專利名稱：具有含下部雙層電極的電光元件的有源矩陣顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括基板的有源矩陣顯示器，所述基板支撐用于向電光元件供電并驅(qū)動(dòng)電光元件的電路陣列，以及用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述電路并通過(guò)這些電路向電光元件供電的電極陣列，這些電路和電極因而形成了有源矩陣；覆蓋所述電路和電極陣列的上部電絕緣層；以及位于所述絕緣層上的電光元件陣列。
背景技術(shù)：
在上述的顯示器中，每個(gè)電路對(duì)應(yīng)于一電光元件并用于驅(qū)動(dòng)該元件。每個(gè)電路包括連接于電極陣列中的一個(gè)的供電電極的供電輸入端子和供電輸出端子。每個(gè)電路包括例如TFT晶體管型電流調(diào)制器，所述TFT晶體管型電流調(diào)制器包括兩個(gè)電流電極(current electrode)，在這種情況下稱為漏電極和源電極，一個(gè)用作輸入端子而另一個(gè)用作輸出端子。
每個(gè)電光元件包括施加于絕緣層并通過(guò)穿通所述絕緣層的穿通孔連接到對(duì)應(yīng)于該元件的電路的供電輸出端子的下部供電電極和上部供電電極。這樣的穿通孔通常稱為“通孔(vias)”。
文件US 6780688描述了一種上述類型的顯示器，其中電光元件是有機(jī)電致發(fā)光二極管，因此其中在每個(gè)二極管的下部電極和上部電極之間插入了有機(jī)電致發(fā)光層。
參照?qǐng)D1，在該文件中描述的有源矩陣電致發(fā)光顯示器包括基板1；在每個(gè)二極管處的包括兩個(gè)電流電極的TFT晶體管12以及作為驅(qū)動(dòng)該二極管的電路的元件的存儲(chǔ)電容器13；覆蓋該電路的上部電絕緣層14，該上部電絕緣層如圖中所示那樣具有使由電路的元件12、13所形成的部件平坦化的功能；施加于絕緣層14并在此處用作正極的下部電極16；電致發(fā)光層17；對(duì)于所有二極管是公共的并且在此處用作負(fù)極的上部電極18；以及保護(hù)層19。基板1和驅(qū)動(dòng)/供電電路形成了用于二極管陣列的有源矩陣11。上部電極18和保護(hù)層19對(duì)于二極管所發(fā)出的光是透明的。用于每個(gè)二極管的下部供電電極16通過(guò)通孔20連接到與其對(duì)應(yīng)的電路的TFT晶體管的電流電極，所述通孔20具體而言穿過(guò)絕緣層14。
這樣的結(jié)構(gòu)具有幾個(gè)缺點(diǎn)所述絕緣層必須相對(duì)較厚，使得為形成該層所施加的材料的體積可以完全填充由有源矩陣的電極和電路元件所形成的部件。此外，該絕緣材料必須適于例如通過(guò)旋涂法而被施加以填充所述部件，這可能需要使用溶劑；如圖1所示，當(dāng)下部電極自身通過(guò)通孔20與TFT晶體管12接觸時(shí)，該通孔20的仿形體(replica)21轉(zhuǎn)移到該下部電極的上面并形成了相對(duì)于電極的平坦表面的凹陷。在這些空的仿形體21的輪廓上，斜率的突變引發(fā)了薄膜、尤其是二極管的薄膜之間的寄生電接觸，由此產(chǎn)生泄漏電流并劣化顯示器的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是克服上述缺點(diǎn)中的一個(gè)缺點(diǎn)和/或其他缺點(diǎn)，特別是通過(guò)使下部電極的上面更好地平坦化來(lái)克服。
特別是為了這一目的，本發(fā)明提出了將平坦化功能添加到下部電極自身，根據(jù)一種有利的實(shí)施例，其甚至可以取代由絕緣層所提供的平坦化功能。
為了這一目的，本發(fā)明的主題是一種顯示器，其包括基板，所述基板支撐有源矩陣；覆蓋所述有源矩陣的上部電絕緣層；以及位于所述絕緣層上的電光元件陣列，每個(gè)電光元件包括涂敷于所述絕緣層(14，14’)的下部供電電極，其特征在于每個(gè)電光元件的所述下部供電電極(16，16”)包括直接涂敷于所述絕緣層(14，14’)的有機(jī)導(dǎo)電層(161，161’)以及覆蓋所述有機(jī)導(dǎo)電層的金屬層(162)。
