專利名稱：在絕緣體上的外延半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件及其制造方法，尤其涉及在絕緣體上的半導(dǎo)體(SOI)結(jié)構(gòu)和器件以及SOI結(jié)構(gòu)、器件和集成電路的制造和使用，該SOI結(jié)構(gòu)、器件和集成電路包括由半導(dǎo)體材料和/或例如金屬和非金屬的其它類型材料構(gòu)成的單晶材料層。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件通常包括多層導(dǎo)電、絕緣和半導(dǎo)體層。通常，層的結(jié)晶度改善了這些層的所需性質(zhì)。例如，隨著層結(jié)晶度的提高，改善了半導(dǎo)體層的電子遷移率和帶隙。同樣，隨著這些層結(jié)晶度的提高，改善了導(dǎo)電層的自由電子濃度和絕緣或介質(zhì)膜的電子電荷位移矢量和電子能可恢復(fù)性。
多年來，曾嘗試在異質(zhì)襯底(例如硅(Si))上生長各種單一薄膜。但是，為了獲得各種單一層的最佳特性，需要高結(jié)晶質(zhì)量單晶膜。例如，曾嘗試在例如鍺、硅和各種絕緣體的襯底上生長各種單晶層。因為在結(jié)晶核和生長晶體之間的晶格失配導(dǎo)致單晶材料的最終層是低結(jié)晶質(zhì)量的，這些嘗試一般都沒有成功。
如果可低成本地得到高質(zhì)量單晶材料的大面積薄膜，那么同由半導(dǎo)體材料的體晶片開始或在半導(dǎo)體材料體晶片上這種材料的外延膜中制造這些器件的成本相比，可以以低成本在該膜中或使用該膜有利地制造許多半導(dǎo)體器件。此外，如果可以從例如硅晶片的體晶片開始實現(xiàn)高質(zhì)量單晶材料薄膜，那么可以獲得利用硅和高質(zhì)量單晶材料的最佳性質(zhì)的集成器件結(jié)構(gòu)。
因此，需要一種在另一單晶材料上提供高質(zhì)量單晶膜或?qū)拥陌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造該結(jié)構(gòu)的工藝。也就是說，需要提供對高質(zhì)量單晶材料層是柔性的單晶襯底的形成，以獲得用于形成具有與在下面的襯底相同晶向的生長單晶膜的高質(zhì)量半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件和集成電路的真正二維生長。該單晶材料層由半導(dǎo)體材料以及例如金屬和非金屬的其它類型材料構(gòu)成。


通過附圖中的實例說明本發(fā)明，且不限制本發(fā)明，其中相同的標號代表相同的元件，其中圖1、2和3以剖面圖示意性說明按照本發(fā)明的各個實施例的器件結(jié)構(gòu)；圖4圖解說明最大可得膜厚度和結(jié)晶核和生長晶體表層之間晶格失配之間的關(guān)系；圖5-7以剖面圖示意性說明形成按照本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)的另一實施例；圖8以剖面圖示意說明形成按照本發(fā)明一個實施例的單片集成電路；和圖9以剖面圖示意說明按照本發(fā)明的另一實施例的單片集成電路。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，為了簡化和清晰，在附圖中的元件僅是說明性的，其無需按比例示出。例如，在附圖中某些元件的尺寸相對于另一些元件可以放大以有助于提高對本發(fā)明實施例的理解。
具體實施例方式
圖1以剖面圖示意性說明按照本發(fā)明實施例的部分半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20包括單晶襯底22、含單晶材料的調(diào)節(jié)緩沖層24和單晶材料層26。在本文中，術(shù)語“單晶”具有半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)通用的含義。該術(shù)語應(yīng)指單一晶體或基本上為單一晶體的材料，并應(yīng)包括具有較低數(shù)量缺陷(例如位錯等)的那些材料，這些缺陷在半導(dǎo)體工業(yè)中常見的硅或鍺、或硅和鍺的混合襯底以及這些材料的外延層中是常見的。
按照本發(fā)明的一個實施例，結(jié)構(gòu)20還包括位于襯底22和調(diào)節(jié)緩沖層24之間的非晶中間層28。結(jié)構(gòu)20還包括在調(diào)節(jié)緩沖層和單晶材料層26之間的模板(template)層30。以下將詳盡說明模板層有助于促使單晶材料層在調(diào)節(jié)緩沖層上生長。非晶中間層有助于釋放調(diào)節(jié)緩沖層中的應(yīng)力，通過這樣做來幫助高結(jié)晶質(zhì)量調(diào)節(jié)緩沖層的生長。
按照本發(fā)明的實施例，襯底22是單晶半導(dǎo)體晶片，優(yōu)選是大直徑的。例如晶片可以是周期表IV族的材料。IV族半導(dǎo)體材料的實例包括硅、鍺、混合硅和鍺、混合硅和碳、混合硅、鍺和碳等。優(yōu)選地，襯底22是包含硅或鍺的晶片，最好是用在半導(dǎo)體工業(yè)中的高質(zhì)量單晶硅晶片。調(diào)節(jié)緩沖層24優(yōu)選是在下面襯底上外延生長的單晶氧化物或氮化物材料。按照本發(fā)明的一個實施例，在層24生長期間，通過氧化襯底22，在襯底22和生長的調(diào)節(jié)緩沖層之間的界面，在襯底22上生長非晶中間層28。非晶中間層用作釋放應(yīng)力，否則由于襯底和緩沖層晶格常數(shù)的不同可能在單晶調(diào)節(jié)緩沖層中產(chǎn)生應(yīng)力。這里所用的晶格常數(shù)指在表面平面中測量的晶胞原子之間的距離。如果這種應(yīng)力沒有通過非晶中間層釋放，該應(yīng)力可能在調(diào)節(jié)緩沖層的晶體結(jié)構(gòu)中引起缺陷。結(jié)果在調(diào)節(jié)緩沖層晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷將使得難于在單晶材料層26中獲得高質(zhì)量晶體結(jié)構(gòu)，單晶材料層26包括半導(dǎo)體材料或例如金屬或非金屬的其它類型材料。
