專利名稱：高頻模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及利用共用天線來發(fā)送接收多個通信信號的高頻模塊。
背景技術：
以往，已設計出各種利用共用天線將利用各自不同的頻帶的多個通信信號進行發(fā)送接收的高頻模塊。作為這種高頻模塊，有例如專利文獻I所記載的高頻模塊。專利文獻I所記載的高頻模塊包括 具有規(guī)定的內(nèi)層電極圖案的層疊體；以及安裝在該層疊體的頂面上的開關元件和SAW(表面聲波)濾波器。開關元件包括與天線相連接的共用端子；以及分別與多個通信信號的發(fā)送電路或接收電路相連接的獨立端子。開關元件基于控制信號，將多個獨立端子的任一個與共用端子相連接，從而在各發(fā)送電路或接收電路與天線之間進行切換并連接。高頻模塊使用這種層疊體的情況下，利用形成在層疊體內(nèi)的內(nèi)層電極圖案來實現(xiàn)除開關元件和SAW濾波器等安裝元器件之外的電路結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本國專利特開2008-10995號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術問題然而，如果將高頻模塊實現(xiàn)小型化，則利用這些內(nèi)層電極圖案實現(xiàn)的電路元件之間發(fā)生電磁場耦合。例如，傳輸一個通信信號的傳輸路徑上的多個電感器發(fā)生電磁場耦合，或者開關元件的共用端子側(cè)電路的電感器和開關元件的獨立端子側(cè)電路的電感器發(fā)生電磁場耦合，或者分別連接到不同的多個傳輸路徑上的電感器發(fā)生電磁場耦合。在這種情況下，往往不能獲得期望的傳輸特性。例如，串聯(lián)連接在一個發(fā)送電路上的二次諧波用的低通濾波器的電感器與三次諧波用低通濾波器的電感器之間發(fā)生電磁場耦合，往往不能使沿該發(fā)送電路傳輸?shù)耐ㄐ判盘柕亩沃C波和三次諧波充分衰減。此外，用于天線側(cè)匹配電路的電感器與串聯(lián)連接在發(fā)送電路上的二次諧波用低通濾波器的電感器或三次諧波用低通濾波器的電感器之間發(fā)生電磁場耦合，往往不能使沿該發(fā)送電路傳輸?shù)耐ㄐ判盘柕母叽沃C波充分衰減。本發(fā)明的目的在于實現(xiàn)高頻模塊，該高頻模塊抑制形成在層疊體內(nèi)的電感器之間的電磁場耦合，實現(xiàn)小型化并且能獲得期望的特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及高頻模塊，該高頻模塊包括層疊體，該層疊體具備與天線相連接的天線連接用外部端子、和分別與用于發(fā)送和接收多個通信信號的發(fā)送電路和接收電路相連接的多個獨立外部端子；以及開關元件，該開關元件安裝在該層疊體上，且具備與天線連接用外部端子相連接的共用端子、和與多個獨立外部端子相連接的多個獨立端子。所述高頻模塊包括多個獨立端子側(cè)的電感器，該電感器形成在層疊體內(nèi)，且分別獨立地串聯(lián)連接在多個獨立端子與多個獨立外部端子之間。在層疊體內(nèi)形成這些多個獨立端子側(cè)的電感器，以使得在沿層疊方向來看層疊體的狀態(tài)下，這些多個獨立端子側(cè)的電感器不重合，且所產(chǎn)生的磁場方向相一致。在該結(jié)構(gòu)中，能大幅抑制各獨立端子側(cè)的電感器彼此之間的磁場耦合。由此，各電感器按照設計那樣工作，且實現(xiàn)期望的傳輸特性。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。該高頻模塊包括串聯(lián)連接在天線連接用外部端子和共用端子之間的天線側(cè)的電感器。在層疊體內(nèi)形成天線側(cè)的電感器和多個獨立端子側(cè)的電感器，以使得在沿層疊方向來看層疊體的狀態(tài)下，天線側(cè)的電感器和多個獨立端子側(cè)的電感器不重合，且所產(chǎn)生的磁場方向相一致。在該結(jié)構(gòu)中，能大幅抑制天線側(cè)的電感器 與獨立端子側(cè)的電感器之間的磁場耦合。由此，開關元件的天線側(cè)和獨立端子側(cè)的各電感器都按照設計那樣工作，實現(xiàn)期望的傳輸特性。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。在該高頻模塊中，多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案形成在層疊體的多個同一層上。在該結(jié)構(gòu)中，通過在層疊體的同一層上形成各電感器，從而能抑制沿層疊方向的磁場耦合。通過這樣，能進一步可靠地抑制電感器之間的耦合。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。在該高頻模塊中，將天線側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案與多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案形成在層疊體的多個同一層上。