專利名稱：固體攝像元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固體攝像元件。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的CMOS成像傳感器中，在半導(dǎo)體基板表面部上形成有呈矩陣狀的多個(gè)作為像 素的光電變換部(光電二極管)，使光通過(guò)配線層間照射(入射)到光電二極管來(lái)對(duì)光進(jìn) 行檢測(cè)。但是由于配線層的存在，光電二極管的相對(duì)光入射面的開口尺寸受到限制，因此 隨著像素間距的微小化，難以得到充分的入射光的利用效率。
提出了一種在配線層上以像素單位設(shè)置微小的透鏡(顯微透鏡)，從而通過(guò)配線層的 開口部將光聚集在光電二極管，以提高感度的技術(shù)。但是，隨著半導(dǎo)體器件的高集成化， 微細(xì)化，即使使用顯微透鏡也難以得到充分的感度。
為了解決這些問(wèn)題，提出一種通過(guò)從背面?zhèn)?配線層的相反側(cè))對(duì)光電二極管照射光， 從而不受到配線層等存在的影響，使得實(shí)際開口率增大并得到高感度的背面照射型結(jié)構(gòu)的 圖像傳感器的方案(例如，參考專利文獻(xiàn)l)
透過(guò)令特定波長(zhǎng)的光通過(guò)的濾色器的光入射到光電二極管。濾色器將例如R (紅色)、 G (綠色)、B (藍(lán)色)三種顏色作為一組。長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅色光線相比短波長(zhǎng)的藍(lán)色光線，在 單結(jié)晶硅的吸收系數(shù)要小，侵入長(zhǎng)度長(zhǎng)。因此，未被紅色用像素吸收的光到達(dá)綠色像素和 藍(lán)色像素，從而賦予錯(cuò)誤的顏色信號(hào)，即產(chǎn)生混色的問(wèn)題。
混色容易發(fā)生在入射到像素的光的入射角為大的像素矩陣區(qū)域的周邊部。在開口率 大，可從像素整面吸收入射光的背面照射型結(jié)構(gòu)中，混色更加被強(qiáng)調(diào)。又，在背面照射型 結(jié)構(gòu)中，反射光從位于光電二極管下方的配線層入射到鄰接像素，也有造成混色的可能。
這樣，如上所述，現(xiàn)有的背面照射型結(jié)構(gòu)的圖像傳感器，具有容易發(fā)生混色的問(wèn)題。 (專利文獻(xiàn)1 〕日本特開2005-322745號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題本發(fā)明的目的在于提供一種能防止混色發(fā)生，得到高畫質(zhì)的圖像，并能夠?qū)?yīng)在像素 周邊部具有更大的入射角的光學(xué)系統(tǒng)的固體攝像元件。 解決問(wèn)題的手段
本發(fā)明的一個(gè)方面的固體攝像元件，包括將從基板的第一面入射的光變換為信號(hào)電 荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部；形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊?、讀取由 所述光電變換部蓄積的信號(hào)電荷的晶體管；貼合在所述基板的所述第二面上的支承基板； 以及形成在所述基板的所述第一面上的防反射膜；所述基板的所述第一面含有曲面或相對(duì) 于所述第二面呈規(guī)定角度的傾斜面。
本發(fā)明的另一個(gè)方面的固體攝像元件，包括將從基板的第一面入射的光變換為信號(hào) 電荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部；形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊?、讀取 由所述光電變換部蓄積的信號(hào)電荷的晶體管；貼合在所述基板的所述第二面上的支承基 板；形成在所述基板的所述第一面上的防反射膜；形成在所述防反射膜上的透明平坦化膜； 和形成在所述透明平坦化膜上的濾色器；形成在所述濾色器上的、由透明樹脂構(gòu)成的、表 面形狀包含凸形狀和凹形狀的聚光部。