調(diào)節(jié)緩沖層24優(yōu)選為根據(jù)它與下面的襯底和上面的材料層的結(jié)晶相配度而選擇的單晶氧化物或氮化物材料。例如，該材料可以是具有與襯底和隨后應(yīng)用的單晶材料層接近匹配的晶格結(jié)構(gòu)的氧化物或氮化物。適用于調(diào)節(jié)緩沖層的材料包括金屬氧化物，例如堿土金屬鈦酸鹽、堿土金屬鋯酸鹽、堿土金屬鉿酸鹽、堿土金屬鉭酸鹽、堿土金屬釕酸鹽、堿土金屬鈮酸鹽、堿土金屬釩酸鹽、堿土金屬錫基鈣鈦礦、鑭鋁酸鹽、鑭鈧氧化物和氧化釓。此外，各種氮化物，例如氮化鎵、氮化鋁，和氮化硼也可以用于調(diào)節(jié)緩沖層。盡管例如釕酸鍶是導(dǎo)體，但這些材料大多數(shù)是絕緣體。一般這些材料是金屬氧化物或金屬氮化物，特別是這些金屬氧化物或氮化物典型地包括至少兩種不同的金屬元素。在某些特定的應(yīng)用中，金屬氧化物或氮化物可以包括三種或更多不同的金屬元素。
按照本發(fā)明的一個實施例，調(diào)節(jié)緩沖層24是具有經(jīng)驗式ABOx的材料，其中A是鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或這些材料兩種或多種的組合。調(diào)節(jié)緩沖層24的組分最好選擇成它至少部分、優(yōu)選基本上與下面的材料層晶格匹配。
非晶界面層28優(yōu)選是由氧化襯底22的表面形成的氧化物，最好是由氧化硅構(gòu)成。層28的厚度足夠釋放造成襯底22和調(diào)節(jié)緩沖層24的晶格常數(shù)之間失配的應(yīng)力。層28典型具有大約0.5-5nm范圍的厚度。
總的來說，層32在調(diào)節(jié)緩沖層24和在遞變層32上面隨后淀積的單晶材料層的晶格常數(shù)之間提供晶格常數(shù)過渡。特別是層32的材料選擇成通過改變層32的組分可以改變層32的晶格常數(shù)，以使層32的底部與調(diào)節(jié)緩沖層24晶格匹配，且層32的頂部與隨后應(yīng)用的單晶材料層晶格匹配。
根據(jù)需要選擇遞變單晶層32的材料，用于特定的結(jié)構(gòu)或應(yīng)用。例如，層32的單晶材料可以包括混合IV族半導(dǎo)體，其中通過改變膜成分比例作為膜厚度函數(shù)改變材料的晶格常數(shù)。按照本發(fā)明的一個實施例，層32包括SiyGe1-y(y的范圍從0到1)，其中鍺的濃度在模板30表面附近很低(即0％)而在層32的頂部附近很高(即100％)。在這種情況下，層32的下表面與包括調(diào)節(jié)緩沖層24的材料接近晶格匹配，而層32的頂部與鍺晶格匹配。按照本發(fā)明的另一實施例，層32包括鍺，其與包括調(diào)節(jié)緩沖層24(例如SrTiO3)的材料接近晶格匹配。這里所用的術(shù)語“遞變”指包括多于一種半導(dǎo)體成分的單晶層，其中通過改變膜(例如SiyGe1-y或SiC)成分作為膜厚度函數(shù)改變單晶材料的晶格常數(shù)。由此，結(jié)構(gòu)20向隨后單晶材料的生長提供了合適的襯底，該單晶材料的晶格常數(shù)不同于襯底22或調(diào)節(jié)緩沖層24材料的晶格常數(shù)。
以下將介紹用于模板30的適當(dāng)材料。合適的模板材料在選定位置以化學(xué)方法鍵合到調(diào)節(jié)緩沖層24的表面，并提供用于遞變單晶層32外延生長形成晶核的位置。當(dāng)使用時，模板層30具有從大約1到大約10單原子層范圍的厚度。
圖2以剖面圖說明按照本發(fā)明的又一實施例的部分半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)40。除了在遞變層32上形成單晶材料附加層26之外，結(jié)構(gòu)40與先前介紹的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20相似。層26的材料可包括絕緣、半導(dǎo)體或?qū)w材料。例如，層26可包括半導(dǎo)體材料，例如IV族材料；導(dǎo)體材料，例如金屬；絕緣材料，例如氧化物。
圖3以剖面圖示意性說明按照本發(fā)明另一示例性實施例的部分半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)34。除了結(jié)構(gòu)34包括非晶層36(而不是調(diào)節(jié)緩沖層24和非晶界面層28)和附加單晶層38之外，結(jié)構(gòu)34與結(jié)構(gòu)20相似。
以下將更為詳盡地說明通過與上述方式相似的方式首先形成調(diào)節(jié)緩沖層和非晶界面層來形成非晶層36。接著在單晶調(diào)節(jié)緩沖層上面形成(通過外延生長)單晶層38。接著使調(diào)節(jié)緩沖層經(jīng)受退火處理以把單晶調(diào)節(jié)緩沖層轉(zhuǎn)化為非晶層。以這種方式形成的非晶層36包括調(diào)節(jié)緩沖層和界面層材料，該非晶層可合并或不合并。由此，層36可包括一層或二層非晶層。在襯底22和附加單晶層26(在層38之后形成)之間形成的非晶層36釋放了在層22和層38之間的應(yīng)力，并向隨后的處理(例如形成單晶材料層26)提供了真正的柔性襯底。
