專利名稱：高頻模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻模塊，該高頻模塊用于例如便攜式電話機(jī)等信息通信設(shè)備。
背景技術(shù)：
以往，已設(shè)計(jì)出各種利用一個(gè)天線來(lái)收發(fā)利用不同頻帶的多個(gè)高頻信號(hào)的高頻模塊。這種高頻模塊一般包括在高頻信號(hào)之間進(jìn)行切換或?qū)Ω鞲哳l信號(hào)的收發(fā)進(jìn)行切換等的開(kāi)關(guān)模塊；發(fā)送側(cè)的功率放大器模塊； 以及接收側(cè)的SAW(表面聲波Surface AcousticWave)濾波器模塊等。而且，形成最終對(duì)各模塊整體進(jìn)行封裝的一體型的模塊。例如，專利文獻(xiàn)I所記載的高頻模塊包括由具有規(guī)定電極圖案的層疊體所構(gòu)成的模塊基板，在該模塊基板的主面上安裝SAW濾波器等來(lái)形成。此外，開(kāi)關(guān)模塊裝載有高頻集成電路(以下，稱作高頻IC :Integrated Circuit),一般而言，該高頻IC大多具有PLL (鎖相環(huán)Phase Locked Loop)電路等(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。而且，PLL電路大多使用電荷泵電路作為電源電路?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本國(guó)專利特開(kāi)2006-319512號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本國(guó)專利特開(kāi)2006-33108號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題然而，將專利文獻(xiàn)2中記載的裝載有電荷泵電路的高頻IC作為如專利文獻(xiàn)I所記載的一體型的高頻模塊的情況下，進(jìn)行模塊化的結(jié)果有可能會(huì)發(fā)生高頻IC進(jìn)行誤動(dòng)作或不進(jìn)行動(dòng)作等問(wèn)題。此外，如專利文獻(xiàn)I所記載那樣進(jìn)行模塊化的情況下，已知采用如下方式所安裝的高頻IC具有與基板的電極相連接的連接端子,且將高頻IC(集成電路-IntegratedCircuit)裝載到基板上并進(jìn)行樹(shù)脂模壓。在該情況下，即使在模塊化之前進(jìn)行特性組合的調(diào)節(jié)，但由于在模塊化工序中產(chǎn)生的靜電等的因素，高頻IC的特性也發(fā)生變化，其結(jié)果存在高頻模塊的特性偏離于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)之外的問(wèn)題。此外，作為高頻IC的特性變化因素之一，已知有高頻IC的電源電路部發(fā)生故障，不能向規(guī)定的功能電路施加必要的電壓。例如，在執(zhí)行對(duì)多個(gè)端口之間的連接進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)動(dòng)作的高頻IC中，如果其電源電路部發(fā)生故障，則會(huì)發(fā)生如下問(wèn)題將不希望的端口彼此之間相連接，或開(kāi)關(guān)動(dòng)作本身不能進(jìn)行動(dòng)作。此時(shí)，由于模塊化后不能分別確認(rèn)高頻IC的特性，因此難以辨別高頻模塊的特性偏離于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)之外的原因是由高頻IC的特性變化所造成，還是由模塊基板部的信號(hào)路徑的斷路等缺陷所造成。因此，一旦高頻模塊的特性發(fā)生了缺陷，則為了確定該缺陷的原因、改善高頻模塊的特性，就需要大量時(shí)間和精力。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種高頻模塊，該高頻模塊即使在模塊完成后，也能檢查出模塊中所產(chǎn)生的缺陷是否為高頻IC的電源電路部。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所涉及的高頻模塊包括層疊體，該層疊體具有形成有電極圖案的多個(gè)介質(zhì)層；以及高頻集成電路，該高頻集成電路具備輸出用于本身進(jìn)行動(dòng)作的電壓的電源電路部，且安裝在所述層疊體的表面上，所述高頻集成電路具有測(cè)試端子，該測(cè)試端子與所述電源電路部相連接，且對(duì)所述電源電路部的電壓進(jìn)行檢查，所述層疊體具有外部端子，該外部端子設(shè)置在背面上，且向外部輸出信號(hào)，所述測(cè)試端子與所述外部端子經(jīng)由用所述電極圖案所構(gòu)成的電壓傳輸路徑相連接。