專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置及顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置的制造方法及與顯示裝置，特別是涉及由將多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件排列而形成的顯示裝置的制造方法、及由此方法得到的顯示裝置。
背景技術(shù)：
利用有機(jī)材料的電致發(fā)光(electroluminescenceEL)的有機(jī)電致發(fā)光元件(常簡(jiǎn)稱(chēng)為有機(jī)電致發(fā)光元件)，在下部電極與上部電極間夾設(shè)層疊空穴輸送層、發(fā)光層等的有機(jī)層而成，作為由低電壓直流驅(qū)動(dòng)的可以高亮度發(fā)光的發(fā)光元件受到注目。因此，使用這樣的有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置(以下稱(chēng)為顯示裝置)，從顏色的再現(xiàn)性、響應(yīng)速度等的觀點(diǎn)來(lái)看，作為優(yōu)秀的平板型的顯示裝置，正在積極進(jìn)行大畫(huà)面化的開(kāi)發(fā)。
所述顯示裝置，由于采用具有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光元件的薄膜晶體管(thin film transistorTFT)的有源矩陣驅(qū)動(dòng)，可以實(shí)現(xiàn)裝置的高性能化。在有源矩陣驅(qū)動(dòng)的顯示裝置中，在覆蓋TFT的狀態(tài)設(shè)置層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上，排列形成有機(jī)電致發(fā)光元件。在層間絕緣膜上，各有機(jī)電致發(fā)光元件的下部電極，在與TFT連接的情況下，在每個(gè)像素上形成圖案，在這些下部電極上，設(shè)置有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。另外，在與下部電極間夾設(shè)有機(jī)層的狀態(tài)下，在各像素的有機(jī)電致發(fā)光元件上設(shè)置有上部電極以作為共通的β膜(ベタ膜)。
在上述的有源矩陣驅(qū)動(dòng)的顯示裝置中，從形成有TFT的基板的相反側(cè)將發(fā)出的光取出，作為通常所說(shuō)的上面發(fā)光型，這在確保開(kāi)口率的同時(shí)又是有效的。在這種情況下，需要以透明或半透明材料形成上部電極，但以這樣的材料作為共通的β膜設(shè)置在各像素上的上部電極，其電阻值高，由電壓降而產(chǎn)生的顯示質(zhì)量的降低非常明顯。因此，在像素間與下部電極同一層上，形成輔助配線(xiàn)，通過(guò)在該輔助配線(xiàn)上連接上部電極，實(shí)現(xiàn)上部電極的低電阻化。
但是，由于近年來(lái)像素大小及像素節(jié)距的細(xì)微化，對(duì)應(yīng)于RGB各色的每一像素分別涂敷成膜的有機(jī)層，很容易大幅度攀越各像素層間而覆蓋輔助配線(xiàn)上。另外，由于受到上述細(xì)微化帶來(lái)的有機(jī)層的分別涂布的約束，在將有機(jī)層作為共用的β膜而形成在各像素上的結(jié)構(gòu)中，輔助配線(xiàn)上的整個(gè)面被有機(jī)層所覆蓋。在這種情況下，由于輔助配線(xiàn)上的有機(jī)層，輔助配線(xiàn)和上部電極的接觸被惡化。
在此，提出了通過(guò)將輔助配線(xiàn)上的有機(jī)膜進(jìn)行利用激光照射的刮除的方法。在這種情況下，通過(guò)使用在對(duì)應(yīng)于輔助配線(xiàn)的位置有開(kāi)口部的掩模，劃定激光(輻射線(xiàn))的照射部，將輔助配線(xiàn)上的有機(jī)層部分進(jìn)行有選擇的刮除。另外，通過(guò)相對(duì)于輔助配線(xiàn)的位置對(duì)齊、并照射激光線(xiàn)，對(duì)輔助配線(xiàn)上的有機(jī)層部分進(jìn)行有選擇的刮除(以上，參照特許文獻(xiàn)1)。
