f的差(Vdd-Vref)大于或等于閾值電壓時(shí)，即電源電壓VDD大于或等于3*VTHPJ#，第六PMOS管M6導(dǎo)通，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極的連接處的電壓近似等于電源電壓VDD，施密特觸發(fā)器Dl生成并輸出邏輯I，復(fù)位結(jié)束。
[0028]由上述可知，在本實(shí)例中，在電路正常工作時(shí)，第一偏置電流和第二偏置電流均需保證使電路模塊中的MOS管導(dǎo)通即可，所以第一偏置電流和第二偏置電流均比較小，所以電路整體的工作電流可以很小，實(shí)際應(yīng)用中，甚至可以達(dá)到PA級，可以實(shí)現(xiàn)低功耗。
[0029]再參見圖2所示的示意圖，第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓為VI，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓為V2。如圖3所示，為本實(shí)用新型通斷電檢測復(fù)位電路第二實(shí)施例中不同電壓的曲線圖，粗實(shí)線為電源電壓VDD，細(xì)實(shí)線為參考電壓Vref，短線狀虛線為第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓VI，點(diǎn)狀虛線為第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2，左邊的陰影部分表示電源通電，中間的陰影部分表示電源斷電，右邊的陰影部分表示過沖現(xiàn)象。第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓Vl隨著電源電壓VDD的變化而變化，但是始終低于電源電壓VDD，在電源電壓VDD降至OV時(shí)，第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓Vl就會出現(xiàn)前述的過沖現(xiàn)象，通過第三NMOS管M3的保護(hù)作用使得第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓Vl回升到OV附近。在通電檢測過程中，隨著電源電壓VDD的增大，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2在達(dá)到3*VTHP1之前近似為0V，第六PMOS管M6關(guān)閉，電路復(fù)位，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2在tl瞬間達(dá)到3*VTHP1，之后隨著電源電壓VDD的繼續(xù)增大，第六PMOS管M6導(dǎo)通，電路復(fù)位結(jié)束，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2最終近似等于電源電壓VDD ;在斷電檢測過程中，隨著電源電壓VDD的下降，第六PMOS管M6的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2也隨著下降，并在t2時(shí)間達(dá)到3*VTHP1，之后第六PMOS管M6關(guān)閉，由于第二偏置電流與第六PMOS管M6的阻抗的作用，第六PMOS管的漏極與第七NMOS管M7的漏極連接處的電壓V2瞬間降低接近0V，則施密特觸發(fā)器Dl輸出復(fù)位信號邏輯O。參考電壓Vref在通電過程隨著逐漸增大的第一 PMOS管Ml的柵極與漏極短接處的電壓Vl在tl之前建立起來，并保持在一定的值不變，在t2之后逐漸降低至0V。
[0030]最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種通斷電檢測復(fù)位電路，其特征在于，包括: 偏置電路模塊，用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流，生成第一偏置電流和第二偏置電流； 參考電壓模塊，用于根據(jù)所述第一偏置電流，生成參考電壓； 比較電路模塊，用于根據(jù)所述第二偏置電流，生成閾值電壓，根據(jù)所述閾值電壓比較電源電壓與所述參考電壓，根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電； 復(fù)位信號生成模塊，用于當(dāng)判斷所述電源發(fā)生斷電或通電時(shí)，生成復(fù)位信號，輸出所述復(fù)位信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較電路模塊用于將所述第二偏置電流施加在場效應(yīng)晶體管上，生成所述閾值電壓，將所述電源電壓與所述參考電壓之間的差與所述閾值電壓進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果，判斷所述電源是否發(fā)生斷電或通電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述偏置電路模塊包括所述可調(diào)電流源、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，所述可調(diào)電流源的正極與地連接，所述可調(diào)電流源的負(fù)極與所述第一 