專利名稱：用于集成電路封裝中變壓器的方法和系統的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及信號處理，更具體地說，涉及用于集成電路封裝中變壓器的方 法和系統。
背景技術：
移動通訊技術在一定程度上改變了人們的通訊方式，并且移動電話已經從 奢侈品逐漸轉變?yōu)槿粘Ｉ畋匦杵贰Ｒ苿与娫挼氖褂靡呀洸粫偈艿降攸c以及 技術的限制，而是取決于實際情況。隨著語音通話填補了人們的基本通訊要求， 并且移動語音連接正逐步融入人們生活中，移動通訊革命的下一個時代將會是 移動互聯網時代。移動互聯網正成為人們時常生活信息的重要來源，并且對該 網絡的接入操作也逐漸簡單化、通用化。
隨著適用有線和/或無線通訊技術的電子設備與日俱增，對這些電子設備 能效的提高也顯得愈發(fā)重要。例如，大部分通訊設備都是移動無線設備并且這 些設備都是依靠電池進行供電。因此，這些設備中的發(fā)射和/或接收電路通常 消耗掉了設備的能量的絕大部分。此外，在一些傳統通訊系統中，便攜設備中 的發(fā)射器和/或接收器與設備中的其他模塊相比往往都是低能效的。因此，這 些發(fā)射器和/或接收器會對移動無線設備的電池壽命起到顯著影響。
比較本發(fā)明后續(xù)將要結合附圖介紹的系統，現有技術的其它局限性和弊端 對于本領域的普通技術人員來說是顯而易見的。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種用于集成電路封裝中變壓器的方法和系統，結合至少一 幅附圖進行了充分的展現和描述，并在權利要求中得到了更完整的闡述。 根據本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供一種信號處理方法，包括
3通過與嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器通信連接的天線發(fā)射和/或接收信號，其中，所述多層集成電路封裝連接有一集成電路。
優(yōu)選地，所述方法進一步包括根據所述天線的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置。
優(yōu)選地，所述方法進一步包括根據與所述變壓器通信連接的發(fā)射器的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置。
優(yōu)選地，所述方法進一步包括根據與所述變壓器通信連接的接收器的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置。
優(yōu)選地，所述方法進一步包括根據發(fā)射和/或接收的信號的功率對所述變壓器的繞組比進行配置。
優(yōu)選地，所述方法進一步包括通過一個或多個開關組件對所述變壓器的繞組比進行配置。
優(yōu)選地，所述開關組件包括置于所述多層集成電路封裝內和/或所述多層集成電路封裝上的微機電系統(MEMS)開關。
優(yōu)選地，所述變壓器包括配置在所述多層集成電路封裝內相應多個金屬層上的多個環(huán)路。
優(yōu)選地，所述環(huán)路與所述多層集成電路封裝內的一個或多個導孔通信連接。
優(yōu)選地，在所述多層集成電路封裝內還嵌入有鐵磁性材料。根據本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供一種信號處理系統，包括嵌入在多層集成電路封裝內的變壓器，其中，所述變壓器通過天線發(fā)射和/或接收信號，且所述多層集成電路封裝連接有一集成電路。優(yōu)選地，所述變壓器的繞組比是可配置的。
優(yōu)選地，置于所述多層集成電路封裝內和/或所述多層集成電路封裝上的一個或多個開關組件實現對所述繞組比的配置。
優(yōu)選地，連接至所述多層集成電路封裝的集成電路包括用于對所述變壓器的繞組比進行配置的邏輯器件、電路和/或代碼。
優(yōu)選地，對所述變壓器繞組比的配置是基于與所述變壓器通信連接的發(fā)射
4器的阻抗進行的。
優(yōu)選地，對所述變壓器繞組比的配置是基于與所述變壓器通信連接的接收器的阻抗進行的。