所述有源矩陣通常包括用于向所述電光元件供電并驅(qū)動(dòng)所述電光元件的電路陣列，以及用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述電路并經(jīng)由所述電路向這些電光元件供電的電極陣列。
所述絕緣層被涂敷從而與所述電路和該有源層的電極接觸，特別是將這些電路和這些電極的元件電隔離。
可以以數(shù)個(gè)子層的形式而構(gòu)造的絕緣層因而插入在有源矩陣、特別是該有源矩陣包括的電路和電極與電光元件的下部電極之間。
所述電光元件的下部電極與所述絕緣層直接接觸。
每個(gè)電光元件通常包括上部電極。所述電光元件例如是電致發(fā)光二極管或液晶單元(liquid crystal cell)。每個(gè)電光元件因此優(yōu)選具有比如電致發(fā)光或液晶材料的電光材料層，該層插入在電光元件的下部電極與電光元件的上部電極之間。優(yōu)選的，所述上部電極形成為用于向所有電光元件供電的同一個(gè)公共電極。
由于絕緣層直接覆蓋有源矩陣，所以有源矩陣的電路和電極的元件形成了大致上換位(transposed)至絕緣層頂部的基板上的部件，特別是在該層與這些部件的大小相比具有較小的厚度時(shí)，和/或特別是該層作為所使用的涂敷方法的結(jié)果而具有均勻的厚度時(shí)。
得益于下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層，有源矩陣的部件被平坦化。這導(dǎo)致了與現(xiàn)有技術(shù)中相比更大平坦度的下部電極并有助于改善設(shè)置有這些電極的電光元件的性能。
現(xiàn)有技術(shù)的以下文件US 6586764、US 5723873和US 5719467也提出了兩層的下部電極，其中的一層也由有機(jī)導(dǎo)電材料制成，但是插入在與基板接觸的例如由ITO制成的其他層與二極管的電致發(fā)光層之間，不像本發(fā)明那樣。為了實(shí)現(xiàn)平坦化功能，重要的是這樣的有機(jī)導(dǎo)電層的厚度大于要被平坦化的部件的大小。這樣的厚度存在不再與形成在每個(gè)二極管內(nèi)部的光學(xué)諧振腔中的相長(zhǎng)、特別是一階干涉條件相容以及不再能夠優(yōu)化光引出水平的風(fēng)險(xiǎn)。下部電極的平坦度的改善因而存在以光引出為代價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，二極管的整體性能將不會(huì)改善。
優(yōu)選地，每個(gè)電光元件也包括上部電極，并且所述電光元件是電致發(fā)光二極管，每個(gè)電致發(fā)光二極管具有插入在下部電極和該上部電極之間的至少一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層。優(yōu)選地，對(duì)于每個(gè)二極管，所述下部電極朝向該二極管所發(fā)射的光反射，所述上部電極朝向同樣的光半反射，并且這些電極之間的距離適于在這些電極之間形成用于所述發(fā)射光的光學(xué)諧振腔。
優(yōu)選地，所述距離等于80nm或更小。該條件表達(dá)了對(duì)于發(fā)射光的一階諧振。由于根據(jù)本發(fā)明，下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層位于形成在每個(gè)二極管中的光學(xué)諧振腔之外，所以結(jié)構(gòu)得益于完全預(yù)期的范圍以獲得所需的平坦化效果，而沒有任何削弱光學(xué)腔的調(diào)諧和光引出性能的風(fēng)險(xiǎn)。用于得到最佳光學(xué)腔的裝置與用于得到最佳平坦化的裝置是完全分開的。應(yīng)注意的是，文件US2002/025391沒有提及現(xiàn)有技術(shù)在平坦度與光引出之間進(jìn)行困難折衷的這一問題，因?yàn)槠渖婕暗碾姽庠且壕卧?br> 優(yōu)選地，每個(gè)電光元件也包括對(duì)于可見光透明或部分透明的上部電極，并且該元件的下部電極通過(guò)所述元件反射或部分地反射可見光。
因此，覆蓋用于為每個(gè)電光元件供電的下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層的金屬層用于反射可見光，利用如在文件US 5705888和US 5719467(一種變型)中那樣由單一有機(jī)導(dǎo)電層形成的下部電極通常不能實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)。
