專利名稱：用于能量調(diào)節(jié)的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請是于2001年12月17日提交的序列號為10/023467的申請的后續(xù)申請，其為2001年11月29日提交的序列號為09/996355的申請的后續(xù)申請，其為2001年11月17日提交的，序列號為10/003711的申請的后續(xù)申請，其為2001年10月17日提交的序列號為09/982553的申請的后續(xù)申請。
此外，本申請要求于2001年7月2日提交的美國臨時申請60/302429，于2001年8月8日提交的美國臨時申請60/310962，于2002年1月8日提交的美國臨時申請60/349954，以及于2002年6月12提交的美國臨時申請(未分配申請?zhí)?的權(quán)益。
本申請涉及利用能量路徑的互補的相對分組(complementaryrelative groupings)，如用于多能量調(diào)節(jié)功能的各種能量傳播的路徑的平衡屏蔽裝置(balanced shielding arrangements)。這些屏蔽裝置作為能夠維持調(diào)節(jié)電互補的能量匯流(sustain and conditionelectrically complementary energy confluences)的獨立的或非獨立的實施例是可操作的。
背景技術(shù)：
今天，隨著電子技術(shù)的密度在應(yīng)用中的增加，增加了的密度的不希望的噪音副產(chǎn)品將限制電子電路的性能。因此，不希望的噪音副產(chǎn)品的影響的消除，如通過電路的隔離或免疫(immunization)來防止需要的噪音的影響是電路布置和電路設(shè)計中重要的考慮。
不同的和共同模式的噪音可以沿著或圍繞，能量路徑(pathways)，電纜，電路板軌跡或跡線(traces)，高速傳輸線，和/或總線路徑，產(chǎn)生和傳播。這些能量導(dǎo)體可以作為，例如，傳播能量場的天線。這種類似天線的性能將使得噪音問題惡化，因為，利用現(xiàn)有技術(shù)的無源裝置在較高的頻率傳播能量將經(jīng)歷能量寄生干擾的級別的增加，如各種電容性和/或電感性寄生。
這些增加也許是由于，部分由于，現(xiàn)有技術(shù)的方案的功能或結(jié)構(gòu)上的限制，結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)的固有的制造或設(shè)計不平衡和性能缺陷的限制聯(lián)合產(chǎn)生的。這些缺陷固有地產(chǎn)生或促使不希望的和不平衡的，可以耦合進相關(guān)電路的干擾能量，由此，需要至少部分屏蔽這些寄生和電磁干擾。因此，對于寬頻率操作環(huán)境，解決這些問題必須至少同時過濾，具有各種接地的仔細的系統(tǒng)設(shè)計或抗噪音裝置的結(jié)合，也可以廣泛的隔離與至少部分靜電和電磁屏蔽結(jié)合。
由此，存在利用簡化的能量路徑布置的自保持，能量調(diào)節(jié)裝置的需要，該裝置可以包括其它合并到分立的或非分立的組件中的元件，該能量路徑布置可以被應(yīng)用于幾乎任何用于提供有效的對稱平衡的且可維持的，同時調(diào)節(jié)能量的功能的電路應(yīng)用中，該能量調(diào)節(jié)功能從至少去耦(decoupling)功能，暫時抑制功能，噪音取消功能，能量中斷功能和能量抑制功能中選擇的。
附圖簡單說明本發(fā)明的理解將從下面結(jié)合附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細描述中變的容易，其中相同的標(biāo)記指代相同的部件，且其中

圖1是揭示的是用于決定不同路徑延伸的相對位置的可操作的相對位置方位圖；圖1A-1C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面揭示的不同路徑延伸的相對位置；圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例2B的平面線路簡圖；圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的平面圖；圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例3B的平面圖的線路簡圖；圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的平面圖；圖3C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的屏蔽的平面圖；圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；
圖4D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4E示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4F示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4G示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4H示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖4I示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的實施例的相對的平面圖；圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面包括路徑組的層疊的多個線路網(wǎng)絡(luò)；圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的層疊的屏蔽；圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面含有包括路徑組的VIA的層疊的多個非共用的線路網(wǎng)絡(luò)相對平面圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的電路裝置的另一種形式的相對平面圖；以及圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的電路裝置的另一種形式的相對平面圖。
具體實施例本申請是于2001年12月17日提交的序列號為10/023467的后續(xù)申請，其為2001年11月29日提交的序列號為09/996355的后續(xù)申請，其為2001年11月17日提交的，序列號為10/003711的后續(xù)申請，其為2001年10月17日提交的序列號為09/982553的后續(xù)申請，它們每一個結(jié)合到這里作為參考。
此外，本申請要求于2001年7月2日提交的美國是臨時申請60/302429，于2001年8月8日提交的美國臨時申請60/349954，以及于2002年6月12提交的美國臨時申請(未分號)的權(quán)益，且它們每一個在結(jié)合這里作為參考。
可以理解，本發(fā)明的附圖和說明已經(jīng)簡化以闡述清楚理解本發(fā)明相關(guān)的元素，同時為了清楚的目的，省略了在典型的能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)和方法中可以發(fā)現(xiàn)的許多其他元素。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認識到在實現(xiàn)本發(fā)明中其它成分和/或步驟是令人想到的和/或需要的。但是，因為這些成分和步驟是本領(lǐng)域公知的，且因為它們不利于更好的理解本發(fā)明，所以這里沒有對這些成分和步驟進行討論。這里揭示的是針對對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的這些成分和方法的所有這樣的變化和修正。此外，很明顯，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，這里使用的術(shù)語可以包括整體，整體的一部分，如“能量”，“系統(tǒng)”，電路和類似的，被考慮以既包括整體中的部分，也包括整體中的全部，除非被標(biāo)記出。
如這里使用的“能量路徑”或“路徑”可以是至少一個或多個導(dǎo)電材料，每一個可用于保持能量的傳播。路徑是導(dǎo)電性的，由此，相對于直接或間接連接或鄰接到路徑的非導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料，可以更好的傳播各種電能。能量路徑通過允許用于各種能量調(diào)節(jié)功能，如調(diào)節(jié)功能上升，而易于第一能量的傳播，調(diào)節(jié)功能的上升是由于任何一個或多個方面，如，但并不局限于此，能量路徑裝置中的能量路徑的屏蔽，定向和/或定位，具有定向和/或定位的各種裝置，由此允許第一能量和補充給至少第一能量的傳播能量相互作用。能量路徑可以包括能量路徑部分，整個能量路徑，導(dǎo)體，能量導(dǎo)體，電極，至少一個加工產(chǎn)生的導(dǎo)體，和/或屏蔽。多個能量路徑可以包括多個相對于能量路徑的前述的每一個裝置或成分。此外，這里通常用到的包括，例如，單獨的導(dǎo)電材料部分，導(dǎo)電平面，導(dǎo)電路徑，路徑，電線，通孔(via)，小孔，導(dǎo)電部分，如電阻引線，導(dǎo)電材料部分，或電板，如由至少一個介質(zhì)，如801分開的板。
