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低相噪彈載抗振頻率合成器的制造方法

文檔序號(hào):10771824閱讀:531來(lái)源:國(guó)知局
低相噪彈載抗振頻率合成器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種低相噪彈載抗振頻率合成器。其目的是為了提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、減振性能好、散熱好的抗振頻率合成器。本實(shí)用新型包括底板、頻率器件和晶體振蕩器,底板頂端的中間位置通過(guò)螺栓固定安裝有晶體振蕩器,底板與晶體振蕩器之間設(shè)置有隔熱墊,底板頂端的邊緣位置設(shè)置有多個(gè)散熱翅片,散熱翅片分別位于晶體振蕩器的兩側(cè)位置。底板頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有減振墊,在工作過(guò)程中各減振墊能夠?qū)w振蕩器起到減振作用,從而保證晶體振蕩器正常工作。底板底端固定安裝有頻率器件。
【專利說(shuō)明】
低相噪彈載抗振頻率合成器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備隔振緩沖裝置技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種低相噪彈載抗振頻率合成器。
【背景技術(shù)】
[0002]頻率合成器是微波電子設(shè)備中的重要部件,同時(shí)又是振動(dòng)敏感器件,其指標(biāo)會(huì)受使用環(huán)境中振動(dòng)影響顯著惡化,從而影響系統(tǒng)性能。頻率合成器中使用的晶體振蕩器由于其特有的壓一頻效應(yīng)使其成為合成器中對(duì)振動(dòng)最敏感部件。在隨機(jī)振動(dòng)條件下,晶振相位噪聲幾乎與其靜態(tài)相位噪聲無(wú)關(guān),晶振的這種特性限制了它的使用環(huán)境,對(duì)于彈載平臺(tái)這種強(qiáng)振動(dòng)無(wú)法避免的環(huán)境,晶振及頻率器件的組合安裝一直是本領(lǐng)域的技術(shù)難題。另外,由于頻率器件在工作過(guò)程中發(fā)熱量較大,而晶振需要盡量保持在恒溫環(huán)境下進(jìn)行工作,溫度條件也是影響晶振與頻率器件的組合正常工作的重要因素。授權(quán)公告號(hào)CN202759411U公開(kāi)的一種恒溫晶振的減震結(jié)構(gòu),在各聯(lián)接點(diǎn)處設(shè)置有減震墊,但并未進(jìn)行任何額外的散熱處理。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、減振性能好、散熱好的低相噪彈載抗振頻率合成器。
[0004]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,包括底板、頻率器件和晶體振蕩器,底板頂端安裝有晶體振蕩器,底板與晶體振蕩器之間設(shè)置有隔熱墊,底板頂端的邊緣位置設(shè)置有多個(gè)散熱翅片,底板頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有減振墊,底板底端固定安裝有頻率器件。
[0005]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,其中所述散熱翅片分別位于晶體振蕩器的兩側(cè)位置。
[0006]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,其中所述減振墊頂部的中間位置設(shè)置有圓環(huán)形凸筋。
[0007]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,其中所述減振墊的材質(zhì)為橡膠,隔熱墊的材質(zhì)為聚氨酯,晶體振蕩器為恒溫晶體振蕩器。
[0008]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,其中所述頻率器件采用型號(hào)為TORO-Cl-14.5的取樣鎖相環(huán)。
[0009]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器與現(xiàn)有技術(shù)不同之處在于:本實(shí)用新型晶體振蕩器和頻率器件分別安裝在底板兩側(cè),底板與晶體振蕩器之間設(shè)置有隔熱墊,能夠?qū)︻l率器件發(fā)出的熱量進(jìn)行阻隔,避免頻率器件發(fā)熱過(guò)多而對(duì)晶體振蕩器的正常工作造成影響,同時(shí)隔熱墊還能夠阻隔晶體振蕩器的散熱渠道,有助于晶體振蕩器自身保持恒溫狀態(tài)。晶體振蕩器的兩側(cè)設(shè)置有散熱翅片,不僅能夠?qū)︻l率器件進(jìn)行散熱,而且有助于晶體振蕩器周圍熱量的對(duì)外發(fā)散,進(jìn)一步保證了晶體振蕩器能夠在恒溫環(huán)境下進(jìn)行工作。底板頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有減振墊,減振墊采用橡膠材質(zhì),阻尼小、減振效率高,減振墊的中間位置設(shè)置有圓環(huán)形凸筋,能有效吸收頻率較高的振動(dòng)并能承受沖擊力,使晶體振蕩器能夠在振動(dòng)的條件下正常工作。