如果電光元件是液晶單元，則這些單元因而通過(guò)反射來(lái)工作。例如，顯示器可以是LCOS(硅上液晶)型。如果電光元件是電致發(fā)光二極管，則顯示器為“頂部發(fā)光”型，也就是說(shuō)通過(guò)與基板相反側(cè)的二極管來(lái)發(fā)光。
因此，用于為每個(gè)電光元件供電的下部電極的雙層結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)用于平坦化的有機(jī)導(dǎo)電層；金屬層，所述金屬層的金屬尤其在其功函數(shù)方面適于以本來(lái)已知的方式通常經(jīng)由一般與該金屬層接觸的載流子注入或傳輸層來(lái)優(yōu)化與有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)的電特性。
該載流子注入或傳輸層因而插入在每個(gè)二極管的下部電極與電致發(fā)光層之間。如果所述下部電極為負(fù)極，則所述載流子為電子，或者，如果所述下部電極是正極，則所述載流子是空穴。
作為一種變型，對(duì)于每個(gè)二極管，所述上部電極是負(fù)極而所述下部電極是正極。因此，這是一種常規(guī)的結(jié)構(gòu)。
在另一種變型中，對(duì)于每個(gè)二極管，所述上部電極是正極而所述下部電極是負(fù)極。這因此是一種倒置的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述顯示器僅包括單一的基板(1)，所述基板支撐所述有源矩陣和二極管陣列。因此，所述二極管陣列附著到所述單一基板上而不是，至少部分地，還附著到位于與支撐有源層的基板相反側(cè)上的另一“上部”基板上。這意味著在顯示器的制造期間，在下部電極的金屬層上沉積有機(jī)電致發(fā)光層、在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候沉積載流子傳輸和/或注入層，在這種情況下，這些層的有機(jī)材料不會(huì)顯著穿透到金屬層的金屬中。相反，如果存在“上部”基板，則在該基板上將沉積包括電極的二極管的各種層，則有機(jī)層的有機(jī)材料將穿透到下部電極的金屬層的金屬中。
根據(jù)本發(fā)明的顯示器仍然可以設(shè)置有保護(hù)密封層，其覆蓋所述上部電極，因此該層對(duì)于二極管所發(fā)射的光是透明的。所述二極管插入在單一基板和該層之間。該保護(hù)密封層可以是剛性或柔性片。
優(yōu)選地，遠(yuǎn)離穿過(guò)絕緣層的任何通孔，所述絕緣層具有在其區(qū)域上變化不超過(guò)10％的恒定的厚度。該絕緣層可以被再分成數(shù)個(gè)子層，所述數(shù)個(gè)子層包括位于有源矩陣的電路或電極陣列的上部與電光元件的下部電極之間的絕緣子層組。則該層的總厚度在上述部件的位置處以及在這些部件的旁邊尤為相同。因此，所述絕緣層因而實(shí)際上沒有提供平坦化功能?？雌饋?lái)所述下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層因而提供了幾乎全部的平坦化功能，所述平坦化功能增強(qiáng)了電光元件的性能。
優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度等于100nm或更小。該絕緣層的這樣低的總厚度通常不再允許該層提供任何平坦化功能，由此進(jìn)一步增強(qiáng)了每個(gè)電光元件的下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層的益處，以獲得電光元件的下部電極的足夠的平坦度。