在沿層疊方向來看的狀態(tài)下，天線側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案與多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案之間的間隔、比多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案之間的間隔要大。在該結(jié)構(gòu)中，能更進一步抑制天線側(cè)的電感器與獨立端子側(cè)的電感器之間的磁場耦合。因而，能抑制不希望的信號從規(guī)定的獨立端子側(cè)的電路向天線泄漏。由此，能抑制發(fā)送信號的二次諧波或三次諧波從發(fā)送電路向天線側(cè)泄漏。此外，能抑制來自天線的通信信號不經(jīng)由開關元件而繞回到不期望的獨立端子側(cè)的電路。由此，能以低損耗從天線向期望的接收電路傳輸接收信號。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。在該高頻模塊中，包括內(nèi)層接地電極，該內(nèi)層接地電極形成在層疊體中的形成有電感器的內(nèi)層電極圖案的層的上層和下層，該內(nèi)層接地電極形成為從層疊方向來看時包含電感器的內(nèi)層電極圖案的形成區(qū)域。最接近內(nèi)層接地電極的電感器的內(nèi)層電極圖案與內(nèi)層接地電極之間的間隔、比分別形成多個電感器的內(nèi)層電極圖案彼此之間的間隔要小。在該結(jié)構(gòu)中，利用內(nèi)層接地電極在層疊方向上夾著各電感器，并且各電感器和內(nèi)層接地電極相接近，從而能更可靠地實現(xiàn)各電感器中產(chǎn)生的磁場的獨立性、即抑制各電感器所產(chǎn)生的磁場之間的耦合。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。在該高頻模塊中，多個獨立端子側(cè)的電感器是與發(fā)送電路相連接的濾波器電路的電感器。在該結(jié)構(gòu)中，作為上述獨立端子側(cè)的電感器，表示了利用與發(fā)送電路相連接的濾波器電路的電感器的例子。由于發(fā)送電路傳輸大功率的發(fā)送信號，因此電感器彼此之間容易發(fā)生磁場耦合，然而通過使用上述結(jié)構(gòu)，能抑制電感器彼此之間的磁場耦合。由此，能使發(fā)送電路達到期望的濾波器特性(通過特性、衰減特性)。此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具備以下的結(jié)構(gòu)。在該高頻模塊中，濾波器電路是使所傳輸?shù)耐ㄐ判盘柕亩沃C波和三次諧波衰減的低通濾波器。多個獨立端子側(cè)的電感器是用于使二次諧波衰減的串聯(lián)電感器、和用于使三次諧波衰減的串聯(lián)電感器。在該結(jié)構(gòu)中，表示了適用于上述發(fā)送電路的情況下的更具體的電路結(jié)構(gòu)例子。通過這種結(jié)構(gòu)，能使發(fā)送信號的二次諧波和三次諧波的衰減量達到按照電路設計那樣的充分的衰減量。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能實現(xiàn)小型化且能獲得期望的特性的高頻模塊。


圖I是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊10的電路結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是高頻模塊10的外觀立體圖以及各電路元件的安裝狀態(tài)圖。圖3是高頻模塊10的層疊圖。圖4是層疊體900內(nèi)的形成有各電感器的層的放大俯視圖。
具體實施例方式參照附圖，對本發(fā)明的實施方式I所涉及的高頻模塊進行說明。在本實施方式中，對進行收發(fā)GSM(全球移動通信系統(tǒng)Global System for Mobile) 850通信信號、GSM900通信信號、GSM 1800通信信號、GSM 1900通信信號、以及進行收發(fā)W-CDMA (寬帶碼分多址Wideband Code Division Multiple Access)通信系統(tǒng)等的UMTS (通用移動通信系統(tǒng)Universal Mobile Telecommunications System)通信信號的高頻模塊進行說明。另外，盡管本實施方式表示了包括三種UMTS通信信號的收發(fā)電路的例子，然而也可省略這些UMTS通信信號的收發(fā)電路。首先，對本實施方式的高頻模塊10的電路結(jié)構(gòu)進行說明。圖I是表示本實施方式所涉及的高頻模塊10的電路結(jié)構(gòu)的框圖。開關元件SWIC包括單個共用端子PICO和9個獨立端子PICll PIC19。開關元件SWIC包括用于與接地GND進行連接的接地用端子PGND。接地用端子PGND與高頻模塊10的外部連接用接地端口電極PMGND相連接。開關元件SWIC包括驅(qū)動電壓施加用端子PICVdd和多個控制電壓施加用端子PICVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4。驅(qū)動電壓施加用端子PICVdd與高頻模塊10的外部連接用電源系統(tǒng)端口電極PMVdd相連接?？刂齐妷菏┘佑枚俗覲ICVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4分別與高頻模塊10的外部連接用電源系統(tǒng)端口電極PMVcl、PMVc2、PMVc3、PMVc4相連接。利用從驅(qū)動電壓施加用端子PICVdd施加的驅(qū)動電壓Vdd來驅(qū)動開關元件SWIC。開關元件SWIC利用分別對多個控制電壓施加用端子PlCVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4施加的控制電壓Vcl、Vc2、Vc3、Vc4的組合，將單個共用端子PICO和9個獨立端子PICll PIC19的任一個相連接。
