半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體是半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]激光全息光刻技術(shù)是一種基于相干光干涉效應(yīng)的無掩模版光刻技術(shù)，在該技術(shù)中，使用多束激光在晶片表面重迭發(fā)生干涉效應(yīng)從而產(chǎn)生各種由光亮區(qū)和暗區(qū)構(gòu)成的干涉圖形。圖形以重復(fù)周期進(jìn)行排列，圖形的最小線寬可以達(dá)到波長(zhǎng)的幾分之一，像場(chǎng)尺寸僅與使用激光束尺寸有關(guān)，進(jìn)而能夠加工大面積圖形。激光全息光刻技術(shù)適合用于II1- V族化合物光電子器件的制備中，采用全息光刻技術(shù)可直接形成分布反饋(DFB)半導(dǎo)體激光器的均勻光柵結(jié)構(gòu)。制備2英寸及更大尺寸的半導(dǎo)體外延片時(shí)，在全息干涉光柵制作光學(xué)系統(tǒng)中需要合適的外延片夾持裝置，要求該裝置對(duì)用于曝光的激光束不產(chǎn)生任何遮擋，同時(shí)也要求便于對(duì)外延片進(jìn)行夾取操作，當(dāng)外延片吸附后需保持穩(wěn)定，且整個(gè)吸附過程中要求壓力分布均勻，避免對(duì)外延片造成任何物理?yè)p傷，因而制備一種滿足上述要求的半導(dǎo)體外延片夾持裝置成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急待解決的技術(shù)問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，包括吸附板、吸盤、圓柱銷、真空連接嘴、單向閥、真空罐和真空泵，所述的吸附板的一側(cè)設(shè)置有向內(nèi)凹陷的吸盤，吸盤分為外層吸盤、內(nèi)層吸盤，所述的外層吸盤、內(nèi)層吸盤表面均勻分布若干圓柱銷，所述的外層吸盤的下方設(shè)置有定位鑲片，定位鑲片通過定位鑲片螺孔設(shè)置于吸附板上，所述的吸附板上具有與吸盤底部連通的夾取區(qū)，所述的外層吸盤、內(nèi)層吸盤分別設(shè)置圓形通氣孔，所述的吸附板的另一側(cè)設(shè)置有真空連接嘴，真空連接嘴與圓形通氣孔連通，真空連接嘴上設(shè)有與外層吸盤、內(nèi)層吸盤對(duì)應(yīng)通氣孔的開關(guān)，真空連接嘴另一端通過軟管與真空罐上的單向閥連接，真空罐上設(shè)有真空計(jì)，真空罐與真空泵連接。
[0006]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述的圓柱銷為Al2O3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2mm，高度同樣為0.2mm，以多點(diǎn)接觸的方式支撐硅片。
[0007]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的夾取區(qū)的寬度為10_20mm，與吸盤的底部相連。
[0008]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的定位鑲片長(zhǎng)度為15_，寬度為5_。
[0009]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的圓形通氣孔的直徑為5mm，深度為0.5_lmm0
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采取內(nèi)外層吸盤的設(shè)定，可用于加工不同尺寸的硅片；圓柱銷式的吸盤吸附面積大，吸附能力強(qiáng)，圓柱銷均勻分布，定位夾持精度高，減少了灰塵粘附，降低灰塵的影響；采用氣壓調(diào)節(jié)閥控制吸附力大小，可以方便實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體外延片的置入和取出，操作簡(jiǎn)便快捷；整個(gè)夾持裝置全部固化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操方便作，用定位鑲片定位半導(dǎo)體外延片相應(yīng)標(biāo)識(shí)處，保證半導(dǎo)體外延片定位為全息干涉光柵實(shí)驗(yàn)所需的定位位置。
【附圖說明】
[0011]圖1為半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置中側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3為半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置工作結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中:1、吸附板，2、外層吸盤，3、內(nèi)層吸盤，4、圓柱銷，5、定位鑲片，6、定位鑲片螺孔，7、夾取區(qū)，8、固定板，9、真空連接嘴，10、軟管，11、單向閥，12、真空罐，13、真空泵，14、真空計(jì)。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本專利的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。