PMOS管的漏極連接，所述第一 PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極均與所述電源連接，所述第一 PMOS管的柵極與漏極短接并與所述第二 PMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的柵極、源極均與所述地連接，所述第四NMOS管的源極與所述地連接，所述第四NMOS管的柵極與漏極短接； 所述第一 PMOS管根據(jù)所述可調(diào)電流源提供的電流，向所述參考電壓模塊傳遞所述第一偏置電流；所述第二 PMOS管根據(jù)所述可調(diào)電流源提供的電流，向所述第四NMOS管傳遞所述第二偏置電流；所述第四NMOS管向所述比較電路模塊傳遞所述第二偏置電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述參考電壓模塊用于將所述第一偏置電流施加在場效應(yīng)晶體管上，生成所述參考電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述參考電壓模塊包括第五PMOS管、參考電壓生成單元，所述第五PMOS管的源極與所述電源連接，所述第五PMOS管的柵極與所述第一 PMOS管的柵極與漏極短接處連接，所述第五PMOS管的漏極與所述參考電壓生成單元連接，所述參考電壓生成單元與所述地連接； 所述第五PMOS管與所述第一 PMOS管組成鏡像電流源為所述參考電壓生成單元提供所述第一偏置電流； 所述參考電壓生成單元包括所述場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管根據(jù)所述第一偏置電流生成所述參考電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述場效應(yīng)晶體管為I個(gè)MOS管或串聯(lián)連接的兩個(gè)以上MOS管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述比較電路模塊包括第六PMOS管、第七NMOS管，所述第六PMOS管的源極與所述電源連接，所述第六PMOS管的柵極與所述第五PMOS管的漏極連接，所述第六PMOS管的漏極與所述第七NMOS管的漏極連接并與所述復(fù)位信號生成模塊連接，所述第七NMOS管的柵極與所述第二 PMOS管的柵極連接，所述第七NMOS管的源極與所述地連接； 所述第七NMOS管與所述第四NMOS管組成鏡像電流源為所述第六PMOS管提供所述第二偏置電流； 當(dāng)所述電源電壓與所述參考電壓的差小于所述閾值電壓時(shí)，所述第六PMOS管關(guān)閉，在所述第二偏置電流與所述第六PMOS管的阻抗的作用下所述第六PMOS管的漏極與所述第七NMOS管的漏極的連接處的電壓為零，所述電源發(fā)生斷電或通電； 當(dāng)所述電源電壓與所述參考電壓的差大于或等于所述閾值電壓時(shí)，所述第六PMOS管處于導(dǎo)通，在所述第二偏置電流與所述第六PMOS管的導(dǎo)通電阻作用下所述第六PMOS管的漏極與所述第七NMOS管的漏極的連接處的電壓等于所述電源電壓，所述電源正常。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，所述復(fù)位信號生成模塊具體為施密特觸發(fā)器，所述第六PMOS管的漏極與所述第七NMOS管的漏極連接并與所述施密特觸發(fā)器連接; 當(dāng)所述電源發(fā)生斷電或通電時(shí)，所述施密特觸發(fā)器生成并輸出復(fù)位信號；當(dāng)所述電源正常時(shí)，所述施密特觸發(fā)器輸出表示所述電源正常的信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述通斷電檢測復(fù)位電路還包括驅(qū)動電路模塊，所述驅(qū)動電路模塊與所述復(fù)位信號生成模塊連接，用于根據(jù)所述復(fù)位信號驅(qū)動后續(xù)電路。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種通斷電檢測復(fù)位電路。所述電路包括：偏置電路模塊，用于根據(jù)可調(diào)電流源提供的電流，生成第一偏置電流和第二偏置電流；參考電壓模塊，用于根據(jù)所述第一偏置電流，生成參考電壓；比較電路模塊，用于根據(jù)所述第二偏置電流，生成閾值電壓，根據(jù)所述閾值電壓比較電源電壓與所述參考電壓，根據(jù)比較結(jié)果判斷電源是否發(fā)生斷電或通電；復(fù)位信號生成模塊，用于當(dāng)判斷所述電源發(fā)生斷電或通電時(shí)，生成復(fù)位信號，輸出所述復(fù)位信號。本實(shí)用新型用以實(shí)現(xiàn)對電路中斷電和通電的檢測復(fù)位，電路簡單，實(shí)現(xiàn)靈活，功耗低。
【IPC分類】H03K17-22
【公開號】CN204425299
【申請?zhí)枴緾N201520016616
【發(fā)明人】劉興強(qiáng), 金銳
【申請人】昆騰微電子股份有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2015年1月9日