磁路系統(tǒng)及揚(yáng)聲器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種磁路系統(tǒng)，該磁路系統(tǒng)包括由上至下依次固定連接的導(dǎo)磁組件、磁鐵組件和下導(dǎo)磁板，其中，導(dǎo)磁組件包括內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)和套設(shè)于內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)外側(cè)的外導(dǎo)磁環(huán)，內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)與外導(dǎo)磁環(huán)之間形成第一環(huán)狀間隙；磁鐵組件包括內(nèi)磁鐵環(huán)和套設(shè)于內(nèi)磁鐵環(huán)外側(cè)的外磁鐵環(huán)，內(nèi)磁鐵環(huán)與外磁鐵環(huán)之間形成第二環(huán)狀間隙；第一環(huán)狀間隙與第二環(huán)狀間隙縱向貫通。本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種揚(yáng)聲器。本實(shí)用新型提供的磁路系統(tǒng)和揚(yáng)聲器能夠有效地減小揚(yáng)聲器的體積，同時(shí)提高揚(yáng)聲器的性能。
【專利說(shuō)明】磁路系統(tǒng)及揚(yáng)聲器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種磁路系統(tǒng)及揚(yáng)聲器。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，人們對(duì)揚(yáng)聲器性能的要求越來(lái)越高，體積小、性能高的揚(yáng)聲器備受青睞?，F(xiàn)有揚(yáng)聲器的缺陷在于，對(duì)于體積能夠滿足用戶需求的揚(yáng)聲器來(lái)說(shuō)，音質(zhì)較差，失真較大，因此其性能不能滿足用戶的要求；對(duì)于性能能夠滿足用戶需求的揚(yáng)聲器來(lái)說(shuō)，其體積較大，因此仍然不能滿足用戶的需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的主要目的在于解決現(xiàn)有揚(yáng)聲器不能同時(shí)滿足體積小且性能高的技術(shù)問(wèn)題。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括由上至下依次固定連接的導(dǎo)磁組件、磁鐵組件和下導(dǎo)磁板，其中，所述導(dǎo)磁組件包括內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)外側(cè)的外導(dǎo)磁環(huán)，所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)與所述外導(dǎo)磁環(huán)之間形成第一環(huán)狀間隙；所述磁鐵組件包括內(nèi)磁鐵環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)磁鐵環(huán)外側(cè)的外磁鐵環(huán)，所述內(nèi)磁鐵環(huán)與所述外磁鐵環(huán)之間形成第二環(huán)狀間隙；所述第一環(huán)狀間隙與所述第二環(huán)狀間隙縱向貫通。
[0005]優(yōu)選地，所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)的頂端呈凹面設(shè)置。
[0006]優(yōu)選地，所述下導(dǎo)磁板對(duì)應(yīng)所述第二環(huán)狀間隙的位置設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽與所述第二環(huán)狀間隙同軸設(shè)置。
[0007]此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種揚(yáng)聲器，該揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振I旲和固定于所述振I旲上的首圈，所述磁路系統(tǒng)包括由上至下依次固定連接的導(dǎo)磁組件、磁鐵組件和下導(dǎo)磁板，其中，所述導(dǎo)磁組件包括內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)外側(cè)的外導(dǎo)磁環(huán)，所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)與所述外導(dǎo)磁環(huán)之間形成第一環(huán)狀間隙；所述磁鐵組件包括內(nèi)磁鐵環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)磁鐵環(huán)外側(cè)的外磁鐵環(huán)，所述內(nèi)磁鐵環(huán)與所述外磁鐵環(huán)之間形成第二環(huán)狀間隙；所述第一環(huán)狀間隙與所述第二環(huán)狀間隙縱向貫通；所述振膜位于所述導(dǎo)磁組件上方，且所述音圈位于所述第一環(huán)狀間隙和第二環(huán)狀間隙內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，所述振膜包括胴體，所述胴體呈凹面狀設(shè)置，且所述凹面位于所述胴體的背離所述音圈的一側(cè)。