與圖1和2有關(guān)的上述在前工藝適用于在單晶襯底上生長單晶材料層。但是，結(jié)合圖3介紹的工藝對于生長單晶材料層更好，因為它釋放了層26中所有應(yīng)力，該工藝包括把單晶調(diào)節(jié)緩沖層轉(zhuǎn)換為非晶氧化層。
附加單晶層38可包括本申請中所述的與單晶材料層26或附加緩沖層32有關(guān)的任何材料。例如，當(dāng)單晶材料層26包括半導(dǎo)體材料時，層38可包括單晶IV族材料。
按照本發(fā)明的一個實施例，附加單晶層38用作形成層36期間的退火覆蓋層并用作隨后形成單晶層26的模板。因此，層38優(yōu)選足夠厚以提供用于層26(至少單原子層)生長的合適模板并且足夠薄以使層38形成為基本上無缺陷的單晶材料。
按照本發(fā)明的另一個實施例，附加單晶層38包括厚度足以在層38內(nèi)形成器件的單晶材料(例如與單晶層26有關(guān)的上面介紹的材料)。在這種情況下，按照本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不包括單晶材料層26。換句話說，按照該實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)僅包括設(shè)置在非晶氧化層36上的一個單晶層。
以下非限定性的示例性實例說明了按照本發(fā)明各個替換實施例、用于結(jié)構(gòu)20、40和34中的材料組合。這些實例僅是說明性的，并不使本發(fā)明限制于這些說明性的實例。
實例1按照本發(fā)明的一個實施例，單晶襯底22是(100)方向取向的硅襯底。例如硅襯底可以是通常用于制造具有大約200-300mm直徑的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路的硅襯底。按照本發(fā)明的該實施例，調(diào)節(jié)緩沖層24是CazSr1-zTiO3(其中z的范圍從0到1)的單晶層，非晶中間層是在硅襯底和調(diào)節(jié)緩沖層之間界面形成的氧化硅(SiOx)層。選擇z值以獲得與隨后形成的層32的相應(yīng)晶格常數(shù)接近匹配的一個或多個晶格常數(shù)。調(diào)節(jié)緩沖層可以具有大約2到大約100納米(nm)的厚度，優(yōu)選具有大約5nm的厚度?？偟膩碚f，希望調(diào)節(jié)緩沖層足夠厚以使遞變層與襯底絕緣。厚度大于100nm的層通常提供較少的附加好處，同時增加了不必要的成本；但是，如果需要還是要制造較厚層。氧化硅非晶中間層具有大約0.5-5nm的厚度，優(yōu)選具有大約1到2nm的厚度。
按照本發(fā)明的該實施例，單晶層32是包括SiyGe1-y的IV族半導(dǎo)體層，其中y的范圍從0到1，其具有大約1nm到大約100μm的厚度，優(yōu)選具有大約0.1μm到10μm的厚度，最好具有大約0.1到5μm的厚度。厚度一般取決于隨后淀積的材料(例如圖2-3的層26)。還可以類似地改變其它化合物半導(dǎo)體材料的組分，例如上面列舉的那些，以用同樣的方式來控制層32的晶格常數(shù)。為了易于在單晶氧化物上外延生長遞變層，通過覆蓋氧化層來形成模板層。模板層優(yōu)選是1-10單原子層的Sr-Si、SiOx、Sr-Si-O、Ti-Si、Ti-Ge、Sr-Ge-O、Sr-Ge、GeOx。
實例2按照本發(fā)明的又一實施例，單晶襯底22是上述硅襯底。調(diào)節(jié)緩沖層是立方或斜方晶相的鍶或鋇鋯酸鹽或鉿酸鹽單晶氧化物，具有在硅襯底和調(diào)節(jié)緩沖層之間界面形成的非晶氧化硅中間層。調(diào)節(jié)緩沖層具有大約2-100nm的厚度，優(yōu)選具有至少5nm的厚度以確保適當(dāng)?shù)慕Y(jié)晶度和表面質(zhì)量，并由單晶SrZrO3、BaZrO3、SrTiO3或BaTiO3構(gòu)成。例如，在大約700℃溫度可生長Sr(Zr，Ti)O3單晶氧化層。最終結(jié)晶氧化物的晶格結(jié)構(gòu)相對于襯底硅晶格結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)45度。
由這些鋯酸鹽或鈦酸鹽材料構(gòu)成的調(diào)節(jié)緩沖層適用于包括例如鍺(Ge)的半導(dǎo)體材料的單晶材料層的生長，具有大約1.0nm到10μm的厚度。對該結(jié)構(gòu)適合的模板是1-10單原子層的Ti-Ge、Sr-Ge-O、Sr-Ge或GeOx，優(yōu)選1-2單原子層的這些材料中的一個。通過實例，對于Sr(Zr，Ti)O3調(diào)節(jié)緩沖層，用1-2單原子層鈦之后淀積1-2單原子層的鍺結(jié)束表面來形成Ti-Ge模板。接著在模板層上生長單原子鍺層。最終的半導(dǎo)體材料晶格結(jié)構(gòu)相對于調(diào)節(jié)緩沖層晶格結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)45度，并且對(100)Ge的晶格失配少于2.5％，優(yōu)選少于大約1.0％。
實例3該實例也說明用在圖2說明的結(jié)構(gòu)40中的材料。襯底材料22、調(diào)節(jié)緩沖層24、單晶遞變層32和模板層30可以與上述實例1介紹的相同。按照該實施例的一個方案，層32包括SiyGe1-y，其中硅組分從0到大約50％變化。緩沖層優(yōu)選具有大約10-30nm的厚度。從SiGe到Ge改變層32的組分用于提供在下面的單晶氧化物材料和上面的單晶材料層(在該實例中是Ge層)之間的晶格匹配。
實例4該實例提供用在如圖3說明的結(jié)構(gòu)34中的示例材料。與實例4有關(guān)的襯底材料22、模板層30和單晶材料層26可以與上述的相同。