在該結(jié)構(gòu)中，對(duì)安裝到高頻模塊的層疊體上的高頻集成電路設(shè)置測(cè)試端子，在層疊體上形成其傳輸路徑，從而不用分解高頻模塊，就能檢測(cè)出來(lái)自高頻集成電路的輸出電壓的波形。由此，可容易檢測(cè)出高頻集成電路是否正常進(jìn)行動(dòng)作，或在高頻模塊中發(fā)生誤動(dòng)作等時(shí)，可容易從檢測(cè)結(jié)果確定是高頻集成電路的電源電路部中存在缺陷還是模塊基板中存在缺陷。 優(yōu)選本發(fā)明所涉及的高頻模塊還包括電容器，該電容器的一端與所述電壓傳輸路徑相連接，另一端接地。在該結(jié)構(gòu)中，表示具備作為旁路電容器的電容器的具體例子。通過(guò)設(shè)置電容器，從高頻集成電路來(lái)看測(cè)試電極側(cè)時(shí)，使測(cè)試電極側(cè)成為高頻開(kāi)路狀態(tài)，并且能減小高頻噪聲對(duì)聞?lì)l集成電路的影響。優(yōu)選本發(fā)明所涉及的高頻模塊還包括電感器，該電感器串聯(lián)連接在所述電壓傳輸路徑上。在該結(jié)構(gòu)中，示出為了減小高頻噪聲對(duì)高頻集成電路的影響而具備了電感器的具體例子。通過(guò)設(shè)置電感器，從高頻集成電路來(lái)看測(cè)試電極側(cè)時(shí)，使測(cè)試電極側(cè)成為高頻開(kāi)路狀態(tài)。在本發(fā)明所涉及的高頻模塊中，所述高頻集成電路包括至少一個(gè)共用端子和多個(gè)獨(dú)立端子，且所述高頻集成電路是對(duì)連接所述共用端子和獨(dú)立端子的路徑進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)元件，所述層疊體具有多個(gè)通信信號(hào)路徑，該通信信號(hào)路徑經(jīng)由形成在成為所述層疊體本身的表面的最上層上的電極，將所述通信信號(hào)輸出端子與形成在成為所述層疊體本身的背面的最下層的電極進(jìn)行電連接，且該通信信號(hào)路徑形成為在層疊方向上與所述電壓傳輸路徑不重合。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)使電壓傳輸路徑和通信信號(hào)路徑在層疊體的層疊方向上不重合，能抑制沿層疊方向的電壓傳輸路徑和通信信號(hào)路徑之間的耦合(電磁場(chǎng)耦合或靜電耦合等)，能減少流過(guò)電壓傳輸路徑的電流對(duì)通信信號(hào)路徑產(chǎn)生影響，從而減少高頻模塊發(fā)生誤動(dòng)作。在本發(fā)明所涉及的高頻模塊中，所述高頻集成電路包括至少一個(gè)共用端子和多個(gè)獨(dú)立端子，所述高頻集成電路是對(duì)連接所述共用端子和獨(dú)立端子的路徑進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)元件，所述層疊體具有形成有接地電極的介質(zhì)層以及多個(gè)通信信號(hào)路徑，該通信信號(hào)路徑經(jīng)由形成在成為所述層疊體本身的表面的最上層上的電極，將所述通信信號(hào)輸出端子與形成在成為所述層疊體本身的背面的最下層的電極進(jìn)行電連接，該通信信號(hào)路徑的至少一部分形成為在層疊方向上和所述電壓傳輸路徑夾著所述接地電極。在該結(jié)構(gòu)中，即使電壓傳輸路徑和通信信號(hào)路徑在層疊體的層疊方向上重合，也能通過(guò)將接地電極介于其間來(lái)抑制耦合，能減少流過(guò)電壓傳輸路徑的電流對(duì)通信信號(hào)路徑產(chǎn)生影響，從而減少高頻模塊發(fā)生誤動(dòng)作。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，即使在模塊化后，也能確認(rèn)高頻集成電路是否如設(shè)計(jì)那樣進(jìn)行動(dòng)作。此外，當(dāng)高頻模塊發(fā)生誤動(dòng)作的情況下，能容易確定其原因在于高頻集成電路的電源電路部還是在于模塊基板。



