體聲波諧振器及其制造方法
【專利摘要】提供一種體聲波諧振器及其制造方法。在示例中，提供了一種體聲波諧振器，所述體聲波諧振器包括：基板；諧振部，包括層壓在基板的上表面上的第一電極、壓電層和第二電極；蓋子，通過粘結(jié)劑結(jié)合到基板上；密封層，形成在粘結(jié)劑的暴露在外的表面上。這一結(jié)構(gòu)提供了一種具有提高的可靠性的體聲波諧振器。
【專利說明】體聲波諧振器及其制造方法
[0001 ] 本申請要求于2015年4月23日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0057503號韓國專利申請和于2015年6月10日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0082073號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其全部公開內(nèi)容通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]下面的描述涉及一種體聲波諧振器。下面的描述還涉及一種制造這樣的體聲波諧振器的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著移動通信裝置及其它相關(guān)的便攜式電子裝置最近的快速發(fā)展，對于被用于為這樣的通信裝置的提供功能的緊湊且輕量的濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器及其它組件的需求也增加了。
[0004]作為用于實現(xiàn)緊湊且輕量的濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器等的裝置，薄膜體聲波諧振器(FBAR)已經(jīng)被使用。這樣的FBAR具有的優(yōu)勢在于:其可以以小成本進(jìn)行大量生產(chǎn)，并且可以實現(xiàn)超小型化。此外，這樣的FBAR具有的優(yōu)勢還在于:其可允許實現(xiàn)高值品質(zhì)因數(shù)Q(濾波器的主要性能性質(zhì))。這樣的FBAR可在與個人通信系統(tǒng)(PCS，personal communicat1ns system)和數(shù)字無繩系統(tǒng)(DCS，digital cordless system)的頻段水平相當(dāng)?shù)乃缴喜僮鳌?br>[0005]通常，F(xiàn)BAR具有包括通過在基板上按順序?qū)訅旱谝浑姌O、壓電層和第二電極而形成的諧振部的結(jié)構(gòu)。
[0006]進(jìn)一步描述這樣的FBAR的工作原理。首先，當(dāng)通過向第一電極和第二電極施加電能而在壓電層中產(chǎn)生電場時，電場使壓電層中產(chǎn)生壓電現(xiàn)象。這樣的壓電現(xiàn)象使諧振部沿著預(yù)定的方向振動。因此，在與振動部的振動方向相同的方向上產(chǎn)生體聲波，從而產(chǎn)生諧振現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以通過簡化形式介紹在下面的【具體實施方式】中進(jìn)一步描述的發(fā)明構(gòu)思的選擇。本
【發(fā)明內(nèi)容】
并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用作幫助確定所要求保護(hù)主題的范圍。
[0008]本公開的方面可提供一種能夠防止水分滲透進(jìn)入體聲波諧振器中的體聲波諧振器。
[0009]在一總的方面中，一種體聲波諧振器包括:基板;諧振部，包括層壓在基板的上表面上的第一電極、壓電層和第二電極;蓋子，通過粘結(jié)劑結(jié)合到基板上;密封層，形成在粘結(jié)劑的暴露在外的表面上。
[0010]所述體聲波諧振器還可包括:通孔，沿著基板的厚度方向穿透基板;連接導(dǎo)體，形成在通孔的內(nèi)表面并延伸至基板的下表面。
[0011]所述密封層和連接導(dǎo)體可由鈦(Ti)-銅(Cu)合金形成。
[0012]所述體聲波諧振器還可包括:外電極，形成在位于基板的下表面上的連接導(dǎo)體上。
[0013]所述密封層和外電極可由雙層的金(Au)-鎳(Ni)金屬形成。
[0014]鎳(Ni)和金(Au)可在雙層的金(Au)-鎳(Ni)金屬中順序地層壓。
[0015]在所述雙層的金(Au)-鎳(Ni)金屬中，鎳(Ni)的金屬層的厚度可以是大于金(Au)的金屬層的厚度的。