優(yōu)選地，對所述變壓器繞組比的配置是基于發(fā)射和/或接收的信號的功率進行的。
優(yōu)選地，所述變壓器包括配置在所述多層集成電路封裝內相應多個金屬層上的多個環(huán)路。
優(yōu)選地，，所述環(huán)路與所述多層集成電路封裝內的一個或多個導孔通信連接。
優(yōu)選地，在所述多層集成電路封裝內還嵌入有鐵磁性材料。本發(fā)明的各種優(yōu)點、各個方面和創(chuàng)新特征，以及其中所示例的實施例的細節(jié)，將在以下的描述和附圖中進行詳細介紹。


下面將結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中圖1A是本發(fā)明一實施例包含有嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器的混合電路的示意圖1B是本發(fā)明一實施例的具有可配置繞組比的變壓器的結構示意圖；圖2A是本發(fā)明一實施例的包含嵌入式變壓器的多層集成電路封裝的截面
圖2B是本發(fā)明一實施例的嵌入到多層集成電路封裝中的變壓器的俯視
圖3是本發(fā)明一實施例利用可配置變壓器進行信號發(fā)射的步驟流程圖；圖4是本發(fā)明一實施例無線設備的結構框圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的具體實施例涉及用于多層集成電路封裝中變壓器的方法和系統。在本發(fā)明中，通過與嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器相通信連接的天線來發(fā)射和/或接收信號。在本發(fā)明的不同實施例中，變壓器的繞組比可基于天線阻抗、與變壓器通信連接的發(fā)射器阻抗、與變壓器通信連接的接收器阻抗、和/或接收和/或發(fā)射的信號功率進行配置。此外，繞組比的調節(jié)是通過一個或多
個嵌入在多層集成電路封裝內的MEMS開關來實現的。在本發(fā)明的具體實施例中.變壓器可包括配置在所述多層集成電路封裝內相應多個金屬層上的多個環(huán)路，并且所述環(huán)路與所述多層集成電路封裝內的一個或多個導孔通信連接。此外，在所述多層集成電路封裝內還嵌入有鐵磁性材料。
圖1A是本發(fā)明一實施例包含有嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器的混合電路示意圖。如圖1A所示，圖中示出混合電路100 (也叫作混合封裝)，該混合電路包括IC 106以及多層IC封裝104。IC 106與多層IC封裝連接。IC 106包括發(fā)射器423，并且多層IC封裝104包括變壓器112以及天線421。在本發(fā)明的其他不同實施例中，天線421可從混合電路100中分離出來。雖然此處只包含了單個發(fā)射器423，但這并不是對本發(fā)明的限制。因此，使用獨立的發(fā)射器和/或接收器并不脫離本發(fā)明的保護范圍。
IC 106包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼用于執(zhí)行與收發(fā)RF信號有關的一項或多項功能。因此，IC 106可包括圖4中所述系統420的全部或部分。IC 106可利用嵌入在多層集成電路封裝104內的變壓器對RF信號進行發(fā)射和/或接收。因此，變壓器112可以將待發(fā)射的信號從收發(fā)器423傳送到天線421 ，以及將天線421接收到的信號傳送到收發(fā)器423。在本發(fā)明的各種實施例中，變壓器的繞組比是可配置的。因此，IC 106可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于配置變壓器112。例如，對變壓器繞組比的配置可基于發(fā)射和/或接收到的信號功率和/或收發(fā)器423的阻抗和/或天線421的阻抗來進行。
多層IC封裝104可包括一層或多層金屬和/或絕緣材料。就此而言，多層IC封裝104的制造方式與IC 106相類似。因此，所述各層可包括電阻器、電感器、電容器、傳輸線、開關、天線等電路器件。在本發(fā)明具體實施例中，多層IC封裝104中可設有一個或多個開關組件以及一個或多個變壓器。因此，多層IC封裝104內的變壓器112即可通過開關的通斷來實現繞組比的配置。