屏蔽包括屏蔽電極，屏蔽路徑部分，被屏蔽的路徑，被屏蔽的導(dǎo)體，被屏蔽的能量導(dǎo)體，被屏蔽的電極，和/或至少一個加工產(chǎn)生的被屏蔽的路徑部分。多個屏蔽包括關(guān)于屏蔽的上述裝置。
作為這里通常用到的，路徑可以關(guān)于具有由79“X”，812“X”，811“X”和99“X”指定的各種路徑延伸的主體80，81被互補的定位或互補的定向。主體80，81關(guān)于距離(distance)，方位(orientation)，位置(position)，疊加(superposition)，非疊加(non-superposition)，排列(alignment)，部分排列(partialalignment)，搭接(lapping)，非搭接(non-lapping)以及部分搭接單獨地，成對地，成組地和/或多個地存在于三維物理關(guān)系中。假設(shè)的主體路徑80，例如，包括一對物理上相對的且相反定向的主體路徑80，該主體路徑是電零點(electrically null)，電互補(electricallycomplementary)，電差異(electrically differential)或電相反(electrically opposite)中的任何一個或它們的任何結(jié)合。
路徑裝置至少包括至少部分地屏蔽至少一個能量路徑的屏蔽或通過傳導(dǎo)屏蔽至少部分地屏蔽的屏蔽結(jié)構(gòu)的一組屏蔽，至少兩個能量路徑，如通道，通孔或互補對的路徑的傳導(dǎo)隔離對。
示范性的實施例允許在傳導(dǎo)隔離對上，如互補對的路徑上的能量傳播，導(dǎo)致在普通屏蔽上或至少一組作為隔離電路的屏蔽上的能量傳播。這個實施例允許低電感路徑形成在至少一個單獨對的隔離的且平行分開的路徑服務(wù)于至少一個分開的且截然不同的隔離電路系統(tǒng)。示范性實施例可以允許用于至少兩組隔離且分開的平行路徑的至少一個平行路徑上的能量傳播的利用的至少一個低電感路徑的形成和沿至少另一個分開且截然不同的隔離電路系統(tǒng)的能量傳播的應(yīng)用的至少另一個低電感路徑的至少一個平行路徑的形成。
用作部分的電路組件的示范性實施例具有至少一個相對較低的電感的路徑，同時其它路徑可以與能量源或能量負荷電連接。第二組路徑的一個路徑可以具有較低的阻抗的可操作的用于部分能量以從相同電路組件的的至少一個能量源或至少一個能量負荷的任何一個被取走。這個相同的低阻抗路徑可以與較低電感的一個路徑不直接電連接到電路組件的的至少一個能量源或至少一個能量負荷的任何一個。系統(tǒng)可以既有最少電感的路徑也有最少阻抗的路徑，這兩個路徑不是相同的路徑。
相對比于工業(yè)中發(fā)現(xiàn)的電容，其中電容裝置的等價的串聯(lián)電感(ESL)通常是依尺寸而定的，在本發(fā)明中，用于能量調(diào)節(jié)的電路的最小阻抗路徑和最小電感路徑可以與裝置的物理尺寸無關(guān)的得到。本發(fā)明的這些方面依賴于在本發(fā)明中通過預(yù)定的層形成的預(yù)定的電容。
排列路徑允許路徑的導(dǎo)電性材料的阻抗主要決定例如，至少能量源和集成電路的能量利用負荷之間的能量傳遞或相對效率或效果。ESL是可以忽略的因素，而不是無衰弱電感的輸送結(jié)果或去耦空間的主要因素。
在圖1A，1B，1C，5A和5B中示出的路徑裝置中，其中各種傳播能量是互補的，放置進電路裝置的路徑裝置，可以允許能量傳播在或沿著路徑裝置的某一能量路徑進行，由此允許從每一組互補導(dǎo)體向外發(fā)出的能量場流(energy field currents)的傳播產(chǎn)生的路徑源的磁場的相對部分相互作用。這個相互作用可以是在實施例中的相互抵消，其中某些路徑也許部分的或全部地被其它互補路徑屏蔽，且也許被放置在那些其它電路的影響距離內(nèi)。而且，每一個互補路徑的尺寸和形狀上的相似性，包括路徑間屏蔽的間隔開的關(guān)系和插入，以及路徑的傳導(dǎo)的隔離關(guān)系，可以歸結(jié)于這個相互抵消的影響。此外，屏蔽操作可以斷定在導(dǎo)電性靜電屏蔽的相關(guān)的成對的路徑的配合的相對位置上。至少這里討論的互補能量調(diào)節(jié)功能和靜電屏蔽動態(tài)特性可以沿不同的預(yù)定路徑在不同的方向的不同的能量傳播上操作，和可以利用路徑裝置在具有動態(tài)特性操作的電路上操作。
電磁/靜電激勵的阻抗?fàn)顟B(tài)的副結(jié)合可以沿著路徑設(shè)置或在路徑設(shè)置的范圍內(nèi)，或者是沿著或在接近地與屏蔽的單獨的或多個組傳導(dǎo)連接的連接外部傳導(dǎo)部分中形成，由此形成能量調(diào)節(jié)電路。這些電磁/靜電激勵的阻抗?fàn)顟B(tài)可以形成，例如，因為一個電路部分的一個成對的組的路徑的能量化，例如，但不需要從另一個電路部分的另一個成對的組的路徑上形成。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，每一個屏蔽包括一個主體81。主體81共同地且導(dǎo)電地彼此連接，且同時大致地禁閉和屏蔽在能量路徑的主體80中。在本發(fā)明的其它實施例中，共同屏蔽主體81可以僅僅部分地禁閉或屏蔽路徑主體80于至少部分屏蔽中。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，平衡的，對稱的路徑設(shè)置可以由重疊的屏蔽的對稱，互補的路徑尺寸和形狀，和/或互補路徑的互換的定位和配對來形成。可制造的平衡的或?qū)ΨQ的路徑物理設(shè)置，可以在少于測試設(shè)備的精確性的基礎(chǔ)限制下操作，在路徑中發(fā)生動態(tài)能量傳播，相互作用，各種動態(tài)數(shù)量的配對或匹配。因此，當(dāng)這些互補的能量的部分量同時相互作用時，能量會溢出典型的測試設(shè)備的可以計量的范圍。因此，可以得到的測量范圍可以采用增加的可控制性，且由此電特性和在電特性上的影響可以被控制，如通過預(yù)先確定要提供的可測性，將被提供的行為或增強，和通過元件的對應(yīng)設(shè)置，如特別是通過元件的設(shè)置以提供的需要的可測性或效果。例如，需要的電特性可以通過至少變化至少一個路徑配對的互補的平衡，尺寸，形狀和對稱性的一部分來為需要的增強預(yù)先確定，如下面所述和圖1A，1B，1C，5A，和5B示出的。
因此，例如，能量相互作用的程度，相互的能量傳播時序和干擾，可以通過路徑設(shè)置內(nèi)的公差控制。例如制造工藝，或計算公差控制，如半導(dǎo)體工藝控制，可以控制這些公差。因此，實施例的路徑可以利用制造工藝，如無源裝置工藝來形成，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是很明顯的。由此，相互的能量傳播測量可以通過路徑設(shè)置的形成和形成的工藝被取消或抑制。
如前所述，路徑設(shè)置可包括在具有平衡路徑組的聯(lián)合電子裝置中順序定位的路徑組。平衡路徑組包括具有堆疊的路徑層次的預(yù)先確定的路徑架構(gòu)，該堆疊的路徑層次在數(shù)量上是對稱和互補的，且彼此互補定位，由此形成對，每一個對與在中心定位的屏蔽的兩側(cè)大致等距，如圖1A到4I所示，其中每一個屏蔽為每一對路徑和整個路徑層次提供對稱平衡點。因此，預(yù)先確定的同尺寸的，同形狀和互補定位的路徑對每一個單獨的電路部分，可以存在于中心定位的屏蔽的一側(cè)。整個電路可以具有互補部分，該互補的部分被對稱的分為互補的物理形式，其包括成對屏蔽的，互補尺寸和成形的路徑的反鏡像定位，其間至少插入一個屏蔽。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，例如，每一個路徑可以是第一互連襯底，其圍繞，或支撐集成電路晶片，沉積，蝕刻或摻雜工藝的產(chǎn)物，而屏蔽可以是路徑襯底，能量調(diào)節(jié)設(shè)備或能量調(diào)節(jié)襯底，沉淀物，蝕刻，摻雜工藝的產(chǎn)物，且可以具有例如，電阻特性?？梢栽诓煌穆窂街g利用附加的元件，包括導(dǎo)電和非導(dǎo)電元件。這些附加的元件可以由鐵磁材料或類似鐵磁材料的介電層，和/或電感-鐵氧體介電衍生材料形成?？梢岳酶郊勇窂浇Y(jié)構(gòu)元件，包括不同導(dǎo)電材料成分的導(dǎo)電和非導(dǎo)電多重路徑，導(dǎo)電磁感應(yīng)材料混合物和導(dǎo)電聚合物片，各種加工的導(dǎo)電和非導(dǎo)電薄片制品，純凈的導(dǎo)電沉淀物，例如，除了各種材料和結(jié)構(gòu)元件的結(jié)合，利用各種類型的磁材料屏蔽和選擇性屏蔽，和導(dǎo)電性摻雜和導(dǎo)電性的沉積于這些材料上和終端焊接的多重屏蔽路徑，來提供能量調(diào)節(jié)選擇的主體(host)。
非導(dǎo)電材料也可以提供各種不同路徑的結(jié)構(gòu)支持，且這些分導(dǎo)電材料可以幫助整個被供給能量的電路保持沿路徑同時，持續(xù)且不間斷的能量傳播。例如，非導(dǎo)電材料可以包括一層或多層與現(xiàn)有加工技術(shù)兼容的材料元件。這些非導(dǎo)電材料可以是半導(dǎo)體材料，如硅，鍺，砷化鎵或半絕緣和絕緣材料，例如，但并不局限于任何K，高K和低K介電體。
路徑和導(dǎo)電材料可以從含有Ag，Ag/Pd，Cu，Ni，Pt，Au，Pd和其它導(dǎo)電材料和金屬的族中選擇。這些金屬材料的結(jié)合也適用于上述的目的，且可以包括適當(dāng)?shù)慕饘傺趸?，如氧化釕，根?jù)特殊應(yīng)用的苛求，可以用適當(dāng)?shù)慕饘傧♂尅Ｈ魏慰梢杂蓪?dǎo)電材料，非導(dǎo)電材料，半導(dǎo)電材料和/或聚酯薄膜印刷電路板材料產(chǎn)生路徑的物質(zhì)和工藝，或任何可以產(chǎn)生導(dǎo)電域，如摻雜的多晶硅，燒結(jié)的多晶體，金屬，多晶硅酸鹽或多晶硅化物的物質(zhì)或工藝可以用在路徑設(shè)置中或與路徑設(shè)置一起使用。