[0009]優(yōu)選地，所述振膜還包括環(huán)繞所述胴體設(shè)置的折環(huán)部，所述折環(huán)部上設(shè)有若干加強(qiáng)筋。
[0010]優(yōu)選地，所述加強(qiáng)筋沿所述胴體的徑向方向設(shè)置。
[0011]優(yōu)選地，所述音圈的高度小于所述導(dǎo)磁組件和磁鐵組件的厚度之和。
[0012]優(yōu)選地，所述揚(yáng)聲器還包括設(shè)于所述外導(dǎo)磁環(huán)上方的支架，所述外導(dǎo)磁環(huán)的頂端設(shè)有用于對(duì)所述支架定位的定位凸環(huán)。
[0013]本實(shí)用新型提供的磁路系統(tǒng)，通過(guò)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)、外導(dǎo)磁環(huán)、內(nèi)磁鐵環(huán)和外磁鐵環(huán)，并形成第一環(huán)狀間隙和第二環(huán)狀間隙，從而能夠在有限的高度內(nèi)，有效地提高磁感應(yīng)強(qiáng)度和高頻延展性，并減小失真。當(dāng)將該磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器時(shí)，能夠有效地減小揚(yáng)聲器的體積，同時(shí)提高揚(yáng)聲器的性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型磁路系統(tǒng)的局部剖視圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的局部剖視圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的爆炸示意圖；
[0017]圖4為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

【具體實(shí)施方式】
[0019]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0020]本實(shí)用新型提供一種磁路系統(tǒng)，參照?qǐng)D1，圖1為本實(shí)用新型磁路系統(tǒng)的局部剖視圖，在一實(shí)施例中，該磁路系統(tǒng)包括由上至下依次固定連接的導(dǎo)磁組件10、磁鐵組件20和下導(dǎo)磁板30，其中，導(dǎo)磁組件10包括內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11和套設(shè)于內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11外側(cè)的外導(dǎo)磁環(huán)12，內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11與外導(dǎo)磁環(huán)12之間形成第一環(huán)狀間隙13 ;磁鐵組件20包括內(nèi)磁鐵環(huán)21和套設(shè)于內(nèi)磁鐵環(huán)21外側(cè)的外磁鐵環(huán)22，內(nèi)磁鐵環(huán)21與外磁鐵環(huán)22之間形成第二環(huán)狀間隙23 ;第一環(huán)狀間隙13與第二環(huán)狀間隙23縱向貫通。
[0021]本實(shí)施例中，上述磁路系統(tǒng)可以用于揚(yáng)聲器中。上述導(dǎo)磁組件10、磁鐵組件20和下導(dǎo)磁板30通過(guò)粘接的方式固定連接。具體地，內(nèi)磁鐵環(huán)21和外磁鐵環(huán)22的底面粘接于下導(dǎo)磁板30上，內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11的底面粘接于內(nèi)磁鐵環(huán)21的頂面上，外導(dǎo)磁環(huán)12的底面粘接于外磁鐵環(huán)22的頂面上。優(yōu)選地，內(nèi)磁鐵環(huán)21和內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11的外徑相等，且外磁鐵環(huán)22和外導(dǎo)磁環(huán)12的內(nèi)徑相等，從而使得第一環(huán)狀間隙13與第二環(huán)狀間隙23的寬度相等且縱向貫通。
[0022]參照?qǐng)D2，圖2為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的局部剖視圖，通常揚(yáng)聲器包括振膜40和固定于振膜40 —側(cè)的音圈50,當(dāng)上述磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器中時(shí),上述振膜40位于導(dǎo)磁組件10上方，且音圈50設(shè)于上述第一環(huán)狀間隙13和第二環(huán)狀間隙23內(nèi)。
[0023]本實(shí)施例提供的磁路系統(tǒng)，通過(guò)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11、外導(dǎo)磁環(huán)12、內(nèi)磁鐵環(huán)21和外磁鐵環(huán)22，并形成第一環(huán)狀間隙13和第二環(huán)狀間隙23，從而能夠在有限的高度內(nèi)，有效地提高磁感應(yīng)強(qiáng)度(經(jīng)試驗(yàn)，磁感應(yīng)強(qiáng)度比現(xiàn)有設(shè)計(jì)提高約20% )和高頻延展性，并減小失真。當(dāng)將該磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器時(shí)，能夠有效地減小揚(yáng)聲器的體積(例如厚度等)，同時(shí)提聞?chuàng)P聲器的性能。
