防止所述浮置擴(kuò)散區(qū)減去源跟隨晶體管漏極的電位的絕對值高于源跟隨晶體管的漏級、柵極之間的擊穿電壓。所述鉗位浮置擴(kuò)散區(qū)電位機(jī)制為:控制所述復(fù)位晶體管的閥值電壓低于0V。所述復(fù)位晶體管的閥值電壓為大于等于-1.5V小于等于-0.5V，所述柵極電壓為大于等于OV小于等于5V。所述第一 N型摻雜區(qū)域的深度為:0微米至0.2微米；摻雜濃度為:lel6 atom/cm-3至3el8atom/cm_3。P型摻雜區(qū)域的深度為O微米至0.05微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm-3至2el8atom/cm_3 ;第二 N型摻雜區(qū)域的深度為O微米至
0.2微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm-3至3el8atom/cm_3。所述復(fù)位晶體管的源級電壓為:大于等于2.5V小于等于3.5V ;所述源跟隨晶體管的源級電壓為:大于等于2.1V小于等于3.5V。
[0039]所述方法包括:第一狀態(tài)時，所述復(fù)位晶體管打開，所述轉(zhuǎn)移晶體管關(guān)閉；所述復(fù)位晶體管的源級接復(fù)位電壓復(fù)位連接于所述復(fù)位晶體管漏極的浮置擴(kuò)散區(qū)，所述浮置擴(kuò)散區(qū)電位為第一電壓；第二狀態(tài)時，所述復(fù)位晶體管關(guān)閉，所述浮置擴(kuò)散區(qū)電位為第二電壓，打開所述轉(zhuǎn)移晶體管；所述轉(zhuǎn)移晶體管轉(zhuǎn)移經(jīng)光電轉(zhuǎn)換元件轉(zhuǎn)換的信號電荷至浮置擴(kuò)散區(qū)轉(zhuǎn)換為信號電壓，積分完成后關(guān)閉轉(zhuǎn)移晶體管，所述浮置擴(kuò)散區(qū)信號電壓為第三電壓，所述第三電壓小于第二電壓；第三狀態(tài)時，當(dāng)?shù)谌妷盒∮诘扔趶?fù)位晶體管的柵極電壓減去復(fù)位晶體管的閥值電壓值時，所述復(fù)位晶體管再次打開，所述復(fù)位晶體管的閥值電壓低于0V，通過所述復(fù)位電壓拉高所述第三電壓至第四電壓；所述浮置擴(kuò)散區(qū)連接所述源跟隨晶體管的柵極，所述源跟隨晶體管的柵極的電位為第四電壓，第四電壓減去源跟隨晶體管的漏極電位的絕對值小于等于第五電壓，以防止源跟隨晶體管漏級、柵極的反向擊穿。
[0040]所述第一電壓為2.5V至3.5V:;所述第二電壓為2.4V至3.4V:所述第三電壓為3.4V至0V。所述復(fù)位晶體管的閥值電壓值為0.5V至1.2V。所述第四電壓為:0.5V至1.2V。所述第五電壓為所述浮置擴(kuò)散區(qū)的反向擊穿電壓，所述第五電壓為大于4V。
[0041]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種變動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括:多個呈陣列排布的像素單元，所述像素單元包括: 源跟隨晶體管，所述源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域靠近柵極氧化層內(nèi)表面設(shè)置有第一 N型摻雜區(qū)域，或者所述源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域沿柵極氧化層向內(nèi)依次設(shè)置有P型摻雜區(qū)域，第二N型摻雜區(qū)域； 所述源跟隨晶體管的柵極氧化層較所述像素單元其它晶體管最厚的柵極氧化層薄至少5埃，增大所述源跟隨晶體管的跨導(dǎo)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述像素單元還包括:復(fù)位晶體管，所述復(fù)位晶體管的源級與復(fù)位電壓連接；所述復(fù)位晶體管的漏極與浮置擴(kuò)散區(qū)連接，所述復(fù)位晶體管設(shè)置有鉗位浮置擴(kuò)散區(qū)電位機(jī)制，防止所述浮置擴(kuò)散區(qū)減去源跟隨晶體管漏極的電位的絕對值高于源跟隨晶體管的漏級、柵極之間的擊穿電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述鉗位浮置擴(kuò)散區(qū)電位機(jī)制為:控制所述復(fù)位晶體管的閥值電壓低于0V。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述復(fù)位晶體管的閥值電壓為大于等于-1.5V小于等于-0.5V，所述柵極電壓為大于等于OV小于等于5V。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一N型摻雜區(qū)域的深度為:O微米至0.2微米;摻雜濃度為:lel6 atom/cm 3至3el8atom/cm 3。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述P型摻雜區(qū)域的深度為O微米至0.05微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm 3至2el8atom/cm 3;第二 N型摻雜區(qū)域的深度為O微米至0.2微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm 3至3el8atom/cm 3。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述復(fù)位晶體管的源級電壓為:大于等于2.5V小于等于3.5V ;所述源跟隨晶體管的漏級電壓為:大于等于2.1V小于等于3.5V。8.