優(yōu)選地，所述絕緣層由無(wú)機(jī)材料制成。作為無(wú)機(jī)材料，可以使用例如硅石(silica)、氮化硅、氧化鉭(Ta2O5)或其他材料，所述無(wú)機(jī)材料優(yōu)選具有高的介電常數(shù)。無(wú)機(jī)材料有利的是比有機(jī)材料穩(wěn)定得多。有利的是，選擇適于提供擴(kuò)散阻擋功能的絕緣材料，如在文件US 6597111和US6765351(第6欄，第20-27行)中所描述的那樣，所述絕緣材料能夠避免用于有源矩陣的驅(qū)動(dòng)/供電電路與電光元件之間的相互污染的風(fēng)險(xiǎn)。假設(shè)為形成層而涂敷所述材料的普通方式，則這樣的無(wú)機(jī)材料不適于提供平坦化功能，由此進(jìn)一步增強(qiáng)了每個(gè)電光元件的下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層的益處，以獲得電光元件下部電極的足夠的平坦度。
優(yōu)選地，所述有源矩陣包括用于向所述電光元件供電并驅(qū)動(dòng)所述電光元件的電路陣列，每個(gè)電路具有供電輸出端子，并且每個(gè)電光元件的下部供電電極的有機(jī)導(dǎo)電層通過(guò)通孔穿過(guò)所述絕緣層從而將該電光元件的所述下部電極電連接到用于向所述有源矩陣供電并驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣的電路之一的供電輸出端子。所述下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層因此穿透到每個(gè)通孔中直至與電路的供電輸出端子接觸。則該層具有兩個(gè)功能—平坦化以及將電路的輸出端子電連接到所述下部電極。有利的是，這免除了在沉積有機(jī)導(dǎo)電層之前在每個(gè)孔中沉積連接體(通常稱為通孔)的特定步驟。
每個(gè)供電/驅(qū)動(dòng)電路通常也包括供電輸入端子，其連接到用于有源矩陣的電極陣列中的一個(gè)的供電電極。


通過(guò)閱讀以非限制性實(shí)例的方式給出的以下說(shuō)明并參考附圖，將會(huì)更清楚的理解本發(fā)明，其中圖1是已經(jīng)描述過(guò)的現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣顯示器的截面圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的截面圖，其中絕緣層像在現(xiàn)有技術(shù)中那樣用于平坦化；以及圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的截面圖，其中絕緣層比在現(xiàn)有技術(shù)中薄得多并且不再用于平坦化。
具體實(shí)施例方式
為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并指出本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所提供的差異和優(yōu)點(diǎn)，將相同的附圖標(biāo)記用于實(shí)現(xiàn)相同功能的元件。
現(xiàn)將參照?qǐng)D2描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器的制造。
有源矩陣11以與已經(jīng)提及的文件US 6780688中描述的有源矩陣相同的方式制造，像在現(xiàn)有技術(shù)中以及圖中所示那樣，通過(guò)施加足夠大的體積的絕緣材料來(lái)在有源矩陣11上形成上部絕緣層14，以用于平坦化由集成到矩陣中的電路和電極(未示出)所形成的部件。如在現(xiàn)有技術(shù)中那樣，在用于調(diào)制每個(gè)電路中的電流的每個(gè)TFT晶體管的電流電極處，穿過(guò)上部絕緣層14并穿過(guò)其他可能的下層絕緣層形成通孔20。如在現(xiàn)有技術(shù)中那樣，形成限定二極管位置的分隔阻擋物(separating barrier)陣列15。
在每個(gè)二極管的位置，涂敷有機(jī)導(dǎo)電材料161的層，使得該材料穿透到通孔20的底部并確保下部電極與用于驅(qū)動(dòng)有源矩陣11的每個(gè)電路的TFT12的電流電極的電接觸。以本來(lái)已知的方式(in a manner known per se)來(lái)選擇具有適當(dāng)電導(dǎo)率的有機(jī)材料，以賦予所述層足夠的電導(dǎo)使其用于下部電極的功能。
所述層的有機(jī)導(dǎo)電材料優(yōu)選選自以下聚合物及其混合物所形成的組聚噻吩、聚吡咯、聚胺、聚苯胺和聚乙炔。為了得到預(yù)期水平的電導(dǎo)率，在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，這些聚合物以本來(lái)已知的方式被摻雜和/或混合以其他的化合物。