本發(fā)明的示例性實施例可以利用內(nèi)部屏蔽結(jié)構(gòu)以確保在不同的設(shè)置中能量平衡配置。這個平衡配置取決于所有屏蔽相對于共享和中心定位的屏蔽，以及定位于特殊數(shù)量的實際的成對的屏蔽的相對位置以同時為傳播能量利用的電相反的屏蔽的成對路徑提供屏蔽。這允許這些電相反的互補路徑定位在中心定位的和共用的通用導(dǎo)電屏蔽的電的和物理的相反側(cè)。中心和共用屏蔽的插入可以產(chǎn)生電壓分壓器，該電壓分壓器將不同的電路電壓分成一半且提供給相反成對的屏蔽導(dǎo)體中每一個，通常期望電壓能量的一半。包括屏蔽導(dǎo)體的能量化的電路可以電平衡或以相反充電的方式且相對于中心定位的屏蔽，相對于一共同和共享的路徑，或相對于每一個絕緣電路系統(tǒng)的各個部分。絕緣電路系統(tǒng)的每一個通用電路元件可以與通用區(qū)域或通用路徑連接或耦合，由此提供共同的外部零電壓。因此，實施例包括多組以插入屏蔽關(guān)系，電地或物理地位于至少不同的電或相反充電的一個，屏蔽對或路徑的成組的互補對之間的屏蔽，用附加的外部夾心屏蔽支撐，在這里用IM表示，其附加地連接，并部分地形成屏蔽結(jié)構(gòu)。
示例性實施例也可以放置于一個或多個能量電路中，該能量電路利用不同的能量源且可以提供一個或更多的單獨的且截然不同的能量利用負荷。當(dāng)用于多個能量調(diào)節(jié)操作和用于提供同時和有效的能量調(diào)節(jié)功能的能量供給，如電磁干擾濾波，抑制，能量去耦和能量浪涌保護，每一個單獨的且截然不同的電路利用多個共享的通用屏蔽結(jié)構(gòu)和電路基準(zhǔn)圖像(circuit reference image)或節(jié)點。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，能量調(diào)節(jié)功能可以保持明顯的平衡能量電壓基準(zhǔn)和在電路中用于每一個各自的能量利用負荷的能量提供。這個能量化設(shè)置可以允許利用單個或多個絕緣的路徑設(shè)置用于特殊的能量傳播，且不需要在單獨的，集中的屏蔽上的平衡。根據(jù)單獨的且絕緣的路徑的數(shù)量，屏蔽可以物理地和電地位于一個或多個能量源和一個或多個能量利用負荷之間。因此，屏蔽相對集中的路徑在示例性實施例中可以共面也可堆疊。
當(dāng)內(nèi)部定位的成對的屏蔽路徑隨后連接于或電連接于外部制造的路徑時，內(nèi)部定位的成對的屏蔽可以被包圍在籠式(cage-like)的屏蔽結(jié)構(gòu)，由此減小內(nèi)部產(chǎn)生的通常漏出或耦合到鄰接的屏蔽路徑的雜散和寄生的能量。這些屏蔽模式利用傳播能量給不同的路徑且可以通過屏蔽結(jié)構(gòu)的能量化產(chǎn)生的靜電屏蔽效果分開。以互補的方式傳播的能量傳播提供彼此相對的能量場，彼此抵消的能量場，其為相反的傳播緊密接近的結(jié)果?；パa合成對的路徑可以提供內(nèi)部平衡的相反的阻抗負荷功能。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置可以模仿至少一個靜電屏蔽的變壓器的功能。為了將初級線圈磁連接于次級線圈以傳輸能量，變壓器可以被廣泛地用于根據(jù)橫跨輸入端的不同模式的變換，提供普通模式的絕緣。因此，橫跨初級線圈的普通模式電壓被濾去。變壓器制造中的固有缺陷是在初級和次級線圈之間傳播能量源電容。隨著電路頻率的增加，電容耦合增加，直到電路絕緣被弱化。如果有足夠的寄生電容存在，高頻RF能量可以通過變壓器且導(dǎo)致在電路中受瞬時事件的影響而在絕緣間隙的另一邊產(chǎn)生擾動。通過耦合到一個共同的路徑基準(zhǔn)源，而在初級和次級線圈之間提供屏蔽，該共同的路徑基準(zhǔn)源被設(shè)計以防止多個繞組間電容性耦合。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置促進電路中的變壓器，并減少了電路中的變壓器的需求。該裝置可以利用物理的和相對的共同路徑屏蔽來抑制寄生且也可以利用相對定位的共同路徑屏蔽，互補成對的路徑層，各種路徑層的耦合以及與不同外部電路結(jié)合以有效地用作變壓器的，按照電路系統(tǒng)的外部導(dǎo)體耦合到導(dǎo)電區(qū)域。如果絕緣電路系統(tǒng)受瞬時干擾，這里描述的靜電屏蔽的裝置的變壓器功能對于瞬時抑制和保護有效，且可以同時用作組合的不同模式和共同模式濾波器。每一組相對屏蔽和相對導(dǎo)電可以導(dǎo)電地至少耦合到相同的外部路徑以提供例如變壓器的功能。
傳播的電磁干擾可以是電場和磁場的乘積。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置可以調(diào)節(jié)利用DC，AC和AC/DC混合型傳播的能量，包括在保持不同類型的能量傳播格式的系統(tǒng)中和在可以保持多于一個電路傳播特征的系統(tǒng)中調(diào)節(jié)能量。
在示例性實施例中，通過導(dǎo)電性結(jié)合，用于典型裝置的外部部分的耦合或連接成一個組件的周圍導(dǎo)電連接材料可以通過導(dǎo)電和非導(dǎo)電地結(jié)合到各種類型的成角度的，平行的或垂直的(如這些術(shù)語至少相對于其它路徑應(yīng)用)導(dǎo)體實現(xiàn)，的導(dǎo)電或非導(dǎo)電連接而實現(xiàn)，這些導(dǎo)體就是開口或盲孔或非盲孔，這些孔穿過或幾乎穿過示例性的裝置的各部分。耦合到至少一個或多個負荷，如集成電路的一部分，本發(fā)明的一個方面可能涉及選擇性耦合，或非選擇性耦合至不同類型的導(dǎo)體，如開口和通孔。
制造路徑可以包括通過一個或多個級別的路徑形成一個或多個鍍覆的通孔(PTH)。電子封裝通常包括多個互連水平。在這樣的封裝體中，本發(fā)明包括在一個互連等級上成圖案的導(dǎo)電材料的分層，該互連等級可以與在另一互連水平上放置的導(dǎo)電材料絕緣，例如通過介電材料層。
在導(dǎo)電材料之間在不同的互連水平處的連接或耦合可以通過在絕緣部分或?qū)又行纬砷_口而制成，開口在這里指通孔或孔隙，結(jié)果其可以提供電導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使得來自不同水平的成圖案的或成形的導(dǎo)電材料部分或路徑彼此電接觸。這些結(jié)構(gòu)可以延伸通過一個或多個互連的水平。導(dǎo)電，非導(dǎo)電或填充導(dǎo)電料的孔隙和通孔的利用允許傳播能量以橫跨一個示例性裝置，好像利用裝置的旁路或饋路路徑配置。裝置可以作為包含有源和無源元件兩者或其中一者的一個支撐，一個系統(tǒng)或一個子系統(tǒng)平臺，其中元件被分層以提供所描述的在至少一個源和至少一個負荷之間調(diào)節(jié)傳播的能量的好處。
本發(fā)明的一個方面可以提供適合于包含在一個封裝體或一個具有其它元件的集成電路封裝中的導(dǎo)電結(jié)架構(gòu)或結(jié)構(gòu)。為了同時物理屏蔽和電屏蔽，通過允許在由其它路徑饋給的組和供給能量的互補導(dǎo)體間發(fā)生同時能量相互作用，其它元件可以直接連接于該裝置。對絕緣的電路，當(dāng)在共享的屏蔽結(jié)構(gòu)的兩相對側(cè)測量時，可發(fā)現(xiàn)典型的電容性平衡，且其可被保持于測量的電容性水平于絕緣電路端，即使使用共同的非專用的介電體或路徑導(dǎo)電材料。因此，由于元件定位，尺寸，分離和連接定位，這種類型的電路的互補電容平衡，或容差平衡特征，允許具有絕緣電路系統(tǒng)的示例性實施例以3％的內(nèi)部電容容差制造，以使導(dǎo)電性耦合和能量化的絕緣電路系統(tǒng)在每個絕緣電路系統(tǒng)電相反的和成對的互補路徑，有被保持的和相關(guān)的3％的電容性容差，相對于被置于絕緣電路系統(tǒng)的分開的屏蔽路徑。
一個示例性實施例可以允許相對便宜的介電材料，導(dǎo)電材料和各種其它材料元件以各種方式利用。由于架構(gòu)的本質(zhì)，產(chǎn)生的物理和電分開的結(jié)構(gòu)可以允許在成組的，相鄰的元件中電壓分開和平衡，且可以允許減小材料滯后現(xiàn)象和壓電現(xiàn)象的影響到這樣的程度，使得由于這些現(xiàn)象而通常被破壞或丟失的傳播能量可以基本上以有源元件的開關(guān)響應(yīng)時間的形式被保持，以及作為同時在從能量源到各負荷，和從負荷到源的連接的或耦合的路徑的兩電氣側(cè)的表觀開發(fā)能量流的瞬時能力。
構(gòu)成的層可以成形，埋藏，包封或插入各種電系統(tǒng)和子系統(tǒng)以實現(xiàn)線性調(diào)節(jié)或去耦，例如，和幫助或允許能量的電傳輸修改到需要的或預(yù)定的電特性。適用于保持特殊的或集中的能量調(diào)節(jié)或電壓平衡的貴的，專門的，介電材料對旁路，反饋或能量去耦操作可以不再需要。
如前所述，根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置可以位于每一個絕緣電路和成對的多個路徑之間或不同的路徑之間。相對于單個分立的電容或電感元件，這個示例性裝置可以在寬的頻率范圍內(nèi)有效地操作，且可以在絕緣的電路系統(tǒng)中繼續(xù)有效地執(zhí)行于超過例如一GHz的操作。