—種降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于， 提供圖像傳感器，其包括:多個呈陣列排布的像素單元； 于像素單元中，提供源跟隨晶體管，所述源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域靠近柵極氧化層內(nèi)表面設(shè)置有第一 N型摻雜區(qū)域，或者所述源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域沿柵極氧化層向內(nèi)依次設(shè)置有P型摻雜區(qū)域，第二 N型摻雜區(qū)域，以降低所述圖像傳感器的噪聲； 提供源跟隨晶體管的柵極氧化層，使得較所述像素單元其它晶體管最厚的柵極氧化層薄至少5埃，增大所述源跟隨晶體管的跨導(dǎo)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，提供復(fù)位晶體管，所述復(fù)位晶體管的源級與復(fù)位電壓連接；所述復(fù)位晶體管的漏極與浮置擴(kuò)散區(qū)連接，所述復(fù)位晶體管設(shè)置有鉗位浮置擴(kuò)散區(qū)電位機(jī)制，防止所述浮置擴(kuò)散區(qū)減去源跟隨晶體管漏極的電位的絕對值高于源跟隨晶體管的漏級、柵極之間的擊穿電壓。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述鉗位浮置擴(kuò)散區(qū)電位機(jī)制為:控制所述復(fù)位晶體管的閥值電壓低于0V。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述復(fù)位晶體管的閥值電壓為大于等于-1.5V小于等于-0.5V，所述柵極電壓為大于等于OV小于等于5V。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述第一N型摻雜區(qū)域的深度為:0微米至0.2微米；摻雜濃度為:lel6 atom/cm3至3el8atom/cm 3。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，P型摻雜區(qū)域的深度為O微米至0.05微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm 3至2el8atom/cm 3;第二 N型摻雜區(qū)域的深度為O微米至0.2微米，摻雜濃度為lel6 atom/cm 3至3el8atom/cm 3。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述復(fù)位晶體管的源級電壓為:大于等于2.5V小于等于3.5V ;所述源跟隨晶體管的源級電壓為:大于等于2.1V小于等于3.5Vo15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述方法包括: 第一狀態(tài)時，所述復(fù)位晶體管打開，所述轉(zhuǎn)移晶體管關(guān)閉；所述復(fù)位晶體管的源級接復(fù)位電壓復(fù)位連接于所述復(fù)位晶體管漏極的浮置擴(kuò)散區(qū)，所述浮置擴(kuò)散區(qū)電位為第一電壓； 第二狀態(tài)時，所述復(fù)位晶體管關(guān)閉，所述浮置擴(kuò)散區(qū)電位為第二電壓，打開所述轉(zhuǎn)移晶體管；所述轉(zhuǎn)移晶體管轉(zhuǎn)移經(jīng)光電轉(zhuǎn)換元件轉(zhuǎn)換的信號電荷至浮置擴(kuò)散區(qū)轉(zhuǎn)換為信號電壓，關(guān)閉轉(zhuǎn)移晶體管，所述浮置擴(kuò)散區(qū)信號電壓為第三電壓，所述第三電壓小于第二電壓； 第三狀態(tài)時，當(dāng)?shù)谌妷盒∮诘扔趶?fù)位晶體管的柵極電壓減去閥值電壓值時，所述復(fù)位晶體管再次打開，所述復(fù)位晶體管的閥值電壓值閥值電壓低于0V，通過所述復(fù)位電壓拉高所述第三電壓至第四電壓；所述浮置擴(kuò)散區(qū)連接所述源跟隨晶體管的柵極，所述源跟隨晶體管的柵極的電位為第四電壓，第四電壓減去源跟隨晶體管的漏極電位的絕對值小于第五電壓，以防止源跟隨晶體管漏級、柵極的反向擊穿。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述第一電壓為2.5V至3.5V:;所述第二電壓為2.4V至3.4V:所述第三電壓為OV至3.4V。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述閥值電壓值為為大于等于-1.5V小于等于-0.5V。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述第四電壓為:0.5V 至 1.2Vo19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的降低圖像傳感器噪聲的方法，其特征在于，所述第五電壓為所述源跟隨晶體管漏級、柵極的反向擊穿電壓。
【專利摘要】本發(fā)明提供圖像傳感器，包括：多個呈陣列排布的像素單元，像素單元包括：源跟隨晶體管，源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域靠近柵極氧化層內(nèi)表面設(shè)置有第一N型摻雜區(qū)域，或者源跟隨晶體管的溝道區(qū)區(qū)域沿柵極氧化層向內(nèi)依次設(shè)置有P型摻雜區(qū)域，第二N型摻雜區(qū)域；源跟隨晶體管的柵極氧化層較像素單元其它晶體管最厚的柵極氧化層薄至少5埃，增大源跟隨晶體管的跨導(dǎo)。
【IPC分類】H01L27/146, H04N5/335, H04N5/357
【公開號】CN105100651
【申請?zhí)枴緾N201510296449
【發(fā)明人】趙立新, 李 杰, 徐澤
【申請人】格科微電子（上海）有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年6月3日