變壓器112包括兩個或多個繞組以及一個鐵芯。在本發(fā)明的不同實施例中，初級和/或次級繞組中的環(huán)路數都是可配置的。在這種情況下，變壓器112可以實現收發(fā)器423與天線421之間的阻抗匹配。在本發(fā)明的不同實施例中，變壓器112的鐵芯可以是鐵磁性材料。
在發(fā)射操作中，收發(fā)器可包括功率放大器(PA) 108，該功率放大器可以將信號通過變壓器112傳送至天線421。因此，通過對變壓器112繞組比的配置而實現的功率放大器108的負載改變能夠提高功率放大器與天線421之間的阻抗匹配，從而進一步提高傳輸效率。另外.繞組比的改變能夠保持功率放大器10S的輸出信號保持在設定閾值等級。
在接收操作中，收發(fā)器423可包括低噪放大器(LNA) 110，該低噪放大器通過變壓器112從天線421處接收信號。因此，對變壓器繞組比的配置能夠提高收發(fā)器423與天線421之間的阻抗匹配并且提高低噪放大器110的連接或接收信號功率。另外，繞組比的改變能夠保持低噪放大器110的輸入信號保持在設定閾值等級。
圖1B是本發(fā)明一實施例的具有可配置繞組比的變壓器的結構示意圖。如圖1B所示，圖中示出帶端子152a、 152b、 162a以及162b的變壓器112、交換網絡154、第一繞組156、變壓器鐵芯158以及第二繞組160。
端子152a以及152b是第一繞組156的輸入和/或輸出。在本實施例中，端子152a和152b之間的環(huán)路數是可變的。端子162a以及162b是第二繞組160的輸入和/或輸出。在本發(fā)明的具體實施例中，端子162a和162b之間的環(huán)路數則是固定的。
交換網絡154可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于將端子152a以及152b與第一繞組156的一個或多個環(huán)路通信連接。交換網絡154可通過來自圖4中所示處理器425和/或基帶處理器427的一個或多個控制信號進行控制。在本發(fā)明的具體實施例中，交換網絡154中用實線繪出的開關會導致端子152a及152b之間形成三個環(huán)路，而虛線繪出的開關會導致端子152a以及152b之間形成一個環(huán)路。在本發(fā)明的具體實施例中，繞組160包括兩個環(huán)路。因此，繞組比可在3:2到1:2 (第一繞組:第二繞組)之間變化。
變壓器鐵芯518可包括用于將一個繞組產生的磁通進行匯聚以便在另一繞組中產生電流的適當材料。在本發(fā)明的各實施例中，所述鐵芯可以是多層IC封裝104中的鐵磁性材料。
在本發(fā)明的各種實施例中，第一繞組156可以是初級繞組或次級繞組，并且第二繞組160可以是次級繞組或初級繞組。因此，兩個繞組都包含有可變數量的環(huán)路，所述環(huán)路數量可通過一個或多個交換網絡進行改變。
在運行中，控制信號可基于與端子152a、 152b以及162a、 162b相連的阻抗對交換網絡154進行配置。例如，對于端子152a、 152b可能與功率放大器通信連接，而端子162a、 162b可能與天線通信連接。因此，對于高輸出功率(例如功率放大器108)，所述開關如圖中虛線進行配置，若對于低輸出功率(功率放大器108)，所述開關如圖中實線進行配置。因此，功率放大器(例如功率放大器108)的輸出端的電壓擺動將會被保持在安全范圍內，以防止對CMOS電路造成損害。
圖2A是本發(fā)明一實施例的包含嵌入式變壓器的多層集成電路封裝的截面圖。如圖所示，圖中示出混合電路110，該混合電路包括IC 106以及多層IC封裝104。多層IC封裝可包括絕緣材料203、金屬層202、導孔220a、 220b(圖中未示出)、222a、 222b (圖中未示出)、224以及226、 MEMS開關154。因此，在本發(fā)明的不同實施例中，多層IC封裝104可包括一層或多層和/或一個或多個區(qū)域的鐵磁性和/或亞鐵磁性材料。IC 106與多層IC封裝104通過錫球相連，并且多層IC封裝104與PCB (圖中未示出)也通過錫球相連。在多層IC封裝104上還設有表面安裝組件252，并且在IC 106以及多層IC封裝之間夾有熱環(huán)氧樹脂層214。