得益于將根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)材料用作顯示器電光元件下部電極的下層，得到了這些電極與現(xiàn)有技術(shù)中相比好得多的平坦度，所述電光元件在此處是二極管。特別是，已發(fā)現(xiàn)通孔20的空的仿形體21已經(jīng)實(shí)際上消失。
將金屬層162施加到這樣沉積的有機(jī)導(dǎo)電層161上，該金屬層因此被非常好地平坦化。
如在現(xiàn)有技術(shù)中那樣，沉積在該金屬層162上的是有機(jī)電致發(fā)光層17、此處為所有二極管所公有的上層18以及保護(hù)層19’。
在這樣得到的顯示器的每個(gè)二極管處，有機(jī)導(dǎo)電層161和金屬層162形成了該二極管的下部電極16’。
有機(jī)電致發(fā)光層17通常包括數(shù)個(gè)子層，所述數(shù)個(gè)子層包括在特定的發(fā)光有機(jī)子層任意側(cè)的載流子傳輸和/或注入子層，其中電子在負(fù)極側(cè)而空穴在正極側(cè)。
因此，載流子傳輸和/或注入子層之一與下部電極16的金屬層162直接接觸。
所述金屬層的金屬以本來(lái)已知的方式被選取，從而獲得用于將載流子注入到電致發(fā)光層17中、尤其是注入到該金屬與其直接接觸的載流子傳輸和/或注入子層中的最佳特性。所述金屬的功函數(shù)是用于選取其的已知判斷標(biāo)準(zhǔn)。
優(yōu)選地，該金屬層162的厚度是足夠的，以用于獲得對(duì)于電致發(fā)光層17所發(fā)出的光的反射效果。因此在該金屬層162與上部電極18之間存在光學(xué)腔，尤其是在該上部電極是半反射時(shí)。
為了改善由二極管所發(fā)射的光的引出，已知的是調(diào)整該光學(xué)腔的高度以及該空腔中的發(fā)光子層的位置，例如在文件US 6505901、EP 1154676、US2003/122481、WO 2004/034750、EP 1406315、EP 1439589和EP 1443572中所描述的那樣。因此，得到了高度通常在約70至80nm的光學(xué)諧振腔。這種調(diào)整導(dǎo)致了位于電極之間的各種子層的厚度被固定，因而使得這些厚度的和不超過(guò)70至80nm。這種70至80nm的總厚度并沒有為有效平坦化的層留下很大的空間。這就是為什么根據(jù)本發(fā)明，平坦化層位于電極之間的間隙外部的原因。因?yàn)椋鶕?jù)本發(fā)明，下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層161位于光學(xué)腔外部，而不像在上述的US 6586764、US 5723873和US 5719467中所描述的電極的有機(jī)層那樣，所以在調(diào)諧(tuning)該光學(xué)腔時(shí)，并沒有涉及有機(jī)導(dǎo)電層161。因此，所述結(jié)構(gòu)受益于完全預(yù)期的范圍以獲得所需的平坦化效果，而沒有任何削弱光學(xué)腔的調(diào)諧和光引出性能的風(fēng)險(xiǎn)。用于得到最佳光學(xué)腔的方式與用于得到最佳平坦化的方式是完全分開的。
下部電極的有機(jī)導(dǎo)電層的平坦化功能甚至可以取代絕緣層14的平坦化功能，如本發(fā)明的第二實(shí)施例所說(shuō)明的那樣，現(xiàn)將參照?qǐng)D3描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。
如在該圖中所示出的那樣，該實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同僅在于沉積在有源矩陣11上的上部絕緣層14’的厚度比先前要小得多、具體而言為100nm或更小，和/或在其整個(gè)區(qū)域上具有近似恒定的值，尤其在10％之內(nèi)。該厚度實(shí)際上意味著位于一方面集成到供電/驅(qū)動(dòng)電路的元件12、13的有源矩陣11中的上部電極121、131與另一方面二極管的下部電極16的有機(jī)導(dǎo)電層161”之間的絕緣材料的總厚度。根據(jù)一種變型，該絕緣層14’可以分布為數(shù)個(gè)絕緣子層；以及然而，二極管的下部電極16”的有機(jī)導(dǎo)電層161’的厚度比先前要大，優(yōu)選等于100nm或更大，并且其具有變化的足夠的體積和厚度，從而使特別是用于有源矩陣11的驅(qū)動(dòng)/供電電路的元件12、13所形成的部件平坦化。