共用端子PICO經(jīng)由兼用作ESD(靜電放電ElectrostaticDischarge)電路的天線側(cè)匹配電路11與高頻模塊10的天線連接用外部端子PMan相連接。天線連接用外部端子PMan與外部的天線ANT相連接。天線側(cè)匹配電路11包括串聯(lián)連接在天線連接用外部端子PMan與共用端子PICO之間的電感器L2。電感器L2的天線連接用外部端子PMan側(cè)的端部經(jīng)由電容器Cl與接地GND相連接。電感器L2的共用端子PICO側(cè)的端部經(jīng)由主要起到ESD元件作用的電感器LI與接地GND相連接。第一獨立端子PICll經(jīng)由發(fā)送側(cè)濾波器12A與高頻模塊10的第一獨立外部端子PMtL相連接。第一獨立外部端子PMtL是從外部輸入GSM 850的發(fā)送信號或GSM 900的發(fā)送信號的端子。發(fā)送側(cè)濾波器12A包括串聯(lián)連接在第一獨立端子PICll和第一獨立外部端子PMtL之間的電感器GLtl、GLt2。此時，從第一獨立端子P ICll側(cè)以電感器GLtl、電感器GLt2的順序相連接。電感器GLtl的第一獨立端子PICll側(cè)的端部經(jīng)由電容器GCul與接地GND相連接。電感器GLtl、GLt2的連接點經(jīng)由電容器GCu2與接地GND相連接。電感器GLt2的第一獨立外部端子PMtL側(cè)的端部經(jīng)由電容器GCu3與接地GND相連接。電感器GLtl與電容器GCcl并聯(lián)連接。通過使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實現(xiàn)如下特性使得從第一獨立外部端子PMtL輸入的發(fā)送信號、即GSM 850的發(fā)送信號和GSM 900的發(fā)送信號的二次諧波大大衰減。電感器GLt2與電容器GCc2并聯(lián)連接。通過使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實現(xiàn)如下特性使得從第一獨立外部端子PMtL輸入的發(fā)送信號、即GSM 850的發(fā)送信號和GSM 900的發(fā)送信號的三次諧波大大衰減。此外，通過使得構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器12A的各電感器和電容器的元件值成為規(guī)定值，能實現(xiàn)如下濾波器^fGSM 850的發(fā)送信號和GSM 900的發(fā)送信號的使用頻帶作為通帶，將GSM 850的發(fā)送信號和GSM 900的發(fā)送信號的包含二次諧波和三次諧波的高頻帶作為衰減帶。第二獨立端子PIC12經(jīng)由發(fā)送側(cè)濾波器12B與高頻模塊10的第二獨立外部端子PMtH相連接。第二獨立外部端子PMtH是從外部輸入GSM 1800的發(fā)送信號或GSM 1900的發(fā)送信號的端子。發(fā)送側(cè)濾波器12B包括串聯(lián)連接在第二獨立端子PIC12和第二獨立外部端子PMtH之間的電感器DLt I、DLt2。此時，從第二獨立端子PIC12側(cè)以電感器DLtl、電感器DLt2的順序相連接。電感器DLtl、DLt2的連接點經(jīng)由電容器DCu2與接地GND相連接。電感器DLt2的第二獨立外部端子PMtH側(cè)的端部經(jīng)由電容器DCu3與接地GND相連接。電感器DLtl與電容器DCcl并聯(lián)連接。通過使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實現(xiàn)如下特性使得從第二獨立外部端子PMtH輸入的發(fā)送信號、即GSM 1800的發(fā)送信號和GSM 1900的發(fā)送信號的二次諧波大大衰減。此外，通過使得構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器12B的各電感器和電容器的元件值成為規(guī)定值，能實現(xiàn)如下濾波器^fGSM 1800的發(fā)送信號和GSM 1900的發(fā)送信號的使用頻帶作為通帶，將GSM 1800的發(fā)送信號和GSM 1900的發(fā)送信號的包含二次諧波和三次諧波的高頻帶作為衰減帶。