[0016]請(qǐng)參閱圖1-3，半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，包括吸附板1、吸盤、圓柱銷4、真空連接嘴9、單向閥11、真空罐12和真空泵13，所述的吸附板I的一側(cè)設(shè)置有向內(nèi)凹陷的吸盤，吸盤分為外層吸盤2、內(nèi)層吸盤3，所述的吸盤為半導(dǎo)體外延片的吸附區(qū)，用于設(shè)置半導(dǎo)體外延片，所述的外層吸盤2、內(nèi)層吸盤3表面均勻分布若干圓柱銷4，所述的圓柱銷4為Al2O3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2mm，高度同樣為0.2mm，以多點(diǎn)接觸的方式支撐硅片，所述的外層吸盤2的下方設(shè)置有定位鑲片5，該定位鑲片通過定位鑲片螺孔6設(shè)置于吸附板I上，所述的吸附板I上具有與吸盤底部連通的夾取區(qū)7，使吸附板I在一定位置具有與吸盤同等深度的夾取位置，方便于通過鑷子將半導(dǎo)體外延片從吸附凹槽2中取出，所述的夾取區(qū)7的寬度為10-20_，優(yōu)選為15_，與吸盤的底部相連，固定后方便對(duì)半導(dǎo)體外延片的夾取進(jìn)行操作，所述的定位鑲片5長(zhǎng)度為15_，寬度為5_，精確定位半導(dǎo)體外延片的標(biāo)識(shí)處，所述的外層吸盤2、內(nèi)層吸盤3分別設(shè)置若干圓形通氣孔，所述的圓形通氣孔的直徑可以為5_，深度為0.5-1_，優(yōu)選為0.6_，所述的吸附板I的另一側(cè)設(shè)置有真空連接嘴9，真空連接嘴9與圓形通氣孔連通，真空連接嘴9上設(shè)有與外層吸盤2、內(nèi)層吸盤3對(duì)應(yīng)通氣孔的開關(guān)，真空連接嘴9另一端通過軟管10與真空罐12上的單向閥11連接，真空罐12上設(shè)有真空計(jì)14，真空罐12與真空泵13連接。
[0017]本實(shí)用新型的工作原理是:本實(shí)用新型工作時(shí)，打開真空泵13，將真空罐12抽成真空，真空計(jì)14上的指針指向0.1Pa，開啟單向閥11，產(chǎn)生吸力，當(dāng)裝夾小直徑硅片時(shí)，只將內(nèi)層吸盤3抽成真空，當(dāng)裝夾大直徑硅片時(shí)，將外層吸盤2、內(nèi)層吸盤3都抽成真空。關(guān)閉單向閥11，使硅片與大氣連通，可順利更換硅片。
[0018]上面對(duì)本專利的較佳實(shí)施方式作了詳細(xì)說明，但是本專利并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下做出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，包括吸附板(I)、吸盤、圓柱銷(4)、真空連接嘴(9)、單向閥(11)、真空罐(12)和真空泵(13)，其特征在于，所述的吸附板⑴的一側(cè)設(shè)置有向內(nèi)凹陷的吸盤，吸盤分為外層吸盤(2)、內(nèi)層吸盤(3)，所述的外層吸盤(2)、內(nèi)層吸盤(3)表面均勻分布若干圓柱銷(4)，所述的外層吸盤(2)的下方設(shè)置有定位鑲片(5)，定位鑲片通過定位鑲片螺孔(6)設(shè)置于吸附板(I)上，所述的吸附板(I)上具有與吸盤底部連通的夾取區(qū)(7)，所述的外層吸盤(2)、內(nèi)層吸盤(3)分別設(shè)置圓形通氣孔，所述的吸附板(I)的另一側(cè)設(shè)置有真空連接嘴(9)，真空連接嘴(9)與圓形通氣孔連通，真空連接嘴(9)上設(shè)有與外層吸盤(2)、內(nèi)層吸盤(3)對(duì)應(yīng)通氣孔的開關(guān)，真空連接嘴(9)另一端通過軟管(10)與真空罐(12)上的單向閥(11)連接，真空罐(12)上設(shè)有真空計(jì)(14)，真空罐(12)與真空泵(13)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，其特征在于，所述的圓柱銷⑷為Al2O3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2mm，高度同樣為0.2mm，以多點(diǎn)接觸的方式支撐硅片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，所述的夾取區(qū)(7)的寬度為10-20mm，與吸盤的底部相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，所述的定位鑲片(5)長(zhǎng)度為15mm，寬度為5mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，所述的圓形通氣孔的直徑為5mm，深度為0.5_lmm0
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了半導(dǎo)體外延片圓柱銷式真空夾持裝置，包括吸附板、吸盤、圓柱銷、真空連接嘴、單向閥、真空罐和真空泵，所述的吸附板的一側(cè)設(shè)置有向內(nèi)凹陷的吸盤，吸盤分為外層吸盤、內(nèi)層吸盤，所述的外層吸盤、內(nèi)層吸盤表面均勻分布若干圓柱銷，所述的吸附板的另一側(cè)設(shè)置有真空連接嘴，真空連接嘴與圓形通氣孔連通，真空連接嘴另一端通過軟管與真空罐上的單向閥連接，真空罐上設(shè)有真空計(jì)，真空罐與真空泵連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型可用于加工不同尺寸的硅片；吸盤吸附面積大，吸附能力強(qiáng)，定位夾持精度高，減少了灰塵粘附，降低灰塵的影響；方便半導(dǎo)體外延片的置入和取出，操作簡(jiǎn)便快捷。
【IPC分類】H01L21/683
【公開號(hào)】CN204632739
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520276472
【發(fā)明人】何景瓷
【申請(qǐng)人】何景瓷
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年5月4日