[0024]具體地，上述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11的頂端呈凹面設(shè)置，從而通過(guò)增大磁阻的方式提高磁迥的磁通，并且有利于降低揚(yáng)聲器電感量，有效地提高高頻延展性能。
[0025]進(jìn)一步地，下導(dǎo)磁板30對(duì)應(yīng)第二環(huán)狀間隙23的位置設(shè)有環(huán)形凹槽31，環(huán)形凹槽31與第二環(huán)狀間隙23同軸設(shè)置。當(dāng)將磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器時(shí)，由于音圈50固定于振膜40上，音圈50隨著振膜40的振動(dòng)而運(yùn)動(dòng)，當(dāng)振膜40的振動(dòng)幅度較大時(shí)，音圈50可能會(huì)超出第二環(huán)狀間隙23的范圍，若不設(shè)置環(huán)形凹槽31，音圈50很可能會(huì)撞擊下導(dǎo)磁板30，從而損壞音圈50。因此，本實(shí)施例中通過(guò)在下導(dǎo)磁板30上設(shè)置環(huán)形凹槽31，能夠在揚(yáng)聲器有限的高度內(nèi)，避免由于振膜40振動(dòng)幅度過(guò)大而損壞音圈50，提高了揚(yáng)聲器的可靠性。本實(shí)施例中，環(huán)形凹槽31的深度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，只要能保證振膜40在最大振動(dòng)幅度時(shí)音圈50不能碰到下導(dǎo)磁板30即可。
[0026]本實(shí)用新型還提供一種揚(yáng)聲器，結(jié)合圖2，并進(jìn)一步參照?qǐng)D3，圖3為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的爆炸不意圖，該揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，該振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜40和固定于振膜40上的音圈50，該磁路系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)可參照上述實(shí)施例，在此不再贅述。其中，振膜40位于導(dǎo)磁組件10上方，且音圈50位于第一環(huán)狀間隙13和第二環(huán)狀間隙23內(nèi)。理所應(yīng)當(dāng)?shù)兀捎诒緦?shí)施例的揚(yáng)聲器采用了上述磁路系統(tǒng)的技術(shù)方案，因此該揚(yáng)聲器具有上述磁路系統(tǒng)所有的有益效果。
[0027]具體地，參照?qǐng)D4，圖4為本實(shí)用新型揚(yáng)聲器的振膜的結(jié)構(gòu)示意圖，振膜40包括胴體41，胴體41呈凹面狀設(shè)置，且凹面位于胴體41的背離音圈50的一側(cè)。本實(shí)施例中，由于上述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11的頂端呈凹面設(shè)置，本實(shí)施例提供的胴體41也呈凹面狀設(shè)置，通過(guò)將兩凹面配合，能夠進(jìn)一步減小揚(yáng)聲器的體積。
[0028]具體地，振膜40還包括環(huán)繞胴體41設(shè)置的折環(huán)部42，折環(huán)部42上設(shè)有若干加強(qiáng)筋421。優(yōu)選地，加強(qiáng)筋421均勻分布于折環(huán)部42上。加強(qiáng)筋421的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，在此不作限定。優(yōu)選地，加強(qiáng)筋421沿胴體41的徑向方向設(shè)置(即加強(qiáng)筋421的長(zhǎng)度方向大體平行于胴體41的徑向方向，或者說(shuō)加強(qiáng)筋421的長(zhǎng)度方向經(jīng)過(guò)胴體41的軸線或位于軸線附近)。本實(shí)施例提供的揚(yáng)聲器，通過(guò)設(shè)置加強(qiáng)筋421，能夠提高振動(dòng)系統(tǒng)的橫向控制力，提高揚(yáng)聲器的功率承受能力，降低失真，從而提高揚(yáng)聲器的性能。
[0029]進(jìn)一步地，音圈50的高度小于導(dǎo)磁組件10和磁鐵組件20的厚度之和，從而使得音圈50—直(或在大部分時(shí)間內(nèi))在一個(gè)磁場(chǎng)相對(duì)較為均勻的環(huán)境下運(yùn)動(dòng)，能夠有效地降低揚(yáng)聲器的失真。