第三獨立端子PIC13與SAW雙工器DUPL的SAW濾波器SAWlL的不平衡端子相連接。SAW濾波器SAWlL是將GSM 850的接收信號的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAWlL的平衡端子與高頻模塊10的第三獨立外部端子PMrLl相連接。第三獨立外部端子PMrLl是輸出GSM 850的接收信號的端子。第四獨立端子PIC14與SAW雙工器DUPL的SAW濾波器SAW2L的不平衡端子相連接。在連接了第四獨立端子PIC14和SAW濾波器SAW2L的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L3。SAW濾波器SAW2L是將GSM 900的接收信號的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAW2L的平衡端子與高頻模塊10的第四獨立外部端子PMrL2相連接。第四獨立外部端子PMrL2是輸出GSM 900的接收信號的端子。第五獨立端子PIC15與SAW雙工器DUPH的SAW濾波器SAWlH的不平衡端子相連接。在連接了第五獨立端子PIC15和SAW濾波器SAWlH的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L4。SAW濾波器SAWlH是將GSM 1800的接收信號的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAWlH的平衡端子與高頻模塊10的第五獨立外部端子PMrHl相連接。第五獨立外部端子PMrHl是輸出GSM 1800的接收信號的端子。第六獨立端子PIC16與SAW雙工器DUPH的SAW濾波器SAW2H的不平衡端子相連接。在連接了第六獨立端子PIC16和SAW濾波器SAW2H的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L5。SAW濾波器SAW2H是將GSM 1900的接收信號的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAW2H的平衡端子與高頻模塊10的第六獨立外部端子PMrH2相連接。第六獨立外部端子PMrH2是輸出GSM 1900的接收信號的端子。第七獨立端子PIC17與高頻模塊10的第七獨立外部端子PMul相連接。第七獨立外部端子PMul是用于輸入輸出第一 UMTS通信信號的端子。第八獨立端子PIC18與高頻模塊10的第八獨立外部端子PMu2相連接。第八獨立外部端子PMu2是用于輸入輸出第二UMTS通信信號的端子。第九獨立端子PIC19與高頻模塊10的第九獨立外部端子PMu3相連接。第九獨立外部端子PMu3是用于輸入輸出第三UMTS通信信號的端子。利用以下結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)這種高頻模塊10。圖2是用來說明本實施方式所涉及的高頻模塊10的結(jié)構(gòu)的圖，圖2(A)是外觀立體圖，圖2(B)是頂面安裝圖。圖3是高頻模塊10的層疊圖。高頻模塊10包括層疊體900。在層疊體900的頂面上，安裝有SAW雙工器DUPL、DUPH、以及開關元件SWIC。此外，在層疊體900的頂面上，安裝有實現(xiàn)電感器L1、L3的安裝型電感器元件。層疊體900層疊有規(guī)定數(shù)量的介質(zhì)層，利用內(nèi)層電極圖案，來實現(xiàn)高頻模塊10中的除上述安裝型的各電路元件之外的部分。此外，盡管本實施方式中未圖示詳細的配置圖案，但在層疊體900的底面上，按規(guī)定排列分別形成有上述外部連接用端口電極。如圖3所示，層疊體900層疊有14層的介質(zhì)層，各介質(zhì)層上形成有用于構(gòu)成高頻模塊10的規(guī)定電極圖案，并且形成有在各層之間進行連接的通孔電極。在圖3的各層中用圓形圖標來表示通孔電極。另外，在以下，將最上層作為第一層PL1，越往下層側(cè)數(shù)值越大，將最下層作為第十四層PL14，這樣來進行說明。在作為最上層的第一層PLl的頂面、即層疊體900的頂面上，形成有用于安裝SAW雙工器DUPL、DUPH、開關元件SWIC和電感器LI、L3的元件安裝用電極。
在第二層PL2、第三層PL3和第四層PL4的頂面上，形成有走線圖案電極。在第五層PL5頂面的幾乎整個面上，形成有內(nèi)層接地電極GND。在第六層PL6的頂面上，形成有電容器GCul、GCu3的一相對電極。這些電容器GCul、GCu3的另一相對電極是第五層PL5的接地電極GND。在第七層PL7的頂面上，形成有分別構(gòu)成電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案。在第八層PL8和第九層PL9的頂面上，也形成有分別構(gòu)成電感器GLt I、GLt2、DLt I、DLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案。在第十層PLlO的頂面上，形成有分別構(gòu)成電感器GLtl、GLt2、L2、L4、L5的線狀電
極圖案。