[0016]所述粘結(jié)劑包含銅(Cu)-錫(Sn)合金的共晶材料。
[0017]在另一總的方面中，一種制造體聲波諧振器的方法包括:通過使用粘結(jié)劑將基板晶圓與蓋子晶圓彼此結(jié)合來形成封裝體聲波諧振器，其中，在所述基板晶圓上形成有單元基板，在所述蓋子晶圓上形成有單元蓋子;通過對所述封裝體聲波諧振器的邊緣進(jìn)行切割來產(chǎn)生單獨(dú)的體聲波諧振器;在所述單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面上形成密封層。
[0018]在所述體聲波諧振器的產(chǎn)生期間，封裝體聲波諧振器的邊緣可以是半切割的，并且，在密封層的形成期間，密封層可形成在單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面上。
[0019]在密封層的形成期間，密封層可被形成以對應(yīng)于單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面。
[0020]在密封層的形成期間，密封層可形成在通過所述切割進(jìn)行切割的整個表面上。
[0021 ] 所述方法還可包括:在每個單元基板中形成通孔;形成從通孔的內(nèi)表面延伸至單元基板的下表面的連接導(dǎo)體，其中，連接導(dǎo)體的形成和密封層的形成是同時進(jìn)行的。
[0022]密封層和連接導(dǎo)體可通過對鈦(Ti)-銅(Cu)合金進(jìn)行沉積來形成。
[0023]所述方法還可包括:在位于基板的下表面上的連接導(dǎo)體上形成外電極，其中，外電極的形成和密封層的形成是同時進(jìn)行的。
[0024]外電極和密封層可通過對金(Au)和鎳(Ni)金屬層進(jìn)行順序地沉積來形成。
[0025]在金(Au)和鎳(Ni)金屬層中，鎳(Ni)的金屬層的厚度可以是大于金的金屬層(Au)的厚度的。
[0026]粘結(jié)劑可包含銅(Cu)-錫(Sn)合金的共晶材料。
[0027]根據(jù)下面的【具體實施方式】、附圖和權(quán)利要求，其他特征和方面將變得清楚。
【附圖說明】
[0028]圖1是根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0029]圖2是根據(jù)圖1所示的示例的實際體聲波諧振器的局部放大視圖。
[0030]圖3A至圖3C是根據(jù)示例示出制造體聲波諧振器的過程的示圖。
[0031]圖4A至圖4F是更詳細(xì)地示出在暴露在體聲波諧振器的外面的粘結(jié)劑的表面上形成的密封層的示圖。
[0032]在整個附圖和【具體實施方式】中，相同的附圖標(biāo)號指示相同的元件。附圖可不按比例繪制，并且為了清楚、說明及方便起見，可放大附圖中的元件的相對尺寸、比例和描繪。
【具體實施方式】
[0033]提供下面的【具體實施方式】，以幫助讀者獲得關(guān)于這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面的理解。然而，這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的各種改變、修改及等同物將對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見。這里所描述的操作的順序僅僅是示例，并不限于這里所闡述的，而是除了必須按照特定順序發(fā)生的操作之外，可作出將對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的改變。此外，為了增加清楚性和簡潔性，可省略對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。
[0034]這里所描述的特征可以以不同的形式實施，且不應(yīng)被理解為限于這里所描述的示例。更確切的說，已經(jīng)提供了這里所描述的示例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本公開的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0035]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的實施例。
[0036]圖1是根據(jù)示例的體聲波諧振器的剖視圖。