IC 106如圖1所示。此外，IC 106可以通過錫球(如圖2A中所述錫球208)以凸塊接合或倒裝方式與多層IC封裝104連接。因此，IC 106與多層IC封裝104之間的焊線將不再需要，有效減小和/或消除由焊線導致的不可控雜散電感。此外，IC 106熱導出效率可通過使用錫球208以及熱環(huán)氧樹脂層214顯著提高。熱環(huán)氧樹脂層214為電絕緣材料但可以將IC 106中的熱量導出到熱熔更大的多層IC封裝104中。
錫球208可包括金屬球以實現IC 106和多層IC封裝104之間的電接觸、
8熱接觸以及物理接觸。為了能夠與錫球208相接觸，IC 106需要使用足夠的力 來對金屬球進行一定程度的擠壓，并且需要具有一定的溫度才能具有適當的電 阻性以及物理結合強度。錫球208還可用于提供多層IC封裝104與包含例如 無線系統420的其它部件的印刷電路板之間的電接觸、熱接觸以及物理接觸。 表面安裝組件252可包括離散電路器件，比如電阻器、電容器、電感器以 及二極管。表面安裝組件252可焊接在多層IC封裝104上以相互電連接。在 太^"昍的;K固定施仿il由.名巨Tr封琺iru可w連培審名的夷而右^組你成老
不連接表面安裝組件。
在本發(fā)明實施例中，每個金屬層202為沉積金屬層，用于勾畫出圖1B中 的兩組變壓器繞組156(由環(huán)路156,、 1562以及1563組成)和160(由環(huán)路160j、 1602組成)以及圖4中的天線421。因此，金屬層202的形狀和/或尺寸必須適 應于不同特性的變壓器112和天線421。
在本發(fā)明的具體實施例中，導孔220a、 220b (圖中未示出)、222a、 222b (圖中未示出)可包括金屬和/或其他導電材料，用于將金屬層202相互連接 并與錫球208相連。因此，信號可被傳送至和/或接收自變壓器繞組156及160、 IC 106以及天線421。在本實施例中，導孔220a以及222a與環(huán)路156p 1562 以及1563的正極相連，并且導孔220b以及222b(圖中未示出)則與環(huán)路156。 1562以及1563的負極相連。類似地，導孔224將環(huán)路16(^的負極與環(huán)路1602 的正極相連。
在本發(fā)明的另一實施例中，圖1B所示的交換網絡154可實現為MEMS 開關用于多層IC封裝104中。因此，當在開關端子上存在磁場時，MEMS開 關154便會閉合。因此，每個MEMS開關154都包含有薄導電組件或導電片， 該導電組件或導電片在開關斷開狀態(tài)時懸置于開關端子上方(如圖2中實線所 示)，并且在開關閉合狀態(tài)時與開關端子相連通(如圖2中虛線所示)。因此， 當對端子通電時，會產生將所述導電片吸引至與端子相接觸的吸引力。
在運行中，IC 106以及相聯的多層IC封裝104可用于發(fā)射和/或接收RF 信號。IC 106與嵌入在多層IC封裝104上和/或內的天線421通過嵌入在多層 IC封裝104上和/或內的可配置變壓器進行電連接。變壓器的繞組比可通過交換網絡154進行配置。就此而言，當兩個開關都處于閉合狀態(tài)時，繞組比為 3:2，當其中一個開關處于斷開狀態(tài)時，繞組比為2:2，當兩個開關都處于斷開 狀態(tài)時，繞組比則為1:2。 IC 106中還包含有用于對開關154進行控制的邏輯 器件、電路和/或代碼。在本發(fā)明的不同實施例中，在所述多層IC封裝內還可 集成有額外的器件(電容器、電感器、電阻器)，這并不脫離本發(fā)明的保護范 圍。因此，雖然圖中所示變壓器僅包括5個環(huán)路，本發(fā)明的實施例可包括任意 救畺的仝屬巨、亦n 幾向路、開羊鉑^f生.說龍7^胎離太^昍的〗呈櫨^閨—
圖2B是本發(fā)明一實施例的嵌入到多層集成電路封裝中的變壓器的俯視 圖。如圖所示，圖中示出帶有嵌入式變壓器的多層IC封裝104。就此而言， 圖2B所示實施例可以看作是圖1A、 IB以及2A中所述變壓器112的另一實 施方式。在圖2B中示出但并未在圖2A中示出的組件有端子250、電容器252a、 252b以及252c。