非晶層36是由非晶中間層材料(例如上述層28的材料)和調(diào)節(jié)緩沖層材料(例如上述層24的材料)的組合適當(dāng)構(gòu)成的非晶層。例如，非晶層36包括在形成非晶層36的退火工藝期間其至少部分地組合或混合的SiOx、SrzBa1-zTiO3(其中z的范圍從0到1)和Si的組合。
非晶層36的厚度從一個應(yīng)用中到在另一個應(yīng)用中可以變化，取決于所需層36的絕緣性質(zhì)、包括層26的單晶材料類型等因素。按照本實施例的一個示例性方案，層36的厚度從大約2nm到大約100nm，優(yōu)選大約2-10nm，最好是大約5-6nm。
層38包括可以在例如用于形成調(diào)節(jié)緩沖層24的材料的單晶材料上外延生長的單晶材料。按照本發(fā)明的一個實施例，層38包括與含層26的材料相同的材料。例如，如果層26包括SiGe，層38也包括SiGe。但是，按照本發(fā)明其它實施例，層38包括與用于形成層26的材料不同的材料。按照本發(fā)明的一個示例性實施例，層38包括硅且為大約1單原子層到大約100nm厚。
再參照圖1-3，襯底22是單晶襯底，例如單晶硅襯底。單晶襯底的晶體結(jié)構(gòu)特征在于晶格常數(shù)和晶格取向。相似地，調(diào)節(jié)緩沖層24也是單晶材料并且該單晶材料的晶格特征在于晶格常數(shù)和晶向。調(diào)節(jié)緩沖層和單晶襯底的晶格常數(shù)必須接近匹配，或作為替換，必須能夠根據(jù)相對于另一個晶向旋轉(zhuǎn)一個晶向來獲得晶格常數(shù)的基本匹配。在本文中，術(shù)語“基本相等”和“基本匹配”意為晶格常數(shù)之間存在足夠的相似性以能夠在下面的層上生長高質(zhì)量結(jié)晶層。
圖4圖解說明高結(jié)晶質(zhì)量的生長晶體層的可得厚度作為結(jié)晶核和生長晶體的晶格常數(shù)之間失配函數(shù)的關(guān)系。曲線42說明高結(jié)晶質(zhì)量材料的邊界。曲線42右邊的區(qū)域代表具有大量缺陷的層。由于沒有晶格失配，理論上在結(jié)晶核上可能生長無限厚、高質(zhì)量的外延層。隨著晶格常數(shù)失配的增加，迅速減小了高質(zhì)量結(jié)晶層的可得厚度。作為參考點，例如，結(jié)晶核和生長層之間的晶格常數(shù)失配大約大于2％，那么不能獲得超過大約20nm的單晶外延層。
按照本發(fā)明的一個實施例，襯底22是(100)或(111)取向的單晶硅晶片，調(diào)節(jié)緩沖層24是鈣鍶鈦酸鹽層。通過相對于硅襯底晶片晶向把鈦酸鹽材料的晶向旋轉(zhuǎn)45獲得了這兩種材料之間晶格常數(shù)的基本匹配。如果它足夠厚，非晶界面層28結(jié)構(gòu)中的內(nèi)含物，在該實例中是氧化硅層，用于減小在鈦酸鹽單晶層中的應(yīng)力，該應(yīng)力可能是由基質(zhì)硅晶片和生長的鈦酸鹽層晶格常數(shù)的任何失配引起的。結(jié)果，按照本發(fā)明的實施例，可以獲得高質(zhì)量的厚單晶鈦酸鹽層。
參照圖2-3，層26是外延生長的單晶材料層，而且單晶材料的特征也在于晶格常數(shù)和晶向。按照本發(fā)明的一個實施例，層26的晶格常數(shù)與襯底22的晶格常數(shù)不同。為了在該外延生長單晶層32中獲得高結(jié)晶質(zhì)量，調(diào)節(jié)緩沖層必須是高結(jié)晶質(zhì)量的。此外，為了在層26中獲得高結(jié)晶質(zhì)量，需要晶核(在這里是單晶層)和生長晶體晶格常數(shù)之間基本匹配。適當(dāng)?shù)剡x擇材料，通過改變層32的組分改變層32的晶格常數(shù)來獲得晶格常數(shù)的這種基本匹配。例如，如果生長的晶體是SiGe，調(diào)節(jié)緩沖層是單晶CazSr1-zTiO3，通過從硅到硅-鍺改變SiyGe1-y層32的組分獲得了兩種材料晶格常數(shù)的基本匹配。在氧化層和生長的單晶材料層之間的結(jié)晶層32減小了在生長的單晶材料層中由晶格常數(shù)的微小差異引起的應(yīng)力。由此獲得了在生長單晶材料層中的較好結(jié)晶質(zhì)量。而且，層32易于把晶體缺陷限制在層32和36界面或在層32和36界面附近并遠離層26。
以下實例說明按照本發(fā)明的一個實施例、用于制造例如圖1-3所示的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝。該工藝起始于提供包括硅或鍺的單晶半導(dǎo)體襯底。按照本發(fā)明的優(yōu)選實施例，半導(dǎo)體襯底是具有(100)取向的硅晶片。襯底優(yōu)選在晶軸上趨向或至多偏離晶軸5度。至少部分襯底具有裸表面，盡管如下所述襯底的其它部分可以包括其它結(jié)構(gòu)。術(shù)語“裸”在本文中意為在部分襯底中的表面被清洗以去除任何氧化物、污染物或其它雜質(zhì)。眾所周知，裸硅是高活性的并易于形成自然氧化物。術(shù)語“裸”意為包括這種自然氧化物。在半導(dǎo)體襯底上還有意地生長薄氧化硅，盡管這種生長氧化物對于按照本發(fā)明的工藝不是必須的。為了在單晶襯底上面外延生長單晶氧化層，首先必須去除自然氧化層以暴露下面襯底的晶體結(jié)構(gòu)。優(yōu)選通過分子束外延(MBE)進行以下的工藝，盡管按照本發(fā)明也可以使用其它外延工藝。通過首先在MBE設(shè)備中熱淀積鍶、鋇、鍶和鋇的組合物或其它堿土金屬或堿土金屬的組合物來去除自然氧化物。在使用鍶的情況下，接著把襯底加熱到大約750℃的溫度以使鍶與自然氧化硅層反應(yīng)。鍶用于減少氧化硅來形成無氧化硅表面。最終表面表現(xiàn)出有序的2×1結(jié)構(gòu)。如果沒有獲得這種有序的2×1結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)可以暴露于附加鍶直到獲得有序2×1結(jié)構(gòu)。有序2×1結(jié)構(gòu)形成用于單晶氧化物的上面層有序生長的模板。模板提供必需的化學(xué)和物理性質(zhì)以使上面層的結(jié)晶生長形成晶核。