在第^^一層PLll的頂面上，形成有電容器GCcl、GCc2、DCcl的一相對電極。在第十二層PL12的頂面上，形成有電容器GCu2、DCcl、DCu2、Cl的一相對電極。另夕卜，電容器GCu2的一相對電極也起到作為電容器GCcl、GCc2的另一相對電極的作用。在第十三層PLl3頂面的幾乎整個面上，形成有內(nèi)層接地電極GND。該接地電極GND也起到作為電容器GCu2、DCcl、DCu2、Cl的另一相對電極的作用。在作為最下層的第十四層的底面、即層疊體900的底面上，排列形成有構(gòu)成第一獨立外部端子PMtL至第九獨立外部端子PMu3的電極、構(gòu)成天線連接用外部端子PMan的電極、以及外部連接用接地電極。排列形成這些電極，以便與上述各層的電極圖案一起來實現(xiàn)圖I所示的電路。在這種結(jié)構(gòu)中，通過如下所示的具體結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)利用內(nèi)層電極圖案的各電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5。圖4是層疊體900內(nèi)的形成有各電感器的層的放大俯視圖。如圖4所示，各電感器GLtl、GLt2由形成在第七層PL7、第八層PL8、第九層PL9和第十層PLlO上的線狀電極圖案、以及在層之間進行連接的通孔電極來構(gòu)成。在第七層PL7中，從頂面來看時，電感器GLt2形成為從與第一獨立外部端子PMtL相連接的一側(cè)的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到該第一獨立外部端子PMtL一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第七層PL7的通孔電極，與第八層PL8的構(gòu)成電感器GLt2的線狀電極圖案相連接。在第八層PL8中，從頂面來看時，電感器GLt2形成為從與來自第七層PL7的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第七層PL7的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第八層PL8的通孔電極，與第九層PL9的構(gòu)成電感器GLt2的線狀電極圖案相連接。在第九層PL9中，從頂面來看時，電感器GLt2形成為從與貫通第八層PL8的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第八層PL8的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第九層PL9的通孔電極，與第十層PLlO的構(gòu)成電感器GLt2的線狀電極圖案相連接。在第十層PLlO中，從頂面來看時，電感器GLt2形成為從與貫通第九層PL9的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第九層PL9的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部，與構(gòu)成電感器GLtI的線狀電極圖案相連接。
如上所述，從層疊體900的頂面來看時，電感器GLt2從第七層PL7朝第十層PLlO構(gòu)成為順時針卷繞的形狀。在第十層PLlO中，從頂面來看時，電感器GLtl形成為從與電感器GLt2相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到該電感器GLt2 —側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第九層PL9的通孔電極，與第九層PL9的構(gòu)成電感器GLtl的線狀電極圖案相連接。在第九層PL9中，從頂面來看時，電感器GLtl形成為從與貫通第九層PL9的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第九層PL9的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第八層PL8的通孔電極，與第八層PL8的構(gòu)成電感器GLtl的線狀電極圖案相連接。在第八層PL8中，從頂面來看時，電感器 GLtl形成為從與貫通第八層PL8的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第八層PL8的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第七層PL7的通孔電極，與第七層PL7的構(gòu)成電感器GLtl的線狀電極圖案相連接。在第七層PL7中，從頂面來看時，電感器GLtl形成為從與貫通第七層PL7的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第七層PL7的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部，與第一獨立端子PICll相連接。如上所述，從頂面來看層疊體900時，電感器GLtl從第十層PLlO朝第七層PL7構(gòu)成為順時針卷繞的形狀。由此，如圖4所示，在從第一獨立外部端子PMtL向第一獨立端子PICll傳輸信號的情況下，在電感器GLtl、GLt2中均產(chǎn)生以從第七層PL7到第十層PLlO的方向為軸的磁場。此外，由形成在第七層PL7、第八層PL8和第九層PL9的線狀電極圖案以及在層間進行連接的通孔電極來構(gòu)成電感器DLt I、DLt2。在第七層PL7中，從頂面來看時，電感器DLt2形成為從與第二獨立外部端子PMtH相連接的一側(cè)的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到該第二獨立外部端子PMtH一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第七層PL7的通孔電極，與第八層PL8的構(gòu)成電感器DLt2的線狀電極圖案相連接。