物相對于所述處理頭，在與所述第一方向 正交的第二方向上相對移動，其中所述多個單元分別具有用于噴出所述處理氣體的在所述第一方向上 延伸的孔列，所述多個單元中的一部分單元在所述第一方向上間隔，以一定間距排 列，構成第一單元列，所述多個單元中的其他一部分單元在所述第一方向上間隔，以與所述 第一單元列相同的間距排列，構成第二單元列，所述第一單元列和所述第二單元列在所述第二方向上并排，并且，所 述第一單元列的單元和所述第二單元列的單元在所述第一方向上錯開所 述間距的約一半。由此，即使在被處理物為大型的情況下，也能夠以簡單的結構進行表 面處理。能夠在各單元的長邊方向的端部確?？臻g，能夠容易地配置單元 的支承結構(向臺架的連結機構)或配管或配線。根據本發(fā)明可知，即使在被處理物為大型的情況下，也能夠以簡單的 結構進行表面處理。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式的大氣壓等離子體表面處理裝置的俯豐見圖。圖2是沿圖i的n—ii線的上述表面處理裝置的主視圖。 圖3是表示上述表面處理裝置的電極及噴出口的俯視圖、和所述噴出 口的各位置中的氣體噴出量或處理率的圖的合成圖。圖4是表示上述表面處理裝置的單元的連結機構的側面剖面圖。圖5 (a)是沿圖4的VA—VA線的上述連結機構的主視剖面圖，(b) 是沿圖4的VB—VB線的上述連結機構的主視剖面圖。圖6是表示使單元變位的狀態(tài)的主視剖面圖，(a)對應于圖5(a)， (b) 對應于圖5 (b)，實線是將單元向右變位的狀態(tài)，兩點劃線是將單元向左 變位的狀態(tài)，三點劃線是將單元向上變位的狀態(tài)。圖7是從正面(第二方向)觀察第一單元的情況下表示傾斜的狀態(tài)的 主視圖。圖8是從側面(第一方向)觀察第一單元的情況下表示傾斜的狀態(tài)的 側面圖。圖9是表示連結機構的變形例的主視剖面圖，(a)對應于圖5(a)， (b) 對應于圖5 (b)。圖10是表示圖9中將單元變位的狀態(tài)的主視剖面圖，(a)對應于圖9 (a)， (b)對應于圖9 (b)，實線是將單元向右變位的狀態(tài)，兩點劃線是 將單元向左變位的狀態(tài)，三點劃線是將單元向上變位的狀態(tài)。圖ll表示左右的單元的間隙狀噴出口沒有重疊的變形例，是俯視圖、 和噴出口的各位置中的處理率的圖的合成圖。圖12是表示用四個單元構成了兩列單元列的變形例的俯視圖。圖13是表示將單元列設為四列的變形例的俯視圖。圖14是表示處理頭結構的變形例的立體圖。圖15是表示將孔列結構的其他方式適用于圖14的處理頭結構的變形 例的立體圖。.圖16是表示將孔列結構的其他方式適用于圖14的處理頭結構的變形 例的立體圖。圖17是表示將孔列結構的其他方式適用于圖14的處理頭結構的變形 例的立體圖。圖中W —被處理物；l一大氣壓等離子體表面處理裝置；2 —處理氣 體源；2a—供給路；3 —電源電路；10 —處理頭；ll一單元；11L —第一單 元；IIR—第二單元；12 —整流模塊；13—放電模塊；20 —滾柱式輸送器 (移動機構)；21—滾柱式輸送器的框；31、 32—電極；33 —電極間空間；34—噴出口； 34L—第一噴出口 (第一孔列)；34R—第二噴出口 (第二孔 列)；34a—小孔；340L—由小孔構成的第一孔列；340R—由小孔構成的第 二孔列；40—臺架；41一支承梁；50 —連結機構；51—基底塊(單元支承 部)；51b—基底塊的陰螺紋孔；52 —支承塊(第一限制部)；52a—支承塊 的陰螺紋孔；52b —支承塊的插通孔；53 —支架；53v —側板部；53h—上 板部(被支承部)；53a、 53b —插通孔(長孔)；54 —第一連結軸(螺紋部 件)；55 —第二連結軸(螺紋部件)；55a—第二連結軸的頭部(第二限制 部)；110 —單元列;IIOA —第一單元列;IIOB —第二單元列。