按照本發(fā)明的一個替換實施例，轉(zhuǎn)化自然氧化硅，并制備襯底用于通過低溫MBE和通過隨后加熱該結(jié)構(gòu)到大約750℃的溫度把堿土金屬氧化物(例如氧化鍶、鍶鋇氧化物或氧化鋇)淀積到襯底表面上來生長單晶氧化層。在該溫度，在氧化鍶和自然氧化硅之間發(fā)生固態(tài)反應(yīng)，減少了自然氧化硅并保留了有序2×1結(jié)構(gòu)。這再次形成了用于隨后有序單晶氧化層生長的模板。
按照本發(fā)明的一個實施例，在氧化硅從襯底的表面去除之后，把襯底冷卻到大約200-800℃的溫度范圍，并通過分子束外延在模板層上生長鈦酸鍶層。通過打開MBE設(shè)備中的閘門接觸鍶、鈦和氧源，開始MBE工藝。鍶和鈦的比率大約為1∶1。氧氣的局部壓力最初設(shè)置在最小值以在每分鐘大約0.3-0.5nm的生長速度生長化學(xué)計量的鈦酸鍶。在最初生長鈦酸鍶之后，氧氣的局部壓力增加到最初最小值之上。氧氣的過壓力引起在下面的襯底和生長的鈦酸鍶層之間的界面生長非晶氧化硅層。氧氣通過生長的鈦酸鍶層擴散到氧氣與在下面的襯底表面的硅反應(yīng)處的界面，引起了氧化硅層的生長。鈦酸鍶作為有序(100)單晶生長，(100)晶向相對于下面的襯底旋轉(zhuǎn)45°。由于硅襯底和生長晶體之間的晶格常數(shù)的微小失配在鈦酸鍶層中可能存在應(yīng)力，而在非晶硅氧化中間層中釋放了該應(yīng)力。
在鈦酸鍶層生長到所需厚度之后，由模板層覆蓋單晶鈦酸鍶，模板層對隨后生長的所需單晶層32的外延層是導(dǎo)電的。例如，對于單晶鍺層的隨后生長，通過結(jié)束生長1-2單原子層的鈦、1-2單原子層的鈦-氧或1-2單原子層的鍶-氧來覆蓋鈦酸鍶單晶層的MBE生長。在該覆蓋層形成之后，使用MBE生長技術(shù)形成硅覆蓋層31。在模板(如果需要的話，還有覆蓋層31)形成之后，通過外延生長例如鍺層而形成層32。
通過上述工藝外加附加單晶層26淀積步驟形成圖2說明的結(jié)構(gòu)。使用上述方法在模板或覆蓋層上面合適地形成層26。
如上所述通過在生長調(diào)節(jié)緩沖層、在襯底22上形成非晶氧化層、在調(diào)節(jié)緩沖層上生長單晶層32來形成圖3所說明的結(jié)構(gòu)34。接著使調(diào)節(jié)緩沖層、非晶氧化層和覆蓋層經(jīng)受足以把調(diào)節(jié)緩沖層的晶體結(jié)構(gòu)從單晶變?yōu)榉蔷У耐嘶鸸に?，由此形成非晶層以使非晶氧化層、現(xiàn)在的非晶調(diào)節(jié)緩沖層和部分覆蓋層31的組合形成單一非晶層36。按照本發(fā)明的一個實施例，隨后在層31上生長層32和26。此外，還可以在層32生長之后進行退火工藝。
按照該實施例的一個方案，通過使襯底22、調(diào)節(jié)緩沖層、非晶氧化層和覆蓋層31經(jīng)受快速熱退火工藝(最高溫度大約700℃到大約1000℃，處理時間大約5秒到大約10分)形成了層36。但是，按照本發(fā)明還可以使用其它合適的退火工藝以把調(diào)節(jié)緩沖層轉(zhuǎn)化為非晶層。例如，可以應(yīng)用激光退火、電子束退火或“常規(guī)”熱退火工藝(在適當(dāng)環(huán)境中)來形成層36。當(dāng)應(yīng)用常規(guī)熱退火來形成層36時，在退火工藝期間需要層30和/或31的一個或多個組分的過壓來防止層分解。
上述工藝說明了通過分子束外延工藝形成包括硅襯底、上面的氧化層和含鍺半導(dǎo)體層的單晶材料層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝。該工藝還可以通過化學(xué)氣相淀積(CVD)、金屬有機物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)、遷移增強外延(MEE)、原子層外延(ALE)、物理氣相淀積(PVD)、化學(xué)溶液淀積(CSD)和脈沖激光淀積(PLD)等工藝來進行。而且，通過相似的工藝，還可以生長其它單晶調(diào)節(jié)緩沖層，例如堿土金屬鈦酸鹽、鋯酸鹽、鉿酸鹽、鉭酸鹽、釩酸鹽、釕酸鹽和鈮酸鹽、和例如堿土金屬錫基鈣鈦礦的鈣鈦礦氧化物、鑭鋁酸鹽、鑭鈧氧化物和氧化釓。而且，通過相似的工藝，例如MBE，在單晶遞變層上面可以淀積包括其它半導(dǎo)體、金屬和其它材料的其它單晶材料層。
單晶材料層、單晶遞變層和單晶調(diào)節(jié)緩沖層的每一個變種優(yōu)選使用用于開始單晶層生長的適當(dāng)模板。例如，如果調(diào)節(jié)緩沖層是堿土金屬鋯酸鹽，那么可通過鋯薄層覆蓋氧化物?？稍诘矸e鋯之后淀積硅以使硅與鋯反應(yīng)作為淀積硅鍺的前體(precursor)。同樣，如果單晶調(diào)節(jié)緩沖層是堿土金屬鉿酸鹽，那么可通過鉿薄層覆蓋氧化層。淀積鉿之后淀積硅。在同樣的方式中，用鍶或鍶和氧層覆蓋鈦酸鍶，用鋇或鋇和氧層覆蓋鈦酸鋇。在進行這些淀積的每一個之后淀積硅以使硅與覆蓋材料反應(yīng)來形成用于淀積包括遞變單晶材料(例如SiGe和SiC)的單晶材料層的模板。
圖5-7以剖面圖示意性說明形成按照本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)的另一實施例。該實施例包括用作使用籠形物或Zintl型鍵合的過渡層的柔性層。特別是該實施例利用金屬間模板層來降低材料層之間界面的表面能，由此通過層生長產(chǎn)生二維層。