[0037]參照圖1的示例，根據(jù)示例的體聲波諧振器10為薄膜體聲波諧振器(FBAR)，并且包括基板110、絕緣層120、氣腔112和諧振部135。
[0038]例如，基板110可由典型的硅基板制成。使諧振部135與基板110電絕緣的絕緣層120可形成在基板110的上表面上。例如，絕緣層120通過利用化學(xué)氣相沉積方法、RF磁控濺射方法或者蒸發(fā)法將二氧化硅(S12)或氧化鋁(Al2O3)沉積在基板110上而形成。然而，這些方法只是不例，并且其它方法和工藝可能在其它不例中使用。
[0039]在這樣的示例中，沿基板110的厚度方向穿透基板110的至少一個通孔(viahole)113形成在基板110的下表面。相應(yīng)地，連接導(dǎo)體114形成在通孔113中。在這樣的示例中，連接導(dǎo)體114形成在通孔113的內(nèi)表面(S卩，通孔113的整個內(nèi)壁)上。然而，示例不限定于這一特殊示例，并且其它示例提供連接導(dǎo)體114的布置的特定的適當(dāng)變化。
[0040]在示例中，連接導(dǎo)體114通過在通孔113的內(nèi)表面上形成導(dǎo)電層而制成。例如，連接導(dǎo)體114通過沿著通孔113的內(nèi)部進(jìn)行沉積、涂覆或填充導(dǎo)電金屬(諸如，金(Au)或銅(Cu))而制成。這些只是導(dǎo)電金屬的示例，并且其它適合的金屬或合金在其它示例中被使用。
[0041]作為示例，連接導(dǎo)體114由鈦(Ti)-銅(Cu)合金制成。
[0042]連接導(dǎo)體Π4的一端向基板110的下表面延伸，夕卜電極115布置在基板110的下表面上的連接導(dǎo)體114上。
[0043]這里，外電極115通過對金屬進(jìn)行沉積而形成。在示例中，沉積金屬為雙層的金(Au)-鎳(Ni)材料，而在其它示例中使用其它適合的金屬和合金。例如，所述金屬通過使用無電鍍工藝(electroless plating process)來進(jìn)行沉積。無電鍍(也被稱為化學(xué)鍍(chemical plating)或自催化鍍(auto-catalytic plating))是包含在不使用外部電源的情況下發(fā)生的水溶液中的多個同時反應(yīng)的一種非電鍍方法。這里，在示例中，在雙層的金(Au)-鎳(Ni)材料之中鎳(Ni)的厚度大于金(Au)的厚度。例如，鎳(Ni)的厚度為4μπι，而金(Au)的厚度為0.05μπι。這里，在將鎳(Ni)的金屬層形成在連接導(dǎo)體114上后，再將金(Au)的金屬層形成在鎳(Ni)的金屬層上。
[0044]在該示例中，連接導(dǎo)體114的另一端連接到第一電極140。這里，連接導(dǎo)體114電連接到第一電極140，并穿透基板110和膜130。因此，連接導(dǎo)體114將第一電極140和外電極115彼此電連接。
[0045]圖1僅僅不出了一個通孔113、一個連接導(dǎo)體114和一個外電極115。然而，通孔113、連接導(dǎo)體114和外電極115的數(shù)量不限于一個，并且這些元件的其它情況在其它示例中呈現(xiàn)。例如，在適于給定示例的情況下，設(shè)置大量的通孔113、連接導(dǎo)體114和外電極115。例如，通孔113、連接導(dǎo)體114和外電極115也形成在第二電極160中。
[0046]在該示例中，氣腔112位于絕緣層120之上。此外，氣腔112位于諧振部之下，使得諧振部135能夠沿著預(yù)定方向振動。氣腔112通過以下工藝來形成:在絕緣層120上形成氣腔犧牲層圖案，然后在氣腔犧牲層圖案上形成膜130，隨后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其移除。在這些步驟之后，留下氣腔112。
[0047]在這一示例中，蝕刻停止層(etch stop layer)125進(jìn)一步形成在絕緣層120和氣腔112之間。這里，蝕刻停止層125用于保護(hù)基板110和絕緣層120免受蝕刻工藝的影響，也用作用于在蝕刻停止層125上沉積各種其它層的基底。
[0048]這里，氣腔112通過以下工藝來形成:在絕緣層120上形成氣腔犧牲層圖案，然后在氣腔犧牲層圖案上形成膜130，隨后蝕刻氣腔犧牲層圖案并將其移除。膜130用作氧化保護(hù)層和/或用作保護(hù)基板110的保護(hù)層。
[0049]在該示例中，諧振部135包括按順序?qū)訅翰⑽挥跉馇?12上方的第一電極140、壓電層150和第二電極160。
