專利名稱：供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理 芯片和數(shù)字麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
數(shù)字麥克風(fēng)是直接輸出數(shù)字脈沖信號的麥克風(fēng)電聲組件。數(shù)字麥克風(fēng)具有抗干擾 能力強(qiáng)、集成度高、易于使用等優(yōu)點，廣泛用于對功耗和體積敏感的便攜式設(shè)備。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包括麥克風(fēng)11和處理 芯片12，處理芯片12可以包括供電模塊121和處理模塊122。其中，麥克風(fēng)11將聲音信號 轉(zhuǎn)化為模擬電信號并發(fā)送給處理芯片12，處理芯片12中的處理模塊122將該模擬電信號放 大并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號輸出。在現(xiàn)有技術(shù)中，供電模塊121通常采用一個低壓差線性穩(wěn)壓器 (LowDropout regulator，以下簡稱LD0)。如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)中LDO的電路示意圖，可 以包括調(diào)整管VT、取樣電阻Rl和R2、以及比較放大器A，對于LDO而言，電源抑制比(Power Supply Rejection Ratio，以下簡稱PSRR)是一個重要的指標(biāo)，PSRR可以描述輸出信號受 電源影響的量，PSRR的絕對值越大，輸出信號受到電源的影響越小。對于處理芯片12而言，供電模塊121的PSRR越高越好，但是當(dāng)供電模塊121采用 一個LDO時，其PSRR仍然較低，現(xiàn)有技術(shù)中還沒有具有更高PSRR的供電模塊的解決方案。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng)，用以 實現(xiàn)提供具有較高PSRR的供電設(shè)備。本實用新型提供一種供電設(shè)備，包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型還提供一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片，包括處理模塊和供電模塊， 所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型還提供一種數(shù)字麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)和處理芯片，所述處理芯片包括 處理模塊和供電模塊，所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。在本實用新型中，供電設(shè)備的PSRR等于各個LDO的PSRR的和，從而實現(xiàn)了提供具 有較高PSRR的供電設(shè)備。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中LDO的電路示意圖；圖3為本實用新型供電設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型供電設(shè)備第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步的描述。供電設(shè)備第一實施例如圖3所示，為本實用新型供電設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包括至少兩 個串聯(lián)連接的LDO 31、32、... 3η，其中，η為大于或等于2的自然數(shù)。各個LDO的結(jié)構(gòu)可以 參見圖2所示電路圖，在此不再贅述。該供電設(shè)備的PSRR通過如下公式計算
權(quán)利要求1.一種供電設(shè)備，其特征在于，包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電設(shè)備，其特征在于，包括三個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn) 壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的供電設(shè)備，其特征在于，所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 PMOS場效應(yīng)管；或者所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管，所述低壓差線性穩(wěn)壓器還包括升 壓電荷泵，連接在所述低壓差線性穩(wěn)壓器的比較放大器和電源之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供電設(shè)備，其特征在于，所述三個低壓差線性穩(wěn)壓器包括第 一低壓差線性穩(wěn)壓器、第二低壓差線性穩(wěn)壓器和第三低壓差線性穩(wěn)壓器，所述第二低壓差 線性穩(wěn)壓器連接在所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器和所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器之間，所述第 一低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為PMOS場效應(yīng)管，所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 NMOS場效應(yīng)管，所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管；所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器的PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的 NMOS場效應(yīng)管的漏極連接，所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的源極與所述第 三低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的漏極連接。
5.一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片，包括處理模塊和供電模塊，其特征在于，所述供電 模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理芯片，其特征在于，所述供電模塊包括三個串聯(lián)連接的 低壓差線性穩(wěn)壓器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理芯片，其特征在于，所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 PMOS場效應(yīng)管；或者所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管，所述低壓差線性穩(wěn)壓器還包括升 壓電荷泵，連接在所述低壓差線性穩(wěn)壓器的比較放大器和電源之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理芯片，其特征在于，所述三個低壓差線性穩(wěn)壓器包括第 一低壓差線性穩(wěn)壓器、第二低壓差線性穩(wěn)壓器和第三低壓差線性穩(wěn)壓器，所述第二低壓差 線性穩(wěn)壓器連接在所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器和所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器之間，所述第 一低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為PMOS場效應(yīng)管，所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 NMOS場效應(yīng)管，所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管；所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器的PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的 NMOS場效應(yīng)管的漏極連接，所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的源極與所述第 三低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的漏極連接。
9.一種數(shù)字麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)和處理芯片，所述處理芯片包括處理模塊和供電模塊， 其特征在于，所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)字麥克風(fēng)，其特征在于，所述供電模塊包括三個串聯(lián)連接 的低壓差線性穩(wěn)壓器。
專利摘要本實用新型涉及一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng)。其中，所述供電設(shè)備包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。所述用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片包括處理模塊和供電模塊，所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。所述數(shù)字麥克風(fēng)包括麥克風(fēng)和處理芯片，所述處理芯片包括處理模塊和供電模塊，所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型可以提供具有較高PSRR的供電設(shè)備。
文檔編號H04R3/00GK201854390SQ20102056284
公開日2011年6月1日 申請日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者曹靖, 王建庭, 王文靜, 白蓉蓉, 菅端端 申請人:北京昆騰微電子有限公司