1)和泡沫鋁-銅-鎳合金(02)實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽功能，同時(shí)罩體表面經(jīng)過鹽酸處理形成納米片的超疏水結(jié)構(gòu)，起到了自清潔、抗腐蝕的保護(hù)作用。
[0043]所述罩體為三明治結(jié)構(gòu)，具體為兩層坡莫合金板(01)中間夾一層泡沫鋁-銅-鎳合金(02);所述坡莫合金板(01)的厚度為0.5mm，該坡莫合金板(01)表面為由納米片結(jié)構(gòu)覆蓋;該坡莫合金板(01)中Ni和Fe的比例為2: 3，并且加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5 %和I %的Mo、Si元素;所述泡沫鋁-銅-鎳合金(02)的厚度為3_，該泡沫鋁-銅-鎳合金(02)中鎳的含量約5?40%;所述納米片結(jié)構(gòu)為所述坡莫合金板(01)經(jīng)鹽酸和低表面能十七氟癸脂三甲基色氨酸硅烷修飾得到。
[0044]優(yōu)選地，所述罩體的制作包括以下步驟:
[0045]步驟一，坡莫合金板的制備；
[0046]l)Ni含量的確定
[0047]摒棄傳統(tǒng)的中鎳合金和高鎳合金，采用Ni含量40%的低鎳合金，并在其中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5 %和I %的Mo、Si元素，Mo元素的作用主要是增加材料的電阻率，Si元素的作用主要是增加磁飽和度；
[0048]2)乳制
[0049]將熔融狀態(tài)的Ni和Fe按照2:3的比例進(jìn)行混合，并在其中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5%和I %的Mo、Si元素，通過冶煉熔融法并經(jīng)過乳制得到坡莫合金板；
[0050]3)熱處理
[0051 ]熱處理分退火、淬火和回火、最終冷卻階段;退火階段:坡莫合金在保護(hù)氦氣氣氛中1000?1300 °C退火5h;淬火和回火階段:合理有效的水冷設(shè)備能夠使合金得到強(qiáng)烈冷卻，然后配合600°C高溫回火，能夠改善坡莫合金板的屏蔽性能，提高其屏蔽效能；最終冷卻階段:在保護(hù)氦氣氛圍下自然降溫，經(jīng)過冷卻后獲得坡莫合金板；
[0052]步驟二，坡莫合金板表面疏水結(jié)構(gòu)的處理；
[0053]I)將坡莫合金板依次放入丙酮、乙醇、去離子水中超聲30min，然后用氮?dú)獯蹈桑?br>[0054]2)先配制26.5 %的鹽酸溶液，隨后放入HF(38w%)溶液，攪拌均勻，將坡莫合金放入溶液中，75°C恒溫水浴處理1h取出，然后用大量清水沖洗后放入干燥箱干燥，得到坡莫合金表面的納米片結(jié)構(gòu)；
[0055]3)將鹽酸處理過的坡莫合金浸泡到月桂酸鈉修飾液(29mg/mL)中，在90 °C的干燥箱中保溫4h，完成坡莫合金表面的低表面能修飾；
[0056]步驟三，泡沫鋁-銅-鎳合金的制備；
[0057]I)分別加熱金屬鋁、銅和鎳到熔融狀態(tài)，按照1:2:2比例形成金屬混合液；
[0058]2)將金屬鈣加入混合金屬液進(jìn)行攪拌，對(duì)熔融狀態(tài)的金屬進(jìn)行粘度調(diào)節(jié)，使熔體的粘度增加，這一步驟對(duì)于能否形成泡沫金屬至關(guān)重要，只有在粘度合適時(shí)，氣泡才不至于逸出；
[0059]3)當(dāng)粘度適合發(fā)泡時(shí)，將ZrH2鼓入金屬液中作為發(fā)泡劑，通過攪拌使發(fā)泡劑與金屬液充分均勻混合，在加熱的粘滯金屬液中釋放出H2,金屬液膨脹，冷卻后得到泡沫鋁-銅-鎳合金；
[0060]步驟四，電磁屏蔽罩體的制備；
[0061 ] I)將泡沫鋁-銅-鎳合金裁剪成板狀材料；
[0062]2)在泡沫鋁-銅-鎳合金的兩面涂抹粘合劑，將坡莫合金版與其粘合在一起，完成了寬頻帶電磁屏蔽罩體的制作。
[0063]測(cè)試數(shù)據(jù)
[0064]首先測(cè)試該罩體的疏水性能，當(dāng)坡莫合金板經(jīng)過修飾液中保溫時(shí)間4h處理后，其接觸角為166度，滾動(dòng)角小于5度;泡沫鋁-銅-鎳合金中鋁、銅、鎳的質(zhì)量比例為1: 2: 2時(shí)，對(duì)該罩體進(jìn)行電磁屏蔽測(cè)試發(fā)現(xiàn)，其電磁屏蔽效能高達(dá)98dB。
[0065]測(cè)試結(jié)果表明該罩體具有較好的超疏水效果，能夠起到自清潔、防霧及防冰凍作用，對(duì)數(shù)字接口感測(cè)裝置起到保護(hù)及清潔作用，提高了數(shù)字接口感測(cè)裝置的使用壽命；
[0066]電磁屏蔽方面，電磁屏蔽效能高達(dá)98dB，可以保護(hù)數(shù)字接口感測(cè)裝置電子元器件免受外界電磁波的干擾，同時(shí)其對(duì)自身電磁波的屏蔽也減少了環(huán)境的電磁污染。
[0067]實(shí)施例2