圖I是表示實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的電路結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示檢測(cè)出的電壓波形的示意圖。圖3是用于說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是高頻模塊的層疊圖。圖5是層疊體的一部分層的放大俯視圖。圖6是表示設(shè)置有電感器的情況下的高頻模塊10的電路結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明所涉及的高頻模塊的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。以下進(jìn)行說(shuō)明的實(shí)施方式中,對(duì)進(jìn)行收發(fā)GSM(全球移動(dòng)通信系統(tǒng)Global Systemfor Mobile Communications)850 通信信號(hào)、GSM 900 通信信號(hào)、GSM 1800 通信信號(hào)、GSM1900通信信號(hào)、以及進(jìn)行收發(fā)W-CDMA (寬帶碼分多址Wideband Code Division MultipleAccess)通信系統(tǒng)等的通信信號(hào)的高頻模塊進(jìn)行說(shuō)明。但是，通信信號(hào)的數(shù)量不限于上述例子。此外，盡管在下文中表示了包括2種通信信號(hào)的收發(fā)電路的例子，然而只要根據(jù)通信信號(hào)的數(shù)量來(lái)設(shè)定這些通信信號(hào)的收發(fā)電路即可。圖I是表示本實(shí)施方式所涉及的高頻模塊的電路結(jié)構(gòu)的框圖。高頻模塊10包括開(kāi)關(guān)元件(高頻集成電路)11。開(kāi)關(guān)元件11包括用于與地進(jìn)行連接的接地用端子PGND。接地用端子GPND與高頻模塊10的外部連接用接地端口電極PMGND相連接。開(kāi)關(guān)元件11包括驅(qū)動(dòng)電壓施加用端子PICVdcL驅(qū)動(dòng)電壓施加用端子PICVdd與高頻模塊10的外部連接用電源系統(tǒng)端口電極PMVdd相連接。通過(guò)從驅(qū)動(dòng)電壓施加用端子PICVdd施加電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件11。開(kāi)關(guān)元件11包括多個(gè)控制電壓施加用端子PICVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4。此夕卜，開(kāi)關(guān)元件11包括單個(gè)共用端子Pico和8個(gè)獨(dú)立端子PICll PIC18。控制電壓施加用端子PICVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4分別與高頻模塊10的外部連接用電源系統(tǒng)端口電極PMVcl、PMVc2、PMVc3、PMVc4相連接。開(kāi)關(guān)元件11利用對(duì)多個(gè)控制電壓施加用端子PICVcl、PICVc2、PICVc3、PICVc4分別施加的控制電壓Vcl、Vc2、Vc3、Vc4的組合(例如，對(duì)控制電壓VC1、VC2、VC3、VC4分別施加正電壓、負(fù)電壓、負(fù)電壓、負(fù)電壓等)，將共用端子PICO和8個(gè)獨(dú)立端子PICll PIC18的任一個(gè)相連接。共用端子PICO經(jīng)由兼用作ESD(靜電放電ElectrostaticDischarge)電路的天線側(cè)匹配電路12與高頻模塊10的天線連接用外部端子PMan相連接。天線連接用外部端子PMan與外部的天線100相連接。天線側(cè)匹配電路12包括串聯(lián)連接在高頻模塊10的天線連接用外部端子PMan與共用端子PICO之間的電感器L2。電感器L2的天線連接用外部端子PMan側(cè)的端部經(jīng)由電容器Cl接地。電感器L2的共用端子PICO側(cè)的端部經(jīng)由主要起到ESD元件作用的電感器LI接地。獨(dú)立端子PICll經(jīng)由發(fā)送側(cè)濾波器13A與高頻模塊10的獨(dú)立 外部端子PMtL相連接。獨(dú)立外部端子PMtL是從外部輸入GSM 850或GSM 900的發(fā)送信號(hào)的端子。發(fā)送側(cè)濾波器13A包括串聯(lián)連接在獨(dú)立端子PICll和獨(dú)立外部端子PMtL之間的電感器GLtl、GLt2。