[0010]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器作進(jìn)一步說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0011 ]圖1為本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所示,為本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器的立體圖,包括底板1、頻率器件3和晶體振蕩器2,底板I頂端的中間位置通過(guò)螺栓固定安裝有晶體振蕩器2,底板I與晶體振蕩器2之間設(shè)置有隔熱墊5,底板I頂端的邊緣位置設(shè)置有多個(gè)散熱翅片6,散熱翅片6分別位于晶體振蕩器2的兩側(cè)。底板I頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有矩形減振墊4,減振墊4頂部的中間位置設(shè)置有圓環(huán)形凸筋7,在工作過(guò)程中各減振墊4能夠?qū)w振蕩器2起到減振作用,從而保證晶體振蕩器2正常工作。底板I底端固定安裝有頻率器件3。
[0013]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中所采用的減振墊4為橡膠減振墊,隔熱墊5為聚氨酯材質(zhì),晶體振蕩器2為恒溫晶體振蕩器,晶體振蕩器2的型號(hào)為PF0C7-0009。
[0014]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中所采用的頻率器件3為取樣鎖相環(huán),型號(hào)為PDRO-Cl-14.5ο
[0015]本實(shí)用新型低相噪彈載抗振頻率合成器,晶體振蕩器2和頻率器件3分別安裝在底板I兩側(cè),底板I與晶體振蕩器2之間設(shè)置有隔熱墊5,能夠?qū)︻l率器件3發(fā)出的熱量進(jìn)行阻隔,避免頻率器件3發(fā)熱過(guò)多而對(duì)晶體振蕩器2的正常工作造成影響,同時(shí)隔熱墊5還能夠阻隔晶體振蕩器2的散熱渠道,有助于晶體振蕩器2自身保持恒溫狀態(tài)。晶體振蕩器2的兩側(cè)設(shè)置有散熱翅片6,不僅能夠?qū)︻l率器件3進(jìn)行散熱,而且有助于晶體振蕩器2周圍熱量的對(duì)外發(fā)散,進(jìn)一步保證了晶體振蕩器2能夠在恒溫環(huán)境下進(jìn)行工作。底板I頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有減振墊4,減振墊4采用橡膠材質(zhì),阻尼小、減振效率高,減振墊4的中間位置設(shè)置有圓環(huán)形凸筋7,能有效吸收頻率較高的振動(dòng)并能承受沖擊力,使晶體振蕩器2能夠在振動(dòng)的條件下正常工作。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、減振性能好、散熱好,與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。
[0016]以上所述的實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述,并非對(duì)本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定,在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)精神的前提下,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn),均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低相噪彈載抗振頻率合成器,其特征在于:包括底板(I)、頻率器件(3)和晶體振蕩器(2),底板(I)頂端安裝有晶體振蕩器(2),底板(I)與晶體振蕩器(2)之間設(shè)置有隔熱墊(5),底板(I)頂端的邊緣位置設(shè)置有多個(gè)散熱翅片(6),底板(I)頂端的四個(gè)頂角處分別安裝有減振墊(4),底板(I)底端固定安裝有頻率器件(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低相噪彈載抗振頻率合成器,其特征在于:所述散熱翅片(6)分別位于晶體振蕩器(2)的兩側(cè)位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低相噪彈載抗振頻率合成器,其特征在于:所述減振墊(4)頂部的中間位置設(shè)置有圓環(huán)形凸筋(7)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低相噪彈載抗振頻率合成器,其特征在于:所述減振墊(4)的材質(zhì)為橡膠,隔熱墊(5)的材質(zhì)為聚氨酯,晶體振蕩器(2)為恒溫晶體振蕩器。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低相噪彈載抗振頻率合成器,其特征在于:所述頻率器件(3)采用型號(hào)為roRO-Cl-14.5的取樣鎖相環(huán)。
【文檔編號(hào)】H03L7/16GK205453664SQ201620278645
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年4月1日
【發(fā)明人】方立軍, 郭雪鋒, 潘永強(qiáng), 殷立偉, 吉宗海
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所
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