在第八層PL8中，從頂面來看時，電感器DLt2形成為從與貫通第七層PL7的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第七層PL7的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第八層PL8的通孔電極，與第九層PL9的構(gòu)成電感器DLt2的線狀電極圖案相連接。在第九層PL9中，從頂面來看時，電感器DLt2形成為從與貫通第八層PL8的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第八層PL8的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部，與構(gòu)成電感器DLtI的線狀電極圖案相連接。如上所述，從頂面來看層疊體900時，電感器DLt2從第七層PL7朝第九層PL9構(gòu)成為順時針卷繞的形狀。在第九層PL9中，從頂面來看時，電感器DLtl形成為從與電感器DLt2相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到該電感器DLt2 —側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第八層PL8的通孔電極，與第八層PL8的構(gòu)成電感器DLtl的電極圖案相連接。
在第八層PL8中，從頂面來看時，電感器DLtl形成為從與貫通第八層PL8的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到來自該第八層PL8的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第七層PL7的通孔電極，與第七層PL7的構(gòu)成電感器DLtl的電極圖案相連接。在第七層PL7中，從頂面來看時，電感器DLtl形成為從與貫通第七層PL7的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第七層PL7的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部，與第二獨立端子PIC12相連接。如上所述，從頂面來看層疊體900時，電感器DLtl從第九層PL9朝第七層PL7構(gòu)成為順時針卷繞的形狀。由此，如圖4所示，在從第二獨立外部端子PMtH向第二獨立端子PIC12傳輸信號的情況下，在電感器DLtl、DLt2中均產(chǎn)生以從第七層 PL7到第九層PL9的方向為軸的磁場。電感器L2、L4、L5由形成在第七層PL7、第八層PL8、第九層PL9和第十層PLlO上的線狀電極圖案、以及在層間進行連接的通孔電極來構(gòu)成。在第七層PL7中，從頂面來看時，電感器L2形成為從與共用端子PICO相連接的一側(cè)的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到該共用端子PICO的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第七層PL7的通孔電極，與第八層PL8的構(gòu)成電感器L2的電極圖案相連接。在第八層PL8中，從頂面來看時，電感器L2形成為從與貫通第七層PL7的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第七層PL7的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第八層PL8的通孔電極，與第九層PL9的構(gòu)成電感器L2的電極圖案相連接。在第九層PL9中，從頂面來看時，電感器L2形成為從與貫通第八層PL8的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第八層PL8的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部經(jīng)由貫通第九層PL9的通孔電極，與第十層PLlO的構(gòu)成電感器L2的電極圖案相連接。在第十層PLlO中，從頂面來看時，電感器L2形成為從與貫通第九層PL9的通孔電極相連接的端部起順時針旋轉(zhuǎn)的線狀電極圖案。與連接到貫通該第九層PL9的通孔電極的一側(cè)相反的一側(cè)的端部，與天線連接用外部端子PMan相連接。如上所述，從頂面來看層疊體900時，電感器L2從第七層PL7朝第十層PLlO構(gòu)成為順時針卷繞的形狀。由此，如圖4所示，在從共用端子PICO向天線連接用外部端子PMan傳輸信號的情況下，由電感器L2產(chǎn)生以從第七層PL7到第九層PL9的方向為軸的磁場。這樣，通過使用本實施方式的結(jié)構(gòu)，在層疊體900內(nèi)形成構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器12A的與傳輸線路相串聯(lián)的電感器GLtl、GLt2 ;構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器12B的與傳輸線路相串聯(lián)的電感器DLtl、DLt2 ;構(gòu)成天線側(cè)匹配電路11的與傳輸線路相串聯(lián)的電感器L2，以使它們所產(chǎn)生的磁場方向相一致。