特許文獻(xiàn)1特開(kāi)2005-11810號(hào)公報(bào)(特別參照第31段及第32段)但是，用上述特許文獻(xiàn)1的方法，容易產(chǎn)生對(duì)輔助配線(xiàn)的掩模開(kāi)口部的位置對(duì)齊偏差、相對(duì)于輔助配線(xiàn)的激光照射位置的偏差等情況，成為引起合格率低下的主要原因。另外，特別地，使用掩模的方法，由于使用掩模，增加了制造成本。而且，由于使用與輔助配線(xiàn)位置對(duì)齊而照射激光線(xiàn)的方法，與一次性照射激光相比更加花費(fèi)處理的時(shí)間緣故，生產(chǎn)效率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法及由此得到的顯示裝置，它能夠高精度地一次性除去輔助配線(xiàn)上的有機(jī)層，由此可以實(shí)現(xiàn)合格率的提高及生產(chǎn)性的提高、并具有有機(jī)電致發(fā)光元件。
為達(dá)到這種目的的本發(fā)明的顯示裝置，是將在下部電極和上部電極間夾住有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光元件，在基板上多個(gè)排列的顯示裝置。該顯示裝置具有在基板上的各圖象上形成構(gòu)圖的下部電極和在基板上的像素間設(shè)置的輔助配線(xiàn)。其中，輔助配線(xiàn)具有由比下部電極光吸收率高的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的光吸收層。另外，在這些由下部電極和輔助配線(xiàn)形成的基板上，覆蓋下部電極的同時(shí)，在露出輔助配線(xiàn)上的光吸收層部分的情況下，設(shè)置有機(jī)層。而且，在該有機(jī)層上，在下部電極間夾有所述有機(jī)層的同時(shí)，在由有機(jī)層露出的所述光吸收層上，設(shè)置有連接到輔助配線(xiàn)的上部電極。
另外，本發(fā)明也涉及這樣的顯示裝置的制造方法，其特征為以以下的順序進(jìn)行。首先，在基板之上的各圖象上構(gòu)圖形成下部電極。與此同時(shí)，在基板上的各圖象間形成具有由比下部電極光吸收率高的導(dǎo)電材料構(gòu)成的光吸收層的輔助配線(xiàn)。接著，在形成下部電極和輔助配線(xiàn)的基板上，至少在覆蓋該下部電極的情況下，形成有機(jī)層。之后，經(jīng)來(lái)自有機(jī)層側(cè)的激光的照射，有選擇地除去該吸收層的上部的有機(jī)層部分。因而，在與下部電極間夾有有機(jī)層的同時(shí)，在所述除去有機(jī)層的光吸收層部分，在基板上形成連接到輔助配線(xiàn)的上部電極。
具有這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明中，它的構(gòu)成與在有機(jī)層下配置的下部電極和輔助配線(xiàn)不同。即，在輔助配線(xiàn)上設(shè)置由比下部電極光吸收率高的導(dǎo)電材料構(gòu)成的光吸收層，并使該光吸收層露出而構(gòu)成。由此，將從光吸收層的露出側(cè)照射的光不經(jīng)下部電極吸收，而只由在輔助配線(xiàn)的光吸收層吸收，變換成熱，利用這一熱量，成為可以除去輔助配線(xiàn)(光吸收層)上的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，不依靠選擇性的光照射，而通過(guò)對(duì)整個(gè)面進(jìn)行光照射，構(gòu)成輔助配線(xiàn)的光吸收層上的有機(jī)層，可以相對(duì)于輔助配線(xiàn)，不產(chǎn)生位置偏移，高精度地有選擇性的得到除去。而且，在該有機(jī)層被除去的部分上，上部電極連接在輔助配線(xiàn)上。
根據(jù)以上所述的本發(fā)明由于不依靠選擇性的光照射，而通過(guò)對(duì)整個(gè)面進(jìn)行光照射，可以高精度地有選擇性的可以除去輔助配線(xiàn)上的有機(jī)層，因此，在連接輔助配線(xiàn)、使用具有防止上部電極的電壓降的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置的制造上，實(shí)現(xiàn)合格率的提高及生產(chǎn)性能的提高成為可能。


圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明的表示裝置的結(jié)構(gòu)的平面模式圖；圖2是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面模式圖；圖3A至圖3D是表示第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的剖面工序圖(其1)；圖4E至圖4F是表示第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的剖面工序圖(其2)；圖5是說(shuō)明激光的照射的圖。