端子250提供有接入繞組156的接頭，以便能夠對繞組施加直流偏壓。因 此，當繞組156接收到平衡(差分)信號時，可以利用施加到繞組156的中心 的直流偏壓。
電容器252a、 252b以及252c是接地的旁路電容，與繞組156的端子152a 以及152b通信連接，并且與繞組160 (圖2A中的天線421在圖2B中未示出) 的正極226通信連接。
圖3是本發(fā)明一實施例利用可配置變壓器進行信號發(fā)射的步驟流程圖。如 圖3所示，流程開始于步驟302，在此步驟中，收發(fā)器423準備開始發(fā)射信號。 流程隨后進入步驟304，在此步驟中，確定信號傳輸的輸出功率。對待發(fā)送信 號強度的確定則是根據傳輸目的地以及傳輸類型來確定的。流程隨后進入步驟 306。
在步驟306中，對收發(fā)器423的功率放大器進行配置。例如，對設備尺寸、 電源電壓、偏置電壓等進行配置以使得所述功率放大器能夠按步驟304中所確 定的功率等級進行信號傳輸。流程隨后進入步驟308。
在步驟308中，對天線421進行配置。此處的天線可以是相控陣列和/或 根據待傳輸的信號具有可配置的形狀、尺寸等。流程隨后進入步驟310。在步驟310中，將收發(fā)器423與天線421通信連接的變壓器112被配置以 改善阻抗匹配度和/或能效。此處，變壓器112的配置可基于功率放大器的輸 出阻抗、天線的輸入阻抗和/或輸出功率來進行。流程隨后進入步驟312。
在步驟312中，待傳送的信號通過變壓器112從功率放大器(位于收發(fā)器
423內)傳送到天線421。
與圖3所述步驟類似的步驟可用于利用嵌入多層IC封裝的變壓器進行信 縣旌iMr
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圖4是本發(fā)明一實施例無線設備的結構框圖。如圖4所示，圖中示出無線 設備420，包括RF收發(fā)器423、數字基帶處理器429、處理器425以及存儲器 427。收發(fā)器423包括接收器423a以及發(fā)射器423b。此外，天線421通過變 壓器112與RF收發(fā)器423通信連接。無線設備420可用于系統中，比如蜂窩 網絡和/或數字視頻廣播網絡中。
在本發(fā)明具體實施例中，天線421可包括通過一個或多個開關組件相連和 /或分離的一個或多個天線組件。因此，所述天線421可基于頻率、偏振態(tài)以 及增益等進行配置。在本發(fā)明的其他具體實施例中，天線421可以是相控陣列 天線。因此，對天線的方向性控制可通過對傳送到天線的信號的相位調整來實 現。
RF接收器423a可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼，用于對接收到 的RF信號進行處理。RF接收器423a可接收多個頻段內的RF信號。例如， RF接收器423a可接收極高頻(60GHz)信號。接收器423a可進行接收、過 濾、放大、下變換和/或模數轉換。RF接收器423a可對接收到的RF信號進行 下變換。因此，RF接收器423a可對接收到的RF信號進行直接下變換以變換 到基帶，或者將接收到的RF信號變換到中頻(IF)。在本發(fā)明的各種實施例 中，接收器423a可進行正交下變換，其中可并行處理同相分量和正交分量。 接收器423a可通過變壓器112接收信號，該變壓器112可進行配置并且提供 接收器423a與天線421之間的阻抗匹配。在本發(fā)明各實施例中，無線設備420 可包括多個接收器423a并且支持多頻帶以及同頻帶信號的同時接收。
數字基帶處理器429可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于對基
ii帶信號進行處理。因此，當發(fā)射器423b存在的情況下，數字基帶處理器429 可對接收自RF接收器423a和/或傳輸到RF發(fā)射器423b的信號進行處理以便 將信號在網絡中進行傳輸。數字基帶處理器429還可基于來自處理過的信號的 RF接 422a以及RF鄉(xiāng)器423h提供控制和7或反饋^g^就此而 言，基帶處理器429可提供一個或多個控制信號以通過一個或多個開關組件來 配置變壓器112。數字基帶處理器429可將來自處理的信號的信息和/或數據傳 送至處理器425和/或存儲器427。此外，數字基帶處理器429可從處理器425 處接收信息和/或將信息存儲到存儲器427中，所述信息經過處理之后會被傳 送至RF發(fā)射器423b以便通過網絡進行傳輸。