具體實施方式
以下，說明本發(fā)明的實施方式。圖1及圖2是表示用于處理被處理物W的大氣壓等離子體表面處理裝 置1的圖。被處理物W是例如作為液晶電視機或等離子體電視機的平板 等使用的大面積玻璃基板。表面處理裝置1將該玻璃基板W的表面例如 親水化處理。表面處理裝置1具備處理頭10和移動機構20。如圖2所示，移動機構20由滾柱式輸送器構成。滾柱式輸送器20使 被處理物W在前后方向(第二方向、在圖2中相對于紙面正交的方向) 上移動。移動機構20可以代替滾柱式輸送器20為帶式運輸機，也可以由設置 被處理物W的載物臺和使該載物臺移動的驅動部構成。固定載物臺，使 處理頭10相對于此移動也可。在滾柱式輸送器20的左右框21的上側組裝臺架40,在該臺架40上 設置處理頭10。處理頭10配置于滾柱式輸送器20的上方，處理頭10和被處理物W在上下(第三方向)上對置。被處理物W可通過處理頭10 的下方。如圖1所示，處理頭IO具備兩個(多個)單元11、 11。這些單元11、ll呈相互相同的結構。以下，在區(qū)別這些兩個單元ll、 ll及其結構要件時，對左側的單元11及其構成要件的符號標注"L"，對右側的單元ll及 其構成要件的符號標注"R"。左右任一方的單元11 (例如左側的單元11L) 構成"第一單元"，另一方的單元11構成"第二單元"。如圖2所示，各單元ll包括上側的整流模塊12、和下側的放電模 塊13。這些模塊12、 13分別在左右(第一方向)延伸。供給路2a從處理 氣體源2延伸，該供給路2a分支，分別連接于左右的單元11L、 IIR的整 流模塊12L、 12R。省略圖示，但整流模塊12具有間隙、小孔、腔室等構 成的整流路，使來自供給路2a的處理氣體在整流路中沿左右方向均一化。作為親水化用處理氣體，例如使用氮。如圖3所示，在放電模塊13收容有一對電極31、 32。各電極31、 32 在左右延伸。 一對電極31、 32在前后對置地配置。 一方的電極31與電源 電路3連接。另一方的電極32電連接地接地。在這些電極31、 32的至少 一方對置面設置有固體電介體(未圖示)。在一對電極31、 32相互之間形成有沿左右延伸的間隙狀電極間空間 33。通過從電源電路3向電極31供給電壓，在電極31、 32之間形成大氣 壓輝光放電，電極間空間33成為放電空間。電極間空間33的上端部與整流模塊12的整流路相連。由整流模塊12 左右均一化的處理氣體在電極間空間33長邊方向上均一地導入。還有， 利用上述大氣壓輝光放電被等離子體化。如圖2所示，在放電模塊13的底部設置有與電極間空間33的下端部 相連的噴出口 34 (孔列)。如圖2及圖3所示，噴出口 34形成為在左右延 伸的間隙狀。電極間空間33的下端部構成噴出口34也可。導入電極間空 間33的處理氣體從下端的噴出口 34噴出。左右任一方的單元11的間隙狀噴出口 34 (例如，左側的單元11L的 間隙狀噴出口 34L)構成"第一孔列"，另一方的單元11的間隙狀噴出口 34構成"第二孔列"。如圖1及圖3所示，兩個單元ll、 11進而間隙狀噴出口 34、 34配置 為相互在左右錯開，且在前后錯開。左側的噴出口 34L和右側的噴出口 34R的前后方向的錯開量優(yōu)選大 于，且為約200mm以下，更優(yōu)選約150mm左右。左側的單元11L的右端部和右側的單元11R的左端部在從前后方向上 觀察的情況下重疊。進而，左側間隙狀噴出口 34L的右端部和右側的噴出 口 34R的左端部在從前后方向上觀察的情況下，在左右重疊。相對于各噴出口 34的全長的重疊量的比例優(yōu)選約5%以下，更優(yōu)選約 3%以下。各噴出口34的長度例如為100 2000mm左右。在這種情況下，左右 噴出口34L、 34R之間的重疊量優(yōu)選約50mm以下。圖3的圖是表示左右的間隙狀噴出口 34L、 34R的自各位置的噴出量。 在各間隙狀噴出口34的長邊方向的中間部(除了兩端的部分)，噴出量大 致恒定。