根據(jù)本發(fā)明，可防止混色發(fā)生，得到高畫質(zhì)的圖像，且能夠?qū)?yīng)在像素周邊部具有更 大的入射角的光學(xué)系統(tǒng)。


圖1是顯示本發(fā)明實(shí)施例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。
圖2是顯示該實(shí)施例的固體攝像元件的像素區(qū)域的示意圖。
圖3是顯示入射光的折射的圖。
圖4是顯示入射角和折射角的一例的圖。
圖5是說(shuō)明本實(shí)施例的固體攝像元件的制造方法的過(guò)程截面圖。
圖6是承接圖5的過(guò)程截面圖。
圖7是承接圖6的過(guò)程截面圖。
圖8是承接圖7的過(guò)程截面圖。
圖9是承接圖8的過(guò)程截面圖。
圖IO是變化例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。
圖11是變化例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。
圖12是變化例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。圖13是變化例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。 圖14是變化例的固體攝像元件的示意性結(jié)構(gòu)圖。
符號(hào)說(shuō)明
0像素區(qū)域
1成像光學(xué)系統(tǒng)
7 SOI基板
8硅基板
9硅氧化膜
10基板(硅層)
11單位像素
12層間絕緣膜
13配線層
14多層配線層
15支承基板
16遮蔽層
17防反射膜
18透明平坦化膜
30抗蝕劑
40聚光部
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的固體攝像元件進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明的實(shí)施例涉及的固體攝像元件的縱截面圖。本實(shí)施例的固體攝像元件為 背面照射型CMOS固體攝像元件。
固體攝像元件在例如作為硅半導(dǎo)體基板的基板10上呈矩陣狀地形成有多個(gè)單元像素 11，所述單位像素11具有作為受光部的光電二極管PD和作為對(duì)該光電二極管PD的信號(hào) 電荷進(jìn)行讀取、增幅、重設(shè)等的部件的多個(gè)MOS晶體管Tr。
此處對(duì)如圖2所示來(lái)自成像光學(xué)系統(tǒng)1的光L的入射角大的像素區(qū)域O的周邊部P 中的像素進(jìn)行說(shuō)明?；?0的表面(第二面)側(cè)形成有介于層間絕緣層膜12具有多層配線13的多層配 線層14。進(jìn)一步的，為了保持配線層14上固體攝像元件的機(jī)械強(qiáng)度，貼合有支承基板15， 例如硅基板。
基板IO (光電二極管PD)的背面(第一面)側(cè)具有與基板10的表面(第二面)平行 的區(qū)域A1，和相對(duì)基板10的表面呈e角度的區(qū)域A2。區(qū)域A1在像素區(qū)域的中心側(cè)，區(qū) 域A2在像素區(qū)域的周邊側(cè)。
在基板10的背面部形成有遮蔽層16，在遮蔽層16的背面形成有例如由硅氧化膜形成 的防反射膜17和透明平坦化膜18。遮蔽層16為p+不純物層。防反射膜17可以是硅氧化 膜和硅氮化膜的多層膜。透明平坦化膜18為透明樹脂狀物質(zhì)，最好是透過(guò)率極高的材料。
遮蔽層16和防反射層17分別具有對(duì)應(yīng)領(lǐng)域Al、 A2的形狀。透明平坦化膜18的表面 (防反射膜17側(cè)的面)形成為與防反射膜17對(duì)應(yīng)的形狀。
透明平坦化膜18的背面?zhèn)刃纬蔀V色器CF。濾色器CF通過(guò)特定波長(zhǎng)的光，例如由R (紅色)、G (綠色)、B (藍(lán)色)形成一組。對(duì)應(yīng)各像素的濾色器CF向像素區(qū)域的中心側(cè) 錯(cuò)開設(shè)置。