如前所述，示例性裝置可以在這個寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)屏蔽功能。成對的，電相反的和相鄰的互補路徑的物理屏蔽可以由相對于互補路徑尺寸的普路徑的尺寸產(chǎn)生，和從能量化的，靜電抑制或夾層的互補導(dǎo)體和防止外部寄生引起的寄生的最小化產(chǎn)生。進一步，屏蔽的定位，相對更導(dǎo)電的屏蔽，可以用作保護防止感應(yīng)能量和“H-場”耦合。這一技術(shù)就是相互取消感應(yīng)。
寄生耦合就是公知的電場耦合。上述描述的屏蔽功能提供抗電場寄生的不同屏蔽的路徑的主要靜電屏蔽。包括因為由互補導(dǎo)體路徑引起的相互或雜散寄生能量的防礙傳播能量通路的寄生耦合可以由此被抑制。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置，例如，在具有堆疊的導(dǎo)電性分水平的級數(shù)的普通屏蔽架構(gòu)中，通過包封相反相的導(dǎo)體，可以阻止電容性耦合，由此相對于關(guān)于路徑的垂直的和水平的各個分層和位置的路徑的定位，提供靜電或法拉第屏蔽效果。屏蔽路徑結(jié)構(gòu)可以用于抑制和防止在潛在噪音導(dǎo)體和受害導(dǎo)體之間連接的內(nèi)部和外部寄生，如通過大量的比較短的成對互補路徑長，的普路徑層的強加，但是其位于每一個互補路徑導(dǎo)體對之間以抑制和容納雜散寄生。
而且，如前所述，屏蔽的定位，相對于更多導(dǎo)電的屏蔽，可以用于防止感應(yīng)能量和“H-場”耦合。這個消除通過物理地屏蔽能量而實現(xiàn)，同時地利用定位的互補和成對的路徑以允許在對應(yīng)于屏蔽尺寸的區(qū)域尺寸中保持的和成對的互補路徑的插入。根據(jù)本發(fā)明的一個方面的裝置適合于分別利用屏蔽作為內(nèi)部屏蔽或分組，由此基本上絕緣和將電相反的互補路徑的對夾在中間，且由此在每一個屏蔽和帶電負荷之間提供物理緊固或減小的能量和電路環(huán)傳播路徑。即使由于801材料型或間隔而存在的直接電絕緣，屏蔽和非屏蔽的接近的鄰近可以允許沿屏蔽的能量。
沿成對的和電相對的或不同的路徑的傳播能量的通量的消除可以由用于相反相的電互補操作通過非常小的距離分開的路徑的間隔產(chǎn)生，由此導(dǎo)致同時雜散寄生的抑制和可歸于級聯(lián)屏蔽的密封功能，且由此提高能量調(diào)節(jié)。
在得到用于在絕緣電路系統(tǒng)中的各種電流環(huán)的最小的區(qū)域，附加的能量電流可以圍繞組成的屏蔽結(jié)構(gòu)分配。如前述的多個屏蔽可以作為絕緣電路的參考節(jié)點或底盤接地點連接且可以依靠作為用于電路的通用的參考路徑。因此，不同組的內(nèi)部成對的互補路徑可以包括有一個或多個能量源沿外部路徑傳播引起的傳播能量，該外部路徑通過導(dǎo)電材料與電路連接。因此能量可以進入裝置，經(jīng)歷調(diào)節(jié)且延伸到各個負荷。
屏蔽結(jié)構(gòu)可以允許屏蔽的一部分作為用于阻尼和抑制的低阻抗的路徑操作，同時至少部分的防礙不需要的電磁干擾噪音和進入每一個單獨的能量化電路的能量的返回。在實施例中，內(nèi)部定位的屏蔽可以導(dǎo)電地耦合到導(dǎo)電區(qū)域，由此為了阻尼和抑制的低阻抗和至少部分的防礙不需要的電磁干擾噪音和能量，適合的利用屏蔽結(jié)構(gòu)。此外，另一作內(nèi)部定位的屏蔽可以導(dǎo)電的連接于第二導(dǎo)電區(qū)域，由此為了阻尼和抑制的低阻抗和至少部分的防礙不需要的電磁干擾噪音和能量利用屏蔽。導(dǎo)電區(qū)域可以電的或?qū)щ姷谋舜私^緣。
能量寄生的同時抑制可以由包封屏蔽路徑結(jié)構(gòu)產(chǎn)生，結(jié)合相互的相對能量場的消除，可以進一步由相對的被屏蔽的路徑和沿不同電路路徑在不同絕緣電路中相互作用的傳播能量產(chǎn)生以經(jīng)歷發(fā)生在傳播能量中的調(diào)節(jié)作用。這個調(diào)節(jié)可以包括通過同時功能，如通過絕緣電路，減小H-場能量和E-場能量的作用，該絕緣電路包含且保持定義的與屏蔽的動態(tài)，同時低和高磁組路徑鄰接的電區(qū)域，其中各個成對的路徑具有它們各自的分別開關(guān)的電壓，由位于屏蔽上和由這些對瞬時地且相對地使用的給定的電壓產(chǎn)生，其與能量的使用相關(guān)，該能量沿低和高阻抗屏蔽的成對路線被發(fā)現(xiàn)。
由絕緣電路中能量路徑的定位的重疊產(chǎn)生的不同的距離關(guān)系結(jié)合不同的動態(tài)能量移動以提高和取消不同級的通常發(fā)生在帶電的元件或負荷中的有害的能量中斷。發(fā)生在無源的層式結(jié)構(gòu)中的有效的能量調(diào)節(jié)功能允許動態(tài)“0”阻抗能量“黑洞”的提高或能量排出，沿通常與兩個互補路徑連接的第三路徑且適合于允許能量在各種絕緣電路和連接的或?qū)щ姷倪B接的電路中被容納和消散在屏蔽上。因此，電相對的能量可以通過絕緣材料和/或通過插入屏蔽結(jié)構(gòu)被分開，由此允許特殊電路結(jié)構(gòu)中的動態(tài)和近距離關(guān)系，由此利用傳播能量和相對距離以允許相互提高的消除現(xiàn)象和靜電抑制現(xiàn)象的使用以成指數(shù)的允許成層的導(dǎo)電和絕緣元件在能量工藝能力上變的更有效。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，裝置可以利用單獨的低阻抗路徑或普通低阻抗路徑作為電壓參考，同時在相對的電參考點保持和平衡，由此在絕緣電路系統(tǒng)中保持最小限度的寄生貢獻和中斷的能量寄生。如上所述，這里描述的不同的連接體系可以允許“0”電壓參考相對于位于共用的中心屏蔽的相對側(cè)的成對的互補導(dǎo)體的每一對或多個提高，由此允許電壓被保持和平衡，即使在位于帶電集成電路的晶體管門中帶有多個同時開關(guān)操作狀態(tài)，在絕緣電路中帶有最小限度的分裂的能量。
屏蔽可以利用類似殼體的導(dǎo)電屏蔽結(jié)構(gòu)連接以產(chǎn)生一個或更多的屏蔽。與更大的導(dǎo)電區(qū)域屏蔽導(dǎo)電的連接在一起可以抑制輻射的電磁散發(fā)和作為更大的區(qū)域提供更多的可以發(fā)生電壓的分散和浪涌的導(dǎo)電區(qū)域。具有不同的電特性的一個或更多的多個導(dǎo)電或絕緣材料可以保持在屏蔽之間。特殊的互補路徑可以包括多個相對于“配合”或?qū)?zhí)行不同的相的調(diào)節(jié)的多個通用導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，多個相對的定相或負擔(dān)的結(jié)構(gòu)形成生產(chǎn)的互補路徑的總和的一半，其中一半的互補路徑形成第一組路徑以及第二個一半形成第二組路徑。第一和第二組路徑的互補路徑的和可以帶有用作同時的相等的數(shù)量的路徑平均地電分開，但是各個互補路徑的總和的一半從，例如，相反定位的組的1度的范圍到大約180度電相位失配的操作。少量的絕緣材料，例如微米或更少，可以用作路徑之間的導(dǎo)電材料絕緣，附加的插入屏蔽，其絕緣可以不是直接的物理地或是導(dǎo)電的連接于互補操作屏蔽路徑的任何一個。
外部接地區(qū)域可以耦合或?qū)щ姷倪B接作為替換性普路徑。附加數(shù)量的成對的外部路徑可以連接于更低的電路阻抗。這個低的阻抗現(xiàn)象可以利用替換的或輔助的電路返回路徑發(fā)生。
屏蔽結(jié)構(gòu)可以允許屏蔽連接在一起，由此幫助能量沿新提高的低阻抗路徑傳播，且由此允許不希望的電磁干擾或噪音移出這個產(chǎn)生的低阻抗路徑。
現(xiàn)在參考圖1A到5B，其通常示出了示例性實施的各種普通原理的普通和單獨的變化，形成共面的變化(圖1A-4I)和堆疊的變化(圖5A和5B)。
在圖1A中，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面解釋的不同路徑延伸的相對位置。利用由8“XX”-“X”M表示的中心屏蔽路徑相對平衡和互補-對稱的裝置的一部分應(yīng)用于裝置中作為共面變化中斷平衡的導(dǎo)電部分支點。路徑裝置至少包括第一和第二組路徑，其中第一組路徑至少包括一對彼此電絕緣設(shè)置且定向在第一互補關(guān)系上的路徑，如示出的。此外，至少第二組的第一個一半與第二組的第二個一半電絕緣設(shè)置，其中至少第二組的兩個路徑與第一組的路徑電絕緣。路徑裝置也可以包括含有例如絕緣，鐵磁性的特性的材料或用于，例如，隔開路徑裝置的路徑的壓敏電阻。第二組的第一半路徑彼此電連接，且第二組的第二半路徑彼此電連接。第二組的第一半路徑的總數(shù)可以是多于一的奇數(shù)，且第二組的第二半路徑的總數(shù)也可以是多于一定奇數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，第二組的第一半路徑位于第一假設(shè)行，同時第二組的第二半路徑唯一第二假設(shè)行，第一和第二假設(shè)行在相互假設(shè)的行中這里定義為共面裝置。
在非共面裝置中，第二組的第一半路徑可以位于第一假設(shè)行，且第二組的第二半路徑位于第二假設(shè)行，第一和第二假設(shè)行在裝置一個在另一個的上面。在一個裝置中，至少四個路徑電絕緣。