作為用于該層161’的有機(jī)導(dǎo)電材料，以本來(lái)已知的方式選擇適于平坦化的導(dǎo)電聚合物。優(yōu)選地使用PEDOT-PSS，也就是聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiothene))和聚苯乙烯磺酸鹽(polystyrenesulphonate)的混合物。已知該導(dǎo)電聚合物適用于液態(tài)加工(liquid processing)，因此通過(guò)液態(tài)加工來(lái)涂敷該有機(jī)導(dǎo)電材料的層，由此能夠容易地實(shí)現(xiàn)所述部件的預(yù)期填充。
在第一或第二實(shí)施例的第一變型中，省去了制造分隔阻擋物15的步驟。在這種情況下，在絕緣層14、14’上，在顯示器的整個(gè)有源表面之上沉積沒有空洞(也就是說(shuō)沒有“孔穴(aperture)”-稱為“滿層(full layer)”)的連續(xù)的有機(jī)層，制造于該層中的是導(dǎo)電聚合物部件，所述導(dǎo)電聚合物部件彼此電隔離從而像先前那樣結(jié)束于(end up with)有機(jī)導(dǎo)電層161、161’的相同部件。為了這一目的，使用在文件US 5705888和EP 0727100中所描述的任意一種方法。正如在這些文件中所說(shuō)明的那樣，起始材料是絕緣連續(xù)有機(jī)層，或者相反，是導(dǎo)電連續(xù)有機(jī)層都是無(wú)關(guān)緊要的，其中所述絕緣連續(xù)有機(jī)層具有對(duì)應(yīng)于二極管下部電極的區(qū)域以進(jìn)行導(dǎo)電，所述導(dǎo)電連續(xù)有機(jī)層具有位于對(duì)應(yīng)于二極管下部電極的區(qū)域之間的埋入二極管(inter-diode)區(qū)域以進(jìn)行絕緣。
將金屬層162涂敷到如此沉積的有機(jī)導(dǎo)電層161上，所述金屬層例如通過(guò)真空沉積法而被涂敷，該方法插入適當(dāng)?shù)难谀Ｊ蛊涠ㄎ怀蓪⒔饘賰H沉積在二極管的位置。這是用于沉積電極的已知方法。
然后該過(guò)程如以上所述繼續(xù)。
因此得到了有機(jī)導(dǎo)電層161’連續(xù)的顯示器。不管該層的連續(xù)性如何，能夠在利用表現(xiàn)出各向異性電導(dǎo)率的有機(jī)材料的下部電極之間保持足夠的電絕緣，和/或在對(duì)于每個(gè)電極特定的金屬層162的元件之間保持足夠的距離，所述各向異性電導(dǎo)率基本上在橫向上比沿其表面導(dǎo)電性更強(qiáng)。
用于在下部電極之間得到良好電絕緣的一種有利的方式是消除位于金屬層162的元件之間的有機(jī)導(dǎo)電層的部分在已沉積金屬層162的元件之后，應(yīng)用例如等離子體蝕刻處理，該處理使位于金屬層162的元件之間的有機(jī)導(dǎo)電層部分退化并消除，而沒有顯著影響金屬層162的元件和有機(jī)導(dǎo)電層161’的下層元件。
該變型與其子變型具有省去制造分隔阻擋物的步驟以及獲得更好的顯示器上表面的平面度的優(yōu)點(diǎn)。
已經(jīng)參考頂部發(fā)光有源矩陣電致發(fā)光顯示器描述了本發(fā)明。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不偏離權(quán)利要求的范圍的前提下，本發(fā)明可應(yīng)用于其他類型的顯示器。
權(quán)利要求