圖6A至圖6B是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面模式圖；圖7A至圖7B是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面模式圖；附圖標(biāo)記說(shuō)明1，1′，1″顯示裝置2基板4下部電極5有機(jī)層6上部電極8高導(dǎo)電層9光吸收層a像素EL有機(jī)電致發(fā)光元件Lh激光N，N′，N″輔助配線(xiàn)Tr薄膜晶體管(像素電路)具體實(shí)施方式
以下，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
第一實(shí)施方式圖1是用于說(shuō)明本第一實(shí)施方式的表示裝置1的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。該圖表示的顯示裝置1是有源矩陣驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，由對(duì)應(yīng)于基板2上的各像素a的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光元件EL排列形成。另外，在像素a-a間，如下所述設(shè)置有連接于有機(jī)電致發(fā)光元件EL的輔助配線(xiàn)。
圖2是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的顯示裝置1的結(jié)構(gòu)的剖面模式圖，相當(dāng)于圖1的A-A′剖面。
如圖2所示，在基板2上，設(shè)置有具有薄膜晶體管Tr和在此省略了圖示的電容元件等的像素電路，在覆蓋該像素電路的狀態(tài)下，設(shè)置有層間絕緣膜3。同時(shí)，在該層間絕緣膜3上，形成配置有機(jī)電致發(fā)光元件EL的結(jié)構(gòu)。
各有機(jī)電致發(fā)光元件EL具有介由設(shè)置在層間絕緣膜3上的連接孔而與薄膜晶體管Tr連接的下部電極4、覆蓋下部電極4上的有機(jī)層5、在覆蓋有機(jī)層5的狀態(tài)下共用地設(shè)置在各像素a的有機(jī)電致發(fā)光元件EL的上部電極6。
該下部電極4例如作為陽(yáng)極(或陰極)使用，其作為使用反射性能良好的材料構(gòu)成的像素電極被進(jìn)行構(gòu)圖?；蛘吒飨虏侩姌O4，其周?chē)山^緣膜圖案7覆蓋、僅其中央部分大面積露出。另外，下部電極4從絕緣膜圖案7露出來(lái)的部分成為發(fā)光部，例如成為對(duì)應(yīng)于此處的像素a的部分。另外，上部電極6，被用作為陰極(或陽(yáng)極)且在各有機(jī)EL元件EL上作為共用地電極形成為β膜狀。該上部電極6由于形成為具有光透性，該有機(jī)電致發(fā)光元件EL作為從上部電極6側(cè)取出發(fā)光的光的上面發(fā)光型而構(gòu)成。
進(jìn)而，在設(shè)置有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件EL像素a之間，設(shè)置有與下部電極4在同一層的輔助配線(xiàn)N。在第一實(shí)施方式中，該輔助配線(xiàn)N具有以下特征，即，它由與下部電極4同樣的構(gòu)成材料構(gòu)成的高導(dǎo)電層8和在其上部層疊的狀態(tài)下露出的光吸收層9而構(gòu)成。該光吸收層9由比下部電極4及高導(dǎo)電層8光吸收性高的、光熱轉(zhuǎn)換效率良好的材料構(gòu)成。
通過(guò)使下部電極4和光吸收層9的光吸收率不同，在照射激光時(shí)，在光吸收層9上激光被吸收、變換為熱，雖經(jīng)發(fā)熱可除去有機(jī)層5，下部電極4上的發(fā)熱被抑制。在此，上面發(fā)光型的顯示裝置1上，使用反射性能良好的材料作為下部電極4。因此，下部電極4的光吸收率多為百分之?dāng)?shù)個(gè)，作為光吸收層9，最好使用光吸收率至少在大約10％以上的材料。也就是說(shuō)，照射激光時(shí)，在光吸收層9上吸收激光，變換為熱，通過(guò)其發(fā)熱除去有機(jī)層5，但以在下部電極4上留下有機(jī)層5的方式抑制發(fā)熱是非常重要的。因此，希望使用光-熱變換效率有差異的材料，來(lái)構(gòu)成下部電極4和光吸收層9。另外，由于該顯示裝置1為上面發(fā)光型，因此下部電極4希望使用反射特性及導(dǎo)電性良好的材料。
具體地，作為構(gòu)成光吸收層9的材料，使用的是鉬、鎳、鉻、鈦等金屬及它們的合金。另一方面，作為構(gòu)成下部電極4(進(jìn)而是高導(dǎo)電層8)的材料，使用的是銀、鋁、金、白金等金屬及它們的合金。