[0068]—種防電磁輻射性能良好的數(shù)字接口感測(cè)裝置，所述數(shù)字接口感測(cè)裝置的外面罩有電磁屏蔽的罩體，該罩體采用坡莫合金板(01)和泡沫鋁-銅-鎳合金(02)實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽功能，同時(shí)罩體表面經(jīng)過鹽酸處理形成納米片的超疏水結(jié)構(gòu)，起到了自清潔、抗腐蝕的保護(hù)作用。
[0069]所述罩體為三明治結(jié)構(gòu)，具體為兩層坡莫合金板(01)中間夾一層泡沫鋁-銅-鎳合金(02);所述坡莫合金板(01)的厚度為0.5mm，該坡莫合金板(01)表面為由納米片結(jié)構(gòu)覆蓋;該坡莫合金板(01)中Ni和Fe的比例為2: 3，并且加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5 %和I %的Mo、Si元素;所述泡沫鋁-銅-鎳合金(02)的厚度為3_，該泡沫鋁-銅-鎳合金(02)中鎳的含量約5?40%;所述納米片結(jié)構(gòu)為所述坡莫合金板(01)經(jīng)鹽酸和低表面能十七氟癸脂三甲基色氨酸硅烷修飾得到。
[0070]優(yōu)選地，所述罩體的制作包括以下步驟:
[0071]步驟一，坡莫合金板的制備；
[0072]l)Ni含量的確定
[0073]摒棄傳統(tǒng)的中鎳合金和高鎳合金，采用Ni含量40%的低鎳合金，并在其中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5 %和I %的Mo、Si元素，Mo元素的作用主要是增加材料的電阻率，Si元素的作用主要是增加磁飽和度；
[0074]2)乳制
[0075]將熔融狀態(tài)的Ni和Fe按照2:3的比例進(jìn)行混合，并在其中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.5%和I %的Mo、Si元素，通過冶煉熔融法并經(jīng)過乳制得到坡莫合金板；
[0076]3)熱處理
[0077]熱處理分退火、淬火和回火、最終冷卻階段;退火階段:坡莫合金在保護(hù)氦氣氣氛中1000?1300 °C退火5h;淬火和回火階段:合理有效的水冷設(shè)備能夠使合金得到強(qiáng)烈冷卻，然后配合600°C高溫回火，能夠改善坡莫合金板的屏蔽性能，提高其屏蔽效能；最終冷卻階段:在保護(hù)氦氣氛圍下自然降溫，經(jīng)過冷卻后獲得坡莫合金板；
[0078]步驟二，坡莫合金板表面疏水結(jié)構(gòu)的處理；
[0079]I)將坡莫合金板依次放入丙酮、乙醇、去離子水中超聲30min，然后用氮?dú)獯蹈桑?br>[0080]2)先配制26.5 %的鹽酸溶液，隨后放入HF(38w%)溶液，攪拌均勻，將坡莫合金放入溶液中，75°C恒溫水浴處理1h取出，然后用大量清水沖洗后放入干燥箱干燥，得到坡莫合金表面的納米片結(jié)構(gòu)；
[0081 ] 3)將鹽酸處理過的坡莫合金浸泡到月桂酸鈉修飾液(29mg/mL)中，在90 °C的干燥箱中保溫3.5h，完成坡莫合金表面的低表面能修飾；
[0082]步驟三，泡沫鋁-銅-鎳合金的制備；
[0083]I)分別加熱金屬鋁、銅和鎳到熔融狀態(tài)，按照1: 1:2比例形成金屬混合液；
[0084]2)將金屬鈣加入混合金屬液進(jìn)行攪拌，對(duì)熔融狀態(tài)的金屬進(jìn)行粘度調(diào)節(jié)，使熔體的粘度增加，這一步驟對(duì)于能否形成泡沫金屬至關(guān)重要，只有在粘度合適時(shí)，氣泡才不至于逸出；
[0085]3)當(dāng)粘度適合發(fā)泡時(shí)，將ZrH2鼓入金屬液中作為發(fā)泡劑，通過攪拌使發(fā)泡劑與金屬液充分均勻混合，在加熱的粘滯金屬液中釋放出H2,金屬液膨脹，冷卻后得到泡沫鋁-銅-鎳合金；
[0086]步驟四，電磁屏蔽罩體的制備；
[0087]I)將泡沫鋁-銅-鎳合金裁剪成板狀材料；
[0088]2)在泡沫鋁-銅-鎳合金的兩面涂抹粘合劑，將坡莫合金版與其粘合在一起，完成了寬頻帶電磁屏蔽罩體的制作。
[0089]測(cè)試數(shù)據(jù)
[0090]首先測(cè)試該罩體的疏水性能，當(dāng)坡莫合金板經(jīng)過修飾液中保溫時(shí)間3.5h處理后，其接觸角為164度，滾動(dòng)角小于5度;泡沫鋁-銅-鎳合金中鋁、銅、鎳的質(zhì)量比例為1: 1:2時(shí)，對(duì)該罩體進(jìn)行電磁屏蔽測(cè)試發(fā)現(xiàn)，其電磁屏蔽效能高達(dá)96dB。
[0091]測(cè)試結(jié)果表明該罩體具有較好的超疏水效果，能夠起到自清潔、防霧及防冰凍作用，對(duì)數(shù)字接口感測(cè)裝置起到保護(hù)及清潔作用；
[0092]電磁屏蔽方面，電磁屏蔽效能高達(dá)96dB，可以保護(hù)數(shù)字接口感測(cè)裝置電子元器件免受外界電磁波的干擾，同時(shí)其對(duì)自身電磁波的屏蔽也減少了環(huán)境的電磁污染。
[0093]實(shí)施例3