圖5說明的結(jié)構(gòu)包括單晶襯底102、非晶界面層108和調(diào)節(jié)緩沖層104。如前面參照圖1和2的介紹，在襯底102和調(diào)節(jié)緩沖層104之間的界面，在襯底102上生長非晶中間層108。非晶界面層108包括前面參照圖1和2中的非晶界面層28介紹的那些材料的任何一種，但優(yōu)選包括單晶氧化物材料，例如CazSr1-zTiO3單晶層，其中z的范圍從0到1。襯底102優(yōu)選是硅，但還可以包括前面參照圖1-3中襯底22介紹的那些材料的任何一種。
如圖5說明的，在調(diào)節(jié)緩沖層104上淀積模板層130，模板層130優(yōu)選包括由金屬和具有大量離子特性的類金屬構(gòu)成的Zintl型相材料(phase material)薄層。如在前面介紹的實施例中，通過MBE、CVD、MOCVD、MEE、ALE、PVD、CSD、PLD等方法淀積模板層130獲得一個單原子層的厚度。模板層130用作沒有方向鍵合的“軟”層，但是具有吸收在含晶格失配的層之間建立的應(yīng)力的高結(jié)晶性。用于模板130的材料包括但不限于包含Si、Ga、In、Sr和Sb的材料，例如SrAl2、(MgCaYb)Ga2、(Ca、Sr、Eu、Tb)In2、BaGe2As和SrSn2As2。
在模板層130上外延生長單晶遞變材料層126獲得如圖7說明的最終結(jié)構(gòu)。作為特定實例，可以使用SrAl2層作為模板層130，并在SrAl2上生長適當(dāng)?shù)膯尉Р牧蠈?26，例如化合物半導(dǎo)體材料SiyGe1-y，其中y的范圍從0到1。Al-Ti(來自CazSr1-zTiO3層的調(diào)節(jié)緩沖層，其中z的范圍從0到1)鍵主要是金屬性的，而Al-Ge(來自SiyGe1-y層)鍵是弱共價的。Sr參與兩種不同類型的鍵合，它的部分電荷進到在包括CazSr1-zTiO3的下調(diào)節(jié)緩沖層104中的氧原子參與離子鍵合，它的其它部分價電荷以典型Zintl相材料進行的方法捐助給Al。電荷轉(zhuǎn)移的數(shù)量取決于包括模板層130的元素的相對負電性和原子間距離。在該實例中，Al呈sp3雜化并易于與單晶材料層126形成鍵，在該實例中單晶材料層126包括半導(dǎo)體材料SiyGe1-y。
由使用用在該實施例中的Zintl型模板層產(chǎn)生的柔性襯底可以吸收大量應(yīng)力，而無需顯著能量消耗。在上述實例中，通過改變SrAl2層的容量來調(diào)節(jié)Al的鍵強度，由此使得器件對于特定應(yīng)用是可調(diào)的，特定應(yīng)用包括用于CMOS技術(shù)的Si器件的單片集成和高-k介電材料的單片集成。
圖8以剖面圖示意說明按照本發(fā)明的又一實施例的器件結(jié)構(gòu)140。器件結(jié)構(gòu)140包括單晶半導(dǎo)體襯底142，優(yōu)選為單晶硅晶片。單晶半導(dǎo)體襯底142包括兩個區(qū)143和144。在區(qū)域143中至少部分地形成一般由虛線146表示的電半導(dǎo)體部件。電部件146可以是電阻、電容、例如二極管或晶體管的有源半導(dǎo)體部件或例如CMOS集成電路的集成電路。例如，電半導(dǎo)體部件146可以是CMOS集成電路，該CMOS集成電路被構(gòu)造成執(zhí)行數(shù)字信號處理或非常適合硅集成電路執(zhí)行的其它功能。通過在半導(dǎo)體工業(yè)公知和廣為應(yīng)用的常規(guī)半導(dǎo)體處理，可以形成在區(qū)域143中的電半導(dǎo)體部件。例如二氧化硅層等的絕緣材料層148覆在電半導(dǎo)體部件146上。
從區(qū)域144的表面去除在區(qū)域143中半導(dǎo)體部件146的處理期間形成或淀積的絕緣材料148和其它任何層，以在該區(qū)提供裸硅表面。眾所周知，裸硅表面是高活性的，在裸表面上可以迅速形成自然硅氧化層。鍶或鍶和氧層淀積到區(qū)域144表面上的自然氧化層上并與氧化的表面反應(yīng)，形成第一模板層(未示出)。按照本發(fā)明的一個實施例，通過分子束外延工藝在模板層上面形成單晶氧化層。包含鈣、鍶、鈦和氧的反應(yīng)物淀積到模板層上形成單晶氧化層。在淀積的初期，局部氧壓保持在與鈣、鍶和鈦完全反應(yīng)形成單晶鈣鍶鈦酸鹽所需的最小值附近。接著增加局部氧壓以提供過壓氧并使氧氣通過生長的單晶氧化層擴散。通過鈣鍶鈦酸鹽擴散的氧在區(qū)域144表面與硅反應(yīng)以在第二區(qū)域上和硅襯底和單晶氧化物之間界面形成氧化硅非晶層。
按照本發(fā)明的實施例，通過淀積層150結(jié)束淀積單晶氧化層的步驟，層150可以是1-10單原子層的鈦、鋇、鍶、鋇和氧、鈦和氧、或鍶和氧。接著通過分子束外延工藝在第二模板層上面淀積單晶半導(dǎo)體材料的覆蓋層152。
按照本實施例的一個方案，在形成層152之后，置于襯底142和鈦酸鹽層之間的單晶鈦酸鹽層和氧化硅層經(jīng)受退火工藝，以使鈦酸鹽和氧化層形成非晶氧化層154。接著使用與上面介紹的與圖1的層32有關(guān)的技術(shù)在層152上外延生長包括按照本發(fā)明一個實施例的SiyGe1-y(其中y的范圍從0到1)的遞變層156。此外，可以在形成模板層152之前執(zhí)行上述退火工藝。
接著，在遞變層156上形成單晶材料層158，例如Ge?？梢允褂门c層26有關(guān)的、這里前面介紹的任意材料和任意技術(shù)來形成層158。
按照本發(fā)明的又一個實施例，在化合物半導(dǎo)體層158中至少部分地形成一般由虛線160表示的半導(dǎo)體部件。通過在Ge器件制造中常規(guī)使用的處理步驟形成半導(dǎo)體部件160。形成由線162示意性表示的金屬導(dǎo)體，從而電耦連器件146和器件160，由此實現(xiàn)包括至少一個在硅襯底中形成的部件和一個在單晶材料層中形成的器件的集成器件。雖然作為在硅襯底142上形成并具有鍶或鈣鍶鈦酸鹽層和鍺層158的結(jié)構(gòu)介紹了示例性結(jié)構(gòu)140，但是可以使用本說明書其它地方介紹的其它單晶襯底、氧化層和其它單晶材料層來制造同樣的器件。