另外，在此覆蓋下部電極4的周?chē)慕^緣圖案7構(gòu)圖形成為露出輔助配線(xiàn)N的形狀。進(jìn)而，有機(jī)層5以露出輔助配線(xiàn)N的至少一部分，具體地說(shuō)，露出構(gòu)成輔助配線(xiàn)N的光吸收層9的狀態(tài)下設(shè)置的。而且，上部電極6在與從有機(jī)層5及絕緣性圖案7露出的輔助配線(xiàn)N部分、即光吸收層9上與輔助配線(xiàn)N連接。
其次，這種結(jié)構(gòu)的顯示裝置1的制造方法，根據(jù)圖3及圖4所示的剖面工序圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。
首先，如圖3A所示，以一般的方法相同，形成在基板2的各像素上具有薄膜晶體管Tr及在此省略圖示的電容元件等的像素電路。其次，在覆蓋薄膜晶體管Tr的狀態(tài)下，形成由如聚酰亞胺的有機(jī)材料、或硅類(lèi)無(wú)機(jī)絕緣膜構(gòu)成的表面平坦的層間絕緣膜3。成膜后，通過(guò)一般的光刻工序形成到達(dá)薄膜晶體管Tr的連接孔。
其次，在層間絕緣膜3上，以噴涂法使高導(dǎo)電層8成膜。該高導(dǎo)電層8是構(gòu)成下部電極的膜，使用導(dǎo)電性和反射性能均良好的材料，如鋁、金、白金等金屬以及它們的合金。在此，舉一個(gè)例子，比如可以使用銀合金使高導(dǎo)電層8成膜。另外，高導(dǎo)電層8通過(guò)層間絕緣膜3的連接孔，在與薄膜晶體管Tr連接的狀態(tài)下成膜。
接著，在高導(dǎo)電層8上，以噴涂法使光吸收層9成膜。該光吸收層9使用比高導(dǎo)電層8光吸收率更好的導(dǎo)電性材料，例如鉬、鎳、鉻、鈦等金屬以及它們的合金。在此，舉一個(gè)例子，比如可以使用鉬使光吸收層9成膜。
接著，如圖3B所示，在高導(dǎo)電層8上，對(duì)光吸收層9進(jìn)行構(gòu)圖，僅在像素a間留下光吸收層9。此時(shí)，將在此省略圖示的抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)光吸收層9進(jìn)行蝕刻構(gòu)圖。該蝕刻構(gòu)圖可以以干蝕刻或濕蝕刻進(jìn)行。此處進(jìn)行的是干蝕刻。在這種情況下，蝕刻氣體使用的是CF4/O2。蝕刻結(jié)束后，除去抗蝕劑圖案。
接著，如圖3C所示，通過(guò)對(duì)高導(dǎo)電層8進(jìn)行構(gòu)圖，形成對(duì)應(yīng)于像素a的形狀的下部電極4。而且，通過(guò)該構(gòu)圖，在與由導(dǎo)電層8形成的下部電極4絕緣的狀態(tài)下，保留在像素a間成為輔助配線(xiàn)N的形狀的高導(dǎo)電層8。此時(shí)，使用在此省略了圖示的抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)高導(dǎo)電層8進(jìn)行蝕刻構(gòu)圖。該蝕刻構(gòu)圖可以以干蝕刻或濕蝕刻進(jìn)行。此處進(jìn)行的是濕蝕刻。在這種情況下，使用混合酸作為蝕刻劑。蝕刻結(jié)束后，除去抗蝕劑圖案。這樣，由于與作為下部電極4和輔助配線(xiàn)N的一部分的高導(dǎo)電層8為同一層，抑制工序的增加。
由此，形成由層疊高導(dǎo)電層8及其上部的光吸收層9構(gòu)成的輔助配線(xiàn)N。該輔助配線(xiàn)N，通過(guò)下層的高導(dǎo)電層8而保持配線(xiàn)形狀，形成在該上部的至少一部分或全部上層疊有光吸收層9的狀態(tài)。
在此，由高導(dǎo)電層8及其上部的光吸收層9構(gòu)成的輔助配線(xiàn)N，只要由高導(dǎo)電層8和光吸收層9能夠保持輔助配線(xiàn)N的配線(xiàn)形狀即可，不必在所有的位置進(jìn)行層疊。但由高導(dǎo)電層8保持輔助配線(xiàn)N的配線(xiàn)形狀，可以保持輔助配線(xiàn)N的電阻低，因此更優(yōu)選。另外，光吸收層9作為輔助配線(xiàn)N的配線(xiàn)形狀沒(méi)有必要構(gòu)圖成為連續(xù)的形狀，如下說(shuō)明，只要在輔助配線(xiàn)N和上部電極連接的部分設(shè)置即可。
另外，下部電極4及輔助配線(xiàn)N只要能保持上述結(jié)構(gòu)即可，并不限定一定以圖3A～圖3C說(shuō)明的工序順序來(lái)形成。例如，可以將下部電極4和輔助配線(xiàn)N上的高導(dǎo)電層8，經(jīng)同一工序構(gòu)圖形成后，對(duì)輔助配線(xiàn)N上的光吸收層9構(gòu)圖形成。