下面利用圖3對(duì)入射到這樣的像素的斜光的入射進(jìn)行說(shuō)明。為了說(shuō)明，圖3在圖中上 方向表示固體攝像元件的背面?zhèn)?。又，下面所示的折射率的值為一例?br> 濾色器CF的折射率大約為1.6，透明平坦化膜18的折射率大約為1.5，防反射膜(硅 氧化膜)17的折射率大約為1.46，由于折射率的差別小，因此這些界面的斜入射光L的折 射角小。
一方面，基板(硅)10的折射率為紅色光大約3.97，藍(lán)色光大約5.94，由于和防反射 膜(硅氧化膜)17的折射率的差較大，因此基板10和防反射膜17的界面處的斜入射光L 的折射較大。
又，由于區(qū)域A2相比區(qū)域Al，具有使光的入射角變大的傾斜，因此，A2區(qū)域的在 基板10和防反射膜17的界面折射的斜入射光L在光電二極管PD內(nèi)以相對(duì)基板10表面大 致為垂直的方向行進(jìn)。
例如，如圖4所示，區(qū)域A2相對(duì)基板IO表面呈15°傾斜，當(dāng)區(qū)域A1中光L的入射 角為30°的情況下，區(qū)域A2中在基板10和防反射膜(硅氧化膜)17的界面折射而在光 電二極管PD中行進(jìn)的光的進(jìn)入角度相對(duì)基板IO表面的垂直方向大約為o.r 。
因此，防止在光電二極管PD內(nèi)行進(jìn)的光進(jìn)入相鄰的像素，可抑制混色的發(fā)生。又， 由于濾色器CF向像素區(qū)域的中心側(cè)錯(cuò)開設(shè)置，故防止混色的效果進(jìn)一步提高。這樣的光電二極管PD的背面?zhèn)染哂信c基板表面平行的平面和相對(duì)基板表面傾斜的平 面的固體攝像元件的制造方法對(duì)照?qǐng)D5 圖9進(jìn)行說(shuō)明。
如圖5所示，準(zhǔn)備SOI (Silicon On Insulator)基板7，該基板7在硅基板8上介有硅 氧化膜9而形成硅層10。然后，將離子注入硅層10，形成成為光電二極管PD的不純物層。 成為光電二極管PD的不純物層通過(guò)由n型區(qū)域以及p型區(qū)域形成的pn結(jié)合來(lái)構(gòu)成。
接著，在硅層10上形成對(duì)光電二極管PD所蓄積的信號(hào)電荷進(jìn)行讀取、增幅、重設(shè)等 的晶體管Tr。通過(guò)將具有光電二極管PD和晶體管Tr的單元像素形成為矩陣狀來(lái)形成像素 區(qū)域。
接著，在硅層10上形成有介于層間絕緣膜12具有多層配線13的多層配線層14。晶 體管Tr、多層配線層14可采用公知的CMOS工藝形成。
之后，對(duì)多層配線層14的層間絕緣膜12表面平坦化，貼合支承基板15。
如圖6所示，將基板上下反轉(zhuǎn)，通過(guò)機(jī)械研削以及對(duì)于硅氧化膜進(jìn)行有選擇的濕法蝕 刻去除硅基板8，再進(jìn)一步通過(guò)濕法蝕刻去除硅氧化膜9，露出硅層10的背面。
如圖7所示，硅層10的背面上形成抗蝕劑30，利用灰階掩膜(夕'^ 4 ^少一 A "v ^ 夕)對(duì)圖形進(jìn)行曝光，對(duì)于各單位像素形成具有平行于硅層10背面的區(qū)域al和有斜率的 區(qū)域a2的抗蝕圖形。區(qū)域al位于像素區(qū)域的中心側(cè)，區(qū)域a2位于像素區(qū)域的周邊側(cè)。
灰階掩膜是配置有多個(gè)微小的開口圖形，并根據(jù)開口部分和遮光部分的面積比調(diào)整光 透過(guò)率的面積灰度型(面積階調(diào)夕< 7')掩膜。
如圖8所示，通過(guò)各向異性干法蝕刻將抗蝕形狀轉(zhuǎn)印到硅層10。通過(guò)這樣，光電二極 管PD的背面形成與硅層10的表面平行的區(qū)域Al，和相對(duì)硅層10表面具有斜率的區(qū)域 A2。
如圖9所示，注入p型不純物形成遮蔽層16。然后，在硅層10的背面(光入射面) 上形成氧化硅膜17、透明平坦化膜18和濾色器CF。濾色器CF向像素區(qū)域的中心側(cè)錯(cuò)開 形成。硅氧化膜17是用于防止入射光反射的，也可與硅氮化膜一起形成多層結(jié)構(gòu)。
這樣制成的固體攝像元件，斜入射光通過(guò)在區(qū)域A2的硅氧化膜17和硅層10的界面 的折射以相對(duì)于硅層10大致垂直的方向行進(jìn)。從而防止光入侵到鄰接的像素，抑制混色 的發(fā)生。