本發(fā)明示出的實施例至少包括三組路徑，包括第一組路徑和第二組路徑。第一和第二組路徑可以包括第一組路徑具有在第二組路徑中發(fā)現(xiàn)的相等的且相對的路徑數(shù)量的路徑數(shù)量。第一和第二組的路徑數(shù)量可以大致相同的尺寸和形狀，且可以互補定位，且可以電互補的方式操作。因此，第一和第二組路徑的配對可以由相同數(shù)量的第一和第二組路徑的數(shù)量產(chǎn)生。示例性實施例可以至少具有允許單獨絕緣的低電路阻抗路徑的提高的第一和第二屏蔽。在結(jié)構(gòu)上，屏蔽可以通過第三組路徑和第四組路徑實現(xiàn)。每一個屏蔽組可以包括相等尺寸和形狀的屏蔽。第三和第四組路徑的每一個可以導(dǎo)電的連接。導(dǎo)電連接可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的各種方法和材料實現(xiàn)。因此，當(dāng)?shù)谌偷谒慕M利用第一和第二組接收屏蔽組成兩組屏蔽時，第三和第四組可以與普路徑連接以提高用于電路能量調(diào)節(jié)的能量傳播的低電路阻抗路徑。
路徑可以附加地設(shè)置在旁路設(shè)置中，使得當(dāng)面對面設(shè)置時，主體路徑可以排列在假設(shè)的，除去任何路徑延伸的例如更低分電路部分的812NNE，811NNE，812SSW和811SSW，例如，如圖5A和5B示出的鏡像。
在各組中，單獨的路徑數(shù)量可以是大致相同的尺寸和可以導(dǎo)電的連接。但是，一個組的單獨的路徑數(shù)量可以不與不同組的路徑的數(shù)量連接。具有一組的元件與不同組的元件相連的情況，其中第一組屏蔽和第二組屏蔽從外部與相同的導(dǎo)體連接。
普通元件包括與描述共面屏蔽的旁路路徑中的動態(tài)能量移動的概念上的能量指示器600，601，602，603一致的能量流，如圖1A-1C所示。實施例至少具有用于多個電路的多個絕緣低電路阻抗路徑的提高的多個屏蔽。
仍然參考圖1A，路徑可以通過相對的，普路徑屏蔽，且可以包括具有至少一個路徑延伸812“X”的主體路徑80。示出的屏蔽包括至少具有99”X”/79“X”表示的一個路徑延伸的主體屏蔽路徑。屏蔽夾在主體799中間且包封主體799，包括由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電內(nèi)部路徑，該導(dǎo)電材料來自傳統(tǒng)的用在共燒電子元件或?qū)щ姴牧系馁F金屬或賤金屬，如Ag，Ag/Pd，Cu，Ni，Pt，Au，Pd或組合材料，如金屬氧化物和玻璃粉。如上所述，電容和電阻值可以由一組路徑實現(xiàn)，如通過利用釕氧化物作為電阻性材料和Ag/Pd作為導(dǎo)電性材料。而且，路徑結(jié)構(gòu)中的變化可以產(chǎn)生不同的電阻和電容值。例如，導(dǎo)電材料，如銀，可以由選擇的加入金屬氧化物/玻璃粉中以降低材料的阻抗。
一組路徑，865-1和865-2，如示出的位于同一面且以相同部分的材料801隔開。共面路徑865-1和865-2的每一個路徑，可以由導(dǎo)電材料799或混合性導(dǎo)電材料和其它材料形成，這里用799“X”表示。每一個共面路徑865-1和865-2也可以由旁路路徑形成，其中每一個路徑包括分別具有的主體邊沿和周邊803A和803B的主體路徑80，且至少一個路徑鄰接的延伸812“X”。每一個共面路徑865-1和865-2可以至少包括一個具有從主體邊沿803A和803B延伸的部分的路徑鄰接的延伸812SSW和811SSW。延伸812“X”是結(jié)合主體路徑80形成的路徑材料的一部分，延伸812“X”從主體路徑80延伸?？梢园l(fā)現(xiàn)主體路徑80，812“X”可以作為材料799的延伸或延伸超過可接受的平均周長邊緣803“X”的799“X”?？梢园l(fā)現(xiàn)延伸821“X”和79“X”分別位于作為路徑的鄰近部分，從該路徑形成延伸812“X”和79“X”。每一個主體路徑可以使邊緣803A，803B位于相對且從裝置邊沿817隔開距離814F的位置。裝置邊沿817可以包括材料801。共面主體路徑的邊沿803“X”可以位于且隔開距離814J。路徑延伸812SSW和811SSW可以導(dǎo)電的將各個路徑主體80連接到外部路徑890SSW和891SSW，其可以位于邊沿817處。共面設(shè)置的，主體路徑80可以位于夾在共面的兩個層的登記的有效區(qū)域主體路徑81s中間。
結(jié)合相互相反的磁場導(dǎo)致消除或減小效果。越近的互補，對稱定向的屏蔽，在相對的能量傳播上的產(chǎn)生的相互相對的消除效果越好。越多假設(shè)的互補的，對稱的定向的屏蔽的定向，產(chǎn)生的寄生的抑制和消除效果越好。
仍然參考圖1A，共面屏蔽的組的邊沿可以由點線805A和805B表示。每一組屏蔽的主體路徑81比任何對應(yīng)的開關(guān)路徑的開關(guān)主體路徑80大。這可以產(chǎn)生相對與屏蔽和剩下的路徑的插入?yún)^(qū)域806。主體80和81的尺寸可以大致相似，且由此插入位置關(guān)系可以在某些實施例中減小。增加的寄生抑制可以通過插入路徑得到，包括主體80，以通過更大的路徑主體81s被屏蔽。例如，如圖1B所示，路徑865-1的主體80的插入可以分開由分開路徑865-1和鄰接的中心共面路徑800-IM-1的材料801的厚度提高的間隔的1到20倍的距離。
共面屏蔽的組的邊沿805A和805B可以位于且分開距離814K，且可以相對于邊沿805A和805B和邊沿817距離814?？梢蕴峁娜魏我贿?03A和803B的其它距離814J。而且，距離814F可以存在于一個803“X”和邊沿817之間。每一個共面屏蔽可以包括多個連續(xù)的路徑延伸部分，如，例如，部分79NNE，79SSE，99NNE和99SSE，從多個共面屏蔽邊沿805A和805B延伸。多個共面屏蔽可以包括多個位于邊沿817的外部路徑材料901NNE，901SSE，902NNE和902SSE。概念能量指示器602表示在共面路徑865-1和865-2中的各種動態(tài)能量移動。根據(jù)規(guī)定，不需要的能量可以通過具有低阻抗路徑的屏蔽傳輸給共面屏蔽，該屏蔽可以附加的與另一個路徑或?qū)щ妳^(qū)域電連接。
現(xiàn)在參考圖1B和1C，示出了用于第一組共面路徑865-1，865-2，第二組共面路徑855-1，855-2和第三組共面路徑825-1-IM，825-2-IM，815-1，81 5-2，800-1-IM，800-2-IM，810-1，810-2，和820-1-IM，820-2-IM的層順序。第一，第二和第三組可以堆疊以形成裝置3199，3200，3201。大三組共面路徑可以具有屏蔽。共面屏蔽825-1-IM，825-2-IM；815-1，815-2；800-1-IM，800-2-IM；810-1，810-2，和820-1-IM，820-2-IM的組的主體81在尺寸和形狀上大致相似，且可以在材料801的不同層上的共面位置間隔開。第一組共面路徑865-1和865-2可以至少具有對應(yīng)的，相對的和互補的第二組路徑855-1和855-2。這些第一和第二組共面路徑，當(dāng)面對面定向時，除了各種連續(xù)路徑延伸812“X”，811“X”，可以使主體路徑80s共登記和排列。如圖1B和1C所示，一對外部共面路徑可以用作路徑屏蔽，由此提高與具有主體81s的其它導(dǎo)電連接的路徑組的屏蔽效率。
如示出的不同的實施例3199，3200，3201，屏蔽825-1-IM，815-1，810-1-IM，810-1，820-1-IM的延伸79NNE，79SSE的位置和屏蔽825-2-IM，815-2，800-2-IM，810-2和820-2-IM的延伸可以是不同的。例如，在圖1B中，延伸79NNE和99NNE可以間隔設(shè)置，與延伸79SSE和99SSE成對角線且在屏蔽主體81的相反側(cè)。在圖1C中，例如，延伸79NNE和99NNE可以在屏蔽主體81的相對側(cè)在線上與延伸79SSE和99SSE間隔設(shè)置。在圖1B中，延伸812NNE和811NNE可以間隔設(shè)置，向材料801的層的相同邊沿812延伸，且延伸812SSW和811SSW可以間隔設(shè)置，每一個向材料801的層的相反邊沿812延伸。在圖1C中，如上述的，路徑865-1和865-2可以成鏡像。相比于圖1B，延伸812NNE和811NNE可以間隔設(shè)置，向材料801的層的相反邊沿817延伸。延伸812SSW和811SSW可以間隔設(shè)置，向材料801的層的相反邊沿延伸，使得延伸812NNE和811SSW向材料801的相反層的相反邊沿812“X”延伸。
現(xiàn)在參考圖2A和2B，圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的圖2B的實施例的示意性平面圖。圖2B描述了包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路徑的布置的路徑設(shè)置，其中例如，至少第三和第四路徑可以共面且彼此間隔設(shè)置。圖2B示出了第一和第二路徑設(shè)置于第三和第四路徑的下方，且第五和第六路徑設(shè)置于第三和第四路徑的上方，且第七和第八路徑設(shè)置于第五和第六路徑的上方，且第九和第十路徑設(shè)置于第七和第八路徑的上方。這些路徑具有各種單獨的內(nèi)部連續(xù)路徑延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，且可以是具有相同的極小數(shù)量的層的不連續(xù)元件。內(nèi)部連續(xù)路徑延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，和導(dǎo)電的連接于外部路徑890“X”，891“X”，802“X”和902“X”，可以與主體路徑80和81的共面路徑的組的內(nèi)部路徑連接。