接著，如圖3D所示，形成覆蓋下部電極4的周?chē)男螤畹慕^緣性圖案7。在此，形成由有機(jī)材料或硅類(lèi)無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜之后，通過(guò)光刻工序，形成絕緣性像素7。此時(shí)，在露出下部電極4的中央部的情況下并覆蓋周?chē)耐瑫r(shí)，絕緣性圖案7形成輔助配線(xiàn)N上至少露出光吸收層9的形狀。另外，絕緣性圖案7只要使輔助配線(xiàn)N上的光吸收層9的至少一部分或全部露出即可，也可以覆蓋其他部分，另外也可以將輔助配線(xiàn)N上的整體部分露出。
其次，如圖4E所示，在覆蓋基板2的整個(gè)面的狀態(tài)下，將有機(jī)層5成膜。該有機(jī)層5至少具備有機(jī)發(fā)光層，形成將多層按順序成膜的層疊結(jié)構(gòu)。構(gòu)成該有機(jī)層的材料一般來(lái)講可以與有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)膜相同。另外，成膜方法在蒸鍍法、CVD法、印刷法、濺射法等方法中，根據(jù)使用的材料選擇適當(dāng)?shù)囊话愠赡し椒▉?lái)成膜。例如，只要是低分子類(lèi)的材料，則可進(jìn)行蒸鍍成膜。
另外，該有機(jī)層5并不限制將基板2上的整個(gè)面覆蓋而成膜，也可以在各像素a上構(gòu)圖成膜。但由于有機(jī)層5需要完全覆蓋下部電極4，即使在這種情況下，也要攀越至在絕緣性圖案7上及輔助配線(xiàn)N上而形成。
接著，如圖4F所示，從有機(jī)層5的上方照射激光Lh。據(jù)此，在有機(jī)層5下的光吸收層9上將激光Lh熱轉(zhuǎn)換，將在光吸收層9的上部配置的有機(jī)層5局部選擇除去。此時(shí)，照射相對(duì)于構(gòu)成輔助配線(xiàn)N的光吸收層9的吸收高、相對(duì)于由高導(dǎo)電層8構(gòu)成的下部電極4的吸收低的波長(zhǎng)的激光Lh是非常重要的。進(jìn)而，由在光吸收層9上轉(zhuǎn)換的熱，以能除去位于該光吸收層9的上部的有機(jī)層5的程度的照射量，照射激光Lh。
接著，這樣的激光Lh的照射為相對(duì)于基板2的整個(gè)面非選擇性地進(jìn)行。此時(shí)，如圖5所示，激光Lh的照射面s為長(zhǎng)尺狀，該長(zhǎng)尺狀的照射面s可以向沿輔助配線(xiàn)N的一個(gè)方向以規(guī)定速度移動(dòng)。而且激光Lh的照射面s′比像素a具有充分寬的形狀，可以將該寬照射面s′相對(duì)于基板2表面步進(jìn)移動(dòng)。
進(jìn)而，由于進(jìn)行這樣的激光Lh的照射，如圖4F所示，例如從激勵(lì)光源101起振的激光Lh的光路上配置可動(dòng)反射鏡(電流鏡galvano-mirror)102，通過(guò)將該可動(dòng)磁鏡向基板2側(cè)以規(guī)定角度轉(zhuǎn)動(dòng)，相對(duì)于基板2的表面?zhèn)冗M(jìn)行照射位置移動(dòng)的激光Lh的照射。另外，上述激光Lh的照射面，通過(guò)包含有配置在由可動(dòng)反射鏡102反射的激光Lh的光路上的光學(xué)元件(光束擴(kuò)展器)的透鏡系列103擴(kuò)大并整形。另外，用于對(duì)激光Lh的照射面進(jìn)行整形的透鏡系列也可以追加配置在激勵(lì)光源101和可動(dòng)反射鏡102之間。
另外，如上所述，將輔助配線(xiàn)N上的光吸收層9上的有機(jī)層5部分選擇性除去之后，如前面圖B所示，覆蓋基板2上的整個(gè)面的情況下，將由具有光透性材料形成的上部電極6成膜。作為具有光透性的材料，可使用薄的金屬膜、ITO(氧化銦錫β)等透明導(dǎo)電性材料，在此，對(duì)由例如鎂合金構(gòu)成的上部電極6進(jìn)行成膜。這樣的上部電極6由蒸鍍成膜法、噴涂法、或CVD法等方法成膜。
上述上部電極6，由在有機(jī)層5和絕緣性圖案7上，相對(duì)于下部電極4為絕緣狀態(tài)。另外，該上部電極6在除去了有機(jī)層5的部分露出的光吸收層9上，成為與輔助配線(xiàn)N相連接的狀態(tài)。接著，這樣的下部電極4和上部電極6之間，形成夾著有機(jī)層5的有機(jī)電致發(fā)光元件EL。
另外，此后，在此省略了圖示，經(jīng)一般的噴涂法、CVD法、蒸鍍法等，在上部電極6上形成由硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiOx)等構(gòu)成的保護(hù)膜，完成顯示裝置1。