[0050]第一電極140形成在膜130的上表面上，并覆蓋膜130的一部分。在示例中，第一電極140由典型導(dǎo)電材料(諸如，金屬)形成。具體地，第一電極140可由金(Au)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、釕(Ru)、鉑(Pt)、鎢(W)、鋁(Al)或鎳(Ni)形成。然而，這些僅僅是示例，并且可由其它適合的金屬材料形成第一電極140。
[0051]壓電層150形成在膜130和第一電極140的上表面上，并覆蓋膜130的一部分和第一電極140的一部分。壓電層150用作通過將電能轉(zhuǎn)換成聲波形式的機(jī)械能來產(chǎn)生壓電效應(yīng)的部件。例如，壓電層150由氮化鋁(A1N)、氧化鋅(ZnO)、鉛鋯鈦氧化物(PZT，PbZrT1)或具有適合的壓電特性的其它類似的適合的材料形成。
[0052]此外，第二電極160形成在壓電層150上。以類似于第一電極140的方式，第二電極160可由諸如金(Au)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、釕(Ru)、鉑(Pt)、鎢(W)、鋁(Al)或鎳(Ni)的導(dǎo)電材料形成。然而，這些僅僅是示例，并且可由其它適合的金屬材料形成第二電極160。
[0053]諧振部135被分為有源區(qū)(active reg1n)和非有源區(qū)(non-active reg1n)。諧振部135的有源區(qū)是當(dāng)電能施加到第一電極140和第二電極160以引起壓電層150中的電場時通過壓電現(xiàn)象沿著預(yù)定方向振動從而產(chǎn)生諧振的區(qū)域。在示例中，諧振部135的有源區(qū)對應(yīng)于在氣腔112上方的第一電極140、壓電層150和第二電極160在豎直方向上相互重疊的區(qū)域。諧振部135的非有源區(qū)可能對應(yīng)于有源區(qū)外部的區(qū)域，諧振部135的非有源區(qū)是即使在示例中電能被施加到第一電極140和第二電極160也不會通過壓電效應(yīng)而發(fā)生諧振的區(qū)域。
[0054]如上所述，具有上述配置的諧振部135利用壓電層150的壓電效應(yīng)過濾掉特定頻率的RF信號。也就是說，施加到第二電極160的RF信號通過諧振部135向第一電極140輸出。在該示例中，由于根據(jù)在壓電層150中發(fā)生的振動，諧振部135具有恒定的諧振頻率，所以在所施加的RF信號中，諧振部135僅輸出與諧振部135的諧振頻率相匹配的信號。
[0055]保護(hù)層170位于諧振部135的第二電極160上，以防止第二電極160暴露在外面。例如，保護(hù)層170由絕緣材料形成。這里，絕緣材料的示例包括二氧化娃基材料、氮化娃基材料和氮化鋁基材料。然而，這些僅僅是示例，并且其它適合的絕緣材料在其它示例中被使用。
[0056]在該示例中，連接電極180形成在非有源區(qū)的第一電極140和第二電極160的上方，并穿透保護(hù)層170，以結(jié)合到第一電極140和第二電極160。設(shè)置連接電極180，以確認(rèn)諧振器的濾波特性并完成需要的頻率微調(diào)。然而，連接電極180的功能不限于此，并且連接電極180可選地在其它示例中具有其它作用。
[0057]在一個示例中，蓋子200結(jié)合到基板110，以保護(hù)諧振部135免受外部環(huán)境影響。
[0058]在該示例中，蓋子200形成為具有包括容納諧振部135的內(nèi)部空間的蓋形。具體地，蓋子200具有形成在其中央以將諧振部135容納在內(nèi)的槽部，并且蓋子200的框架形成為相比于槽部是臺階式的，以在諧振器的邊緣處連接到諧振器。在示例中，框架通過粘結(jié)劑250在特定區(qū)域直接或間接結(jié)合到基板110。盡管圖1示出了框架結(jié)合到層疊在基板110上的保護(hù)層170的示例，但是框架也可穿透保護(hù)層170結(jié)合到膜130、蝕刻停止層125、絕緣層120和基板110中的至少一個。
[0059]在示例中，蓋子200在晶圓級通過晶圓鍵合來形成。也就是說，將其上形成有多個單元基板110的基板晶圓與其上形成有多個單元蓋子200的蓋子晶圓彼此結(jié)合以整體形成為粘合的晶圓。然后，以切割工藝切割被彼此粘合的基板晶圓和蓋子晶圓，以分割成多個圖1所示的單獨(dú)的體聲波諧振器。