這樣，電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2所產(chǎn)生的磁場相互獨立，并抑制了電磁場耦合。因而，能使各電感器GLtl、GLt2、DLtU DLt2、L2按照設計的特性工作。由此，充分實現(xiàn)發(fā)送側(cè)濾波器12A、12B的二次諧波的衰減特性和三次諧波的衰減量。此夕卜，能抑制開關元件SWIC的獨立端子側(cè)(發(fā)送電路側(cè))與天線連接側(cè)的磁場耦合。由此，能抑制由天線接收的接收信號泄漏到發(fā)送電路側(cè)。由此，不會產(chǎn)生不必要的衰減，能輸出接收信號。此外，如上所述，電感器GLt I、GLt2、DLt I、DLt2、L2、L4、L5在包括第七層、第八層、第九層的三個層中，在同一層上形成。此外，如圖4所示，在沿層疊方向來看層疊體900時，電感器GLtl、GLt2、DLtUDLt2、L4、L5以不重合的方式來形成。通過該結(jié)構(gòu)，能抑制各電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5進行沿層疊方向的電磁場耦合。由此,能進一步可靠地抑制上述電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2的電磁場率禹合。此外，如圖3所示，在介質(zhì)層PL5、PL13中形成有內(nèi)層接地電極GND，以使夾住形成有各電感器 GLtU GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5 的介 質(zhì)層 PL7、PL8、PL9、PLlO。此時，俯視層疊體900時，接地電極GND形成為包含電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5的形成區(qū)域。此外，通過調(diào)節(jié)介質(zhì)層的厚度，將層疊體900形成為介質(zhì)層PL7的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案與介質(zhì)層PL5的接地電極GND之間的距離、以及介質(zhì)層PLlO的電感器GLtl、GLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案與介質(zhì)層PL13的接地電極GND之間的距離、比同一層上的各電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5的平面上的距
離要小。通過這種結(jié)構(gòu),各電感器GLt I、GLt2、DLt I、DLt2、L2、L4、L5沿層疊方向與接地電極GND進行電磁場耦合，而由各電感器所產(chǎn)生的磁場相互獨立。由此，能抑制各電感器彼此在層內(nèi)的平面上進行電磁場耦合。因而，各電感器按照設計的元件值來工作，能抑制各發(fā)送側(cè)濾波器12A、12B的特性劣化，能抑制二次諧波或三次諧波在發(fā)送側(cè)電路與天線側(cè)電路之間發(fā)生泄漏，能抑制接收信號泄漏到發(fā)送側(cè)電路。此外，如圖3、圖4的介質(zhì)層PL7、PL8、PL9、PL10所示，使天線側(cè)匹配電路11的電感器L2的線狀電極圖案與發(fā)送側(cè)電路的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2的線狀電極圖案之間的平面上的距離、比發(fā)送側(cè)電路的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2的線狀電極圖案彼此之間的平面上的距離要大。由此，能進一步抑制天線側(cè)匹配電路11的電感器L2與發(fā)送側(cè)電路的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2的電磁場耦合。由此，能進一步抑制二次諧波或三次諧波在發(fā)送側(cè)電路與天線側(cè)電路之間發(fā)生泄漏，能進一步抑制接收信號泄漏到發(fā)送側(cè)電路。此外，在上述實施方式中，以開關元件SWIC的共用端子PICO為起點，從層疊體900的頂面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)?，以順時針螺旋狀卷繞的方式形成電感器L2，在這種情況下，將作為發(fā)送信號的輸入端子的第一獨立外部端子PMtL和第二獨立外部端子PMtH為起點，從層疊體900的頂面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)?，以順時針螺旋狀卷繞的方式形成電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2。然而，在以逆時針且以相同螺旋狀來形成電感器L2的情況下，也可從層疊體900的頂面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)蒛、以逆時針螺旋狀卷繞的方式形成所有的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2。