根據(jù)以上說(shuō)明的第一實(shí)施方式的制造方法，如圖4(6)所示，形成在有機(jī)層5下配置的下部電極4與輔助配線(xiàn)N不同的結(jié)構(gòu)。即，在輔助配線(xiàn)N上設(shè)置有由比下部電極4光吸收率高的導(dǎo)電材料構(gòu)成的光吸收層9，形成露出該光吸收層的結(jié)構(gòu)。
接著，通過(guò)從覆蓋這些的有機(jī)層5側(cè)在整個(gè)面上照射激光Lh，只在光吸收層9上吸收該激光Lh轉(zhuǎn)換成為熱，利用此熱，有選擇地僅除去構(gòu)成輔助配線(xiàn)N的光吸收層9上的有機(jī)層5的部分。為此，不需要使用費(fèi)用高的掩模、也不必進(jìn)行麻煩的位置對(duì)齊，通過(guò)對(duì)基板2上的整個(gè)面進(jìn)行激光Lh的照射，就可以相對(duì)于輔助配線(xiàn)N無(wú)位置偏移地高精度地有選擇地除去構(gòu)成輔助配線(xiàn)N的光吸收層9上的有機(jī)層5。如圖2所示，在該有機(jī)層5被除去了的部分上，可以只在輔助配線(xiàn)N上與上部電極6相連接。
從而，采用通過(guò)連接輔助配線(xiàn)N防止上部電極6的電壓降的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件EL的顯示裝置1的制造中，可實(shí)現(xiàn)合格率的提高及生產(chǎn)性能的提高。
而且，在上述第一實(shí)施方式中，作為在有機(jī)層5側(cè)上露出光吸收層9的輔助配線(xiàn)N的結(jié)構(gòu)，通過(guò)不是從基板2側(cè)而是從有機(jī)層5側(cè)照射激光Lh，除去有機(jī)層5的一部分。因此，包含比下部電極更接近基板2側(cè)配置的薄膜晶體管Tr的像素電路不會(huì)波及到激光Lh的影響。也就是說(shuō)，在從基板2側(cè)照射激光Lh的情況下，如果包含薄膜晶體管Tr的像素電路的構(gòu)成材料由光吸收材料構(gòu)成，則在該材料部分產(chǎn)生光-熱轉(zhuǎn)換而發(fā)熱。這種情況下，會(huì)擔(dān)憂(yōu)將除去與輔助配線(xiàn)N不同的另外的有機(jī)層5的一部分，不能有選擇地除去所希望的輔助配線(xiàn)N上有機(jī)層5的一部分，而根據(jù)第一實(shí)施方式，不會(huì)有這樣的憂(yōu)慮。
第二實(shí)施方式圖6為說(shuō)明第二實(shí)施方式表示的顯示裝置1′的構(gòu)成的剖面模式圖。該圖6相當(dāng)于前面的圖1的A-A′剖面。而且圖6A所示的第二實(shí)施方式的顯示裝置1′與第一實(shí)施方式說(shuō)明的顯示裝置1的不同之處在于輔助配線(xiàn)N′的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。
即，顯示裝置1′上的輔助配線(xiàn)N′，只由比下部電極4的光吸收率高、光熱轉(zhuǎn)換效率好的材料構(gòu)成的光吸收層而構(gòu)成。
而且，在這樣構(gòu)成的顯示裝置1′的制造上，如圖6B所示，到層間絕緣膜3的形成的工序與前面第一實(shí)施方式同樣進(jìn)行，之后，在該層間絕緣膜3上分別構(gòu)圖輔助配線(xiàn)N′與下部電極4。此時(shí)，為確保下部電極4的表面狀態(tài)，優(yōu)選構(gòu)圖輔助配線(xiàn)N′后，構(gòu)圖下部電極4。
其后，與第一實(shí)施方式相同，形成由光吸收層9形成的輔助配線(xiàn)N′的一部分或全部露出的絕緣性圖案，接著，在整個(gè)面將有機(jī)層5成膜后，自該有機(jī)層5側(cè)整個(gè)面地照射激光Lh。由此，由有機(jī)層5下的光吸收層9構(gòu)成的輔助配線(xiàn)N′上進(jìn)行激光Lh熱轉(zhuǎn)換、有選擇地部分除去配置在輔助配線(xiàn)N′上部的有機(jī)層5。
在上述第二實(shí)施方式中，由比下部電極4的光吸收率高的光吸收層9構(gòu)成輔助電極N′，通過(guò)從覆蓋這些的光吸收層5側(cè)在整個(gè)面照射激光Lh，該激光Lh僅在光吸收層9上吸收，轉(zhuǎn)換為熱，利用該熱選擇地除去構(gòu)成輔助配線(xiàn)N′的光吸收層9上的有機(jī)層5的一部分。因此，與第一實(shí)施方式相同，不需要使用費(fèi)用高的掩模，也不必進(jìn)行麻煩的位置對(duì)齊，通過(guò)對(duì)基板2上的整個(gè)面進(jìn)行激光Lh的照射，就可以相對(duì)于輔助配線(xiàn)N′無(wú)位置偏移地高精度地有選擇地除去輔助配線(xiàn)N′上的有機(jī)層5。而且，使用通過(guò)使輔助配線(xiàn)N′連接防止上部電極6的電壓降的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件EL的顯示裝置1′的制造中，可實(shí)現(xiàn)其合格率的提高及生產(chǎn)性能的提高。