在噴出口 34的長邊方向的兩端部，噴出量急劇減少。從而，利 用各噴出口 34的噴出曲線描繪為大致梯形。通過將左右的噴出口 34L、 34R重疊而配置，左側的噴出曲線的右端部的斜面、和右側的噴出曲線的 左端部的斜面相互交叉。該交叉位置優(yōu)選位于左右各自的噴出量成為最 大值(梯形的上邊)的約2 8成的位置，更優(yōu)選成為約5成的位置。自左側的噴出口 34L的噴出量恒定的部分的左端附近到右側的噴出口 34R的噴出量恒定的部分的右端附近為止的距離優(yōu)選與被處理物W的寬 度大致相等。上述噴出量對應于處理率。在親水化處理中，對應于處理后的被處理 物表面的接觸角。在相同圖中，利用來自左側的噴出口34L的噴出氣體的 第一處理區(qū)域R1的除了兩端部的中央部分的處理率大致恒定，在兩端部 急劇減少。利用來自右側的噴出口 34R的噴出氣體的第二處理區(qū)域R2的 除了兩端部的中央部分的處理率大致恒定，在兩端部急劇減少。左側的處 理區(qū)域R1的右端部的處理率急劇減少的部分、和右側的處理區(qū)域R2的左 端部的處理率急劇減少的部分正好重疊。用"R3"表示重疊區(qū)域。對單元11的支承結構進行說明。如圖1所示，在臺架40的多個規(guī)定部位設置有沿前后延伸的短的支承梁41。在支承梁41支承各單元11的左右端部。如圖2所示，支承梁 41和各單元11的左右端部經由連結機構50連結。 連結機構50如下所述地構成。如圖1所示，在單元11的左右兩端部分別設置有支架53。如圖4及 圖5所示，各支架53具有固定于單元11的端面的側板部53v、和從該 側板部53v的上端沿水平突出的上板部53h (被支承部)，呈倒L字狀剖 面而沿前后延伸。如圖1所示，在上板部53h的長邊方向的兩端部形成有 各自一對插通孔53a、 53b。這些插通孔53a、 53b分別形成為長軸朝向左 右的長孔。 一對插通孔53a、 53b在前后排列。如圖4及圖5所示，在各支承梁41的上表面固定有基底塊51 (單元 支承部)?；讐K51呈四邊形的剖面，在與支承梁41相同的方向上延伸。 在基底塊51的上表面的長邊方向的兩端部分別形成有陰螺紋孔51b?；?塊51遠離支架53的上板部53h的下側而與上板部53h對置。在各基底塊51和支架53的上板部53h之間配置有支承塊52 (第一限 制部)。支承塊52呈四邊形的剖面，在與基底塊51相同的方向上延伸。 在支承塊52的長邊方向的兩端部排列形成有陰螺紋孔52a和插通孔52b， 且該陰螺紋孔52a和插通孔52b成對。這些孔52a、 52b分別在上下方向 上貫通支承塊52。如圖4及圖5 (a)所示，支架53的一方的插通孔53a和支承塊52的 陰螺紋孔52a在上下排列。在這些孔53a、 52a內配置有沿上下延伸的第一 連結軸54。第一連結軸54由螺栓(螺紋部件)構成。螺栓54的頭部從支 架53的上板部53h向上少許遠離。螺栓54的腿部貫通支架53的長孔53a， 擰入支承塊52的陰螺紋孔52a中。螺栓54的前端部(下端部)從支承塊 52的下表面突出而頂碰在基底塊51的上端面。支承塊52通過該螺栓54 被支承為從基底塊51向上遠離的狀態(tài)。在該支承塊52的上表面載置支架 53的上板部53h。進而，單元11L、 IIR被支承為容許向上方的變位，限 制向下方的變位。如圖4及圖(b)所示，支架53的另一方的長孔53b、支承塊52的插 通孔52b、和基底塊51的陰螺紋孔51b在上下排列。在這些孔53b、 52b、 51b內配置有沿上下延伸的第二連結軸55。第二連結軸55由比第一連結軸54長的螺栓(螺紋部件)構成。螺栓55插通于支架53的長孔53b和 支承塊52的插通孔52b中，前端部(下端部)擰入基底塊51的陰螺紋孔 51b中。如圖4所示，螺栓55的頭部55a (第二限制部)與長孔53b的短 邊方向的兩側的支架53上表面抵接。由此，螺栓55容許單元11的向下 方的變位，同時，限制向上方的變位。