從獨(dú)立端子PICll側(cè)按照電感器GLtl、電感器GLt2的順序來(lái)連接電感器GLtl、GLt2。電感器GLtl的獨(dú)立端子PICll側(cè)的端部經(jīng)由電容器GCul接地。電感器GLtU GLt2的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器GCu2接地。電感器GLt2的獨(dú)立外部端子PMtL側(cè)的端部經(jīng)由電容器GCu3接地。電感器GLtl與電容器GCcl并聯(lián)連接。通過(guò)使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下特性使得從獨(dú)立外部端子PMtL輸入的發(fā)送信號(hào)、S卩GSM 850或GSM 900的發(fā)送信號(hào)的二次諧波大大衰減。電感器GLt2與電容器GCc2并聯(lián)連接。通過(guò)使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下特性使得從獨(dú)立外部端子PMtL輸入的發(fā)送信號(hào)、S卩GSM 850或GSM 900的發(fā)送信號(hào)的三次諧波大大衰減。S卩，通過(guò)使得構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器13A的各電感器和電容器的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下濾波器將GSM 850或GSM 900的發(fā)送信號(hào)的使用頻帶作為通帶，將GSM 850或GSM 900的發(fā)送信號(hào)的高頻帶作為衰減帶。獨(dú)立端子PIC12經(jīng)由發(fā)送側(cè)濾波器13B與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMtH相連接。獨(dú)立外部端子PMtH是從外部輸入GSM 1800或GSM 1900的發(fā)送信號(hào)的端子。發(fā)送側(cè)濾波器13B包括串聯(lián)連接在獨(dú)立端子PIC12和獨(dú)立外部端子PMtH之間的電感器DLtl、DLt2。從獨(dú)立端子PIC12側(cè)按照電感器DLtl、電感器DLt2的順序來(lái)連接電感器DLtl、DLt2。電感器DLtl、DLt2的連接點(diǎn)經(jīng)由電容器DCul接地。電感器DLt2的獨(dú)立外部端子PMtH側(cè)的端部經(jīng)由電容器DCu2接地。電感器DLtl與電容器DCcl并聯(lián)連接。通過(guò)使該并聯(lián)諧振電路的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下特性使得從獨(dú)立外部端子PMtH輸入的發(fā)送信號(hào)、即GSM 1800或GSM 1900的發(fā)送信號(hào)的二次諧波大大衰減。通過(guò)使電感器DLt2的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下特性使得從獨(dú)立外部端子PMtH輸入的發(fā)送信號(hào)、即GSM 1800或GSM 1900的發(fā)送信號(hào)的三次諧波大大衰減。此外，通過(guò)使得構(gòu)成發(fā)送側(cè)濾波器13B的各電感器和電容器的元件值成為規(guī)定值，能實(shí)現(xiàn)如下濾波器將GSM 1800或GSM 1900的發(fā)送信號(hào)的使用頻帶作為通帶，將GSM1800或GSM 1900的發(fā)送信號(hào)的包含二次諧波和三次諧波的高頻帶作為衰減帶。
獨(dú)立端子PIC13與SAW雙工器DUPL的SAW濾波器SAWlL的不平衡端子相連接。SAff濾波器SAWlL是將GSM 850的接收信號(hào)的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡_不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAWlL的平衡端子與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMrLl相連接。獨(dú)立外部端子PMrLl是輸出GSM 850的接收信號(hào)的端子。獨(dú)立端子PIC14與SAW雙工器DUPL的SAW濾波器SAW2L的不平衡端子相連接。