例如，圖9以剖面圖示意性說明按照本發(fā)明又一實施例的器件結(jié)構(gòu)170。器件結(jié)構(gòu)170包括單晶半導(dǎo)體襯底172，優(yōu)選為單晶硅晶片。單晶半導(dǎo)體襯底172包括兩個區(qū)173和174。在區(qū)域173中至少部分地形成一般由虛線176表示的電半導(dǎo)體部件。電部件176可以是電阻、電容、有源半導(dǎo)體部件(例如二極管或晶體管)或例如CMOS集成電路的集成電路。例如，電半導(dǎo)體部件176可以是CMOS集成電路，該CMOS集成電路被構(gòu)造成執(zhí)行數(shù)字信號處理或非常適合硅集成電路執(zhí)行的另外功能。通過在半導(dǎo)體工業(yè)公知和廣為應(yīng)用的常規(guī)半導(dǎo)體處理，可以形成在區(qū)域173中的電半導(dǎo)體部件。例如二氧化硅層等的絕緣材料層178覆在電半導(dǎo)體部件176上。
從區(qū)域174的表面去除在區(qū)域173中半導(dǎo)體部件176的處理期間形成或淀積的絕緣材料178和其它層，以在該區(qū)提供裸硅表面。鍶或鍶和氧層淀積到區(qū)域174表面上的自然氧化層上并與氧化的表面反應(yīng)形成第一模板層(未示出)。按照本發(fā)明的一個實施例，通過分子束外延工藝在模板層上面形成單晶氧化層。包含鍶、鈦和氧的反應(yīng)物淀積到模板層上形成單晶氧化層。在淀積的初期，局部氧壓保持在與鍶和鈦完全反應(yīng)形成單晶鈦酸鍶層所需的最小值附近。接著增加局部氧壓以提供過氧壓并使氧氣通過生長的單晶氧化層擴散。通過鈦酸鍶擴散的氧在區(qū)域174表面與硅反應(yīng)以在第二區(qū)上以及在硅襯底和單晶氧化物之間界面形成氧化硅非晶層。
按照本發(fā)明的實施例，通過對層180的淀積結(jié)束淀積單晶氧化層的步驟，層180可以是1-10單原子層的鈦、鋇、鍶、鋇和氧、鈦和氧、或鍶和氧。接著通過分子束外延工藝在第二模板層上面淀積單晶半導(dǎo)體材料覆蓋層182。
按照本實施例的一個方案，在形成層182之后，置于襯底172和鈦酸鹽層之間的單晶鈦酸鹽層和氧化硅層經(jīng)受退火工藝以使鈦酸鹽和氧化層形成非晶氧化層184。接著使用與上面介紹的與圖1的層32有關(guān)的技術(shù)在層182上外延生長包括按照本發(fā)明該實施例的Ge的層186。此外，可以在形成模板層182之前執(zhí)行上述退火工藝。
接著，在層186上形成單晶材料層188，例如Ge。可以使用與層26有關(guān)的這里前面介紹的任意材料和任意技術(shù)來形成層188。
按照本發(fā)明的又一個實施例，在半導(dǎo)體層188中至少部分地形成一般由虛線160表示的半導(dǎo)體部件。形成由線162示意性表示的金屬導(dǎo)體，從而電耦連器件176和器件160，由此實施包括至少一個在硅襯底中形成的部件和一個在單晶材料層中形成的器件的集成器件。
應(yīng)該清楚，那些特別說明的具有兩種不同IV族半導(dǎo)體部分的結(jié)構(gòu)的實施例是為了說明本發(fā)明的實施例，而非限定本發(fā)明。存在本發(fā)明的多種其它組合和其它實施例。例如，本發(fā)明包括制造材料層的結(jié)構(gòu)和方法，該材料層形成包括其它層(例如金屬和非金屬層)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件和集成電路。特別是本發(fā)明包括形成柔性襯底的方法，該柔性襯底用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件和集成電路和適合制造那些結(jié)構(gòu)、器件和集成電路的材料層。
按照本發(fā)明的一個實施例，單晶半導(dǎo)體晶片可用于在晶片上面形成單晶材料層。在這種情況中，在晶片上單晶層內(nèi)制造半導(dǎo)體電部件期間所用的晶片實際上是“操作”(handle)晶片。因此，可以在至少大約200毫米直徑和可能在至少大約300毫米直徑的晶片上的半導(dǎo)體材料內(nèi)形成電部件。
通過使用這種類型的襯底，較廉價“操作”晶片通過把某些單晶材料晶片放置在相對較耐久和易于制造的基底材料上克服了它們易碎的性質(zhì)。因此，形成集成電路，以使即使襯底自身包括不同單晶半導(dǎo)體材料，也可在單晶材料層內(nèi)或使用單晶材料層形成所有電部件，特別是所有有源電器件。因為與較小和較易碎襯底(例如常規(guī)化合物半導(dǎo)體晶片)相比，較大襯底可以更經(jīng)濟和更容易地被處理，所以降低了用于應(yīng)用非硅單晶材料的某些器件的制造成本。
在上述詳述中，參照特定實施例介紹了本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)領(lǐng)會，在不脫離如所附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的范圍的前提下，可以做出各種改進和變型。因此，詳述和附圖應(yīng)認為是說明性的，而非限制含義，而且所有這些改進都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。參考特定實施例，以上介紹了好處、其它優(yōu)點和問題的解決方案。但是，好處、優(yōu)點、問題的解決方案和可以使得任何好處、優(yōu)點或解決方案產(chǎn)生或變得更顯著的任何元素不應(yīng)被解釋為任一或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、所需或必要特征或元素。