螺栓頭部55a和支承塊52從上下夾持支架53的上板部53h。由此， 將單元ll定位，并固定。如圖1所示，包含螺栓即第一、第二連結軸54、 55的連結機構50分 別配置于各單元11的前后左右的四角。根據如上所述地構成的表面處理裝置1可知，處理氣體源2的處理氣 體經由供給路2a，通過各單元ll的整流模塊12被左右均一化后，導入各 放電模塊13的電極間空間33中。同時，從電源電路3向各放電模塊13 的電極31供給電壓。由此，電極間空間33成為等離子體放電空間，將處 理氣體等離子體化。該被等離子體化的處理氣體從各間隙狀噴出口 34噴 出，并噴到通過滾柱式輸送器20輸送過來的被處理物W。由此，能夠進 行被處理物W的親水化等表面處理。通過左右排列多個單元11，能夠處理被處理物W的整個寬度。另一 方面，能夠縮短一個個單元11的電極31、 32，能夠抑制庫倫力或熱膨脹 引起的變形量。通過將單元ll、 ll之間向前后錯開，能夠避免各單元11的長邊方向 的端部之間干擾的情況，能夠提高配線或配管或單元11的支承結構的自 由度，能夠實現結構的簡易化。如圖3所示，通過將左右的噴出口 34L、 34R的端部之間設為從被處理物W的輸送方向上觀察的情況下重疊，能夠使左右的噴出口 34L的右 端部(噴出量急劇減少的部分)、和右側的噴出口 34R的左端部(噴出量 急劇減少的部分)重疊。由此，當然能夠防止在左側的處理區(qū)域R1和右 側的處理區(qū)域R2之間產生處理遺漏區(qū)域的情況，能夠使左側的處理區(qū)域 Rl的右端部的處理不充分的部分R3、和右側的處理區(qū)域R2的左端部的 處理不充分的部分R3相互重疊，能夠將該部分R3的處理率調節(jié)為與各處 理區(qū)域R1、 R2的中央部的處理率相等。由此，能夠確保處理的均一性。由于左右的氣體噴出量的圖分別在中央的平坦的部分的50%處相交， 從而能夠理想地進行均一的處理。如圖6 (a)、 (b)的實線及兩點劃線所示，支架53能夠在長孔53a、 53b的長邊方向及左右方向上調節(jié)位置。進而，能夠將第一單元11L相對 于第二單元11R在左右方向上調節(jié)位置。由此，能夠吸收兩個單元11L、 IIR的左右方向的組裝誤差。進而，左右的處理區(qū)域R1、 R2能夠增減重 疊的區(qū)域R3，能夠將該重疊區(qū)域R3處的處理調節(jié)為不過度或不足。其結 果，能夠實現處理的進一步的均一化。另外，如圖6 (a)的三點劃線所示，通過螺栓54和支承塊52的螺合 量調節(jié)，能夠調節(jié)支承塊52的高度。此時，如圖6 (b)的三點劃線所示， 還調節(jié)螺栓55的螺合量，使該螺栓55的頭部55a與支架53的上板部53h 的上表面抵接。由此，還能夠將各單元11向上下方向調節(jié)位置，能夠吸 收兩個單元11L、 IIR的上下方向的組裝誤差。進而，通過相互調節(jié)單元ll的左右兩端的螺栓54、 54和支承塊52、 52的螺合量，能夠相互調節(jié)兩端的支承塊52、 52的高度。由此，能夠確 保單元ll的左右方向的水平度，能夠吸收組裝誤差。例如，如圖7所示， 在第一單元11L從前后方向上觀察的情況下傾斜(相對于左右的水平方向) 時，能夠將其矯正，使其成為水平。進而，通過相互調節(jié)單元ll的前后(支架53的長邊方向兩端)的螺 栓54、 54和支承塊52的螺合量，能夠調節(jié)該支承塊52的水平度乃至傾 斜角度。由此，能夠確保單元11的前后方向的水平度，能夠吸收組裝誤 差。例如，如圖8所示，在第一單元11L從左右方向觀察的情況下傾斜(相 對于前后的水平方向)時，能夠將其矯正，使其成為水平。還有，通常，單元11的角度調節(jié)量微小，圖7及圖8的單元11L的 斜度是放大的。各單元11的四角的連結機構50不僅為了確保單元11的水平度，而且 還能夠適用于利用第一、第二單元的處理率的相互均一化。