現(xiàn)在參考圖3A和3B，在圖3A中示出了圖3B實施例的示意性平面圖，其中外部路徑至少選擇性的連接于至少兩個絕緣電路部分。圖3B描述了包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路徑的最小布置，其中，例如，至少第三和第四路徑是共面的且彼此間隔設(shè)置。圖3B中示出的裝置可以使第一和第二路徑設(shè)置在第三和第四路徑的下方，且第五和第六路徑設(shè)置在第三和第四路徑的上方，且第七和第八路徑設(shè)置在第五和第六路徑的上方，且第九和第十路徑設(shè)置在第七和第八路徑的上方。這些路徑具有各種單獨的內(nèi)部連續(xù)路徑延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”且可以是具有相同的極小數(shù)量的層的分立元件。
現(xiàn)在參考圖3C，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的屏蔽的平面圖。相比較于圖3B，在圖3C描述的實施例中至少包括一個附加的路徑。這個附加的路徑1100-IM“X”可以是堆疊的路徑中的屏蔽的組的至少一個，該屏蔽可以橫跨兩個電路部分。路徑100-IM“X”可以是路徑堆中的兩個外部夾心屏蔽中的至少一個。屏蔽可以通過增加一個電連接與外部1100-IM”X”屏蔽的中心設(shè)置1100IM”X”路徑而橫跨兩個電路。路徑1100-IM“X”可以至少具有一個延伸，且示出的具有兩個延伸1099NNE和1099SSE，且可以允許夾心屏蔽用于本發(fā)明中的所有路徑。至少三個路徑可以連接在一起，且可以包括分開絕緣電路的能量負荷或能量源或分開兩個絕緣電路的中心屏蔽。
屏蔽00GS可以與其它屏蔽電絕緣，且可以設(shè)置的以影響絕緣電路的能量傳播。絕緣電路可以由屏蔽夾在中間。屏蔽可以電連接于已經(jīng)與其它任何導(dǎo)電區(qū)域絕緣的導(dǎo)電區(qū)域，由此影響能量傳播。
圖4A-4I描述了根據(jù)本發(fā)明的方面的各種實施例的組合的元件。圖4A到4I的設(shè)置可以包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路徑的最小布置，其中，例如，至少第三和第四路徑是共面的且彼此間隔設(shè)置。第一和第二路徑設(shè)置在第三和第四路徑的下方，且第五和第六路徑設(shè)置在第三和第四路徑的上方，且第七和第八路徑設(shè)置在第五和第六路徑的上方，且第九和第十路徑設(shè)置在第七和第八路徑的上方。例如，這些路徑具有各種單獨的內(nèi)部連續(xù)路徑延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，且可以是組裝的最后不連續(xù)元件。
參考圖5A，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面包括路徑族的多個非共用電路的堆疊。包含在圖5A中的標(biāo)記1000示出了堆疊設(shè)置到圖5A下一列的連續(xù)。概念性能量指示器600，601，602，603指示能量流。材料799可以位于用于由815-1，800-1，810-1-IM和810-2表示的元件6900屏蔽的材料801上。屏蔽810-A和810-B是至少一部分絕緣電路系統(tǒng)的分開的屏蔽。屏蔽820-A和820-B是至少一部分絕緣電路系統(tǒng)的分開的屏蔽。屏蔽825-A和825-B是至少一部分絕緣電路系統(tǒng)的分開的屏蔽。導(dǎo)體855-1和855-2是旁路結(jié)構(gòu)中分開的且屏蔽的路徑。導(dǎo)體865-1和865-2是旁路結(jié)構(gòu)中分開的且屏蔽的路徑。在圖5A中，描述的路徑設(shè)置至少包括兩個類型的路徑的六個定向的路徑，其中至少六個定向的路徑的每一個定向的路徑具有與剩下的定向的路徑導(dǎo)電絕緣。
參考圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的堆疊的屏蔽結(jié)構(gòu)。圖5B描述了與圖5A相似的實施例，其中為了清楚，省略了兩組855“X”和865“X”路徑，且其中圖5A的屏蔽定向在用于每一個相反組的855“X”和865“X”路徑的觸發(fā)器中。79“X”路徑延伸可以相反于各種路徑延伸811“X”和812“X”旋轉(zhuǎn)90度。這種結(jié)構(gòu)的動態(tài)結(jié)果，如由概念能量指示器示出的，可以通過無效兩個絕緣電路的兩組855“X”和865“X”的延伸和通過將每一個絕緣電路對855A和865A的屏蔽相反于不同的路徑延伸855B和865B大致90度的相反定位而提高。
參考圖5B，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面的堆疊屏蔽結(jié)構(gòu)。圖5B描述了與圖5A相似的實施例，其中為了清楚，省略了兩組855“X”和865“X”路徑，且其中圖5A的屏蔽定向在用于每一個相反組的855“X”和865“X”路徑的觸發(fā)器中。79“X”路徑延伸可以相反于各種路徑延伸811“X”和812“X”旋轉(zhuǎn)90度。這種結(jié)構(gòu)的動態(tài)結(jié)果，如由概念能量指示器示出的，可以通過無效兩個絕緣電路的兩組855“X”和865“X”的延伸和通過將每一個絕緣電路對855A和865A的屏蔽相反于不同的路徑延伸855B和865B大致90度的相反定位而提高。
如上所述，在本發(fā)明的實施例中，多個互補或成對的路徑可以包括第一和第二組路徑。例如，能量可以以通常平行和均勻的方式利用各種成對的反饋或旁路路徑層。路徑元件可以包括非絕緣和導(dǎo)電孔，和導(dǎo)電通孔-VIA，以提供傳播能量和保持通常非平行或垂直的關(guān)系，且附加地與連接電路保持分開的電關(guān)系。這些路徑可以保持內(nèi)部平衡，且可以幫助沿相反的互補對電定位。在路徑的互補對中的這個關(guān)系可以在路徑和能量在與外部連接的屏蔽結(jié)構(gòu)中經(jīng)歷相反的操作使用時發(fā)生。
現(xiàn)在參考圖5C，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個方面具有VIA且包括路徑族的堆疊多個，非共用電路網(wǎng)絡(luò)的相反平面圖。根據(jù)本發(fā)明的一個方面在圖5C中描述的裝置包括通孔能量調(diào)節(jié)器。通孔能量調(diào)節(jié)器可以如此形成使得保持這里描述的多個能量傳播原理，包括用于能量調(diào)節(jié)工藝的多組屏蔽。圖5C進一步描述了具有路徑設(shè)置6969的零路徑組。路徑設(shè)置6969與圖5B相似，沒有路徑延伸79“X”，811“X”和812“X”，且具有從相反于主體80和81的不同方向8879“X”，8811“X”和8812“X”VIA功能的替換。
仍然參考圖5C，在制造工藝期間，導(dǎo)電洞912，VIA或?qū)щ娍卓梢杂糜诨ミB8806集成電路，且可以利用機械鉆孔，激光鉆孔，蝕刻，沖孔或其它孔形成技術(shù)形成一個或更多的路徑層。每一個特殊的互連8806可以使得各種路徑電連接或絕緣。每一個特殊互連8806可以延伸通過路徑設(shè)置6969的所有層，或可以通過一層或多層在上或下固定。路徑設(shè)置6969可以包括有機襯底，如環(huán)氧樹脂材料或成圖案的導(dǎo)電材料。例如，如果使用有機襯底，標(biāo)準(zhǔn)印刷電路板材料如FR-4環(huán)氧玻璃，聚酰胺-玻璃，苯并環(huán)丁烯，聚四氟乙烯，其它環(huán)氧樹脂，或類似的可以用在各種實施例中。例如，在替換的實施例中，路徑設(shè)置可以包括有機襯底，如陶瓷。在不同的實施例中，水平的厚度可以大約為10-1000微米。在不同的導(dǎo)電層之間的互連8806也可以由選擇性的移開絕緣和導(dǎo)電材料形成，由此暴露更低的導(dǎo)電層904的導(dǎo)電材料，且例如，通過填充洞而形成，該洞是通過移走導(dǎo)電漿糊799A或電解噴鍍799B而形成。
互連8806可以將暴露的導(dǎo)電層連接到路徑設(shè)置6969的相對側(cè)。例如，互連8806可以由襯墊或集成電路附著的區(qū)域。互連8806可以利用公知的技術(shù)形成，如通過填充有選擇的移去帶有導(dǎo)電漿糊的絕緣部分，電解質(zhì)噴鍍，照相平版印刷或網(wǎng)板印刷。得到的路徑設(shè)置包括一個或更多層成圖案導(dǎo)電材料904，由非導(dǎo)電層分開，且通過互連8806連接。不同的技術(shù)可以用于互連和絕緣不同層的成圖案的導(dǎo)電材料799。例如，除了形成和有選擇的移走不同導(dǎo)電799和非導(dǎo)電層801的部分，在不同層之間的開口可以通過有選擇的添加導(dǎo)電799和非導(dǎo)電層801的需要的部分而包括。移去技術(shù)，如化學(xué)機械平面化，可以用于物理的磨損掉多層不同類型的導(dǎo)電和非導(dǎo)電材料，得到用于互連的需要的開口。
路徑設(shè)置6969可以利用帶有適合于調(diào)節(jié)傳播能量的襯底使用多孔，多層能量調(diào)節(jié)路徑設(shè)置而形成。路徑設(shè)置6969可以通過利用導(dǎo)電填充孔的結(jié)合能量調(diào)節(jié)方法調(diào)節(jié)傳播能量，該方法作為通孔8879“X”，8811“X”和8812“X”在本領(lǐng)域是公知的，結(jié)合帶有被鑲嵌的傳播路徑的多層普通導(dǎo)電法拉第法拉第類似殼體的屏蔽技術(shù)?；ミB路徑設(shè)置和IC可以線捆束互連，觸發(fā)器球狀晶格陣列互連，微球狀晶格互連，它們的結(jié)合，或任何其它工業(yè)上適用的方法實現(xiàn)。例如，“觸發(fā)器”型集成電路，意味著輸入/輸出終止以及在芯片上的任何其它的路徑可以在其表面上的任何點發(fā)生。在IC芯片被準(zhǔn)備用于與路徑設(shè)置6969連接后，芯片可以通過在路徑設(shè)置的頂表面上配合襯墊的焊料塊或球被翻轉(zhuǎn)和連接?？商鎿Q地，集成電路可以利用到路徑設(shè)置6969的頂表面上的襯墊的結(jié)合線由連接輸入/輸出終端線結(jié)合到路徑設(shè)置6969上。