這樣，本實(shí)施例的背面照射型固體攝像元件，通過(guò)在光電二極管PD的背面具有相對(duì) 基板(硅層)10的表面平行的區(qū)域A1和光入射角比區(qū)域A1大的傾斜區(qū)域A2，可抑制光 入侵到鄰接的像素，防止混色現(xiàn)象的發(fā)生，提高感度，從而獲取高畫質(zhì)的圖像。在本實(shí)施例的固體攝像元件中，雖然可在濾色器CF上形成微透鏡，但是如果在可通 過(guò)傾斜區(qū)域A2充分控制入射光的行進(jìn)方向的情況下不設(shè)置微透鏡也可得到高畫質(zhì)的圖像。
由于不設(shè)置微透鏡，可省去微透鏡上方的所必要的空氣層，從而實(shí)現(xiàn)固體攝像元件的 小型化和強(qiáng)度提高。
在上述實(shí)施例中，光電二極管PD的背面，雖然具有相對(duì)基板10的表面平行的平面和 具有傾斜度的平面，但是如圖10所示，也可形成具有相對(duì)基板10的表面平行的平面A1 和凸?fàn)畹那鍭3的結(jié)構(gòu)。
在曲面A3的光電二極管PD和防反射膜17的界面處折射的光以大致垂直基板10表 面的方向前進(jìn)，因此可以防止光入侵到鄰接的像素，抑制混色的發(fā)生。
又，光電二極管PD的背面也可如圖11所示，為具有凹狀的曲面A4和凸?fàn)畹那鍭3 的結(jié)構(gòu)。將上述實(shí)施例中與基板10的表面平行的區(qū)域設(shè)為凹狀曲面A4，這樣可進(jìn)一步提 高聚光至像素中心部的聚光效果。
又，也可以如圖12所示，使光電二極管PD的背面不具有相對(duì)于基板10的表面平行 的平面，而是僅由傾斜面A5構(gòu)成。這樣的構(gòu)成也可以如上述的實(shí)施例一樣，能夠防止光 侵入到鄰接的像素，抑制混色的發(fā)生。
圖10 圖12所示的光電二極管PD的背面形狀與上述實(shí)施例相同，可通過(guò)利用灰階 掩膜的抗蝕圖形的形成和各向異性的干法刻蝕進(jìn)行的圖形轉(zhuǎn)印來(lái)形成。
又，圖1所示的區(qū)域A2和圖12所示的傾斜面A5，如圖13所示，可以形成為越是遠(yuǎn) 離像素區(qū)域的中心部，傾斜角e就越大。這是因?yàn)椋绞请x開中心部，相對(duì)基板平面的光 入射角就越大。這樣，對(duì)于各像素形成合適的傾斜角，從而朝向像素中心部的聚光效果進(jìn) 一步提高，可得到更高畫質(zhì)的圖形。
又，如圖14所示，也可將光電二極管PD的背面形狀平坦化，在濾色器CF的背面設(shè) 置具有凹狀的曲面A6和凸?fàn)畹那鍭7的聚光部40。
聚光部40為透明樹脂，可通過(guò)例如壓印法(< > 7， >卜)加工成為這樣的形狀。 凹狀曲面A6為像素區(qū)域中心側(cè)，凸?fàn)钋鍭7為像素區(qū)域周邊側(cè)。
聚光部40對(duì)入射光的像素中心部的聚光效果高，可防止光對(duì)鄰接像素的侵入，抑制 混色的產(chǎn)生。
本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)限于上述公開的實(shí)施例。例如，雖然上述實(shí)施例中使用SOI基板進(jìn)行固 體攝像元件的制作，但是也可采用塊狀("'A夕)單結(jié)晶硅基板制作。此時(shí)，將硅基板的 背面?zhèn)?形成光電二極管和多層配線層的面的相反側(cè))進(jìn)行薄層化直到取得光的厚度的工序，采用的是機(jī)械研磨(夕'，< ^夕')和CMP (化學(xué)機(jī)械研磨)。應(yīng)當(dāng)去除的硅基
板的厚度為幾百um，僅依靠CMP去除的話較為費(fèi)時(shí)，因此首先以機(jī)械研磨進(jìn)行大致的削 除，之后通過(guò)CMP研磨到所希望的厚度。硅基板的薄層化膜厚可以隨著測(cè)定的光的波長(zhǎng) 的不同而不同。
又，也可在相互鄰接的濾色器CF的邊界部設(shè)置利用金屬配線層的金屬反射膜。金屬 反射膜能夠以鈦等反射可見光的材料形成。
又，在上述實(shí)施例中制作抗蝕圖形時(shí)，雖然采用了灰階掩膜進(jìn)行曝光，但是，也可使 用移動(dòng)掩膜曝光法，其是通過(guò)在曝光中移動(dòng)掩膜來(lái)控制抗蝕表面的曝光分布，加工具有自 由曲面的三維結(jié)構(gòu)體的技術(shù)。又，還可以納米壓印法(t0 4 >卜)進(jìn)行抗蝕圖形加工。