即，只要確定構(gòu)成各電感器的線狀電極圖案的旋轉(zhuǎn)方向，使得串聯(lián)連接到天線側(cè)的信號傳輸路徑的電感器L2所產(chǎn)生的磁場方向、與串聯(lián)連接到發(fā)送側(cè)電路內(nèi)的信號傳輸路徑的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2所產(chǎn)生的磁場方向相同即可。標號說明10 :高頻模塊；11 :天線側(cè)匹配電路；12A、12B :發(fā)送電路側(cè)濾波器；900 :層疊體；。雛悤甥 _ HZMVS ,HTMVS ,IZMVS ,ITMV^雛HXK= Sa, I·幸呍 31 氺電"3IMSX Ο /Ο < SZSSOT Zo
權(quán)利要求
1.一種高頻模塊，包括 層疊體，該層疊體具備與天線相連接的天線連接用外部端子、和分別與用于發(fā)送和接收多個通信信號的發(fā)送電路和接收電路相連接的多個獨立外部端子；以及 開關元件，該開關元件安裝在該層疊體上，且具備與所述天線連接用外部端子相連接的共用端子、和與所述多個獨立外部端子相連接的多個獨立端子， 該高頻模塊的特征在于， 包括多個獨立端子側(cè)的電感器，該多個獨立端子側(cè)的電感器形成在所述層疊體內(nèi)，且分別各自串聯(lián)連接在所述多個獨立端子與所述多個獨立外部端子之間， 在所述層疊體內(nèi)形成該多個獨立端子側(cè)的電感器，以使得在沿層疊方向來看所述層疊體的狀態(tài)下，該多個獨立端子側(cè)的電感器不重合，且所產(chǎn)生的磁場方向相一致。
2.如權(quán)利要求I所述的高頻模塊，其特征在于， 包括串聯(lián)連接在所述天線連接用外部端子與所述共用端子之間的天線側(cè)的電感器，在所述層疊體內(nèi)形成所述天線側(cè)的電感器和所述多個獨立端子側(cè)的電感器，以使得在沿層疊方向來看所述層疊體的狀態(tài)下，所述天線側(cè)的電感器和所述多個獨立端子側(cè)的電感器不重合，且所產(chǎn)生的磁場方向相一致。
3.如權(quán)利要求I或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案形成在所述層疊體的多個同一層上。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻模塊，其特征在于， 所述天線側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案與所述多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案形成在所述層疊體的多個同一層上， 在沿層疊方向來看的狀態(tài)下，所述天線側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案與所述多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案之間的間隔、比所述多個獨立端子側(cè)的電感器的內(nèi)層電極圖案之間的間隔要大。
5.如權(quán)利要求3或4所述的高頻模塊，其特征在于， 包括內(nèi)層接地電極，該內(nèi)層接地電極形成在所述層疊體中的形成有所述電感器的內(nèi)層電極圖案的層的上層和下層，該內(nèi)層接地電極形成為從層疊方向來看時包含所述電感器的內(nèi)層電極圖案的形成區(qū)域， 最接近所述內(nèi)層接地電極的所述電感器的內(nèi)層電極圖案與所述內(nèi)層接地電極之間的間隔、比分別形成多個電感器的內(nèi)層電極圖案彼此之間的間隔要小。
6.如權(quán)利要求I至5的任一項所述的高頻模塊，其特征在于， 所述多個獨立端子側(cè)的電感器是與所述發(fā)送電路相連接的濾波器電路的電感器。
7.如權(quán)利要求6所述的高頻模塊，其特征在于， 所述濾波器電路是使所傳輸?shù)耐ㄐ判盘柕亩沃C波和三次諧波衰減的低通濾波器， 所述多個獨立端子側(cè)的電感器是用于使所述二次諧波衰減的串聯(lián)電感器、和用于使所述三次諧波衰減的串聯(lián)電感器。
全文摘要
本發(fā)明實現(xiàn)高頻模塊，該高頻模塊抑制形成在層疊體內(nèi)的電感器之間的電磁場耦合，實現(xiàn)小型化并且能獲得期望的特性。以開關元件SWIC的共用端子PIC0為起點，從層疊體900的頂面來看時，以順時針螺旋狀卷繞的方式形成電感器L2，在這種情況下，以作為發(fā)送信號的輸入端子的第一獨立外部端子PMtL和第二獨立外部端子PMtH為起點，從層疊體900的頂面來看時，以順時針螺旋狀卷繞的方式形成電感器GLt2、DLt2，且從層疊體900的頂面來看時，也以順時針螺旋狀卷繞的方式形成電感器GLt1、DLt1。即，形成各電感器，使得電感器L2、GLt1、GLt2、DLt1、DLt2所產(chǎn)生的磁場方向全都一致。
文檔編號H04B7/04GK102684729SQ201210052498
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月14日
發(fā)明者上嶋孝紀 申請人:株式會社村田制作所