第三實(shí)施方式圖7是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的顯示裝置1″的結(jié)構(gòu)的剖面模式圖。該圖7相當(dāng)于前面的圖1的A-A′剖面。而且圖7A所示的第三實(shí)施方式的顯示裝置1″與第一實(shí)施方式說(shuō)明的顯示裝置1的不同之處在于輔助配線(xiàn)N″的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。
即，顯示裝置1″上的輔助配線(xiàn)N″中，在光吸收層9的上層設(shè)置有由與下部電極4同樣材料構(gòu)成的高導(dǎo)電層8，形成從除去的高導(dǎo)電層8的部分露出光吸收層9的結(jié)構(gòu)。
在這樣構(gòu)成的顯示裝置1″的制造中，如圖7B所示，到層間絕緣膜3的形成為止的工序與前面第一實(shí)施方式同樣進(jìn)行，之后，在該層間絕緣膜3上首先構(gòu)圖形成輔助配線(xiàn)N″上的光吸收層9。然后，在形成有光吸收層9的層間絕緣膜3上構(gòu)圖形成上部電極4及輔助配線(xiàn)N″中的高導(dǎo)電層8。此時(shí)，由光吸收層9和高導(dǎo)電層8構(gòu)成輔助配線(xiàn)N″的同時(shí)，構(gòu)成從高導(dǎo)電層8除去的部分露出光吸收層9的結(jié)構(gòu)是非常重要。
之后，與第一實(shí)施方式相同，形成輔助配線(xiàn)N″上的光吸收層的一部分或全部露出的形狀的絕緣性圖案7，接著，在整個(gè)面將有機(jī)層5成膜后，從該有機(jī)層5側(cè)整個(gè)面地照射激光Lh。由此，在構(gòu)成有機(jī)層5下的輔助配線(xiàn)N″的光吸收層9上將激光Lh進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換，配置在光吸收層9的上部的有機(jī)層5有選擇地部分除去。
在上述第三實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同，使用比下部電極4的光吸收率高的光吸收層9構(gòu)成輔助電極N″，通過(guò)從覆蓋這些的光吸收層5側(cè)在整個(gè)面照射激光Lh，僅在光吸收層9上吸收該激光Lh，轉(zhuǎn)換為熱，通過(guò)此熱有選擇地除去構(gòu)成輔助配線(xiàn)N″的光吸收層9上的有機(jī)層5的一部分。因此，與第一實(shí)施方式相同，通過(guò)采用使輔助配線(xiàn)N″連接而防止上部電極6的電壓降的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件EL的顯示裝置1″的制造中，可實(shí)現(xiàn)其合格率的提高及生產(chǎn)性能的提高。
另外，由于構(gòu)成在光吸收層9上設(shè)置有高導(dǎo)電層8的輔助配線(xiàn)N″的結(jié)構(gòu)，與高導(dǎo)電層8經(jīng)同一工序形成的下部電極4上，不構(gòu)圖形成光吸收層9，可確保下部電極4的表面狀態(tài)。另外，由高導(dǎo)電層8與光吸收層9一起構(gòu)成輔助配線(xiàn)N″，因此可以將輔助配線(xiàn)N″的電阻值減小。
在以上各實(shí)施方式中，光吸收層形成在與下部電極相同的層上，但即使光吸收層與下部電極不在同一層形成，也可以得到同樣的效果。即，只要是在基板上配置由比下部電極光熱轉(zhuǎn)換率高的材料構(gòu)成的光吸收層，并使其露出，來(lái)自其上方形成的有機(jī)膜上的光照射可以將有機(jī)膜的一部分有選擇地除去的結(jié)構(gòu)就可以。例如，可以是與TFT在同一層上形成光吸收層，從基板表面使其露出的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其是在基板上排列多個(gè)在下部電極和上部電極間夾設(shè)有機(jī)層而成的有機(jī)電致發(fā)光元件而得的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置具有在基板上的各像素上構(gòu)圖形成的下部電極；形成在所述基板上地像素間的輔助配線(xiàn)，其具有比所述下部電極光吸收率高的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的光吸收層；以覆蓋所述下部電極并使所述輔助配線(xiàn)的所述光吸收層部分露出的狀態(tài)下設(shè)