專利名稱：聲界面波裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及一種利用在媒質(zhì)的界面?zhèn)魉偷穆暯缑娌ǖ穆暯缑娌ㄑb置的制造方法以及該聲界面波裝置，更為詳細來說，涉及一種具有在電極兩側(cè)的媒質(zhì)中的一方媒質(zhì)的外側(cè)還疊層媒質(zhì)的構(gòu)造的聲界面波裝置的制造方法以及聲界面波裝置。
背景技術(shù)：
以往，在移動電話用RF濾波器與IF濾波器，以及VCO用共振子與電視機用VIF濾波器等中，使用各種聲表面波裝置。聲表面波裝置，使用在媒質(zhì)表面?zhèn)魉偷娜鹄ɑ虻贗泄漏波等聲表面波。聲表面波由于在媒質(zhì)表面?zhèn)魉?，因此對媒質(zhì)的表面狀態(tài)的變化很敏感。因此，為了保護媒質(zhì)的聲表面波傳送面，聲表面波器件被氣密封在設(shè)有面對該傳送面的空洞的封裝中。由于使用這種具有空洞的封裝，因此聲表面波裝置的成本不得不增高。另外，由于封裝的尺寸遠大于聲表面波器件的尺寸，因此聲表面波裝置不得不增大。另外，在彈性波中，除了上述聲表面波之外，還有在固體間的界面中傳送的聲界面波(Boundary Acoustic Wave)。例如，下述的非專利文獻I中，公開了一種在126°旋轉(zhuǎn)Y板X傳送的LiTaO3基板上形成有IDT，并且IDT與LiTaO3基板上SiO2膜形成為給定的厚度的聲界面波裝置。這里，示出了傳送稱作斯通利(stoneley)波的SV+P型的聲界面波的情形。另外，非專利文獻I中，示出了在上述SiO2膜的膜厚為Ι.Ολ (λ為聲界面波的波長)的情況下，機電結(jié)合系數(shù)為2%。聲界面波，在能量集中在固體間的界面部分中的狀態(tài)下傳送。因此，上述1^了&03基板的底面以及SiO2膜的表面上，幾乎不存在能量，所以基板或薄膜的表面狀態(tài)的變化幾乎不引起特性變化。所以，能夠省去空洞形成封裝，減小彈性波裝置的尺寸。另外，利用彈性波的濾波器或共振子中，為了抑制共振頻率或中心頻率的偏差，提出了各種各樣的頻率調(diào)整方法。例如，下述專利文獻I中，公開了一種在利用體波的厚度振動的壓電陶瓷濾波器中，通過對壓電陶瓷基板的表面上形成有的共振電極蒸鍍絕緣性物質(zhì)，來進行頻率調(diào)整的方法。另外，下述專利文獻2中，在利用表面波的表面波裝置中，形成SiN膜來將形成在壓電基板上的IDT電極以及反射器覆蓋起來，通過該SiN膜的膜厚調(diào)整，來調(diào)整中心頻率或共振頻率。另外，下述專利文獻3中，公開了

圖12所示的聲界面波裝置。聲界面波裝置100中，在壓電性的第I基板101上，形成有梳齒電極102、102。之后，形成電介質(zhì)膜103覆蓋梳齒電極102、102。之后，在電介質(zhì)膜103的上面，層積由Si類材料所形成的第2基板104。聲界面波裝置100中，Si類材料所形成的第2基板104不與梳齒電極102、102直接接觸，之間設(shè)有電介質(zhì)膜103，因此能夠降低梳齒電極102、102間的寄生電阻。非專利文獻1 “Piezoelectric Acoustic Boundary Waves PropagatingAlongthe Interface Between Si02and LiTa03，，IEEE Trans.Sonics andultrason.,VOL.SU-25,N0.6，1978IEEE專利文獻1:特開平5-191193號公報專利文獻2:特開平2-301210號公報專利文獻3:W098/51011 號前述的聲界面波裝置中，由于不需要空洞形成封裝，因此能夠?qū)崿F(xiàn)彈性波裝置的小型化。但是，根據(jù)本發(fā)明人的實驗，聲界面波裝置中，也和聲表面波裝置的情況一樣，容易因制造偏差引起共振頻率或中心頻率偏差。特別是聲界面波裝置中，在第I媒質(zhì)上形成了電極之后，形成第2媒質(zhì)覆蓋該電極。因此，第2媒質(zhì)的制造如果產(chǎn)生偏差，聲界面波裝置的頻率就容易產(chǎn)生很大的偏差。另外，專利文獻I與專利文獻2所述的方法中，在實施體波裝置的頻率調(diào)整時，在體波基板表面蒸鍍絕緣性物質(zhì)，專利文獻2所述的方法中，在表面波基板上設(shè)置SiN膜進行頻率調(diào)整。也即，以往的體波裝置或聲表面波裝置中，利用振動能量分布在基板表面這一點，通過在基板表面上設(shè)置絕緣體或金屬，來進行頻率調(diào)整。另外，還公知有通過蝕刻基板表面的電極，或蝕刻基板表面來調(diào)整頻率的方法。但是，聲界面波裝置中，由于裝置表面幾乎沒有分布界面波的振動能量，因此無法使用這樣的頻率調(diào)整方法。也即，即使在基板表面設(shè)置絕緣物等異物，或切削基板表面，共振頻率或通頻帶也不會變化。