[0060]根據(jù)示例的蓋子200通過共晶焊結(jié)合到基板110。共晶焊是使用可產(chǎn)生共晶系統(tǒng)的中間金屬層的晶圓結(jié)合技術(shù)。那些共晶金屬是不通過兩相平衡(即，液態(tài)和固態(tài))在特定組成和溫度下直接從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)或反過來直接從液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的合金。在這種情況下，在粘結(jié)劑250(共晶焊到基板110上)沉積到基板110上之后，對基板晶圓和蓋子晶圓進(jìn)行加壓和加熱以使彼此結(jié)合。
[0061]在這一示例中，粘結(jié)劑250可包括共晶材料(諸如，銅(Cu)-錫(Sn)合金)，并且也可能包括焊料球。
[0062]圖2是根據(jù)圖1所示的示例的實際體聲波諧振器的局部放大視圖，具體地說，是圖1的區(qū)域A的放大視圖。
[0063]具體地，圖2示出了基板110和蓋子200的結(jié)合區(qū)域的局部放大視圖。參照圖2，可觀察到在存在于結(jié)合區(qū)域中的粘結(jié)劑250中存在微孔。在結(jié)合區(qū)域中存在上述微孔的示例中，水分或類似的環(huán)境影響可能滲透進(jìn)入結(jié)合區(qū)域，這會導(dǎo)致不能確保體聲波諧振器的穩(wěn)定性的問題。
[0064]圖3A至圖3C是示出制造根據(jù)示例的體聲波諧振器的工藝的示圖。參照圖3A至圖3C的示例，可觀察到在其上形成有多個單獨(dú)的圖1的基板110的基板晶圓111(即，在其上設(shè)置有多個諧振部135的基板晶圓)和在其上設(shè)置有多個蓋子的蓋子晶圓201被設(shè)置為彼此結(jié)合。這些示例示意性地示出了在其被分割成單獨(dú)的體聲波諧振器之前在晶圓級同時制造的多個體聲波諧振器。
[0065]參照圖3A的示例，所述多個體聲波諧振器在由單獨(dú)的基板材料形成的具有大面積的基板晶圓111上被制造。具有大面積的基板晶圓111和蓋子晶圓201使用粘結(jié)劑250彼此結(jié)合。彼此結(jié)合的基板晶圓111和蓋子晶圓201被稱為封裝體聲波諧振器。
[0066]參照圖3B，圖3A示出的晶圓級的體聲波諧振器(S卩，封裝體聲波諧振器)的一部分或全部通過半切割方法或全切割方法被切割。這里，粘結(jié)劑250通過半切割而暴露在外面。在示例中，半切割將晶圓級的體聲波諧振器切割成ΙΟΟμπι或更小。
[0067]如上所述，微孔形成在粘結(jié)劑250中。相應(yīng)地，上述微孔使體聲波諧振器的可靠性降低。
[0068]參照圖3C的示例，密封層116形成在暴露在所述多個單獨(dú)的體聲波諧振器10中的每一個的外面的粘結(jié)劑250的表面上。在這一示例中，密封層116同時地形成在所述多個單獨(dú)的體聲波諧振器上。
[0069]根據(jù)示例，制造體聲波諧振器的工藝通過在所述多個單獨(dú)的體聲波諧振器10上同時地形成密封層116來簡化。
[0070]圖4A至圖4F是詳細(xì)示出在暴露在體聲波諧振器的外面的粘結(jié)劑的表面上形成密封層的示圖。在下文中，參照圖4A至圖4F的示例更詳細(xì)地描述密封層116的結(jié)構(gòu)以及制造密封層116的方法。
[0071]首先，參照圖4A和圖4B的示例，如圖4A所示，密封層116對應(yīng)于暴露在體聲波諧振器的外面的粘結(jié)劑250的表面區(qū)域，并且如圖4B所示，密封層116形成在單獨(dú)的體聲波諧振器之間的整個切割表面上。
[0072]在該示例中，外電極115和密封層116通過相同的工藝來形成，使得形成密封層116的材料是與形成外電極115的材料相同的材料。因此，類似于形成外電極115的金屬材料，形成密封層116的金屬材料也是雙層的金(Au)-鎳(Ni)金屬層。這里，在形成鎳(Ni)金屬層之后，將金(Au)金屬層形成在鎳(Ni)金屬層上。
[0073]例如，雙層的金(Au)-鎳(Ni)通過使用如上所述的無電鍍工藝來進(jìn)行沉積，從而形成外電極115和密封層116。這里，在這一示例中，雙層的金(Au)-鎳(Ni)之中鎳(Ni)的厚度為4μηι，而金(Au)的厚度為0.05μηι。
[0074]然后，參照圖4C和圖4D的示例，如圖4C所示，密封層116對應(yīng)于暴露在體聲波諧振器的外面的粘結(jié)劑250的表面區(qū)域，并且如圖4D所示，密封層116形成在單獨(dú)的體聲波諧振器之間的整個切割表面上。
[0075]因此，連接導(dǎo)體114和密封層116通過相同的工藝來形成，使得形成密封層116的材料是與形成連接導(dǎo)體114的材料相同的材料。因此，類似于形成連接導(dǎo)體114的金屬材料，形成密封層116的金屬材料也是鈦(Ti)-銅(Cu)合金。