例如，如圖3的圖的兩點劃線所示，左側的單元11L的噴出量(處理 率)大于右側的單元11R的情況下，提高左側的單元11L的高度。由此， 能夠減少來自左側的單元11L的氣體與被處理物W的表面接觸的量，能夠將左側的處理區(qū)域R1的處理率設為如圖3所示的規(guī)定水平。或者，降 低右側的單元11R的高度也可。由此，能夠增大來自右側的單元11R的氣 體與被處理物W的表面接觸的量，能夠提高右側的處理區(qū)域R2的處理率。 其結果，能夠使左右處理區(qū)域R1、 R2的處理率相互均一化，能夠吸收左 右的單元11L、 IIR的個體差異?；蛘?，如圖8所示，將左側的單元11L的角度調節(jié)為從左右方向觀察 的情況下傾斜也可。由此，從右側的單元IIR垂直地噴出氣體，另一方面， 從左側的單元IIL斜向噴出氣體，該氣體隨著朝向下方而偏向前后。由此， 與單元的高度調節(jié)相同地，能夠減少來自左側的單元11L的氣體與被處理 物W的表面接觸的量，能夠將左側的處理區(qū)域R1的處理率設為圖3的實 線所示的規(guī)定水平。其結果，能夠使左右處理區(qū)域R1、 R2的處理率相互 均一化，能夠吸收左右的單元IIL、 IIR的個體差異。如圖3的圖的虛線所示，例如，左側的單元1IL的噴出量(處理率) 大于右側的單元11R，且該左側的單元11L的噴出量(處理率)自身大至 右側程度，如上所述地成為不均衡的情況下，使左側的單元11L整體上上 升，同時，使該左側的單元11L的右端部的上升量大于左端部的上升量， 由此調節(jié)該左側的單元11L的左右方向的水平度(參照圖7)。由此，整體 上降低左側的處理區(qū)域R1的處理率，并且，該處理區(qū)域R1的右側部的處 理率比左側部大幅度降低。其結果，能夠將左側的處理區(qū)域R1的處理率 如圖3所示地設為規(guī)定的均一狀態(tài)，進而，能夠使左右的處理區(qū)域Rl、 R2的處理率相互均一化，能夠吸收左右的單元IIL、 IIR的個體差異。當然在這種情況下也如上所述，代替提升左側的單元IIL，降低右側 的單元11R，或將左側的單元11L如圖8所示地向前后傾斜的同時，調節(jié) 左側的單元11L的左右方向的水平度也可。其次，說明本發(fā)明的其他實施方式。在以下的實施方式中，關于與上 述實施方式重復的結構，在附圖中標注相同的符號，適當省略說明。圖9是表示連結機構50的變形例的圖。如圖9 (a)所示，支架53的 第一連結軸54用插通孔53a形成為正圓剖面的孔，沒有形成為長孔。另 一方面，如圖9 (b)所示，支承塊52的第二連結軸55用插通孔52b形成 為長軸朝向左右方向的長孔。該支承塊52的長孔52b的剖面(長軸及短軸)與支架53的長孔53b相同即可。支承塊52的長孔52b和支架53的 長孔53b直接相連。根據該變形例可知，如圖10的實線及兩點劃線所示，在單元11的左 右位置調節(jié)時，第一連結軸54和支承塊52能夠與支架53 —同向左右變 位。如圖11所示，由于來自各單元11的噴出口 34的氣體向左右擴散的同 時與被處理物W接觸，各處理區(qū)域R1、 R2有時比噴出口34的長度長。 在那種情況下，左右的單元IIL、 11R的噴出口34L、 34R之間在從前后 方向上觀察的情況下不左右重疊也可，相反，左右的噴出口34L、 34R之 間向左右遠離，左側的噴出口 34L的右端部位于比右側的噴出口 34R的左 端部靠向左側處也可。左側的處理區(qū)域R1的右端的斜面和右側的處理區(qū) 域R2的左端的斜面重疊也可。在這種情況下的左右的噴出口 34L、 34R的遠離距離R4優(yōu)選10mm 以內。處理頭10的單元11的數量不限于兩個，可以根據被處理物W的寬度 或各單元11的長度而適當設定。例如，圖12所示的處理頭10由四個單 元11構成。這些單元11相互不同地配置為，相鄰的單元之間在左右錯開， 且在前后錯開。