在連接了獨(dú)立端子PIC14和SAW濾波器SAW2L的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L3。SAW濾波器SAW2L是將GSM 900的接收信號(hào)的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAW2L的平衡端子與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMrL2相連接。獨(dú)立外部端子PMrL2是輸出GSM 900的接收信號(hào)的端子。獨(dú)立端子PIC15與SAW雙工器DUPH的SAW濾波器SAWlH的不平衡端子相連接。在連接了獨(dú)立端子PIC15和SAW濾波器SAWlH的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L4。SAW濾波器SAWlH是將GSM 1800的接收信號(hào)的頻帶作為通帶 的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAWlH的平衡端子與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMrHl相連接。獨(dú)立外部端子PMrHl是輸出GSM 1800的接收信號(hào)的端子。獨(dú)立端子PIC16與SAW雙工器DUPH的SAW濾波器SAW2H的不平衡端子相連接。在連接了獨(dú)立端子PIC16和SAW濾波器SAW2H的傳輸線路與接地電位之間，連接有匹配用電感器L5。SAW濾波器SAW2H是將GSM 1900的接收信號(hào)的頻帶作為通帶的濾波器，具有平衡-不平衡轉(zhuǎn)換功能。SAW濾波器SAW2H的平衡端子與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMrH2相連接。獨(dú)立外部端子PMrH2是輸出GSM 1900的接收信號(hào)的端子。獨(dú)立端子PIC17與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMul相連接。獨(dú)立外部端子PMul是用于輸入輸出第一 W-CDMA通信信號(hào)的端子。獨(dú)立端子PIC18與高頻模塊10的獨(dú)立外部端子PMu2相連接。獨(dú)立外部端子PMu2是用于輸入輸出第二 W-CDMA通信信號(hào)的端子。測(cè)試端子PT與高頻模塊10的外部連接用測(cè)試外部端子PTest相連接。測(cè)試端子PT與開(kāi)關(guān)元件11的電源電路(例如，未圖示的電荷泵電路的輸出)相連接，是用于輸出電源電路的輸出電壓的端子。當(dāng)確認(rèn)高頻模塊10的動(dòng)作是否正常時(shí)、或調(diào)查進(jìn)行誤動(dòng)作的原因時(shí)，測(cè)試外部端子PTest與未圖示的電壓測(cè)定器相連接。通過(guò)利用電壓測(cè)定器檢測(cè)來(lái)自高頻模塊10的測(cè)試端子PTest的輸出電壓，能夠檢測(cè)出開(kāi)關(guān)元件11的電源電路部的電壓波形。圖2是表示檢測(cè)出的電壓波形的示意圖。圖2(a)和圖2(b)分別表示正常的電壓波形和異常的電壓波形。此外，圖2的縱軸表示對(duì)開(kāi)關(guān)元件11的供給電壓，橫軸表示電壓供給的經(jīng)歷時(shí)間。當(dāng)開(kāi)關(guān)元件11正常的情況下，如圖2(a)所示，正電壓和負(fù)電壓的電位差與經(jīng)歷時(shí)間無(wú)關(guān)而大致恒定，與此相反，當(dāng)開(kāi)關(guān)元件11異常的情況下，如圖2(b)中作為不穩(wěn)定區(qū)域所表示，電壓會(huì)暫時(shí)劇增。因此，可根據(jù)電壓波形的檢測(cè)結(jié)果，確認(rèn)高頻模塊10的動(dòng)作是否正常，尤其還能確定高頻模塊10的誤動(dòng)作的原因在于開(kāi)關(guān)元件11的電源電路、還是另有其它原因。例如，高頻模塊10發(fā)生誤動(dòng)作的情況下，當(dāng)檢測(cè)波形正常時(shí)，檢查員能掌握開(kāi)關(guān)元件11的電源電路部正正常進(jìn)行動(dòng)作。在測(cè)試端子PT和測(cè)試外部端子PTest的傳輸路徑與接地電位之間，連接有作為保護(hù)元件的電容器ct。電容器Ct起到作為除去包含高頻分量的噪聲的旁路電容器的作用。