專利文獻3所述的聲界面波裝置100中，通過介插上述電介質(zhì)膜103來實現(xiàn)寄生電阻的降低，但完成后無法進行頻率調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，正是鑒于上述以往技術(shù)的現(xiàn)狀提出的，其目的在于:提供一種能夠穩(wěn)定且可靠地提供能夠有效抑制制造偏差等所引起的頻率偏差，從而具有所期望的頻率特性的聲界面波裝置的制造方法，以及頻率偏差較少，且具有所期望的頻率特性的聲界面波裝置。本申請的第I發(fā)明，是一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序疊層第I 第3媒質(zhì)、并且第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括:準備疊層第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)、并在第1、第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的疊層體的工序；在上述疊層體階段，通過第2媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)的工序。第I發(fā)明的某個特定方案中，在設(shè)聲界面波的波長為λ時，第3媒質(zhì)的厚度，大于0.5 λ。本申請的第2發(fā)明，是一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序疊層第I 第4媒質(zhì)、且第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括:準備按順序疊層第I 第3媒質(zhì)、并在第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的疊層體的工序；在上述疊層體階段，調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第3媒質(zhì)不同的第4媒質(zhì)的工序。
如上所述，第1、第2發(fā)明中，分別讓第3媒質(zhì)及第4媒質(zhì)，構(gòu)成為與第2媒質(zhì)及第3媒質(zhì)的聲速及/或材料不同。這種情況下，如果材料不同，縱波的聲速或橫波的聲速就不同。另外，即使是同一材料，通過讓結(jié)晶狀態(tài)不同，或在多結(jié)晶體的情況下通過變更致密程度，能夠變更聲速。另外，在媒質(zhì)層為各向同性體的情況下，媒質(zhì)層的縱波的聲速Vs,與橫波的聲速Vp，由該媒質(zhì)層的彈性勁度常數(shù)C11、C12以及密度P，通過下述式(I)與式(2)表示 ο
權(quán)利要求
1.一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序疊層第I 第3媒質(zhì)、并且第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括: 準備疊層有第I媒質(zhì)與第2媒質(zhì)、并在第1、第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的疊層體的工序; 在上述疊層體階段，通過第2媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率、或聲表面波的聲速的調(diào)整工序；以及， 上述調(diào)整工序后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種頻率偏差較小的聲界面波裝置的制造方法。該聲界面波裝置，按順序疊層第1～第3媒質(zhì)(1～3)、并且第1媒質(zhì)(1)與第2媒質(zhì)(2)間的界面上設(shè)有電極(5)。該制造方法中，準備疊層第1媒質(zhì)(1)與第2媒質(zhì)(2)，并在第1、第2媒質(zhì)(1、2)的界面中設(shè)有電極(5)的疊層體，在該疊層體階段，通過調(diào)整第2媒質(zhì)(2)的膜厚來調(diào)整頻率或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速，實施該調(diào)整后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)(3)。
文檔編號H03H9/145GK103187944SQ20131007054
公開日2013年7月3日 申請日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者門田道雄, 神藤始 申請人:株式會社村田制作所