本發(fā)明的技術(shù)范圍通過(guò)權(quán)利要求表示，和權(quán)利要求范圍均等的含義和在此范圍內(nèi)的所 有變更都包含于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1. 一種固體攝像元件，其特征在于，所述固體攝像元件包括將從基板的第一面入射的光變換為信號(hào)電荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部；形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊?、讀取由所述光電變換部蓄積的信號(hào)電荷的晶體管；貼合在所述基板的所述第二面上的支承基板；以及形成在所述基板的所述第一面上的防反射膜；所述基板的所述第一面含有曲面或相對(duì)于所述第二面呈規(guī)定角度的傾斜面。
2. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像元件，其特征在于，所述基板的所述第一面含有與 所述第二面平行的平面。
3. 如權(quán)利要求2所述的固體攝像元件，其特征在于，所述基板的所述第一面，在矩 陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)含有所述平面，在與所述中心側(cè)相反的周 邊側(cè)含有所述斜面。
4. 如權(quán)利要求3所述的固體攝像元件，其特征在于，所述傾斜面的法線相對(duì)所述第 二面的法線向所述像素區(qū)域的所述周邊側(cè)傾斜。
5. 如權(quán)利要求4所述的固體攝像元件，其特征在于，與形成在所述像素區(qū)域周邊部 的所述光電變換部對(duì)應(yīng)的所述傾斜面的法線和所述第二面的法線所形成的角度比與形成 在所述像素區(qū)域中心部的所述光電變換部對(duì)應(yīng)的所述傾斜面的法線和所述第二面的法線 形成的角度大。
6. 如權(quán)利要求2所述的固體攝像元件，其特征在于，所述基板的所述第一面，在矩 陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)含有所述平面，在與所述中心側(cè)相反的周 邊側(cè)含有所述曲面。
7. 如權(quán)利要求6所述的固體攝像元件，其特征在于，所述曲面是在與所述第二面相 反的方向?yàn)橥沟耐骨妗?br> 8. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像元件，其特征在于，所述基板的所述第一面含有在 與所述第二面相反的方向?yàn)橥沟耐骨婧蜑榘嫉陌记妗?br> 9. 如權(quán)利要求8所述的固體攝像元件，其特征在于，所述基板的所述第一面在矩陣 狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)含有所述凹曲面，在與所述中心側(cè)相反的周 邊側(cè)含有所述凸曲面。
10. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像元件，其特征在于，所述第一面是由相對(duì)所述第二 面呈規(guī)定角度的傾斜面所構(gòu)成，所述傾斜面的法線相對(duì)所述第二面的法線，朝著與矩陣狀 配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)相反的周邊側(cè)傾斜。
11. 如權(quán)利要求10所述的固體攝像元件，其特征在于，與形成在所述像素區(qū)域的周邊 部的所述光電變換部對(duì)應(yīng)的所述傾斜面的法線和所述第二面的法線所形成的角度比與形 成在所述像素區(qū)域的中心部的所述光電變換部對(duì)應(yīng)的所述傾斜面的法線和所述第二面的 法線所形成的角度大。
12. 如權(quán)利要求1所述的固體攝像元件，其特征在于，進(jìn)一步包括形成在所述防反射膜上的透明平坦化膜，和形成在所述透明平坦化膜上的濾色器，所述濾色器形成為相對(duì) 對(duì)應(yīng)的所述光電變換部向矩陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)錯(cuò)開規(guī)定的 距離。