路徑設(shè)置6969中的電路可以作為源以負擔(dān)路徑設(shè)置需要的電容，噪音抑制，和/或電壓抑制。這個電容可以通過在路徑設(shè)置6969中的電容提高和嵌入的形成來提供。這個電容可以上述的成對的路徑和屏蔽與集成電路負荷連接。附加電容可以提供給電連接于集成電路的電路以提供電壓抑制和噪音抑制。關(guān)閉芯片能量源的接近可以提供沿低磁組路徑到負荷的電容。普通屏蔽路徑可以作為離芯片(off-chip)能量源和普通導(dǎo)電性插入能量路徑結(jié)構(gòu)的“0“電壓電路參考節(jié)點。
路徑設(shè)置6969可以通過通常適用于工業(yè)的連接方法連接于集成電路和聯(lián)接799A和799B，包括無碰撞加強層(BBUL)封裝。這個技術(shù)使其具有更高的性能，更薄和更輕的封裝以及降低能量消耗。在BBUL封裝中，硅管芯或IC嵌入帶有可作為第一級互連操作的路徑設(shè)置的封裝中。因此，整個BBUL封裝不是僅僅連接于IC的一個表面。例如，在一個或更多的不同路徑以及封裝之間的電連接可以由銅線制成，不必是C4焊料塊。這些特征結(jié)合使得封裝比其它IC封裝更薄更輕，同時具有更高的性能和降低能量消耗。BBUL可以提高生產(chǎn)能力以將多個硅元件連接到路徑設(shè)置6869中。屏蔽的路徑8811，8812，和8879可以在各個能量源和各個IC的負荷之間通過普通工業(yè)技術(shù)電連接，由此允許調(diào)節(jié)傳播的能量。屏蔽8879可以導(dǎo)電的連接于包括1055-2的屏蔽。屏蔽和包括8811和8812的它的其它導(dǎo)電部分可以與各個互補路徑電連接，其在通電之前沒有顯著的極充電，由此防止每個層8811和8812改變能量傳輸?shù)姆较虻墓δ?，這樣防止分別從輸入和輸出到輸出和輸入改變的層8811和8812，以致于通過這些工藝本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解。
為了圖5A，5B和5C描述的堆疊的變化，增加三個路徑1100-IM-“X”，包括在810-1和815-2之間的由1100-IM-“C”表示的一個，可以將平衡的對稱的總量的路徑平分為在1100-IM-“C”的相反側(cè)相等的數(shù)量。電連接于1100-IM-C的1100-IM-1和1100-IM-2的增加產(chǎn)生普通或屏蔽結(jié)構(gòu)(未全示出)。屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽可以是大致相同或不同的尺寸。屏蔽可以與用于任何一個或更多的本發(fā)明的實施例的其它屏蔽物理絕緣或不絕緣。因此，屏蔽可以與用于任何一個或多個本發(fā)明的實施例的其它屏蔽電地或?qū)щ姷亟^緣或不絕緣。
奇數(shù)個屏蔽可以耦合在一起由此允許；利用所有其它的屏蔽的普通參考或節(jié)點的形成。屏蔽1100-IM-“X”的數(shù)量不被限制于利用延伸1099NNE和1099SSE如屏蔽00GS，當(dāng)在幾乎任何方向的任何數(shù)量的延伸可以用于以利于聯(lián)接。相反平衡和互補對稱的設(shè)置可以相反于用于作為平衡導(dǎo)電部分的設(shè)置支點的中心屏蔽8“XX”或屏蔽800/800-IM而形成。沿或在成對的且電相反的互補路徑的至少局部的磁通場取消發(fā)生在這個平衡的但移位的實施例中。而且，同時雜散能量寄生，互補充電抑制，物理和電屏蔽抑制和法拉第效應(yīng)也可以發(fā)生。這一結(jié)果的實現(xiàn)是因為磁鐵能量至少部分地沿屏蔽傳輸，在該屏蔽中RF返回路徑與對應(yīng)的路徑平行且鄰近。因此，磁通能量可以相反于返回被測量或觀察。
移位的路徑可以相反于中心屏蔽，如屏蔽800/800-“X”-IM，相反平衡互補和對稱地定位，且可以包括相反移位的，平衡的，互補的且對稱的預(yù)定屏蔽的設(shè)置且路徑圍繞中心定位的屏蔽例如800/800-IM被互補的夾在中間，例如。
例如，圖1A，1B，1C到圖4I的示例性實施例可以包括這些移位實施例。這些移位的實施例可以包括含有屏蔽，路徑，屏蔽，路徑和屏蔽的多個層。這些層或中的每一個可以關(guān)于中心屏蔽800/800-“X”-IM集中和互補，如用于共面變化，且整個多層可以關(guān)于主中心屏蔽集中。例如，雖然各個屏蔽可以移位以在給定的匹配的路徑對之間產(chǎn)生離散的不平衡，但是互補性和對稱可以關(guān)于中心屏蔽和主中心屏蔽被保持。移位可以在假設(shè)的屏蔽的周邊的外部暴露至少一個路徑的一部分，由此寄生且由此變化，例如，阻抗特性。
例如，給定的路徑可以向左移動5點。這個移位可以解決關(guān)于中心屏蔽的匹配的對，且因此，相反極的鄰接的匹配的對的路徑可以移動5點或相反的極的5個鄰接的路徑可以每個移動1點，由此保持互補性和對稱。而且，路徑可以在假設(shè)的周邊中保持，且雖然被遵照移動。雖然如此，但是這種在屏蔽下的移動可以制造需要的平衡。但是，某些未示出的實施例可以包括路徑被向著屏蔽的中心拉的情況，且保持在屏蔽下在平衡或非平衡狀態(tài)中的明顯不同的電特性，如電感特性。
現(xiàn)在參考圖6，示出了堆疊的多個電路，包括實施例6900，導(dǎo)電能量路徑，絕緣的能量源，絕緣的能量利用負荷和絕緣普通導(dǎo)電路徑。導(dǎo)電能量路徑可以通過導(dǎo)電連接材料，例如，如焊料或工業(yè)對等物，導(dǎo)電地連接于實施例6900。通道315，導(dǎo)電路徑繼續(xù)在襯底的表面之下，可以連接于導(dǎo)電路徑，且可以包括用作連續(xù)導(dǎo)電路徑傳播能量的導(dǎo)電材料。絕緣普通導(dǎo)電路徑可以不直接連接于絕緣能量源或絕緣能量利用負荷。如上所述，實施例6900可以包括四組含有電極和屏蔽的路徑，每一組電絕緣。這些屏蔽可以導(dǎo)電地連接。導(dǎo)電連接的屏蔽可以利用導(dǎo)電連接材料從外部連接于絕緣的普通導(dǎo)電路徑，其不直接導(dǎo)電的連接于電極。如圖6所示，電極815-1，800-1-IM和810-1，可以導(dǎo)電的連接于802GA，802GB。屏蔽815-2，800-2-IM和810-2可以導(dǎo)電的連接于902GA和902GB。這些連接可以不導(dǎo)電的連接于第一組電極或第二組電極。在這個機構(gòu)中，絕緣電路可以利用絕緣和分開電壓參考和絕緣普通阻抗路徑如圖6中的REF1和REF2。
現(xiàn)在參考圖7，示出了堆疊的共面多個電路，包括實施例3210，導(dǎo)電能量路徑，絕緣的能量源，絕緣的能量利用負荷和絕緣普通導(dǎo)電路徑。導(dǎo)電能量路徑可以通過導(dǎo)電連接材料導(dǎo)電地連接于實施例3210。通道315，導(dǎo)電路徑繼續(xù)在襯底的表面之下，可以連接于導(dǎo)電路徑，且可以包括用作連續(xù)導(dǎo)電路徑傳播能量的導(dǎo)電材料。絕緣普通導(dǎo)電路徑可以不直接連接于絕緣能量源或絕緣能量利用負荷。如上所述，實施例3210可以包括四組含有電極和屏蔽的路徑，每一組電絕緣。導(dǎo)電連接的屏蔽可以從外部連接于絕緣的普通導(dǎo)電路徑，其不直接導(dǎo)電的連接于這個共面設(shè)置中的第一或第二組電極。第三組電極815-1，800-1-IM和810-1，可以導(dǎo)電的連接于802GA，802GB。屏蔽815-2，800-2-IM且也可以導(dǎo)電的連接于902GA和902GB，且可以不導(dǎo)電的連接于第一組電極或第二組電極。在這個結(jié)構(gòu)中，絕緣電路可以利用分開的和單獨絕緣的和分開電壓參考和分開的和單獨絕緣的阻抗路徑，分開的和但組絕緣的普通阻抗路徑和至少一個分開的和單獨的低阻抗路徑如圖7中的REF1和REF2。
現(xiàn)在參考圖4A到圖7，終端電極890A，890B和891A，891B，802GA，802GB和902GA，902GB，可以是單片集成電路或是多層的。終端電極802GA，802GB，902GA，902GB可以位于燒結(jié)主體的其它單獨部分。每一個主體電極層81或80和副電極延伸99/79G”X”或812“X”可以限定出延伸到并導(dǎo)電地連接于副終端電極802GA，802GB，902GA，902GB和890A，890B和891A，891B的電極。
本發(fā)明的可以用于多種能量調(diào)節(jié)功能，該功能利用用于模擬電阻/電壓分配器網(wǎng)絡(luò)的中心分接頭的普通連接屏蔽結(jié)構(gòu)。這個電阻/電壓分配器網(wǎng)絡(luò)可以通常利用各種集成電路的電阻的比率構(gòu)成。但是各種集成電路的電阻可以根據(jù)本發(fā)明的一個方面由裝置代替，該裝置利用，例如，特殊的導(dǎo)電性的/阻抗性的材料799A或路徑材料799自然發(fā)生的阻抗特性，或利用變化的物理布置。當(dāng)普通和共用的路徑屏蔽結(jié)構(gòu)的部分被用于限定位于普路徑結(jié)構(gòu)的兩個相反側(cè)的普通電壓參考時，電壓分配功能可以存在。
在實施例中，在制造過程中不管內(nèi)部堆疊的垂直地還是結(jié)合上述共面對，互補路徑對的數(shù)量可以以預(yù)定的方式增加以產(chǎn)生大量的通常物理地或電平行的特性的路徑元件的結(jié)合。