RF發(fā)射器423b可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于對RF信號 進行處理以進行傳輸。發(fā)射器423b可通過變壓器112進行信號發(fā)射，其中， 變壓器112為可配置的并且為發(fā)射器423b以及天線421提供合適的阻抗匹配 方式。RF發(fā)射器423b可實現多個頻帶范圍內的RF信號傳輸。例如，RF發(fā) 射器423b可發(fā)射蜂窩頻帶內的信號。RF發(fā)射器支持的每個頻帶都具有相應的 前端電路，該前端電路用于對信號進行放大及上變換操作。因此，當RF發(fā)射 器423b支持一個以上頻帶時，其可稱作多帶發(fā)射器。在本發(fā)明另一實施例中， 無線設備420可包括不止一個的RF發(fā)射器423b，其中每個RF發(fā)射器423b 可以是單帶或多帶發(fā)射器。
處理器425可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于執(zhí)行無線設備 420的控制和/或數據處理操作。處理器425可用于對RF接收器423a、 RF發(fā) 射器423b、數字基帶處理器429和/或存儲器427的至少一部分進行控制。因 此，處理器425可生成至少一個信號來控制無線設備420內的操作。因此，基 帶處理器429可提供一個或多個控制信號以通過一個或多個開關組件配置變 壓器112。處理器425還可執(zhí)行無線設備420的應用程序。例如，處理器425 可執(zhí)行用于對通過無線設備420內的蜂窩傳輸信號接收到的內容進行播放和/ 或互動的應用程序。
存儲器427可包括適當的邏輯器件、電路和/或代碼以用于將無線設備420 使用的數據和/或其他信息進行存儲。例如，存儲器427可對由數字基帶處理
12器429和/或處理器425生成的處理過的數據進行存儲。存儲器427還可存儲 用于對無線設備420內的至少一個模塊進行控制的信息，例如配置信息。例如， 存儲器427可包括用于對變壓器112進行配置的必要信息。因此，存儲器427 可存儲有用于ilii一個或多個開關組件對變ffi41 U2的繞組,行配置的控 制和/或配置信息。
就此而言，可通過與嵌入在多層集成電路封裝(例如104)中的變壓器(例 如112)相通信連接的天線(例如421)來發(fā)射和Z或接收信號。在本發(fā)明的不 同實施例中，變壓器的繞組比可基于天線阻抗、與變壓器通信連接的發(fā)射器 (PA108)阻抗、與變壓器通信連接的接收器(LNA110)阻抗、和/或接收和 /或發(fā)射的信號功率進行配置。此外，繞組比的調節(jié)是通過一個或多個嵌入在 多層集成電路封裝內的開關組件(例如154)來實現，所述開關組件可以是嵌 入在多層IC封裝內的MEMS開關。在本發(fā)明的具體實施例中，變壓器可包括 形成在所述多層集成電路封裝內相應多個金屬層(例如102)上的多個環(huán)路， 并且所述環(huán)路與所述多層集成電路封裝內的一個或多個導孔通信連接。此外， 在所述多層集成電路封裝內還具有鐵磁性和/或亞鐵磁性材料。
本發(fā)明的一個實施例提出了一種機器可讀存儲器，其上存儲有計算機程 序。該程序至少包含一段用于由機器執(zhí)行使得該機器能夠執(zhí)行本申請所述對嵌 入到多層IC封裝中的變壓器進行配置的方法步驟的代碼。
因此，本發(fā)明可應用于硬件、軟件、固件或其各種組合。本發(fā)明可以在至 少一個計算機系統的集中模式下實現，或者在分布式模式下實現，在所述分布 式模式下，不同組件分布在幾個互聯的計算機系統中。采用任何適用于執(zhí)行本 發(fā)明介紹的方法的計算機系統或者其他設備都是合適的。 一種硬件、軟件和固 件的典型組合是具有計算機程序的通用計算機系統，當程序被加載和執(zhí)行時， 控制所述計算機系統以使其執(zhí)行本申請描述的方法。