13. 如權(quán)利要求12所述的固體攝像元件，其特征在于，所述曲面是在與所述第二面相 反的方向?yàn)橥沟耐骨妗?br> 14. 如權(quán)利要求13所述的固體攝像元件，其特征在于，進(jìn)一步具有在所述濾色器上形 成的微透鏡。
15. 如權(quán)利要求12所述的固體攝像元件，其特征在于，所述傾斜面的法線相對(duì)所述第 二面的法線，向與矩陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)相反的周邊側(cè)傾斜。
16. 如權(quán)利要求15所述的固體攝像元件，其特征在于，進(jìn)一步具有形成在所述濾色器上的微透鏡。
17. —種固體攝像元件，其特征在于，包括將從基板的第一面入射的光變換為信號(hào)電荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部；形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊?、讀取由所述光電變換部蓄積的信號(hào)電荷的晶體管；貼合在所述基板的所述第二面上的支承基板； 形成在所述基板的所述第一面上的防反射膜； 形成在所述防反射膜上的透明平坦化膜；和 形成在所述透明平坦化膜上的濾色器；形成在所述濾色器上的、由透明樹脂構(gòu)成的、表面形狀包含凸形狀和凹形狀的聚光部。
18. 如權(quán)利要求17所述的固體攝像元件，其特征在于，所述濾色器形成為相對(duì)對(duì)應(yīng)的 所述光電變換部向矩陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中心側(cè)錯(cuò)開規(guī)定的距離。
19. 如權(quán)利要求18所述的固體攝像元件，其特征在于，所述聚光部的表面形狀是在所 述像素區(qū)域的中心側(cè)為所述凹形狀，在與所述中心側(cè)相反的周邊側(cè)為所述凸形狀。
20. —種固體攝像元件，其特征在于，包括 將從基板的第一面入射的光變換為信號(hào)電荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部； 形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊摹⒆x取由所述光電變換部蓄積的信號(hào)電荷的晶體管；貼合在所述基板的所述第二面上的支承基板； 形成在所述基板的所述第 一面上的防反射膜； 形成在所述防反射膜上的透明平坦化膜； 形成在所述透明平坦化膜上的濾色器；和形成在所述濾色器上的、由透明樹脂構(gòu)成的、表面形狀包含凸形狀和凹形狀的聚 光部，且相對(duì)對(duì)應(yīng)的所述光電變換部向矩陣狀配置有所述光電變換部的像素區(qū)域的中 心側(cè)錯(cuò)開規(guī)定的距離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種固體攝像元件，可防止混色的發(fā)生得到高畫質(zhì)的圖像，且可與像素周邊部的入射角更大的光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)應(yīng)。該固體攝像元件包括將從基板(10)的第一面入射的光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷并進(jìn)行蓄積的光電變換部(PD)，形成在所述基板的與所述第一面相反的第二面?zhèn)鹊模x取由所述光電變換部所蓄積的信號(hào)電荷的晶體管(Tr)，與所述基板的所述第二面貼合的支承基板(15)，和形成在所述基板的所述第一面的防反射膜(17)，且所述基板的所述第一面含有曲面或者與所述第二面呈規(guī)定角度的傾斜面(A2)。
文檔編號(hào)H04N5/335GK101546779SQ20091013018
公開日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月25日
發(fā)明者上野梨紗子, 本多浩大, 舟木英之, 飯?zhí)锪x典 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