[0030]進(jìn)一步地,揚(yáng)聲器還包括設(shè)于外導(dǎo)磁環(huán)12上方的支架60,外導(dǎo)磁環(huán)12的頂端設(shè)有用于對(duì)支架60定位的定位凸環(huán)121。本實(shí)施例中，支架60大體呈環(huán)狀設(shè)置，定位凸環(huán)121設(shè)于外導(dǎo)磁環(huán)12的靠近內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)11的一側(cè)，支架60對(duì)應(yīng)定位凸環(huán)121的位置設(shè)有定位結(jié)構(gòu)(例如凸塊或凸環(huán)等)。安裝時(shí)，將支架60置于上述磁路系統(tǒng)的外導(dǎo)磁環(huán)12上，通過(guò)外導(dǎo)磁環(huán)12上的定位凸環(huán)121將支架60快速定位在外導(dǎo)磁環(huán)12上,然后將固定于振膜40上的音圈50通過(guò)支架60后進(jìn)入第一環(huán)狀間隙13和第二環(huán)狀間隙23內(nèi)即可。本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置定位凸環(huán)121，使得安裝揚(yáng)聲器時(shí)更加快速、方便，提高了揚(yáng)聲器的生產(chǎn)效率。
[0031]在其他實(shí)施例中，定位凸環(huán)121也可以設(shè)置在外導(dǎo)磁環(huán)12的其他位置，只要能夠與支架60配合并實(shí)現(xiàn)對(duì)支架60的定位即可。
[0032]應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中，按照?qǐng)D1中所建立的XY直角坐標(biāo)系定義:位于Y軸正方向的一側(cè)定義為上方(或頂端)，位于Y軸負(fù)方向的一側(cè)定義為下方(或底端)。
[0033]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁路系統(tǒng)，其特征在于，所述磁路系統(tǒng)包括由上至下依次固定連接的導(dǎo)磁組件、磁鐵組件和下導(dǎo)磁板,其中， 所述導(dǎo)磁組件包括內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)外側(cè)的外導(dǎo)磁環(huán)，所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)與所述外導(dǎo)磁環(huán)之間形成第一環(huán)狀間隙； 所述磁鐵組件包括內(nèi)磁鐵環(huán)和套設(shè)于所述內(nèi)磁鐵環(huán)外側(cè)的外磁鐵環(huán)，所述內(nèi)磁鐵環(huán)與所述外磁鐵環(huán)之間形成第二環(huán)狀間隙； 所述第一環(huán)狀間隙與所述第二環(huán)狀間隙縱向貫通。
2.如權(quán)利要求1所述的磁路系統(tǒng)，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)磁環(huán)的頂端呈凹面設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的磁路系統(tǒng)，其特征在于，所述下導(dǎo)磁板對(duì)應(yīng)所述第二環(huán)狀間隙的位置設(shè)有環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽與所述第二環(huán)狀間隙同軸設(shè)置。
4.一種揚(yáng)聲器,包括振動(dòng)系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和固定于所述振膜上的音圈，其特征在于，所述揚(yáng)聲器還包括如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磁路系統(tǒng)，所述振膜位于所述導(dǎo)磁組件上方，且所述音圈位于所述第一環(huán)狀間隙和第二環(huán)狀間隙內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述振膜包括胴體，所述胴體呈凹面狀設(shè)置，且所述凹面位于所述胴體的背離所述音圈的一側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述振膜還包括環(huán)繞所述胴體設(shè)置的折環(huán)部，所述折環(huán)部上設(shè)有若干加強(qiáng)筋。
7.如權(quán)利要求6所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述加強(qiáng)筋沿所述胴體的徑向方向設(shè)置。
8.如權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述音圈的高度小于所述導(dǎo)磁組件和磁鐵組件的厚度之和。
9.如權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器，其特征在于，所述揚(yáng)聲器還包括設(shè)于所述外導(dǎo)磁環(huán)上方的支架，所述外導(dǎo)磁環(huán)的頂端設(shè)有用于對(duì)所述支架定位的定位凸環(huán)。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK204090131SQ201420410204
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月23日
【發(fā)明者】周慶樂(lè), 袁志芳 申請(qǐng)人:Tcl通力電子（惠州）有限公司