本發(fā)明還可以嵌入到計算機程序產品內，所述計算機程序包含能夠實現本 發(fā)明方法的全部特征，當其安裝到計算機系統中時，通過運行，可以實現本發(fā) 明的方法。本文件中的計算機程序所指的是可以采用任何程序語言、代碼或 符號編寫的一組指令的任何表達式，該指令組使系統具有信息處理能力，以直接實現特定功能，或在進行下述一個或兩個步驟之后實現特定功能a)轉換成 其它語言、編碼或符號；b)以不同的格式再現。然而，本領域技術人員能夠理 解的計算機程序的其它含義也被本發(fā)明所包含。
皿本發(fā)祖是通討幾個，實施例進行^亂本 1技術人員應當鳴 白，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，還可以對本發(fā)明進行各種變換及等同替代。 另外，針對特定情形或具體情況，可以對本發(fā)明做各種修改，而不脫離本發(fā)明 的范圍。因此，本發(fā)明不局限于所公開的具休實施例；面應當包括落入本發(fā)明 權利要求范圍內的全部實施方式。
權利要求
1、一種信號處理方法，其特征在于，所述方法包括通過與嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器通信連接的天線發(fā)射和/或接收信號，其中，所述多層集成電路封裝連接有一集成電路。
2、 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括根據所述天線的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置=
3、 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括根據與所述變壓器通信連接的發(fā)射器的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置。
4、 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括根據與所述變壓器通信連接的接收器的阻抗對所述變壓器的繞組比進行配置。
5、 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括根據發(fā)射和/或接收的信號的功率對所述變壓器的繞組比進行配置。
6、 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括通過一個或多個開關組件對所述變壓器的繞組比進行配置。
7、 一種信號處理系統，其特征在于，所述系統包括嵌入在多層集成電路封裝內的變壓器，其中，所述變壓器通過天線發(fā)射和/或接收信號，且所述多層集成電路封裝連接有一集成電路。
8、 根據權利要求7所述的系統，其特征在于，所述變壓器的繞組比是可配置的。
9、 根據權利要求8所述的系統，其特征在于，置于所述多層集成電路封裝內和/或所述多層集成電路封裝上的一個或多個開關組件實現對所述繞組比的配置。
10、 根據權利要求7所述的系統，其特征在于，連接至所述多層集成電路封裝的集成電路包括用于對所述變壓器的繞組比進行配置的邏輯器件、電路和/或代碼。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于集成電路封裝中變壓器的方法和系統。在本發(fā)明中，通過與嵌入在多層集成電路封裝中的變壓器相通信連接的天線來發(fā)射和/或接收信號。變壓器的繞組比可基于天線阻抗、與變壓器通信連接的發(fā)射器阻抗、與變壓器通信連接的LNA阻抗、和/或接收和/或發(fā)射的信號功率進行配置。此外，繞組比的調節(jié)是通過一個或多個嵌入在多層集成電路封裝內的開關組件來實現的，所述開關組件可以是MEMS開關。變壓器可包括配置在所述多層集成電路封裝內相應多個金屬層上的多個環(huán)路，并且所述環(huán)路與所述多層集成電路封裝內的一個或多個導孔通信連接。此外，所述多層集成電路封裝內還具有鐵磁性材料。
文檔編號H04B1/38GK101459439SQ20081018716
公開日2009年6月17日 申請日期2008年12月11日 優(yōu)先權日2007年12月12日
發(fā)明者瑪雅姆·羅弗戈蘭, 阿瑪德·雷茲·羅弗戈蘭 申請人:美國博通公司