電容器Ct以低損耗向所連接的電壓測(cè)定器傳輸來(lái)自測(cè)試端子PT的輸出信號(hào)，阻止通信信號(hào)等高頻信號(hào)或高頻噪聲被送往電壓測(cè)定器。此外，電容器Ct是防止來(lái)自外部的高頻噪聲經(jīng)由測(cè)試外部端子PTest送往開(kāi)關(guān)元件11的兀件。這樣，通過(guò)對(duì)高頻模塊10設(shè)置電容器Ct，能減少高頻噪聲對(duì)開(kāi)關(guān)元件11和電壓測(cè)定器產(chǎn)生的影響。另外，盡管將電容器Ct作為旁路電容器安裝在層疊體900上，然而也可不使用安裝型的電容器，而利用形成在層疊體900的2個(gè)層上的電極、以及被該2個(gè)層夾著的介質(zhì)層來(lái)實(shí)現(xiàn)電容器Ct。圖3是對(duì)本實(shí)施方式所涉及的高頻模塊10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明的圖 。圖3(A)表示外觀立體圖，圖3(B)表示頂面安裝圖。圖4是高頻模塊10的層疊圖。高頻模塊10包括層疊體900。在層疊體900的頂面上，安裝有SAW雙工器DUPL、DUPH、以及開(kāi)關(guān)元件11。此外，在層疊體900的頂面上，安裝有電容器Ct。層疊體900層疊有規(guī)定數(shù)量的介質(zhì)層，利用形成在介質(zhì)層上的內(nèi)層電極圖案，來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻模塊10中的除上述安裝型的各電路元件之外的部分。此外，盡管本實(shí)施方式中未圖示詳細(xì)的配置圖案，但在層疊體900的底面上，按規(guī)定排列分別形成有上述外部連接用端口電極。如圖4所示，層疊體900層疊有14層的介質(zhì)層，各介質(zhì)層上形成有用于構(gòu)成高頻模塊10的規(guī)定電極圖案，并且形成有在各層之間進(jìn)行連接的通孔電極。在圖4的各層中用圓形圖標(biāo)來(lái)表示通孔電極。另外，在以下，將成為層疊體900的頂面的最上層作為第一層PLl，越往下層側(cè)數(shù)值越大，將最下層作為第十四層PL14，這樣來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。在作為最上層的第一層PLl的頂面、即層疊體900的頂面上，形成有用于安裝SAW雙工器DUPL、DUPH、開(kāi)關(guān)元件11和電容器Ct的元件安裝用電極。在第二層PL2和第三層PL3上，形成有走線圖案電極。在第三層PL3上，形成有將開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT和電容器Ct相連接的走線圖案電極。在第四層PL4的幾乎整個(gè)面上，形成有內(nèi)層接地電極GND。 電容器Ct的一端子與第三層PL3的圖案電極相連接，另一端子與第四層PL4的接地電極GND相連接。在第五層PL5上，形成有電容器GCul、GCu3的一相對(duì)電極。這些電容器GCul、GCu3的另一相對(duì)電極是第四層PL4的接地電極GND。在第六層PL6上，形成有分別構(gòu)成電感器61^1、61^2、01^1、01^2、1^2、1^4、1^5的線狀電極圖案。在第七層PL7和第八層PL8上，也形成有分別構(gòu)成電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案。在第九層PL9上，形成有分別構(gòu)成電感器GLtl、GLt2、L2、L4、L5的線狀電極圖案。在第十層PLlO和第i^一層PLll上，形成有電容器GCcl、GCc2、DCcl的一相對(duì)電極。在第十二層PL12上，形成有電容器GCu2、DCcl、DCu2、Ct、Cl的一相對(duì)電極。另外，電容器GCu2的一相對(duì)電極也起到作為電容器GCcl、GCc2的另一相對(duì)電極的作用。