1.一種顯示器，該顯示器包括基板(1)，所述基板支撐有源矩陣；覆蓋所述有源矩陣的上部電絕緣層(14，14’)；以及位于所述絕緣層(14，14’)上的電光元件陣列，每個(gè)電光元件包括涂敷于所述絕緣層(14，14’)的下部供電電極(16’，16”)，其特征在于，每個(gè)電光元件的所述下部供電電極(16’，16”)包括直接涂敷于所述絕緣層(14，14’)的有機(jī)導(dǎo)電層(161，161’)以及覆蓋所述有機(jī)導(dǎo)電層的金屬層(162)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，每個(gè)電光元件還包括上部電極(18)，并且所述電光元件是電致發(fā)光二極管，每個(gè)所述電致發(fā)光二極管具有插入在該二極管的所述下部電極(16’，16”)與所述上部電極(18)之間的至少一個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層(17)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器，其特征在于，對(duì)于每個(gè)二極管，所述下部電極是朝向該二極管所發(fā)射的光反射，所述上部電極是朝向同樣的光半反射。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的顯示器，其特征在于，對(duì)于每個(gè)二極管，所述下部電極和所述上部電極之間的距離適于在這些電極之間形成用于該二極管所發(fā)射的光的光學(xué)諧振腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其特征在于，所述距離等于80nm或更小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，所述顯示器僅包括單個(gè)支撐所述有源矩陣和所述二極管陣列兩者的基板(1)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任何一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，遠(yuǎn)離穿過(guò)所述絕緣層(14，14’)的任何通孔(20)，該絕緣層(14，14’)具有在其區(qū)域上變化不超過(guò)10％的恒定的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任何一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，所述絕緣層(14，14’)的厚度等于100nm或更小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，所述絕緣層(14，14’)由無(wú)機(jī)材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任何一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，當(dāng)所述有源矩陣包括用于向所述電光元件供電并驅(qū)動(dòng)所述電光元件的電路陣列時(shí)，每個(gè)電路具有供電輸出端子，每個(gè)電光元件的下部供電電極(16’，16”)的所述有機(jī)導(dǎo)電層(161，161’)通過(guò)通孔(20)穿過(guò)所述絕緣層從而將該電光元件的所述下部電極電連接到用于向所述有源矩陣供電并驅(qū)動(dòng)所述有源矩陣的電路之一的供電輸出端子。
全文摘要
在該顯示器中，上部電絕緣層(14，14’)覆蓋有源矩陣；每個(gè)電光元件包括涂敷于該絕緣層(14，14’)的下部供電電極(16’，16”)。根據(jù)本發(fā)明，該下部電極包括直接涂敷于所述絕緣層(14，14’)的有機(jī)導(dǎo)電層(161，161’)以及覆蓋所述有機(jī)導(dǎo)電層的金屬層(162)。這樣的結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)光學(xué)腔效應(yīng)優(yōu)化平坦化以及光引出，由此改善顯示器的性能。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1848448SQ20061007543
公開日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2006年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月14日
發(fā)明者戴維·沃夫瑞, 貝努特·拉辛 申請(qǐng)人:湯姆森特許公司