[0076]在該示例中，鈦(Ti)-銅(Cu)合金通過使用無電鍍工藝來進(jìn)行沉積，并且相應(yīng)地形成了連接導(dǎo)體114和密封層116。
[0077]最后，參照圖4E和圖4F的示例，如圖4E所示，密封層116對應(yīng)于暴露在體聲波諧振器的外面的粘結(jié)劑250的表面區(qū)域，并且如圖4F所示，密封層116形成在單獨(dú)的體聲波諧振器之間的整個切割表面上。
[0078]形成密封層116的材料是與形成連接導(dǎo)體114和外電極115的材料相同的材料。此夕卜，密封層116通過與形成連接導(dǎo)體114和外電極115的工藝相同的工藝來形成。相應(yīng)地，形成密封層116的金屬材料具有對形成連接導(dǎo)體114的鈦(Ti)-銅(Cu)合金和形成外電極115的雙層的金(Au)-鎳(Ni)進(jìn)行順序?qū)訅旱男问健?br>[0079]此外，在該示例中，在通過使用無電鍍工藝沉積鈦(Ti)-銅(Cu)合金以后，再通過使用無電鍍工藝沉積雙層的金(Au)-鎳(Ni)。
[0080]根據(jù)示例，在不采用另外的工藝的情況下，通過使用形成連接導(dǎo)體114和/或外電極115的工藝，通過在暴露在體聲波諧振器外面的粘結(jié)劑250的表面上或體聲波諧振器的整個切割內(nèi)表面上對金屬材料進(jìn)行沉積來形成密封層116。因此，體聲波諧振器的可靠性得到提尚O
[0081 ] 如上所述，根據(jù)本公開的示例性實施例，防止水分滲透進(jìn)入體聲波諧振器，從而可確?？煽啃?。
[0082]除非另有說明，第一層“位于”第二層或基板“上”這樣的陳述應(yīng)被解釋為既包括第一層直接與第二層或基板接觸的情形，也包括在第一層和第二層之間或第一層與基板之間布置有一層或更多層其他層的情形。
[0083]描述相對空間關(guān)系的詞，諸如“在…下面”、“在…之下”、“下面”、“下部”、“底部”、“上方”、“上面”、“上部”、“頂部”、“左”和“右”，可用來方便地描述一個裝置或元件與其它裝置或元件的空間關(guān)系。這樣的詞語應(yīng)該被解釋為包含:如附圖所示的方位布置的裝置，以及在使用中或者運(yùn)行中處于其它方位下的裝置。例如，基于附圖所示的裝置方位包括布置在第一層上方的第二層的裝置的示例也包括在使用或者運(yùn)行中被上下顛倒的裝置。
[0084]如此處所使用的諸如“第一導(dǎo)電類型”和“第二導(dǎo)電類型”的表述可指示相反的導(dǎo)電類型(諸如，N和P導(dǎo)電類型)，并且在此使用這樣的表述所描述的示例也包含互補(bǔ)示例。例如，其中第一導(dǎo)電類型為N且第二導(dǎo)電類型為P的示例包含其中第一導(dǎo)電類型為P且第二導(dǎo)電類型為N的示例。
[0085]雖然本公開包括特定示例，但對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將明顯的是，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可對這些實施例進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。在此所描述的示例僅被視為描述性意義，而不是出于限制的目的。各個示例中的特征或方面的描述將被視為可適用于其它示例中的類似的特征或方面。如果以所述技術(shù)以不同的順序執(zhí)行，且/或如果所述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、設(shè)備或電路的部件以不同的方式組合，且/或由其他組件或其等同物替代或補(bǔ)充，則也可實現(xiàn)合適的結(jié)果。因此，本公開的范圍不是由【具體實施方式】限定的，而是由權(quán)利要求及其等同物限定的，并且權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的全部變型將被解釋為包括在本公開中。
【主權(quán)項】