而且，雖然未示出，本發(fā)明的裝置可以由硅和直接結(jié)合集成電路微工藝器電路或微工藝器芯片封裝構(gòu)成。用于沉淀電導(dǎo)電材料的任何適合的方法都可以使用，如噴鍍，噴涂，蒸發(fā)，電的，網(wǎng)印，模板印刷，真空和包括化學(xué)蒸汽沉積(CVD)的化學(xué)方法。
當(dāng)某些實施例已經(jīng)被描述在位置“上部”或“上”或“下部”或“下”或任何其它的位置或方向描述時，可以理解這些描述僅僅是相反的且不能作為限制。
本發(fā)明可以以大量的不同實施例實現(xiàn)，包括用于電子組件的能量調(diào)節(jié)器的能量調(diào)節(jié)實施例，能量調(diào)節(jié)襯底，集成電路封裝，電子組件或以能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)形式的電子系統(tǒng)，且可以利用各種方法構(gòu)成。其它實施例對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括至少第一和第二組路徑；其中所述第一組進一步包括至少兩個彼此電絕緣設(shè)置且定向在第一互補關(guān)系上的路徑；其中所述第二組的至少第一部分路徑與所述第二組的第二部分路徑電絕緣設(shè)置；以及其中所述第二組的至少兩個路徑與所述第一組電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第二組的第一部分路徑的至少兩個路徑彼此電連接；以及其中所述第二組的所述第二部分路徑的至少兩個路徑彼此電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第二組的所述第一部分路徑是比一大的奇數(shù)；其中所述第二組的第二部分路徑是比一大的奇數(shù)；其中所述第二組的第一步路徑的至少兩個路徑彼此電連接；以及其中所述第二組的第二部分路徑的至少兩個路徑彼此電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，進一步包括至少隔開所述電路的兩個路徑的間隔材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的裝置，其中所述間隔材料包括介電體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第二組的第一部分路徑在第一行；以及其中所述第二組的第二部分路徑在第二行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第二組的所述第一部分路徑在第一疊置行；以及其中所述第二組的第二部分路徑在第二疊置行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置，其中第一行和第二行在一個疊置行。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中第一和第二假設(shè)行定位是至少一個在另一個的頂部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第一部分路徑的至少兩個路徑設(shè)置成在第一行彼此電耦合；其中所述第二部分路徑的至少兩個路徑設(shè)置成在第二行彼此電耦合；其中所述第一部分路徑是比一大的奇數(shù)和其中所述第二組路徑是比一大的奇數(shù)；以及其中所述第一組的路徑總數(shù)至少是比二大的偶數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第二組的所述第一部分路徑的至少兩個路徑設(shè)置在第一疊置行，彼此電耦合；其中所述第二組的第二部分路徑的至少兩個路徑設(shè)置在第二疊置行，彼此電耦合；其中所述第二組的路徑總數(shù)是至少比一大的奇數(shù)。其中所述第一組的路徑總數(shù)是至少比二大的偶數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置，進一步包括至少隔開所述電路布置的路徑的間隔材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的裝置，其中電路布置的四個路徑彼此電絕緣。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述第一組路徑是一組被屏蔽的路徑；以及其中所述第二組路徑是一組屏蔽路徑。
15.一種電布置，包括至少第一和第二組路徑；其中第一組包括至少一對彼此電絕緣且布置在相互互補位置的路徑；其中所述第二組的至少第一部分路徑與所述第二組的第二部分路徑電絕緣布置，且其中所述第二組包括至少兩個與所述第一組電絕緣的路徑；其中所述第二組的所述第一部分路徑的至少兩個路徑彼此電連接。其中所述第二組的所述第二部分路徑的至少兩個路徑彼此電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，進一步包括至少隔開所述電路布置的間隔材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中至少電路布置的四個路徑彼此電絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中至少電路布置的六個路徑彼此電絕緣。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中所述第二組包括至少兩個彼此共面的路徑；以及其中至少電路布置的四個路徑彼此電絕緣。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中所述第二組包括至少兩個彼此共面的路徑；以及其中至少電路布置的四個路徑彼此電絕緣。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中所述第一組和第二組設(shè)置成非共面堆疊，以及其中電路布置的四個路徑彼此電絕緣。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的電布置，其中所述第一組路徑包括一組通孔；以及其中所述第二組路徑是一組屏蔽路徑。
23.一種裝置，包括至少四組路徑；其中所述組的每一組的各個路徑彼此電連接；以及其中所述至少四組的至少兩組對所述四組路徑的至少另外兩組提供屏蔽。
24.一種裝置，包括至少第一，第二，第三和第四組路徑；其中每一所述組的各個路徑彼此電連接；其中所述第一組將所述第二組屏蔽；以及其中所述第三組將所述第四組屏蔽。
25.一種電路布置，包括至少第一和第二組屏蔽路徑；至少第一和第二組被屏蔽的路徑；以及其中所述屏蔽路徑和所述被屏蔽的路徑交替地設(shè)置在所述電路布置中；其中所述電路布置的每一個所述組彼此電絕緣。
26.一種系統(tǒng)，包括具有至少一個集成電路的集成電路封裝體；多個導(dǎo)電地耦合在一起的路徑；導(dǎo)電地耦合在一起的第一組屏蔽；導(dǎo)電地耦合在一起且至少與所述第一組絕緣的第二組屏蔽；以及其中每一個所述屏蔽和所述路徑交替設(shè)置，且其中所述屏蔽至少形成一個適合于從所述集成電路傳播能量的低阻抗路徑；以及其中所述路徑形成適合于在所述集成電路封裝體中傳播能量的低阻抗路徑，所述能量傳播至少被所述組的屏蔽調(diào)節(jié)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述第一和所述第二組屏蔽分別地是大致共面的關(guān)系。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述第一和所述第二組屏蔽分別地是大致共面的關(guān)系。
29.根據(jù)權(quán)利要求26的系統(tǒng)，其中所述第一或所述第二組屏蔽中的一個包括所述多個屏蔽中間的一個，且其中所述第一和所述第二組屏蔽和所述路徑相對所述中心屏蔽大致平衡且互補對稱地布置。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述第一或所述第二組屏蔽中的一個包括所述多個屏蔽中間的一個，且其中所述第一和所述第二組屏蔽和所述路徑相對所述中心屏蔽基本對準(zhǔn)。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中每一個所述第一組和所述第二組屏蔽包括奇數(shù)個屏蔽。
32.如權(quán)利要求1-8或10-12的任何一個裝置，其中所述裝置用于集成電路的第一級互連布置。
33.如權(quán)利要求1-8或10-12的任何一個裝置，其中所述裝置被設(shè)置成去耦電容。
34.如權(quán)利要求1-8或10-12的任何一個裝置，其中所述裝置被設(shè)置成旁路電容。
35.如權(quán)利要求1-8或10-12的任何一個裝置，其中所述裝置是耦合到集成電路的第一級互連布置；以及其中至少所述第一組是電耦合到所述集成電路的。
36.如權(quán)利要求1-8或10-12的任何一個裝置，其中所述裝置是耦合到集成電路的第一級互連布置；其中所述第一組電耦合到所述集成電路；以及其中所述第二組與所述集成電路電絕緣。
全文摘要
用相對組的能量路徑的電路布置的裝置，其包括屏蔽電路布置，該屏蔽電路布置可以保持和調(diào)節(jié)電互補的能量匯合。
文檔編號H05K9/00GK1516998SQ02811962
公開日2004年7月28日 申請日期2002年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月2日
發(fā)明者A·A·小安東尼, M·A·威廉, A A 小安東尼, 威廉 申請人:X2Y艾泰鈕埃特有限責(zé)任公司