具體來說，圖12的處理頭10具備后側(圖12中的上側)的單元 列100A、和前側(圖12中的下側)的單元列110B。兩個單元列110的任 意一方(例如單元列110A)構成"第一單元列"，另一方構成"第二單元 列"。各單元列110包括在左右排列的兩個(多個)單元ll、 11。這些左右 單元ll、 ll的間距p比各單元ll的長度長，在兩者之間形成有間隔(空 間s)。一方的單元列110A的單元11、 11、和另一方的單元列110B的單元 11、 ll在左右方向上錯開一半間距(p/2)程度。若一方的單元列110A的一個單元11構成"第一單元"，則與該第一 單元錯開半個間距的另一方的單元列110B的單元11構成"第二單元"。單元列110不限于兩列，設置為三列以上也可。例如，在圖13所示的處理頭10中，設置有四列單元列110。前后相鄰的單元列110、 110的 單元ll之間在左右錯開一半間距。這些前后相鄰的單元列110、 110的一方構成"第一單元列"，另一方構成"第二單元列"。在各單元ll的長邊方向的兩側設置空間s，因此，能夠容易地避免以 連結機構50等的支承結構為首的配線或配管干擾的情況。圖14是表示處理頭11的變形例的圖。各處理頭IIL、 IIR的一對電 極31、 32在上下對置而配置。上側的電極31與電源電路3連接，下側的 電極32電連接地接地。在下側的電極32的下方配置有被處理物W。下側 的接地電極32的上表面(一面)成為朝向電源電極31在與電極31之間 形成放電空間33的面，電極32的下表面(另一面)成為朝向被處理物W 的配置部的面。在電源電極31的下表面和接地電極32的上表面的至少一 方設置有用于穩(wěn)定化大氣壓輝光放電的固體電介體層(省略圖示)。在下側的接地電極32的第二方向的中央部形成有沿第一方向延伸的 間隙狀噴出口 34 (孔列)。第一處理頭11L的噴出口 34L、和第二處理頭 IIR的噴出口 34R在第一方向上重疊。自處理氣體源2 (在圖14中省略)的供給路2a分別連接于電極間空 間33的第二方向的兩側部。處理氣體從各處理頭11的電極間空間33的 第二方向的兩側分別導入電極間空間33內，被等離子體化，從噴出口34 向下方噴出，噴涂于被處理物W。根據該處理頭結構可知，接地電極32配置于電源電極31和被處理物 W之間，因此，能夠屏蔽從電源電極31朝向被處理物W的電場，能夠可 靠地防止電弧等異常放電產生于被處理物W的情況。本發(fā)明不限定于上述實施方式，可以進行各種變更。例如，第一單元的臺架和第二單元的臺架成為別體也可。孔列不僅包括沿第一方向延伸的一個間隙，還包括多個點狀或短的間 隙狀孔沿第一方向排成一列的孔列。例如，如圖15所示，在圖14的處理 頭結構中，代替間隙狀噴出口 34而多個小孔34a沿第一方向排成一列配 置于接地電極32也可。包括第一處理頭11L中的這些小孔34a的列構成 第一孔列340L。包括第二單元11R中的這些小孔34a的列構成第二孔列 3微。在第一、第二各處理頭中，多個沿第一方向延伸的孔列沿第二方向排列而配置也可。例如，如圖16所示，在圖14的處理頭結構的接地電極32 中，多個(在此為三個)間隙狀噴出口 34 (34L、 34R)分別沿第一方向 延伸，并且，相互沿第二方向排列而設置也可?；蛘?，如圖17所示，在 第一方向上排列的小孔34a的列340 (340L、 340R)在第二方向上設置多 列(在此為三列)也可。在實施方式中，成一對的螺栓54、 54中的第一連結軸54配置于單元 11的寬度方向(前后方向)的內側，第二連結軸55配置于外側，但將第 一連結軸54配置于單元11的寬度方向的外側，將第二連結軸55配置于 外側也可。在圖9及圖10的連結機構50的變形例中，支架53和支承塊52成一 體也可。或者，省略支承塊52，第一連結軸54直接螺合于支承塊52也可。 在這種情況下，第一連結軸54同時作為"第一限制部"。