在第十三層PL13的幾乎整個(gè)面上，形成有內(nèi)層接地電極GND。該接地電極GND也起到作為電容器GCu2、DCcl、DCu2、Cl的另一相對(duì)電極的作用。在作為最下層的第十四層PL14的底面、即層疊體900的底面上，排列形成有構(gòu)成獨(dú)立外部端子PMtL至獨(dú)立外部端子PMu2的電極、構(gòu)成測(cè)試外部端子PTest的電極、構(gòu)成天線連接用外部端子PMan的電極、以及外部連接用接地電極。排列形成這些電極，以便與上述各層的電極圖案一起來(lái)實(shí)現(xiàn)圖I所示的電路。在這種結(jié)構(gòu)中，通過(guò)如下所示的具體結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)利用內(nèi)層電極圖案的開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT、以及電容器Ct5。圖5是層疊體900的一部分層的放大俯視圖。如圖5所示，開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT從第一層PLl的通孔電極經(jīng)由第三層PL3的通孔電極，與形成在第十二層PL12上的電極相連接。進(jìn)一步地， 從第十二層PL12與第十四層PL14的構(gòu)成測(cè)試外部端子PTest的電極相連接。電容器Ct的一電極與形成在第三層PL3上的線狀電極圖案相連接。該線狀電極圖案與開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT相連接。此外，電容器Ct的另一電極經(jīng)由各層的通孔電極，與第四層PL4的接地電極GND相連接。由此，開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT構(gòu)成為與高頻模塊10的測(cè)試外部端子PTest相連接，并且經(jīng)由電容器Ct接地。另外，形成在第二層PL2上的線狀電極圖案包含從開(kāi)關(guān)元件11直接引出的電極圖案。這些電極圖案與開(kāi)關(guān)元件11相接近。因此，優(yōu)選第三層PL3的電極圖案形成為不與這些電極圖案相重合。由此，能防止不需要的信號(hào)經(jīng)由第三層PL3的電極圖案而影響第二層PL2的電極圖案，其結(jié)果能防止開(kāi)關(guān)元件11進(jìn)行誤動(dòng)作。尤其是，由于第六層PL6 第八層PL8的電感器GLtl、GLt2、DLtl、DLt2中流過(guò)大功率發(fā)送信號(hào)，因此優(yōu)選第三層PL3的電極圖案形成為不與第六層PL6 第八層PL8的電極圖案相重合。在重合的情況下，則在它們之間設(shè)置GND (接地)。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，能防止大功率信號(hào)經(jīng)由第三層PL3的電極圖案繞回至開(kāi)關(guān)元件11，防止開(kāi)關(guān)元件11進(jìn)行誤動(dòng)作。如上所述，本實(shí)施方式所涉及的高頻模塊10的結(jié)構(gòu)為對(duì)裝載到高頻模塊10的開(kāi)關(guān)元件11設(shè)置輸出施加了的負(fù)電壓的測(cè)試端子PT，將測(cè)試端子PT與測(cè)試外部端子PTest相連接。由此，能經(jīng)由測(cè)試外部端子PTest來(lái)檢測(cè)出施加到開(kāi)關(guān)元件11的負(fù)電壓的波形，從而在高頻模塊形成后不分解高頻模塊10就能確定高頻模塊10的誤動(dòng)作原因。例如，當(dāng)從外部測(cè)試端子PTest檢測(cè)出的電壓波形異常的情況下，能確定高頻模塊誤動(dòng)作的原因在于開(kāi)關(guān)元件11。另一方面，當(dāng)從外部測(cè)試端子PTest檢測(cè)出的電壓波形正常的情況下，能確定高頻模塊誤動(dòng)作的原因在于開(kāi)關(guān)元件以外的結(jié)構(gòu)(例如，模塊基板內(nèi)的電極圖案的斷路等)。由此，由于能容易確定成為缺陷起因的結(jié)構(gòu)，因此容易改善缺陷。此外，通過(guò)設(shè)置電容器Ct作為旁路電容器，能減少高頻噪聲從外部測(cè)試端子Ptest繞回,減少對(duì)開(kāi)關(guān)元件11的影響。另外，還可代替電容器Ct，在開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT和高頻模塊10的測(cè)試外部端子PTest之間設(shè)置電感器，減少高頻噪聲產(chǎn)生的影響。圖6是表示設(shè)置有電感器的情況下的高頻模塊10的電路結(jié)構(gòu)的框圖。在開(kāi)關(guān)元件11的測(cè)試端子PT和高頻模塊10的測(cè)試外部端子PTest之間，串聯(lián)連接電感器Lt。在該情況下，利用電感器Lt來(lái)進(jìn)行阻止，以使例如從電容器Ct發(fā)生的高頻噪聲不繞回至開(kāi)關(guān)元件11。