1.一種體聲波諧振器，包括: 基板； 諧振部，包括層壓在基板的上表面上的第一電極、壓電層和第二電極； 蓋子，通過粘結(jié)劑結(jié)合到基板上； 密封層，形成在粘結(jié)劑的暴露在外的表面上。2.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括: 通孔，沿著基板的厚度方向穿透基板； 連接導(dǎo)體，形成在通孔的內(nèi)表面并延伸至基板的下表面。3.如權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器，其中，密封層和連接導(dǎo)體由鈦-銅合金形成。4.如權(quán)利要求2所述的體聲波諧振器，所述體聲波諧振器還包括: 外電極，形成在位于基板的下表面上的連接導(dǎo)體上。5.如權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器，其中，密封層和外電極由雙層的金-鎳金屬形成。6.如權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，鎳和金在雙層的金-鎳金屬中順序地層壓。7.如權(quán)利要求5所述的體聲波諧振器，其中，在雙層的金-鎳金屬中，鎳的金屬層的厚度大于金的金屬層的厚度。8.如權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，粘結(jié)劑包含銅-錫合金的共晶材料。9.一種制造體聲波諧振器的方法，所述方法包括: 通過使用粘結(jié)劑將基板晶圓與蓋子晶圓彼此結(jié)合來形成封裝體聲波諧振器，其中，在所述基板晶圓上形成有單元基板，在所述蓋子晶圓上形成有單元蓋子； 通過對所述封裝體聲波諧振器的邊緣進(jìn)行切割來產(chǎn)生單獨(dú)的體聲波諧振器； 在所述單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面上形成密封層。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在體聲波諧振器的產(chǎn)生期間，封裝體聲波諧振器的邊緣是半切割的，并且，在密封層的形成期間，密封層形成在單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面上。11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在密封層的形成期間，密封層被形成以對應(yīng)于單獨(dú)的體聲波諧振器中的每一個的暴露在外的粘結(jié)劑的表面。12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在密封層的形成期間，密封層形成在通過所述切割進(jìn)行切割的整個表面上。13.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括: 在每個單元基板中形成通孔； 形成從通孔的內(nèi)表面延伸至單元基板的下表面的連接導(dǎo)體， 其中，連接導(dǎo)體的形成和密封層的形成是同時進(jìn)行的。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，密封層和連接導(dǎo)體通過對鈦-銅合金進(jìn)行沉積來形成。15.如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括:在位于基板的下表面上的連接導(dǎo)體上形成外電極，其中，外電極的形成和密封層的形成是同時進(jìn)行的。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，外電極和密封層通過對金和鎳金屬層進(jìn)行順序地沉積來形成。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在金和鎳金屬層中，鎳的金屬層的厚度大于金的金屬層的厚度。18.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，粘結(jié)劑包含銅-錫合金的共晶材料。
【文檔編號】H03H3/02GK106067780SQ201610082339
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年2月5日 公開號201610082339.X, CN 106067780 A, CN 106067780A, CN 201610082339, CN-A-106067780, CN106067780 A, CN106067780A, CN201610082339, CN201610082339.X
【發(fā)明人】胡爾齊卓·胡都博迪耶, 李文喆, 樸皓埈, 金德煥, 李玲揆
【申請人】三星電機(jī)株式會社