置在形成有所述下部電極和輔助配線(xiàn)的所述基板上的有機(jī)層；與所述下部電極間夾設(shè)有所述有機(jī)層的上部電極，其在從該有機(jī)層露出的所述光吸收層上與所述輔助配線(xiàn)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述輔助配線(xiàn)僅由所述光吸收層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述輔助配線(xiàn)用所述光吸收層和由比該光吸收層導(dǎo)電性高的材料構(gòu)成的高導(dǎo)電層構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述高導(dǎo)電層由與所述下部電極相同的材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述基板具有與所述下部電極連接的像素電路。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述上部電極具有光透過(guò)性。
7.一種顯示裝置的制造方法，其是將在下部電極和上部電極間夾住有機(jī)層而成的有機(jī)電致發(fā)光元件在基板上多個(gè)排列的顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序在基板上的各像素上構(gòu)圖形成下部電極；在基板上的各像素間形成具有由比所述下部電極光吸收率高的導(dǎo)電材料構(gòu)成的光吸收層的輔助配線(xiàn)；以至少在覆蓋所述下部電極的狀態(tài)下在形成有所述下部電極和輔助配線(xiàn)的所述基板上形成有機(jī)層；經(jīng)來(lái)自有機(jī)層側(cè)的激光的照射而在所述有機(jī)層的下部露出的所述光吸收層上將該激光進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換，有選擇地除去該光吸收層的上部的所述有機(jī)層部分；在所述基板上形成上部電極，使該上部電極與下部電極間夾著有機(jī)層，并在除去了所述有機(jī)層的光吸收層部分連接到所述輔助配線(xiàn)上。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述激光對(duì)所述基板的整個(gè)面進(jìn)行照射。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述輔助配線(xiàn)用所述光吸收層和由比該光吸收層導(dǎo)電性高的材料構(gòu)成的高導(dǎo)電層構(gòu)成，在構(gòu)成所述下部電極的工序中，同時(shí)形成所述高導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制作方法，該方法可高精度地一并除去輔助配線(xiàn)上的上的有機(jī)層，由此能夠?qū)崿F(xiàn)合格率的提高和生產(chǎn)性的提高，從而得到上述具有有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置。其中，在基板(2)之上的各像素(a)上構(gòu)圖形成下部電極(4)。在各像素間形成輔助配線(xiàn)(N)，該配線(xiàn)的結(jié)構(gòu)是具有由比下部電極光吸收率高的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的光吸收層(9)。在形成有下部電極和輔助配線(xiàn)的基板是以覆蓋下部電極的狀態(tài)形成有機(jī)層(5)。通過(guò)來(lái)自有機(jī)層側(cè)的激光的照射，使在有機(jī)層的下部露出的光吸收層與激光進(jìn)行熱交換，選擇性地除去光吸收層的上部的有機(jī)層。在基板上形成上部電極(6)，其與下部電極之間隔著有機(jī)層，并在有機(jī)層被除去的光吸收層部分與輔助配線(xiàn)連接。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1917725SQ20061012120
公開(kāi)日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2006年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月17日
發(fā)明者中山徹生, 芝崎孝宜, 小澤信夫, 松田英介, 平野貴之, 石橋義, 塘洋一, 松尾圭介 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社