此外，與利用電容器Ct的情況相比，由于不經(jīng)由GND，因此不存在來(lái)自GND的信號(hào)繞回?？蓪?duì)以上所說(shuō)明的高頻模塊10和開(kāi)關(guān)元件11的具體結(jié)構(gòu)等進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)變更，在上述實(shí)施方式中所記載的作用和效果僅僅是列舉了根據(jù)本發(fā)明所產(chǎn)生的最優(yōu)選的作用和效果，本發(fā)明的作用和效果不限于上述實(shí)施方式所記載的作用和效果。標(biāo)號(hào)說(shuō)明10-高頻模塊11-開(kāi)關(guān)元件 PT-測(cè)試端子PTest-測(cè)試外部端子Ct-電容器Lt-電感器
權(quán)利要求
1.一種高頻模塊，其特征在于，包括 層疊體，該層疊體具有形成有電極圖案的多個(gè)介質(zhì)層；以及 高頻集成電路，該高頻集成電路具備輸出用于本身進(jìn)行動(dòng)作的電壓的電源電路部，且安裝在所述層疊體的表面上， 所述高頻集成電路具有測(cè)試端子，該測(cè)試端子與所述電源電路部相連接，且對(duì)所述電源電路部的電壓進(jìn)行檢查， 所述層疊體具有外部端子，該外部端子設(shè)置在背面上，且向外部輸出信號(hào)， 所述測(cè)試端子與所述外部端子經(jīng)由用所述電極圖案所構(gòu)成的電壓傳輸路徑相連接。
2.如權(quán)利要求I所述的高頻模塊，其特征在于，還包括電容器，該電容器的一端與所述電壓傳輸路徑相連接，另一端接地。
3.如權(quán)利要求I所述的高頻模塊，其特征在于，還包括電感器，該電感器串聯(lián)連接在所述電壓傳輸路徑上。
4.如權(quán)利要求I至3的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，所述高頻集成電路包括至少一個(gè)共用端子和多個(gè)獨(dú)立端子，所述高頻集成電路是對(duì)連接所述共用端子和獨(dú)立端子的路徑進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)元件， 所述層疊體具有多個(gè)通信信號(hào)路徑，該通信信號(hào)路徑經(jīng)由形成在成為所述層疊體本身的表面的最上層上的電極，將所述通信信號(hào)輸出端子與形成在成為所述層疊體本身的背面的最下層的電極進(jìn)行電連接，且該通信信號(hào)路徑形成為在層疊方向上不與所述電壓傳輸路徑相重合。
5.如權(quán)利要求I至3的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，所述高頻集成電路包括至少一個(gè)共用端子和多個(gè)獨(dú)立端子，所述高頻集成電路是對(duì)連接所述共用端子和獨(dú)立端子的路徑進(jìn)行切換的開(kāi)關(guān)元件， 所述層疊體具有形成有接地電極的介質(zhì)層；以及 多個(gè)通信信號(hào)路徑，該通信信號(hào)路徑經(jīng)由形成在成為所述層疊體本身的表面的最上層上的電極，將所述通信信號(hào)輸出端子與形成在成為所述層疊體本身的背面的最下層的電極進(jìn)行電連接， 該通信信號(hào)路徑的至少一部分形成為在層疊方向上和所述電壓傳輸路徑夾著所述接地電極。
全文摘要
本發(fā)明提供高頻模塊，該高頻模塊即使在模塊完成后也能檢查出高頻IC是否按照設(shè)計(jì)那樣的特性來(lái)進(jìn)行動(dòng)作。高頻模塊(10)由層疊體和開(kāi)關(guān)元件(11)進(jìn)行一體成形而形成，其中層疊體具有形成有電極圖案的多個(gè)介質(zhì)層，開(kāi)關(guān)元件(11)具有輸出對(duì)開(kāi)關(guān)元件(11)施加的負(fù)電壓的測(cè)試端子PT，且安裝在層疊體表面上。在層疊體的背面上設(shè)置有外部連接用的測(cè)試外部端子PTest，該測(cè)試外部端子PTest向外部輸出信號(hào)。層疊體具有將測(cè)試端子PT和測(cè)試外部端子Ptest進(jìn)行電連接的電壓傳輸路徑。
文檔編號(hào)H04B1/40GK102684730SQ201210052499
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月14日
發(fā)明者上嶋孝紀(jì) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所