在臺架40和單元支承部形成長軸朝向左右(第一方向)的長孔，在 該長孔中插通第一連結軸或第二連結軸，使該第一連結軸或第二連結軸能 夠在第一方向上變位也可。通過在包括螺栓的第一、第二連結軸螺合螺母，連結第一、第二連結 軸和被支承部或單元支承部也可。作為第一限制部，代替支承塊52，使用螺母也可。第一、第二連結軸由一根共用的螺栓(螺紋部件)構成，在該一根螺 栓設置包括螺母的第一限制部和第二限制部也可。在將第一、第二單元間的處理率均一化的情況下，不僅進行利用上述 連結機構50的單元的高度及角度的調節(jié)，而且與此并行地按單元每一個 調節(jié)氣體供給量，或調節(jié)氣體調節(jié)器，或調節(jié)向電極31的接通功率也可。本發(fā)明只要是從間隙等孔列的組噴出處理氣體，使其與被處理物接觸 即可，不限于等離子體表面處理，還可以適用于熱CVD或利用HF (氫氟 酸)蒸汽等的蝕刻之類的沒有電極的表面處理。另外，普遍適用于利用臭 氧等的拋光、利用CF4等的蝕刻、以及成膜(CVD)、清洗、表面改性(親 水處理、疏水處理等)等各種表面處理中。處理的壓力條件不限于大致常壓，減壓環(huán)境下也可。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明例如可以利用于液晶電視機或等離子體電視機等平板用玻璃 的表面處理或半導體制造中的基板的等離子體表面處理中。
權利要求
1.一種表面處理裝置，其將處理氣體噴到被處理物的表面而處理該表面，其特征在于，具備第一單元，其具有用于噴出所述處理氣體的第一孔列，該第一孔列在第一方向上延伸；第二單元，其具有用于噴出所述處理氣體的第二孔列，該第二孔列在與所述第一孔列相同的方向上延伸；移動機構，其使所述被處理物相對于所述第一、第二單元，在與所述第一方向正交的第二方向上相對移動，其中所述第一單元和第二單元配置為，相互在所述第一方向上錯開，且在所述第二方向上錯開。
2. 根據權利要求l所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述第一孔列的長邊方向的第二單元側的端部和所述第二孔列的長邊方向的第一單元側的端部在從所述第二方向觀察的情況下，在所述第一 方向上重疊。
3. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于， 還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠在所述第一方向上調節(jié)所述第一單元的位置。
4. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于， 還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠在與所述第一方向及第二方向正交的第三方向上調節(jié)所述第一單元的位 置。
5. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于， 還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠對所述第一單元調節(jié)從所述第一方向觀察的角度。
6. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于， 還具備臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架，且能夠對所述第一單元調節(jié)從所述第二方向觀察的角度。
7. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于，還具備臺架； 一對連結機構，其分別設置于所述第一單元的所述第 一方向的兩端部，且將所述第一單元連結于所述臺架，且能夠在與所述第 一方向及第二方向正交的第三方向上調節(jié)所述第一單元的位置。
8. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于， 還具備臺架；四個連結機構，其分別設置于所述第一單元的從與所述第一方向及第二方向正交的第三方向觀察到的四角，且將所述第一單元 連結于所述臺架，且能夠在與所述第一方向及第二方向正交的第三方向上 調節(jié)所述第一單元的位置。
9. 根據權利要求1或2所述的表面處理裝置，其特征在于，還具備 臺架；連結機構，其將所述第一單元連結于該臺架， 所述連結機構具有被支承部，其設置于所述第一單元；單元支承部，其設置于所述臺架，且在與所述第一方向及第二方向正 交的第三方向上與所述被支承部對置；第一、第二連結軸，其設置為在所述被支承部和單元支承部之間沿所 述第三方向延伸；第一限制部，其設置于所述第一連結軸，且容許所述被支承部相對于 所述單元支承部沿所述第三方向遠離，并限制接近；第二限制部，其設置于所述第二連結軸，且容許所述被支承部相對于 所述單元支承部沿所述第三方向接近，并限制遠離。
10. 根據權利要求9所述的表面處理裝置，其特征在于， 在所述被支承部和單元支承部中的一方中，形成有用于插通所述第一連結軸或第二連結軸而連結的插通孔，該插通孔形成為長軸朝向所述第一 方向的長孔。
11. 根據權利要求9所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述第一連結軸是軸線朝向所述第三方向的螺紋部件， 在所述第一連結軸的所述被支承部側的端部上螺合所述第一限制部，所述第一連結軸的所述單元支承部側的端部頂碰在所述單元支承部，所述第一限制部與所述被支承部的朝向所述單元支承部的面抵接或 接合。
12. 根據權利要求9所述的表面處理裝置，其特征在于，所述第二連結軸是軸線朝向所述第三方向的螺紋部件， 在所述第二連結軸的所述被支承部側的端部上設置有所述第二限制部，所述第二連結軸的所述單元支承部側的端部螺合于所述單元支承部， 所述第二限制部與所述被支承部的朝向與所述單元支承部相反的一側的面抵接。
13. 根據權利要求1所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述第一單元包含在所述第一方向上分別延伸的一對電極，這些電極在所述第二方向上對置而在相互之間形成放電空間，該放電空間的下游端 與所述第一孔列相連。
14. 一種表面處理裝置，其將處理氣體噴到被處理物的表面而處理該 表面，其特征在于，具備處理頭，其包含在第一方向上延伸的多個單元；移動機構，其使所述被處理物相對于所述處理頭，在與所述第一方向 正交的第二方向上相對移動， 其中所述多個單元分別具有用于噴出所述處理氣體的在所述第一方向上 延伸的孔列，所述多個單元中的一部分單元在所述第一方向上間隔，以一定間距排 列，構成第一單元列，所述多個單元中的其他一部分單元在所述第一方向上間隔，以與所述 第一單元列相同的間距排列，構成第二單元列，所述第一單元列和所述第二單元列在所述第二方向上并排，并且，所 述第一單元列的單元和所述第二單元列的單元在所述第一方向上錯開所 述間距的約一半。
全文摘要
本發(fā)明在被處理物為大型的情況下，也能夠以簡單的結構進行表面處理。用第一單元11L和第二單元11R構成表面處理裝置1的處理頭10。在這些單元11中，用于噴出處理氣體的噴出口34沿第一方向延伸。第一方向與使被處理物移動的第二方向正交。兩個單元11配置為相互在第一方向錯開，且在第二方向錯開。兩個單元11的噴出口34之間在從第二方向觀察的情況下重疊。
文檔編號H05H1/24GK101405845SQ20078001034
公開日2009年4月8日 申請日期2007年3月23日 優(yōu)先權日2006年3月28日
發(fā)明者中森勇一, 今井克廣, 屋代進, 日野守, 竹內裕人, 高橋英則 申請人:積水化學工業(yè)株式會社