這里所用的術(shù)語“包括”、“包含”(comprises、comprising)或其任何其它變型意旨涵蓋非排他性的包含，由此，包括列舉元素的工藝、方法、制品或設(shè)備不僅包括那些元素，還包括沒有列舉表述或這些工藝、方法、制品或設(shè)備所固有的其它元素。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括單晶襯底；在所述襯底上形成的調(diào)節(jié)緩沖層；在所述單晶調(diào)節(jié)緩沖層上形成的模板；和在所述模板上面形成的單晶層，所述單晶層包括選自由Si、SiC、Ge和SiyGe1-y構(gòu)成的組中的材料，其中y的范圍從0到1。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括置于所述單晶襯底和所述調(diào)節(jié)緩沖層之間的非晶層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述非晶層包括氧化硅。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述非晶層為大約0.5到大約5.0納米厚。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層包括選自由堿土金屬鈦酸鹽、堿土金屬鋯酸鹽、堿土金屬鉿酸鹽、堿土金屬鉭酸鹽、堿土金屬釕酸鹽、堿土金屬鈮酸鹽和鈣鈦礦氧化物構(gòu)成的組中的氧化物。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層包括CazSr1-zTiO3，其中z的范圍從0到1。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層為大約2到大約100納米厚。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層為大約5納米厚。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述單晶遞變層為大約1納米到大約100微米厚。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述單晶遞變層為大約0.1到大約5微米厚。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括覆蓋層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述覆蓋層包括單晶硅。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層包括非晶膜。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述調(diào)節(jié)緩沖層包括單晶膜。
15.一種使用權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的微電子器件。
16.一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝，包括如下步驟提供單晶襯底；在所述單晶半導(dǎo)體襯底上面外延生長單晶調(diào)節(jié)緩沖層；在所述單晶襯底和所述調(diào)節(jié)緩沖層之間形成非晶層；和在所述調(diào)節(jié)緩沖層上面外延生長單晶層，其中所述單晶層包括選自由Si、SiC、Ge和SiyGe1-y構(gòu)成的組中的材料，其中y的范圍從0到1。
17.如權(quán)利要求16所述的工藝，其中所述外延生長單晶調(diào)節(jié)緩沖層的步驟包括外延生長含CazSr1-zTiO3的單晶調(diào)節(jié)緩沖層，其中z的范圍從0到1。
18.如權(quán)利要求16所述的工藝，還包括加熱所述單晶調(diào)節(jié)緩沖層和所述非晶層以使得所述單晶調(diào)節(jié)緩沖層變成非晶的步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的工藝，其中所述加熱步驟包括快速熱退火。
20.如權(quán)利要求19所述的工藝，還包括在所述單晶調(diào)節(jié)緩沖層上形成第一模板的步驟。
21.如權(quán)利要求20所述的工藝，還包括在所述模板上形成覆蓋層。
22.如權(quán)利要求16所述的工藝，還包括在所述單晶襯底上面形成模板的步驟。
23.如權(quán)利要求16所述的工藝，還包括在所述單晶層上面外延生長單晶材料層。
24.使用權(quán)利要求16所述的方法形成微電子器件。
全文摘要
通過形成用于生長單晶層的柔性襯底，在例如大尺寸硅晶片的單晶襯底(22)上面生長高質(zhì)量外延單晶材料層(26)。調(diào)節(jié)緩沖層(24)包括通過氧化硅的非晶界面層(28)與硅晶片(22)隔開的單晶氧化層。非晶界面層釋放應(yīng)力并允許生長高質(zhì)量單晶氧化物調(diào)節(jié)緩沖層。調(diào)節(jié)緩沖層與下面的硅晶片和上面的單晶材料層都晶格匹配。接著在調(diào)節(jié)緩沖層上形成單晶層(26)，以使單晶層的晶格常數(shù)基本上與隨后生長的單晶膜的晶格常數(shù)相匹配。
文檔編號C30B25/18GK1535472SQ02814692
公開日2004年10月6日 申請日期2002年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月20日
發(fā)明者庫爾特·W·艾森貝塞爾, 俞志毅, 拉萬德攔那斯·德魯帕德, 庫爾特 W 艾森貝塞爾, 攔那斯 德魯帕德 申請人:摩托羅拉公司